JP2001077006A - 半導体製造装置および静電気除去方法 - Google Patents
半導体製造装置および静電気除去方法Info
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ表面から静電気を除去することのでき
る機能を備えた半導体製造装置及び、ウェハ表面からの
静電気除去方法。 【解決手段】 ウェハ１６を支持するウェハ支持部１４
を具え、このウェハ支持部の周囲の雰囲気が一定方向へ
の流動性を有する雰囲気となるように設定された半導体
製造装置１０であって、上記雰囲気中にイオンを発生さ
せるイオン発生部１８を具え、このイオン発生部から発
生するイオンが上記ウェハ支持部に支持されるウェハの
表面１６ａに到達するようにしてある。
る機能を備えた半導体製造装置及び、ウェハ表面からの
静電気除去方法。 【解決手段】 ウェハ１６を支持するウェハ支持部１４
を具え、このウェハ支持部の周囲の雰囲気が一定方向へ
の流動性を有する雰囲気となるように設定された半導体
製造装置１０であって、上記雰囲気中にイオンを発生さ
せるイオン発生部１８を具え、このイオン発生部から発
生するイオンが上記ウェハ支持部に支持されるウェハの
表面１６ａに到達するようにしてある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、静電気除去機能
を備えた半導体製造装置、特にホトリソグラフィ工程に
用いられる塗布装置または現像装置およびウェハ表面か
ら静電気を除去する方法に関する。
を備えた半導体製造装置、特にホトリソグラフィ工程に
用いられる塗布装置または現像装置およびウェハ表面か
ら静電気を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ホトリソグラフィ工程に用いる塗
布装置若しくは現像装置のようなウェハ回転処理装置と
して、図５に示すような構造の装置がある。図５は、従
来のウェハ回転処理装置１００の概略的な構造図で、断
面の切り口で示されている。図５によれば、カップと呼
ばれる筒状容器１０２内に、ウェハチャックと称され
る、ウェハ１０４を真空吸着によって支持する支持部１
０６が設けられている。また、この装置１００には、支
持部１０６に支持されたウェハ１０４の表面１０４ａに
塗布液や現像用の薬液を滴下するためのノズル（吐出
部）１０８が設けられている。そして、ノズル１０８か
らウェハ表面１０４ａに液体を滴下する際には、支持部
１０６を回転させて、ウェハ表面１０４ａが同一平面内
で回転するようにする。これにより、滴下された液体１
１０を均一にウェハ表面１０４ａに塗布することができ
る。
布装置若しくは現像装置のようなウェハ回転処理装置と
して、図５に示すような構造の装置がある。図５は、従
来のウェハ回転処理装置１００の概略的な構造図で、断
面の切り口で示されている。図５によれば、カップと呼
ばれる筒状容器１０２内に、ウェハチャックと称され
る、ウェハ１０４を真空吸着によって支持する支持部１
０６が設けられている。また、この装置１００には、支
持部１０６に支持されたウェハ１０４の表面１０４ａに
塗布液や現像用の薬液を滴下するためのノズル（吐出
部）１０８が設けられている。そして、ノズル１０８か
らウェハ表面１０４ａに液体を滴下する際には、支持部
１０６を回転させて、ウェハ表面１０４ａが同一平面内
で回転するようにする。これにより、滴下された液体１
１０を均一にウェハ表面１０４ａに塗布することができ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
１０４は高速で回転しているために、滴下された液体１
１０とウェハ表面１０４ａとの間には摩擦が生じる。こ
の摩擦によって静電気が発生して、滴下された液体１１
０と接触しているウェハ表面１０４ａはプラスの電荷を
帯びる。また、ウェハ１０４の周辺の雰囲気はマイナス
に帯電する（図５参照）。例えば、文献１（『BREAK TH
ROUGH 』東北大学大見教授、平成５年４月発行、（株）
リアライズ社、Ｐ．２６表１）によれば、上述したと同
様の装置を用いてウェハ表面にレジストを塗布した後
に、ウェハ表面は＋３０００Ｖ以上の電位を有してい
る。このように、ホトリソグラフィ工程において生じる
静電気により、デバイスのトランジスタ破壊や、浮遊パ
ーティクルの付着によるデバイスの歩留り低下および品
質低下といった問題が生じるおそれがある。そして、近
年、デバイスは微細化する傾向がある。このデバイスの
微細化傾向に伴って、静電気のデバイスに与える悪影響
はさらに大きくなるおそれがある。
１０４は高速で回転しているために、滴下された液体１
１０とウェハ表面１０４ａとの間には摩擦が生じる。こ
の摩擦によって静電気が発生して、滴下された液体１１
０と接触しているウェハ表面１０４ａはプラスの電荷を
帯びる。また、ウェハ１０４の周辺の雰囲気はマイナス
に帯電する（図５参照）。例えば、文献１（『BREAK TH
ROUGH 』東北大学大見教授、平成５年４月発行、（株）
リアライズ社、Ｐ．２６表１）によれば、上述したと同
様の装置を用いてウェハ表面にレジストを塗布した後
に、ウェハ表面は＋３０００Ｖ以上の電位を有してい
る。このように、ホトリソグラフィ工程において生じる
静電気により、デバイスのトランジスタ破壊や、浮遊パ
ーティクルの付着によるデバイスの歩留り低下および品
質低下といった問題が生じるおそれがある。そして、近
年、デバイスは微細化する傾向がある。このデバイスの
微細化傾向に伴って、静電気のデバイスに与える悪影響
はさらに大きくなるおそれがある。
【０００４】このため、ウェハ表面から静電気を除去す
ることのできる機能を備えた半導体製造装置及び、ウェ
ハ表面からの静電気除去方法の出現が望まれていた。
ることのできる機能を備えた半導体製造装置及び、ウェ
ハ表面からの静電気除去方法の出現が望まれていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の半
導体製造装置によれば、ウェハを支持するウェハ支持部
を具え、このウェハ支持部の周囲の雰囲気が一定方向へ
の流動性を有する雰囲気となるように設定された半導体
製造装置であって、上記雰囲気中にイオンを発生させる
イオン発生部を具えている。そして、このイオン発生部
から発生するイオンが上記ウェハ支持部に支持されるウ
ェハの表面に到達するようにしてあることを特徴とす
る。
