JP2001077007A - 部分一括露光方法 - Google Patents
部分一括露光方法Info
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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-
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- H01J2237/31788—Lithography by projection through mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 繰返し数が少なく、かつ微細な寸法であるパ
ターンを部分一括露光方法を用いて精度よく作成する。 【解決手段】 電子線を用いた部分一括露光に基づいて
デバイスパターンを描画する際に、デバイスパターンデ
ータを各ブロックＢ毎に区切線Ｌを用いて区切り、次に
セル選択優先順位を各ブロックＢ毎に定義する。そし
て、数字の小さいブロックＢ１の範囲内から優先的に部
分一括露光に用いるデバイスパターンを抽出し、その抽
出したデータに基づいて電子線露光マスクを作成し、そ
の電子線露光マスクを用いて電子線による部分一括露光
を行う。
ターンを部分一括露光方法を用いて精度よく作成する。 【解決手段】 電子線を用いた部分一括露光に基づいて
デバイスパターンを描画する際に、デバイスパターンデ
ータを各ブロックＢ毎に区切線Ｌを用いて区切り、次に
セル選択優先順位を各ブロックＢ毎に定義する。そし
て、数字の小さいブロックＢ１の範囲内から優先的に部
分一括露光に用いるデバイスパターンを抽出し、その抽
出したデータに基づいて電子線露光マスクを作成し、そ
の電子線露光マスクを用いて電子線による部分一括露光
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線によって微
細パターンを形成する部分一括露光方法に関するもので
ある。
細パターンを形成する部分一括露光方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電子線によって微細パターンを形成する
手法には、これまでポイントビームによる方法が用いら
れてきた。しかしながら、電子線露光の役割がこれまで
の簡易なパターン描画のみにとどまらず、先端デバイス
の試作に用いられるようになったためスループットの低
下が著しい。そのため、電子線露光の長所である高解像
性を維持しある程度のスループットを得る手法として、
部分一括露光方式と可変成形方式とがある。可変成形露
光方式は、矩形に成形された２枚のアパーチャを利用
し、電子を偏向させることにより照射する矩形の大きさ
を変えて露光を行う手法である。これによりある程度大
きな面積を持つ矩形の露光が一回の露光で済むことから
スループットが向上する。しかし、微細なパターンや複
雑に入り組んだパターンでは分割される矩形の数が多く
なり、可変成形露光ではそれら全ての矩形毎に照射を行
う必要がありスループットが低下する。そのため、繰り
返しの多いデバイスパターンの一部をマスク上に予め作
り、このマスクに拡げたビームを照射することによりあ
る程度の面積を持つ領域のパターンを一度の照射で露光
する方法が部分一括露光方式である。
手法には、これまでポイントビームによる方法が用いら
れてきた。しかしながら、電子線露光の役割がこれまで
の簡易なパターン描画のみにとどまらず、先端デバイス
の試作に用いられるようになったためスループットの低
下が著しい。そのため、電子線露光の長所である高解像
性を維持しある程度のスループットを得る手法として、
部分一括露光方式と可変成形方式とがある。可変成形露
光方式は、矩形に成形された２枚のアパーチャを利用
し、電子を偏向させることにより照射する矩形の大きさ
を変えて露光を行う手法である。これによりある程度大
きな面積を持つ矩形の露光が一回の露光で済むことから
スループットが向上する。しかし、微細なパターンや複
雑に入り組んだパターンでは分割される矩形の数が多く
なり、可変成形露光ではそれら全ての矩形毎に照射を行
う必要がありスループットが低下する。そのため、繰り
返しの多いデバイスパターンの一部をマスク上に予め作
り、このマスクに拡げたビームを照射することによりあ
る程度の面積を持つ領域のパターンを一度の照射で露光
する方法が部分一括露光方式である。
【０００３】部分一括露光方式は、電子線露光マスクを
用いて繰返しパターンを順次露光する方法であり、その
際、繰返し露光できないパターンについては、可変成形
方式を用いて露光を行うことが一般的に行われている
（例えば、特開平１０−９２７０８号公報等）。
用いて繰返しパターンを順次露光する方法であり、その
際、繰返し露光できないパターンについては、可変成形
方式を用いて露光を行うことが一般的に行われている
（例えば、特開平１０−９２７０８号公報等）。
【０００４】ところで、部分一括露光方法では、部分一
括露光に使用可能なセルの数に制限があるため、デバイ
スパターンから一定数の部分一括露光パターンを抽出
し、そのデータに基づいて電子線露光マスクを作製する
必要がある。
括露光に使用可能なセルの数に制限があるため、デバイ
スパターンから一定数の部分一括露光パターンを抽出
し、そのデータに基づいて電子線露光マスクを作製する
必要がある。
【０００５】従来例に係る部分一括パターンデータを抽
出する方法は図３に示すように、繰返し頻度が多く、一
定のセル名で設計されたパターンＰ１を最優先して、設
計寸法の大小に拘わらず繰返し数の多寡により抽出する
ようにしている。
出する方法は図３に示すように、繰返し頻度が多く、一
定のセル名で設計されたパターンＰ１を最優先して、設