導体製造装置によれば、ウェハを支持するウェハ支持部
を具え、このウェハ支持部の周囲の雰囲気が一定方向へ
の流動性を有する雰囲気となるように設定された半導体
製造装置であって、上記雰囲気中にイオンを発生させる
イオン発生部を具えている。そして、このイオン発生部
から発生するイオンが上記ウェハ支持部に支持されるウ
ェハの表面に到達するようにしてあることを特徴とす
る。
【０００６】これにより、イオン発生部から発生するイ
オンは、一定方向の流動性を有する雰囲気によってウェ
ハの表面に到達させることができるため、ウェハ表面の
静電気の持つ電荷がイオンによってうち消される。これ
により、静電気を除去することができる。
オンは、一定方向の流動性を有する雰囲気によってウェ
ハの表面に到達させることができるため、ウェハ表面の
静電気の持つ電荷がイオンによってうち消される。これ
により、静電気を除去することができる。
【０００７】また、イオン発生部を、針状電極とするの
がよい。ここで、例えばウェハ表面がプラスに帯電して
いる場合について考える。この場合、まず、針状電極に
マイナスの電圧を印加することによって、針状電極の周
囲の雰囲気中にコロナ放電を生じさせる。このコロナ放
電により雰囲気が電離して、雰囲気内に電子およびイオ
ンが発生する。これらのイオンのうち陰イオンは雰囲気
内の気流によってウェハ表面に到達する。これにより、
陰イオンの持つマイナスの電荷とウェハ表面のプラスの
電荷とが結合するために、ウェハ表面の静電気を除去す
ることができる。一方、発生したイオンのうちの陽イオ
ンは、マイナスの電圧を印加した針状電極周囲の強い電
界により移動しにくい。また、雰囲気内の気流によって
一部の陽イオンがウェハの表面に向かって移動したとし
ても、ウェハの表面はプラスに帯電しているために陽イ
オンは反発されてしまう。このように、ウェハ表面の静
電気を効果的に除去することができるため、この半導体
製造装置を用いれば静電気に起因する製造されるデバイ
スの故障や歩留り低下を防ぐことができる。
がよい。ここで、例えばウェハ表面がプラスに帯電して
いる場合について考える。この場合、まず、針状電極に
マイナスの電圧を印加することによって、針状電極の周
囲の雰囲気中にコロナ放電を生じさせる。このコロナ放
電により雰囲気が電離して、雰囲気内に電子およびイオ
ンが発生する。これらのイオンのうち陰イオンは雰囲気
内の気流によってウェハ表面に到達する。これにより、
陰イオンの持つマイナスの電荷とウェハ表面のプラスの
電荷とが結合するために、ウェハ表面の静電気を除去す
ることができる。一方、発生したイオンのうちの陽イオ
ンは、マイナスの電圧を印加した針状電極周囲の強い電
界により移動しにくい。また、雰囲気内の気流によって
一部の陽イオンがウェハの表面に向かって移動したとし
ても、ウェハの表面はプラスに帯電しているために陽イ
オンは反発されてしまう。このように、ウェハ表面の静
電気を効果的に除去することができるため、この半導体
製造装置を用いれば静電気に起因する製造されるデバイ
スの故障や歩留り低下を防ぐことができる。
【０００８】また、このような半導体製造装置におい
て、好ましくは針状電極の周囲の雰囲気内にイオンが発
生した後、このイオンの運動速度を失速させるための対
向電極を具えているのがよい。そして、この対向電極は
対向電極用電源部の一端に接続させておき、さらに対向
電極用電源部の他端を接地しておく。若しくは対向電極
を接地点に接続させておいてもよい。
て、好ましくは針状電極の周囲の雰囲気内にイオンが発
生した後、このイオンの運動速度を失速させるための対
向電極を具えているのがよい。そして、この対向電極は
対向電極用電源部の一端に接続させておき、さらに対向
電極用電源部の他端を接地しておく。若しくは対向電極
を接地点に接続させておいてもよい。
【０００９】雰囲気中に発生した陰イオンは様々な方向
へ移動しているが、対向電極を設けておくことによっ
て、陰イオンを対向電極の方へ集めた後、失速させるこ
とができる。これにより、雰囲気内に発生した陰イオン
を効率よく雰囲気内の気流によってウェハ表面に到達さ
せることができる。なお、対向電極用電源部は、発生し
た陰イオンが気流によって移動可能となるように、１０
０Ｖ以下のものとするのが好ましい。
へ移動しているが、対向電極を設けておくことによっ
て、陰イオンを対向電極の方へ集めた後、失速させるこ
とができる。これにより、雰囲気内に発生した陰イオン
を効率よく雰囲気内の気流によってウェハ表面に到達さ
せることができる。なお、対向電極用電源部は、発生し
た陰イオンが気流によって移動可能となるように、１０
０Ｖ以下のものとするのが好ましい。
【００１０】また、この発明の静電気を除去することの
できる機能を具えた半導体装置として、ウェハを支持す
るウェハ支持部を具えた半導体製造装置であって、ウェ
ハ支持部に支持されるウェハの表面に発生する静電気を
放電させる自己放電形除電部を具えることを特徴とす
る。
できる機能を具えた半導体装置として、ウェハを支持す
るウェハ支持部を具えた半導体製造装置であって、ウェ
ハ支持部に支持されるウェハの表面に発生する静電気を
放電させる自己放電形除電部を具えることを特徴とす
る。
【００１１】自己放電形除電部を用いることにより、ウ
ェハの表面に発生した静電気を放電させることができ
る。よって、静電気を容易に除去することができる。
ェハの表面に発生した静電気を放電させることができ
る。よって、静電気を容易に除去することができる。
【００１２】自己放電形除電部として、好ましくは針状
導体部材を用いるのがよい。そして、この針状導体部材
の一端を接地させておく。針状導体部材の接地させてい
ない他端をウェハの表面に近づけることによって、ウェ
ハ表面に発生した静電気を導体部材を通じて放電させる
ことができる。これにより、自己放電形除電部は接地さ
せた針状導体部材のみという簡単な構造の部材によって
構成されているため、従来の半導体製造装置に自己放電
形除電部を設置することにより、容易にかつ安価に静電
気除去機能を有する半導体製造装置を得ることができ
る。また、装置の省スペース化が図れる。
導体部材を用いるのがよい。そして、この針状導体部材
の一端を接地させておく。針状導体部材の接地させてい
ない他端をウェハの表面に近づけることによって、ウェ
ハ表面に発生した静電気を導体部材を通じて放電させる
ことができる。これにより、自己放電形除電部は接地さ
せた針状導体部材のみという簡単な構造の部材によって
構成されているため、従来の半導体製造装置に自己放電
形除電部を設置することにより、容易にかつ安価に静電
気除去機能を有する半導体製造装置を得ることができ
る。また、装置の省スペース化が図れる。
【００１３】また、好ましくは、自己放電形除電部を複
数の針状導体部材で以て構成してもよい。そして、この
針状導体部材は、静電気を除去すべきウェハの表面と略
同一の大きさの領域内に、針状導体部材の端部がウェハ
表面に対して垂直となるようにする。また、針状導体部
材同士の間が互いに等間隔となるように上記領域内に配
置するのがよい。また、各々の針状導体部材を接地して
おく。
数の針状導体部材で以て構成してもよい。そして、この
針状導体部材は、静電気を除去すべきウェハの表面と略
同一の大きさの領域内に、針状導体部材の端部がウェハ
表面に対して垂直となるようにする。また、針状導体部
材同士の間が互いに等間隔となるように上記領域内に配
置するのがよい。また、各々の針状導体部材を接地して
おく。
【００１４】これにより、ウェハの表面全体にわたって
静電気を除去することができる。よって、短時間に効率
よくウェハ表面の静電気を除去できる半導体製造装置が
得られる。
静電気を除去することができる。よって、短時間に効率
よくウェハ表面の静電気を除去できる半導体製造装置が
得られる。
【００１５】また、この発明の静電気除去方法によれ
ば、一定方向の気流を有する雰囲気内に保持されたウェ
ハの表面に発生する静電気を除去する場合において、上
記雰囲気の一部を電離させ、この電離により発生するイ
オンを気流によってウェハの表面に到達させることによ
り、静電気と、上記イオンのうちの静電気の電荷とは反
対の電荷を有するイオンとを結合させることを特徴とす
る。
ば、一定方向の気流を有する雰囲気内に保持されたウェ
ハの表面に発生する静電気を除去する場合において、上
記雰囲気の一部を電離させ、この電離により発生するイ
オンを気流によってウェハの表面に到達させることによ
り、静電気と、上記イオンのうちの静電気の電荷とは反
対の電荷を有するイオンとを結合させることを特徴とす
る。
【００１６】これにより、ウェハ表面に発生した静電気
を容易に除去することができる。
を容易に除去することができる。
【００１７】また、雰囲気の一部の電離を、雰囲気内に
設けた針状電極と、接地点すなわち大地（または基準電
位点）との間に直流高電圧を印加することにより、針状
電極の周囲にコロナ放電を発生させることによって行う
のがよい。
設けた針状電極と、接地点すなわち大地（または基準電
位点）との間に直流高電圧を印加することにより、針状
電極の周囲にコロナ放電を発生させることによって行う
のがよい。
【００１８】針状電極と接地点との間に高電圧を印加す
ることにより、針状電極の周囲は電界強度が高くなって
コロナ放電が起きる。これにより、周囲の雰囲気が電離
するため雰囲気内にイオンを発生させることができる。
ることにより、針状電極の周囲は電界強度が高くなって
コロナ放電が起きる。これにより、周囲の雰囲気が電離
するため雰囲気内にイオンを発生させることができる。
【００１９】また、好ましくは、上記コロナ放電によっ
て生じるイオンを失速させた後、イオンを気流によって
ウェハ表面に到達させるのがよい。
て生じるイオンを失速させた後、イオンを気流によって
ウェハ表面に到達させるのがよい。
【００２０】コロナ放電によって発生したイオンは様々
な方向へ移動している。このため、例えば雰囲気内に新
たに電極を設けて、この電極へイオンを集めることによ
りイオンを失速させることができる。この電極は、接地
された電源部と接続させて電圧を印加するか、あるいは
接地するのがよい。この場合の接地点は大地または基準
電位点とするのがよい。失速したイオンは雰囲気内の気
流によってウェハの表面に到達する。これにより、発生
したイオンを効率よくウェハの表面に運ぶことができる
ため、より一層高い静電気除去効果が期待できる。
な方向へ移動している。このため、例えば雰囲気内に新
たに電極を設けて、この電極へイオンを集めることによ
りイオンを失速させることができる。この電極は、接地
された電源部と接続させて電圧を印加するか、あるいは
接地するのがよい。この場合の接地点は大地または基準
電位点とするのがよい。失速したイオンは雰囲気内の気
流によってウェハの表面に到達する。これにより、発生
したイオンを効率よくウェハの表面に運ぶことができる
ため、より一層高い静電気除去効果が期待できる。
【００２１】また、ウェハの表面に発生する静電気を除
去するに当たり、好ましくは、ウェハの表面に、接地さ
れている針状導体部材の接地されている側とは反対側の
端部を近づけることによって静電気を放電させるのが良
い。
去するに当たり、好ましくは、ウェハの表面に、接地さ
れている針状導体部材の接地されている側とは反対側の
端部を近づけることによって静電気を放電させるのが良
い。
【００２２】静電気は針状導体部材を通って放電される
ため、簡単に静電気を除去することができる。
ため、簡単に静電気を除去することができる。
【００２３】また、針状導体部材は、複数の針状導体部
材で構成されていて、これらの部材は、ウェハ表面と略
同一の大きさの面内にそれぞれの部材の端部がウェハ表
面に対して垂直となるようにし、かつ部材間が互いに等
間隔となるように配置されているのがよい。
材で構成されていて、これらの部材は、ウェハ表面と略
同一の大きさの面内にそれぞれの部材の端部がウェハ表
面に対して垂直となるようにし、かつ部材間が互いに等
間隔となるように配置されているのがよい。
【００２４】このような針状導体部材を、静電気が発生
しているウェハ表面に近づけることによって、ウェハ表
面全体にわたって静電気を短時間に除去することができ
る。
しているウェハ表面に近づけることによって、ウェハ表
面全体にわたって静電気を短時間に除去することができ
る。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図を参照してこの発明の実
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概
略的に示してあるに過ぎず、したがってこの発明を図示
例に限定するものではない。また、図において、図を分
かり易くするために断面を示すハッチング（斜線）は一
部分を除き省略してある。
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概
略的に示してあるに過ぎず、したがってこの発明を図示