計寸法の大小に拘わらず繰返し数の多寡により抽出する
ようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例に係る部分一括
パターンデータの抽出は図３に示すように、繰返し頻度
の多いパターンＰ１を最優先しているため、繰返し数が
少なく、かつ微細な寸法であるパターンＰ２は、部分一
括露光方法により描画されず、可変成形方式に基づいて
描画されることとなる。
パターンデータの抽出は図３に示すように、繰返し頻度
の多いパターンＰ１を最優先しているため、繰返し数が
少なく、かつ微細な寸法であるパターンＰ２は、部分一
括露光方法により描画されず、可変成形方式に基づいて
描画されることとなる。
【０００７】しかしながら可変成形方式は、部分一括露
光方式と比較して寸法ばらつきが大きいため、寸法マー
ジンの小さいパターンＰ２では、ショート（短絡）或い
は断線等の障害が発生する虞がある。
光方式と比較して寸法ばらつきが大きいため、寸法マー
ジンの小さいパターンＰ２では、ショート（短絡）或い
は断線等の障害が発生する虞がある。
【０００８】本発明の目的は、繰返し数が少なく、かつ
微細な寸法であるパターンを精度よく作成する部分一括
露光方法を提供することにある。
微細な寸法であるパターンを精度よく作成する部分一括
露光方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る部分一括露光方法は、電子線を用いた
部分一括露光に基づいてデバイスパターンを描画する方
法において、デバイスパターンデータを各ブロック毎に
区切り、次に選択優先順位を各ブロック毎に定義し、選
択優先順位の高いブロックの範囲内から優先的に部分一
括露光に用いるデバイスパターンを抽出し、その抽出し
たデータに基づいて電子線露光マスクを作成し、その電
子線露光マスクを用いて電子線による部分一括露光を行
うものである。なお、設計データ内部に線幅の細い図形
を含むセルが存在し、このセルが複数のブロックにまた
がっており、ある程度数の繰り返しを持つ場合はブロッ
クの領域範囲内にこだわらず、セルの領域を部分一括パ
ターンとして抽出する。
め、本発明に係る部分一括露光方法は、電子線を用いた
部分一括露光に基づいてデバイスパターンを描画する方
法において、デバイスパターンデータを各ブロック毎に
区切り、次に選択優先順位を各ブロック毎に定義し、選
択優先順位の高いブロックの範囲内から優先的に部分一
括露光に用いるデバイスパターンを抽出し、その抽出し
たデータに基づいて電子線露光マスクを作成し、その電
子線露光マスクを用いて電子線による部分一括露光を行
うものである。なお、設計データ内部に線幅の細い図形
を含むセルが存在し、このセルが複数のブロックにまた
がっており、ある程度数の繰り返しを持つ場合はブロッ
クの領域範囲内にこだわらず、セルの領域を部分一括パ
ターンとして抽出する。
【００１０】また選択優先順位を定義する基準を最小線
幅又はパターン密度に設定するものである。
幅又はパターン密度に設定するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施形態に係る部分一
括露光方法を説明する図、図２は、区切られたブロック
に選択優先順位を定義した状態を示す概念図である。
括露光方法を説明する図、図２は、区切られたブロック
に選択優先順位を定義した状態を示す概念図である。
【００１３】図に示すように本発明に係る部分一括露光
方法においては、電子線を用いた部分一括露光に基づい
て例えば図１に示すようなデバイスパターンを描画する
際に、図１に示すデバイスパターンデータを各ブロック
Ｂ毎に区切線Ｌを用いて区切り、次に図２に示すように
選択優先順位を各ブロックＢ毎に定義する。
方法においては、電子線を用いた部分一括露光に基づい
て例えば図１に示すようなデバイスパターンを描画する
際に、図１に示すデバイスパターンデータを各ブロック
Ｂ毎に区切線Ｌを用いて区切り、次に図２に示すように
選択優先順位を各ブロックＢ毎に定義する。
【００１４】図２において、各ブロックＢに記述されて
いる数字１〜５は優先順位を表し、数字の小さいブロッ
クＢ１の範囲内から優先的に部分一括露光に用いるデバ
イスパターンを抽出し、その抽出したデータに基づいて
電子線露光マスクを作成し、その電子線露光マスクを用
いて電子線による部分一括露光を行うものである。
いる数字１〜５は優先順位を表し、数字の小さいブロッ
クＢ１の範囲内から優先的に部分一括露光に用いるデバ
イスパターンを抽出し、その抽出したデータに基づいて
電子線露光マスクを作成し、その電子線露光マスクを用
いて電子線による部分一括露光を行うものである。
【００１５】次に本発明の具体例を本発明の一実施形態
として詳細に説明する。すなわち本発明の一実施形態に
係る部分一括露光方法において部分一括露光を行う場合
には、例えば図１に示すような描画用デバイスパターン
の一部をデータ処理により抽出して、電子線露光マスク
を作成する必要がある。
として詳細に説明する。すなわち本発明の一実施形態に
係る部分一括露光方法において部分一括露光を行う場合
には、例えば図１に示すような描画用デバイスパターン
の一部をデータ処理により抽出して、電子線露光マスク
を作成する必要がある。
【００１６】本発明の一実施形態に係る部分一括露光方
法では、図１に示す描画するデバイスパターンデータを
部分一括ショットと同一の大きさをもつ矩形のブロック
Ｂの単位に区切線Ｌによりマトリクス状に区切る。
法では、図１に示す描画するデバイスパターンデータを
部分一括ショットと同一の大きさをもつ矩形のブロック
Ｂの単位に区切線Ｌによりマトリクス状に区切る。
【００１７】そして、各ブロックＢに区切られたデバイ
スパターンに含まれる最小の線幅をもつデバイスパター