例に限定するものではない。また、図において、図を分
かり易くするために断面を示すハッチング（斜線）は一
部分を除き省略してある。
【００２６】また、以下の実施の形態例では、ホトリソ
グラフィ工程におけるウェハ表面にレジスト膜を形成す
るスピンコータや、ウェハ上のフォトレジストの現像、
洗浄および乾燥を行うためのスピンデベロッパといった
ウェハ回転処理装置に、この発明を適用させた例につき
記載する。しかしながら、この発明はウェハ回転処理装
置にのみ適用されるものではなく、エッチング工程若し
くは膜付け工程等に用いられる枚葉処理装置またはバッ
チ処理装置への適用も可能である。
グラフィ工程におけるウェハ表面にレジスト膜を形成す
るスピンコータや、ウェハ上のフォトレジストの現像、
洗浄および乾燥を行うためのスピンデベロッパといった
ウェハ回転処理装置に、この発明を適用させた例につき
記載する。しかしながら、この発明はウェハ回転処理装
置にのみ適用されるものではなく、エッチング工程若し
くは膜付け工程等に用いられる枚葉処理装置またはバッ
チ処理装置への適用も可能である。
【００２７】＜第１の実施の形態＞第１の実施の形態と
して、図１を参照して、ウェハ回転処理装置にこの発明
を適用させた例につき説明する。
して、図１を参照して、ウェハ回転処理装置にこの発明
を適用させた例につき説明する。
【００２８】図１はこの発明の半導体製造装置としての
ウェハ回転処理装置の概略的な構成図であり、断面の切
り口で示してある。
ウェハ回転処理装置の概略的な構成図であり、断面の切
り口で示してある。
【００２９】図１によれば、ウェハ回転処理装置１０
は、少なくとも、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐
出部（図示せず。）とを具えている。そして、筒状容器
１２内にウェハ支持部１４が設けられており、このウェ
ハ支持部１４にはウェハ１６が真空吸着によって支持さ
れている。また、吐出部はウェハ表面１６ａに薬液や純
水を滴下することができるような位置に設けられてい
る。また、この装置１０は、ウェハ支持部１４の周囲の
雰囲気が一定方向への流動性を有する雰囲気内に設けら
れている。一定方向への流動性を有する雰囲気とは例え
ば、吐出部側を上側としてウェハ支持部１４側を下側と
位置づけた場合に、図中の矢印で示すように気流を上側
から下側へ流すダウンフローの雰囲気である。
は、少なくとも、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐
出部（図示せず。）とを具えている。そして、筒状容器
１２内にウェハ支持部１４が設けられており、このウェ
ハ支持部１４にはウェハ１６が真空吸着によって支持さ
れている。また、吐出部はウェハ表面１６ａに薬液や純
水を滴下することができるような位置に設けられてい
る。また、この装置１０は、ウェハ支持部１４の周囲の
雰囲気が一定方向への流動性を有する雰囲気内に設けら
れている。一定方向への流動性を有する雰囲気とは例え
ば、吐出部側を上側としてウェハ支持部１４側を下側と
位置づけた場合に、図中の矢印で示すように気流を上側
から下側へ流すダウンフローの雰囲気である。
【００３０】また、このウェハ回転処理装置１０は、雰
囲気中にイオンを発生させるイオン発生部１８を具えて
いる。そして、このイオン発生部１８から発生するイオ
ンがウェハ支持部１４に支持されるウェハ表面１６ａに
到達するようにする。
囲気中にイオンを発生させるイオン発生部１８を具えて
いる。そして、このイオン発生部１８から発生するイオ
ンがウェハ支持部１４に支持されるウェハ表面１６ａに
到達するようにする。
【００３１】この実施の形態では、イオン発生部１８を
針状電極とする。針状電極１８は電源部２０の一端２０
ａに接続させ、また電源部２０の他端２０ｂは接地させ
る。針状電極１８は例えば直径１ｃｍの針状の導電体と
し、例えば銅で形成する。そして針状電極１８の電源部
２０と接続されている側とは反対の先端１８ａがウェハ
１６の真上に位置するように設ける。また、針状電極１
８は、ウェハ回転処理装置１０内の構成要素の側面等に
ボルトなどを用いて取り付けることができる。そして、
この針状電極１８は、ウェハ表面１６ａの静電気除去時
に針状電極１８の先端１８ａがウェハ表面１６ａの上方
に位置することができるように設置しておく。
針状電極とする。針状電極１８は電源部２０の一端２０
ａに接続させ、また電源部２０の他端２０ｂは接地させ
る。針状電極１８は例えば直径１ｃｍの針状の導電体と
し、例えば銅で形成する。そして針状電極１８の電源部
２０と接続されている側とは反対の先端１８ａがウェハ
１６の真上に位置するように設ける。また、針状電極１
８は、ウェハ回転処理装置１０内の構成要素の側面等に
ボルトなどを用いて取り付けることができる。そして、
この針状電極１８は、ウェハ表面１６ａの静電気除去時
に針状電極１８の先端１８ａがウェハ表面１６ａの上方
に位置することができるように設置しておく。
【００３２】ここで、ウェハ表面１６ａに吐出部から液
体が滴下され、ウェハ支持部１４を１０００〜６０００
ｒｐｍの回転速度で回転させると、ウェハ表面１６ａは
プラスの静電気を帯びる。このため、電源部２０により
針状電極１８にマイナスの電圧（例えば−２００〜−５
００Ｖ程度）を印加する。これにより、針状電極１８の
周囲の雰囲気が電離してコロナ放電が起きる。このコロ
ナ放電によってプラスイオン１９ａおよびマイナスイオ
ン１９ｂが発生する。発生したイオンのうち大部分のプ
ラスイオン１９ａは針状電極１８の周囲に集まる。そし
て、マイナスイオン１９ｂはダウンフローによってウェ
ハ１６の表面１６ａに運ばれる。ウェハ表面１６ａは静
電気によってプラスに帯電しているため、運ばれてきた
マイナスイオン１９ｂとウェハ表面１６ａのプラスイオ
ンとが結合することによって、電荷を消滅させることが
できる。よって、ウェハ表面１６ａに発生した静電気を
除電することができる。
体が滴下され、ウェハ支持部１４を１０００〜６０００
ｒｐｍの回転速度で回転させると、ウェハ表面１６ａは
プラスの静電気を帯びる。このため、電源部２０により
針状電極１８にマイナスの電圧（例えば−２００〜−５
００Ｖ程度）を印加する。これにより、針状電極１８の
周囲の雰囲気が電離してコロナ放電が起きる。このコロ
ナ放電によってプラスイオン１９ａおよびマイナスイオ
ン１９ｂが発生する。発生したイオンのうち大部分のプ
ラスイオン１９ａは針状電極１８の周囲に集まる。そし
て、マイナスイオン１９ｂはダウンフローによってウェ
ハ１６の表面１６ａに運ばれる。ウェハ表面１６ａは静
電気によってプラスに帯電しているため、運ばれてきた
マイナスイオン１９ｂとウェハ表面１６ａのプラスイオ
ンとが結合することによって、電荷を消滅させることが
できる。よって、ウェハ表面１６ａに発生した静電気を
除電することができる。
【００３３】このように、従来の装置に針状電極１８を
加えるだけで除電効果を得ることができるので、装置を
大型化することなくウェハ表面の静電気を除去する機能
を具えた半導体製造装置１０を得ることができる。ま
た、針状電極１８の先端１８ａをウェハ表面１６ａの真
上に設けているので、ダウンフローによって針状電極１
８の先端１８ａ周辺に発生したイオンのほとんどを、ウ
ェハ表面１６ａに到達させることができる。よって、非
常に効果的にウェハ表面１６ａの静電気を除去すること
ができる。
加えるだけで除電効果を得ることができるので、装置を
大型化することなくウェハ表面の静電気を除去する機能
を具えた半導体製造装置１０を得ることができる。ま
た、針状電極１８の先端１８ａをウェハ表面１６ａの真
上に設けているので、ダウンフローによって針状電極１
８の先端１８ａ周辺に発生したイオンのほとんどを、ウ
ェハ表面１６ａに到達させることができる。よって、非
常に効果的にウェハ表面１６ａの静電気を除去すること
ができる。
【００３４】また、ウェハ表面１６ａがマイナスの電荷
を帯びている場合には、針状電極１８がプラスの高電位
を持つように電圧を印加すればよい。
を帯びている場合には、針状電極１８がプラスの高電位
を持つように電圧を印加すればよい。
【００３５】また、ウェハ支持部１４は通常のウェハ回
転処理装置において上下に移動可能であるため、ウェハ
支持部１４を上に移動させて筒状容器１２の外側にウェ
ハ表面１６ａを露出させて針状電極１８による除電処理
を行っても良い。
転処理装置において上下に移動可能であるため、ウェハ
支持部１４を上に移動させて筒状容器１２の外側にウェ
ハ表面１６ａを露出させて針状電極１８による除電処理
を行っても良い。
【００３６】この実施の形態では、針状電極１８周辺に
イオンを発生させて、このイオンを用いて静電気を除去
することが出来るので、ウェハが複数枚セットされた状
態で処理を行うバッチ処理装置に適用することが可能で
ある。
イオンを発生させて、このイオンを用いて静電気を除去
することが出来るので、ウェハが複数枚セットされた状
態で処理を行うバッチ処理装置に適用することが可能で
ある。
【００３７】＜第２の実施の形態＞第２の実施の形態と
して、図２を参照して、第１の実施の形態とほぼ同様の
ウェハ回転処理装置に、発生させたイオンの運動速度を
失速させるための対向電極が設けてある例につき説明す
る。図２は、この実施の形態のウェハ回転処理装置の概
略的な構成図であり、断面の切り口で示されている。
して、図２を参照して、第１の実施の形態とほぼ同様の
ウェハ回転処理装置に、発生させたイオンの運動速度を
失速させるための対向電極が設けてある例につき説明す
る。図２は、この実施の形態のウェハ回転処理装置の概
略的な構成図であり、断面の切り口で示されている。
【００３８】以下、第１の実施の形態と相違する点につ
き説明し、第１の実施の形態と同様の点についてはその
詳細な説明を省略する。
き説明し、第１の実施の形態と同様の点についてはその
詳細な説明を省略する。
【００３９】図２によれば、この実施の形態のウェハ回
転処理装置３０は、第１の実施の形態のウェハ回転処理
装置１０と同様に、筒状容器１２とウェハ支持部１４と
吐出部（図示せず。）とを具えている。そして、この装
置３０もダウンフローの雰囲気内に設置されている。
転処理装置３０は、第１の実施の形態のウェハ回転処理
装置１０と同様に、筒状容器１２とウェハ支持部１４と
吐出部（図示せず。）とを具えている。そして、この装
置３０もダウンフローの雰囲気内に設置されている。
【００４０】この実施の形態では、筒状容器１２の上側
に針状電極２２と対向電極２４とを、針状電極２２の先
端２２ａと対向電極２４とが、ウェハ表面１６ａの上側
のイオン発生空間２６を挟んで互いに向き合うように設
置する。また、対向電極２４は、ここでは平板電極とす
る。なお、この平板電極２４は一方を接地させてある対
向電極用電源部に接続させるか、もしくは平板電極２４
を接地しておく。図２では、平板電極２４を対向電極用
電源部２５に接続させた例を示す。
に針状電極２２と対向電極２４とを、針状電極２２の先
端２２ａと対向電極２４とが、ウェハ表面１６ａの上側
のイオン発生空間２６を挟んで互いに向き合うように設
置する。また、対向電極２４は、ここでは平板電極とす
る。なお、この平板電極２４は一方を接地させてある対
向電極用電源部に接続させるか、もしくは平板電極２４
を接地しておく。図２では、平板電極２４を対向電極用
電源部２５に接続させた例を示す。
【００４１】ここで、ウェハ表面１６ａがプラスの静電
気を帯びている場合、電源部２０により針状電極２２に
マイナスの電圧（例えば−２００〜−５００Ｖ程度）を
印加する。これにより、コロナ放電が生じて針状電極２
２の周辺の雰囲気が電離してイオンが発生する。発生し
たイオンのうち、プラスイオン１９ａは針状電極２２の
周囲に集まる。一方、マイナスのイオン１９ｂや電子
は、プラスの電圧（例えば１００Ｖ以下）が印加された
平板電極２４に集まることによって速度が失速する。こ
のとき、電子は主に酸素に付着してマイナスイオン１９
ｂを形成する。このようにして、平板電極２４を用いて
多くのマイナスイオン１９ｂを得ることができる。この
後、ダウンフローによってマイナスイオン１９ｂはウェ
ハ表面１６ａに達する。したがって、マイナスイオン１
９ｂとウェハ表面１６ａのプラスイオンとを結合させる
ことにより、ウェハ表面１６ａの静電気を効果的に除去
することができる。
気を帯びている場合、電源部２０により針状電極２２に
マイナスの電圧（例えば−２００〜−５００Ｖ程度）を
印加する。これにより、コロナ放電が生じて針状電極２
２の周辺の雰囲気が電離してイオンが発生する。発生し
たイオンのうち、プラスイオン１９ａは針状電極２２の
周囲に集まる。一方、マイナスのイオン１９ｂや電子
は、プラスの電圧（例えば１００Ｖ以下）が印加された
平板電極２４に集まることによって速度が失速する。こ
のとき、電子は主に酸素に付着してマイナスイオン１９