ンをブロック単位でｘ方向及びｙ方向について求め、図
２に示すようにデバイスパターンの線幅の細い順に各ブ
ロックＢにセル選択の優先順位を定める。図２におい
て、各ブロックＢに記述されている数字１〜５は優先順
位を表しており、数字の小さいブロックの範囲内から優
先的に部分一括露光に用いるデバイスパターンを抽出す
る。
スパターンに含まれる最小の線幅をもつデバイスパター
ンをブロック単位でｘ方向及びｙ方向について求め、図
２に示すようにデバイスパターンの線幅の細い順に各ブ
ロックＢにセル選択の優先順位を定める。図２におい
て、各ブロックＢに記述されている数字１〜５は優先順
位を表しており、数字の小さいブロックの範囲内から優
先的に部分一括露光に用いるデバイスパターンを抽出す
る。
【００１８】電子線を用いた部分一括露光方法では、図
１に示す複数のブロックＢを同時に選択することは不可
能であるため、図１に示すブロックを図２に示すセル選
択優先順に則って、その選択優先順の高いブロック内の
デバイスパターンを優先的に部分一括露光用として選択
し、そのデータに基づいて汎用の方法を用いて電子線露
光マスクを作成し、その電子線露光マスクを用いて、前
記選択したブロックＢ内のデバイスパターンを露光す
る。
１に示す複数のブロックＢを同時に選択することは不可
能であるため、図１に示すブロックを図２に示すセル選
択優先順に則って、その選択優先順の高いブロック内の
デバイスパターンを優先的に部分一括露光用として選択
し、そのデータに基づいて汎用の方法を用いて電子線露
光マスクを作成し、その電子線露光マスクを用いて、前
記選択したブロックＢ内のデバイスパターンを露光す
る。
【００１９】ところで、部分一括露光方法は、デバイス
パターンの一部を予め電子線露光マスクに採り込んであ
るため、パターンのエッジが固定される。一方、電子線
を用いる可変成形方法では、１ショット毎に電子線を偏
向させる必要があるため、パターン端部に位置ばらつき
が生じる。したがって、部分一括露光方法は、可変成形
露光方法と比較して寸法制御性に優れている。
パターンの一部を予め電子線露光マスクに採り込んであ
るため、パターンのエッジが固定される。一方、電子線
を用いる可変成形方法では、１ショット毎に電子線を偏
向させる必要があるため、パターン端部に位置ばらつき
が生じる。したがって、部分一括露光方法は、可変成形
露光方法と比較して寸法制御性に優れている。
【００２０】以上説明したように本発明の一実施形態に
係る部分一括露光方法は、電子線を用いた部分一括露光
に基づいて図１に示すようなデバイスパターンを描画す
る際に、図１に示すデバイスパターンを各ブロックＢ毎
に区切り、次に図２に示すように、選択優先順位を各ブ
ロックＢ毎に定義し、優先順の高い（図２の場合に数字
の小さいブロックＢ１を指し示す）ブロックから優先的
に部分一括露光に用いるデバイスパターンを抽出し、そ
の抽出したデータに基づいて電子線露光マスクを作成
し、その電子線露光マスクを用いて電子線による部分一
括露光を行うため、繰返し数が少なく、かつ線幅の細い
デバイスパターンに部分一括露光法を用いることがで
き、線幅の細いデバイスパターンを高い寸法精度をもっ
て描画することができる。
係る部分一括露光方法は、電子線を用いた部分一括露光
に基づいて図１に示すようなデバイスパターンを描画す
る際に、図１に示すデバイスパターンを各ブロックＢ毎
に区切り、次に図２に示すように、選択優先順位を各ブ
ロックＢ毎に定義し、優先順の高い（図２の場合に数字
の小さいブロックＢ１を指し示す）ブロックから優先的
に部分一括露光に用いるデバイスパターンを抽出し、そ
の抽出したデータに基づいて電子線露光マスクを作成
し、その電子線露光マスクを用いて電子線による部分一
括露光を行うため、繰返し数が少なく、かつ線幅の細い
デバイスパターンに部分一括露光法を用いることがで
き、線幅の細いデバイスパターンを高い寸法精度をもっ
て描画することができる。
【００２１】電子線による露光を行う場合、高密度でス
ペース幅の狭いメモリセルなどのデバイスパターンを可
変成形露光方法を用いて描画すると、寸法のばらつきに
よるスペース幅減少効果が大きいため、スペースパター
ンが埋まり、解像性が落ちるという問題がある。
ペース幅の狭いメモリセルなどのデバイスパターンを可
変成形露光方法を用いて描画すると、寸法のばらつきに
よるスペース幅減少効果が大きいため、スペースパター
ンが埋まり、解像性が落ちるという問題がある。
【００２２】このようなデバイスパターンを描画する場
合、上述した本発明に係るデバイスデータの処理を行
い、選択優先順位を定義する基準を最小線幅に代えてパ
ターン密度に変更することにより、スペース幅の狭いパ
ターンの解像性を向上させることができるものである。
合、上述した本発明に係るデバイスデータの処理を行
い、選択優先順位を定義する基準を最小線幅に代えてパ
ターン密度に変更することにより、スペース幅の狭いパ
ターンの解像性を向上させることができるものである。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、線
幅が細く、かつ寸法制御性のより厳しい微細なパターン
を寸法ばらつきの小さい部分一括露光方法を用いて作成
することができる。
幅が細く、かつ寸法制御性のより厳しい微細なパターン
を寸法ばらつきの小さい部分一括露光方法を用いて作成
することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る部分一括露光方法を
説明する図である。
説明する図である。
【図２】区切られたブロックに選択優先順位を定義した
状態を示す概念図である。
状態を示す概念図である。
【図３】従来例に係る露光方法を示す図である。
Ｂ ブロック Ｌ 区切線
Claims (3)