ｂを形成する。このようにして、平板電極２４を用いて
多くのマイナスイオン１９ｂを得ることができる。この
後、ダウンフローによってマイナスイオン１９ｂはウェ
ハ表面１６ａに達する。したがって、マイナスイオン１
９ｂとウェハ表面１６ａのプラスイオンとを結合させる
ことにより、ウェハ表面１６ａの静電気を効果的に除去
することができる。
【００４２】＜第３の実施の形態＞第３の実施の形態と
して、図３を参照して、ウェハ支持部を具えた半導体製
造装置に自己放電形除電部を設けた例につき説明する。
この実施の形態では、半導体製造装置として第１および
第２の実施の形態で説明したと同様のウェハ回転処理装
置を例に挙げて説明する。図３は、ウェハ回転処理装置
の概略的な構成図であり、断面の切り口で示されてい
る。このウェハ回転処理装置４０は、筒状容器１２とウ
ェハ支持部１４と吐出部（図示せず。）とを具えてい
る。なお、この実施の形態では、ウェハ回転処理装置４
０が一定方向への流動性を有する雰囲気内に設置されて
いる必要はない。
して、図３を参照して、ウェハ支持部を具えた半導体製
造装置に自己放電形除電部を設けた例につき説明する。
この実施の形態では、半導体製造装置として第１および
第２の実施の形態で説明したと同様のウェハ回転処理装
置を例に挙げて説明する。図３は、ウェハ回転処理装置
の概略的な構成図であり、断面の切り口で示されてい
る。このウェハ回転処理装置４０は、筒状容器１２とウ
ェハ支持部１４と吐出部（図示せず。）とを具えてい
る。なお、この実施の形態では、ウェハ回転処理装置４
０が一定方向への流動性を有する雰囲気内に設置されて
いる必要はない。
【００４３】この実施の形態のウェハ回転処理装置４０
には自己放電形除電部２８が設けられている。自己放電
形除電部２８として、ここでは、針状導体部材が用いら
れている。この針状導体部材２８は一端が接地されてい
る。また、針状導体部材２８の他端２８ａは導電体と
し、例えば、銅、アルミニウムまたは鉄で構成する。
には自己放電形除電部２８が設けられている。自己放電
形除電部２８として、ここでは、針状導体部材が用いら
れている。この針状導体部材２８は一端が接地されてい
る。また、針状導体部材２８の他端２８ａは導電体と
し、例えば、銅、アルミニウムまたは鉄で構成する。
【００４４】ウェハ支持部１４に支持されているウェハ
１６の表面１６ａに静電気が発生している場合に、針状
導体部材２８の他端２８ａを近づけることによって、静
電気は針状導体部材２８を通って、放電される。これに
より、静電気をウェハ表面１６ａから除電することがで
きる。
１６の表面１６ａに静電気が発生している場合に、針状
導体部材２８の他端２８ａを近づけることによって、静
電気は針状導体部材２８を通って、放電される。これに
より、静電気をウェハ表面１６ａから除電することがで
きる。
【００４５】また、この実施の形態では、針状導体部材
２８をウェハ表面１６ａから例えば約２ｍｍ離間した位
置まで近づける。これにより、デバイスに悪影響を及ぼ
さない程度の電位までウェハ表面１６ａの電位を下げる
ことができる。
２８をウェハ表面１６ａから例えば約２ｍｍ離間した位
置まで近づける。これにより、デバイスに悪影響を及ぼ
さない程度の電位までウェハ表面１６ａの電位を下げる
ことができる。
【００４６】これにより、簡単な構造の部材によって自
己放電形除電部２８を構成することができ、容易にかつ
安価に静電気除去機能を有する半導体製造装置４０が得
られる。
己放電形除電部２８を構成することができ、容易にかつ
安価に静電気除去機能を有する半導体製造装置４０が得
られる。
【００４７】＜第４の実施の形態＞第４の実施の形態と
して、図４を参照して、ウェハの表面に発生する静電気
を除去するために、半導体製造装置に自己放電形除電部
を設ける第３の実施の形態とは自己放電形除電部の構成
が異なる例につき説明する。
して、図４を参照して、ウェハの表面に発生する静電気
を除去するために、半導体製造装置に自己放電形除電部
を設ける第３の実施の形態とは自己放電形除電部の構成
が異なる例につき説明する。
【００４８】図４は自己放電形除電部を具えたウェハ回
転処理装置の概略的な構成図であり、断面の切り口で示
してある。
転処理装置の概略的な構成図であり、断面の切り口で示
してある。
【００４９】この実施の形態では、自己放電形除電部３
２を、複数の針状導体部材３２ｘで以て構成する。図４
によれば、この針状導体部材３２ｘを、除電処理を行う
ウェハ表面１６ａと略同一の大きさの領域３４内に、針
状導体部材３２ｘの端部３２ｘａがウェハ表面１６ａに
対して垂直となるように設ける。そして、それぞれの針
状導体部材３２ｘ同士の間は互いに等間隔となるように
配置する。この針状導体部材３２ｘ同士の間隔は、各部
材３２ｘの有する電位の大きさ、除電するウェハ１６と
部材３２ｘとの間隔によって随時変化する。したがっ
て、実験により除電効果を確認しながら最適な間隔を適
宜設定する必要がある。また、第３の実施の形態と同様
に、各々の針状導体部材３２ｘを接地しておく。また、
各々の針状導体部材３２ｘは固定手段３６を用いて固定
する。
２を、複数の針状導体部材３２ｘで以て構成する。図４
によれば、この針状導体部材３２ｘを、除電処理を行う
ウェハ表面１６ａと略同一の大きさの領域３４内に、針
状導体部材３２ｘの端部３２ｘａがウェハ表面１６ａに
対して垂直となるように設ける。そして、それぞれの針
状導体部材３２ｘ同士の間は互いに等間隔となるように
配置する。この針状導体部材３２ｘ同士の間隔は、各部
材３２ｘの有する電位の大きさ、除電するウェハ１６と
部材３２ｘとの間隔によって随時変化する。したがっ
て、実験により除電効果を確認しながら最適な間隔を適
宜設定する必要がある。また、第３の実施の形態と同様
に、各々の針状導体部材３２ｘを接地しておく。また、
各々の針状導体部材３２ｘは固定手段３６を用いて固定
する。
【００５０】ウェハ回転処理装置５０は、第１の実施の
形態と同様に、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐出
部（図示せず。）とを具えている。ウェハ支持部１４は
筒状容器１２内に設置されている。そして、ウェハ１６
を真空吸着によって支持する。また、ウェハ１６を支持
するウェハ支持部１４を回転することによって、ウェハ
表面１６ａに滴下された薬液や純水をウェハ表面１６ａ
全体に均一に行き渡らせることができる。また、ウェハ
支持部１４は上下に移動可能なように設置されている。
よって、ウェハ支持部１４を図４の矢印で示すように上
に移動させることによって、筒状容器１２の外側にウェ
ハ１６を出すことができる。自己放電形除電部３２は筒
状容器１２の上側であって、吐出部からの液体の吐出の
妨げとならないような位置に設置する。
形態と同様に、筒状容器１２とウェハ支持部１４と吐出
部（図示せず。）とを具えている。ウェハ支持部１４は
筒状容器１２内に設置されている。そして、ウェハ１６
を真空吸着によって支持する。また、ウェハ１６を支持
するウェハ支持部１４を回転することによって、ウェハ
表面１６ａに滴下された薬液や純水をウェハ表面１６ａ
全体に均一に行き渡らせることができる。また、ウェハ
支持部１４は上下に移動可能なように設置されている。
よって、ウェハ支持部１４を図４の矢印で示すように上
に移動させることによって、筒状容器１２の外側にウェ
ハ１６を出すことができる。自己放電形除電部３２は筒
状容器１２の上側であって、吐出部からの液体の吐出の
妨げとならないような位置に設置する。
【００５１】次に、ウェハ表面１６ａからこの実施の形
態の自己放電形除電部３２を用いて除電処理を行う工程
について説明する。
態の自己放電形除電部３２を用いて除電処理を行う工程
について説明する。
【００５２】まず、ウェハ支持部１４に支持されたウェ
ハ１６の表面１６ａに吐出部から薬液若しくは純水を滴
下した後、ウェハ支持部１４を回転させることにより、
滴下された液体をウェハ表面１６ａに塗布する。これに
より、ウェハ表面１６ａには静電気が発生する。その
後、ウェハ支持部１４を上昇させて筒状容器１２の上側
にウェハ表面１６ａを露出させる。ここで、ウェハ１６
の真上であって、ウェハ表面１６ａから例えば約２ｍｍ
離間した位置に、針状導体部材３２ｘが複数配置された
自己放電形除電部３２を設置する。この状態で数秒間、
自己放電形除電部３２を静止させることによって、ウェ
ハ表面１６ａに発生した静電気を、針状導体部材３２ｘ
を通じて放電させることができる。この後自己放電形除
電部３２をウェハ１６の上方から移動させる。
ハ１６の表面１６ａに吐出部から薬液若しくは純水を滴
下した後、ウェハ支持部１４を回転させることにより、
滴下された液体をウェハ表面１６ａに塗布する。これに
より、ウェハ表面１６ａには静電気が発生する。その
後、ウェハ支持部１４を上昇させて筒状容器１２の上側
にウェハ表面１６ａを露出させる。ここで、ウェハ１６
の真上であって、ウェハ表面１６ａから例えば約２ｍｍ
離間した位置に、針状導体部材３２ｘが複数配置された
自己放電形除電部３２を設置する。この状態で数秒間、
自己放電形除電部３２を静止させることによって、ウェ
ハ表面１６ａに発生した静電気を、針状導体部材３２ｘ
を通じて放電させることができる。この後自己放電形除
電部３２をウェハ１６の上方から移動させる。
【００５３】以上のようにして、この実施の形態では、
複数の針状導体部材３２ｘで自己放電形除電部３２を構
成し、各々の針状導体部材３２ｘ同士の間隔もウェハ表
面１６ａ全体の静電気を除電できるように最適化してい
るので、短時間で非常に効果的にウェハ表面１６ａに発
生する静電気を除去することができる。
複数の針状導体部材３２ｘで自己放電形除電部３２を構
成し、各々の針状導体部材３２ｘ同士の間隔もウェハ表
面１６ａ全体の静電気を除電できるように最適化してい
るので、短時間で非常に効果的にウェハ表面１６ａに発
生する静電気を除去することができる。
【００５４】上述した第１〜第４の実施の形態におい
て、ウェハがウェハ回転処理装置に搬送されてから送り
出されるまでの間、数回に分けて除電処理してもよい
し、常時除電処理してもよい。常時除電処理を行えば、
ウェハ表面の静電気をより効果的に除去することができ
る。
て、ウェハがウェハ回転処理装置に搬送されてから送り
出されるまでの間、数回に分けて除電処理してもよい
し、常時除電処理してもよい。常時除電処理を行えば、
ウェハ表面の静電気をより効果的に除去することができ
る。
【００５５】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の半導体製造装置によれば、ウェハを支持するウェ
ハ支持部を具え、このウェハ支持部の周囲の雰囲気が一
定方向への流動性を有する雰囲気となるように設定され
た半導体製造装置であって、上記雰囲気中にイオンを発
生させるイオン発生部を具えている。そして、このイオ
ン発生部から発生するイオンが上記ウェハ支持部に支持
されるウェハの表面に到達するようにしてあることを特
徴とする。
発明の半導体製造装置によれば、ウェハを支持するウェ
ハ支持部を具え、このウェハ支持部の周囲の雰囲気が一
定方向への流動性を有する雰囲気となるように設定され
た半導体製造装置であって、上記雰囲気中にイオンを発
生させるイオン発生部を具えている。そして、このイオ
ン発生部から発生するイオンが上記ウェハ支持部に支持
されるウェハの表面に到達するようにしてあることを特
徴とする。
【００５６】これにより、イオン発生部から発生するイ
オンは、一定方向の流動性を有する雰囲気によってウェ
ハの表面に到達させることができるため、ウェハ表面の
静電気の持つ電荷がイオンによってうち消される。これ
により、静電気を除去することができる。
オンは、一定方向の流動性を有する雰囲気によってウェ
ハの表面に到達させることができるため、ウェハ表面の
静電気の持つ電荷がイオンによってうち消される。これ
により、静電気を除去することができる。
【００５７】また、この発明の静電気を除去することの
できる機能を具えた半導体製造装置として、ウェハを支
持するウェハ支持部を具えた半導体製造装置であって、
ウェハ支持部に支持されるウェハの表面に発生する静電
気を放電させる自己放電形除電部を具えてあってもよ
い。
できる機能を具えた半導体製造装置として、ウェハを支
持するウェハ支持部を具えた半導体製造装置であって、
ウェハ支持部に支持されるウェハの表面に発生する静電
気を放電させる自己放電形除電部を具えてあってもよ
い。
【００５８】自己放電形除電部を用いることにより、ウ
ェハの表面に発生した静電気を放電させることができ
る。よって、静電気を容易に除去することができる。
ェハの表面に発生した静電気を放電させることができ
る。よって、静電気を容易に除去することができる。
【図１】第１の実施の形態に係るウェハ回転処理装置の
概略的な構成図である。
概略的な構成図である。