- 【請求項１】 電子線を用いた部分一括露光に基づいて
デバイスパターンを描画する方法において、 デバイスパターンデータを各ブロック毎に区切り、次に
選択優先順位を各ブロック毎に定義し、選択優先順位の
高いブロックの範囲内から優先的に部分一括露光に用い
るデバイスパターンを抽出し、その抽出したデータに基
づいて電子線露光マスクを作成し、その電子線露光マス
クを用いて電子線による部分一括露光を行うことを特徴
とする部分一括露光方法。 - 【請求項２】 選択優先順位を定義する基準を最小線幅
に設定することを特徴とする請求項１に記載の部分一括
露光方法。 - 【請求項３】 選択優先順位を定義する基準をパターン
密度に設定することを特徴とする請求項１に記載の部分
一括露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25317699A JP2001077007A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 部分一括露光方法 |
| TW089118292A TW459286B (en) | 1999-09-07 | 2000-09-06 | Device fabrication by electron beam exposure |
| KR10-2000-0052773A KR100376347B1 (ko) | 1999-09-07 | 2000-09-06 | 전자 빔 노광에 의한 소자 패턴의 이미지 형성방법 |
| CN00126361A CN1287380A (zh) | 1999-09-07 | 2000-09-07 | 电子束照射法制造器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25317699A JP2001077007A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 部分一括露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077007A true JP2001077007A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17247608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25317699A Pending JP2001077007A (ja) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 部分一括露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077007A (ja) |
| KR (1) | KR100376347B1 (ja) |
| CN (1) | CN1287380A (ja) |
| TW (1) | TW459286B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AUPR728901A0 (en) * | 2001-08-27 | 2001-09-20 | Unisearch Limited | Method and system for introducing an ion into a substrate |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63280419A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPH0574692A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
| JPH05175091A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 露光データ処理方法 |
| JP2910714B2 (ja) * | 1996-12-26 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 電子線描画方法 |
| JPH10321509A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Canon Inc | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
-
1999
- 1999-09-07 JP JP25317699A patent/JP2001077007A/ja active Pending
-
2000
- 2000-09-06 TW TW089118292A patent/TW459286B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-09-06 KR KR10-2000-0052773A patent/KR100376347B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-09-07 CN CN00126361A patent/CN1287380A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010030289A (ko) | 2001-04-16 |
| TW459286B (en) | 2001-10-11 |
| CN1287380A (zh) | 2001-03-14 |
| KR100376347B1 (ko) | 2003-03-17 |
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