【図２】第２の実施の形態に係るウェハ回転処理装置の
概略的な構成図である。
概略的な構成図である。
【図３】第３の実施の形態に係るウェハ回転処理装置の
概略的な構成図である。
概略的な構成図である。
【図４】第４の実施の形態に係るウェハ回転処理装置の
概略的な構成図である。
概略的な構成図である。
【図５】従来のウェハ回転処理装置の概略的な構成図で
ある。
ある。
１０，３０，４０，５０：ウェハ回転処理装置（半導体
製造装置） １２：筒状容器 １４：ウェハ支持部 １６，１０４：ウェハ １６ａ，１０４ａ：表面（ウェハ表面） １８：イオン発生部（針状電極） １８ａ，２２ａ：先端 １９ａ：プラスイオン １９ｂ：マイナスイオン ２０：電源部 ２０ａ：一端 ２０ｂ：他端 ２２：針状電極 ２４：対向電極（平板電極） ２５：対向電極用電源部 ２６：イオン発生空間（針状電極と平板電極との間） ２８：自己放電形除電部（針状導体部材） ２８ａ：他端 ３２：自己放電形除電部 ３２ｘ：針状導体部材 ３２ｘａ：端部 ３４：ウェハ表面と略同一の大きさの領域 ３６：固定手段 １００：ウェハ回転処理装置 １０２：筒状容器（カップ） １０６：支持部（ウェハチャック） １０８：ノズル（吐出部） １１０：液体
製造装置） １２：筒状容器 １４：ウェハ支持部 １６，１０４：ウェハ １６ａ，１０４ａ：表面（ウェハ表面） １８：イオン発生部（針状電極） １８ａ，２２ａ：先端 １９ａ：プラスイオン １９ｂ：マイナスイオン ２０：電源部 ２０ａ：一端 ２０ｂ：他端 ２２：針状電極 ２４：対向電極（平板電極） ２５：対向電極用電源部 ２６：イオン発生空間（針状電極と平板電極との間） ２８：自己放電形除電部（針状導体部材） ２８ａ：他端 ３２：自己放電形除電部 ３２ｘ：針状導体部材 ３２ｘａ：端部 ３４：ウェハ表面と略同一の大きさの領域 ３６：固定手段 １００：ウェハ回転処理装置 １０２：筒状容器（カップ） １０６：支持部（ウェハチャック） １０８：ノズル（吐出部） １１０：液体
Claims (12)
- 【請求項１】 ウェハを支持するウェハ支持部を具え、
該ウェハ支持部の周囲の雰囲気が一定方向への流動性を
有する雰囲気となるように設定された半導体製造装置に
おいて、 前記雰囲気中にイオンを発生させるイオン発生部を具
え、該イオン発生部から発生するイオンが前記ウェハ支
持部に支持されるウェハの表面に到達するようにしたこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体製造装置におい
て、 前記イオン発生部を針状電極とし、該針状電極は電源部
の一端に接続され、前記電源部の他端は接地されている
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体製造装置におい
て、 前記針状電極の周囲の雰囲気内にイオンが発生した後、
該イオンの運動速度を失速させるための対向電極を具
え、 該対向電極は、対向電極用電源部の一端に接続され、該
対向電極用電源部の他端は接地されていることを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の半導体製造装置におい
て、 前記針状電極の周囲の雰囲気内にイオンが発生した後、
該イオンの運動速度を失速させるための対向電極を具
え、 該対向電極は接地されていることを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項５】 ウェハを支持するウェハ支持部を具える
半導体製造装置において、 前記ウェハ支持部に支持されるウェハの表面に発生する
静電気を放電させる自己放電形除電部を具えることを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の半導体製造装置におい
て、 前記自己放電形除電部を針状導体部材とし、該針状導体
部材の一端が接地されていることを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項７】 請求項５に記載の半導体製造装置におい
て、 前記自己放電形除電部を複数の針状導体部材で以て構成
し、該針状導体部材は、前記ウェハの表面と略同一の大
きさの領域内に、前記針状導体部材の端部が前記ウェハ
表面に対して垂直となるようにし、かつ該針状導体部材
同士の間が互いに等間隔となるように配置されており、 前記複数の針状導体部材の各々の部材は接地されている
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項８】 一定方向の気流を有する雰囲気内に保持
されたウェハの表面に発生する静電気を除去するにあた
り、 前記雰囲気の一部を電離させ、該電離により発生するイ
オンを前記気流によって前記ウェハの表面に到達させる
ことにより、前記静電気と、前記イオンのうちの前記静
電気の電荷とは反対の電荷を有するイオンとを結合させ
ることを特徴とする静電気除去方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載の静電気除去方法におい
て、 前記雰囲気の一部の電離を、前記雰囲気内に設けた針状
電極と、接地点との間に直流高電圧を印加することによ
り、前記針状電極の周囲に生じるコロナ放電によって行
うことを特徴とする静電気除去方法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の静電気除去方法にお
いて、 前記コロナ放電によって生じるイオンを失速させた後、
前記イオンを気流によって前記ウェハの表面に到達させ
ることを特徴とする静電気除去方法。 - 【請求項１１】 ウェハの表面に発生する静電気を除去
するにあたり、 前記ウェハの表面に、接地されている針状導体部材の接
地されている側とは反対側の端部を近づけることによっ
て、前記静電気を放電させることを特徴とする静電気除
去方法。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の静電気除去方法に
おいて、 前記針状導体部材を複数の針状導体部材で構成し、 当該針状導体部材は、前記ウェハの表面と略同一の大き
さの領域内に、前記針状導体部材の端部が前記ウェハ表
面に対して垂直となるようにし、かつ該針状導体部材間
が互いに等間隔となるように配置されていることを特徴
とする静電気除去方法。
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