JP2001072402A - 酸化物ナノクリスタルを製造するための方法及び装置、その使用及び照射装置用の蛍光体 - Google Patents
酸化物ナノクリスタルを製造するための方法及び装置、その使用及び照射装置用の蛍光体Info
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Abstract
する適当な立方晶の酸化物ナノクリスタルの簡単な製造 【解決手段】 a)ホスト格子イオンを有機金属錯体又
は揮発性無機化合物として少なくとも1つの第1の蒸発
器(12)中へ導入する工程、b)前記錯体又は前記化
合物を気相に変換する工程、c)生じた気相を1種以上
のキャリアガス及び/又はキャリアガス混合物を用い
て、少なくとも1つの反応器16の少なくとも1つの加
熱帯域(18)中へ輸送し、かつ1種以上の反応ガス及
び/又は反応ガス混合物を供給する工程、d)前記錯体
又は前記化合物を反応器(16)の加熱帯域(18)中
で1?1000mbarの圧力で分解し、酸化物ナノク
リスタルを形成させる工程、e)酸化物ナノクリスタル
を少なくとも1つの吸着トラップ(20)で分離する工
程を有する酸化物ナノクリスタルの製造方法
Description
ルの製造方法及び製造装置に関する。
された酸化物ナノクリスタル、例えばユウロピウム付活
酸化イットリウム(Y2O3:Eu)は近年において照射
装置用の蛍光体としての使用において次第に注目されて
きている(US−A5455489)。この理由から、
多様な種類の酸化物ナノクリスタルが蛍光体としての使
用の可能性に関して調査された。従って、この種のナノ
クリスタルの相応する製造方法並びに製造装置も紹介さ
れた。
凝縮技術は公知である、例えばD. K. Williams et al.,
J. Phys. Chem. B 102 (1998), p. 916参照。しかしな
がら、この公知の方法の欠点は、生じた酸化物ナノクリ
スタルが著しく無定形で形成され、さらに単斜結晶構造
を有することである。しかし、蛍光体として酸化物ナノ
クリスタルを使用するためには、立方晶の平衡相の形で
存在することが望まれる、それというのも光の効率が最
大であるためである。
℃での付加的温度処理により無定形もしくは単斜晶相を
立方晶相へ変換していた。しかしながらこの方法は明ら
かな粒子の成長を伴い、その結果、この立方晶相は約5
0nmを上回る粒子サイズで単相で存在する。このこと
は、一方でこの種のナノクリスタルの製造の際に高いエ
ネルギー消費及び時間の消費を意味する。他方で、この
比較的大きな粒子サイズはこの先行技術による方法で製
造した酸化物ナノクリスタルの使用可能性を著しく制限
してしまう。今までは、小さな粒子サイズを有する、特
に20nmまでの粒子サイズを有する高い効率を示す蛍
光体を製造することは不可能であった。粒子サイズ(Pa
rtikelgroesse)とは部分的に凝集を引き起こす熱処理
後の蛍光体の粒子径と解釈される。この凝集は界面で粒
子が未だに焼結していなが粒子はすでに相互に連なって
いることができる場合にわずかであると評価される。そ
れに対して、粒径(Teilchengroesse)の概念は、熱処
理前の本来の粒子径を指す場合に用いる。
的熱処理を行わず小さい粒子サイズを有する適当な立方
晶ナノクリスタルの簡単な製造を保障する酸化物ナノク
リスタルの製造方法を提供することであった。
た先行技術の欠点を克服する酸化物ナノクリスタルを製
造する装置を提供することであった。
求項の特徴による方法並びに装置によって解決される。
に記載されている。
方法は、次の工程を有する: a) ホスト格子イオン(Wirtsgitterionen)を有機金
属錯体又は揮発性無機化合物として少なくとも1つの第
1の蒸発器中へ導入し、 b) 前記の錯体又は化合物を気相の形に変換し、 c) 生じた気相を1種以上のキャリアガス及び/又は
キャリアガス混合物を用いて、少なくとも1つの反応器
の少なくとも1つの加熱帯域中へ輸送し、かつ1種以上
の反応ガス及び/又は反応ガス混合物を(加熱帯域中
へ)供給し、並びに d) 前記錯体又は化合物を反応器中の加熱帯域中で1
〜1000mbarの圧力で分解し、その際、酸化物ナ
ノクリスタルをすぐに形成させ、及び e) 酸化物ナノクリスタルを少なくとも1つの吸着ト
ラップで分離する。
にケーシングとそれに付属する加熱装置の構成要素から
なる蒸発システムを指す。
平衡相で存在し、高くても100nm、有利に1〜20
nm、特に10nmの範囲の粒径を有しかつ立方晶構造
を有する酸化物ナノクリスタルを製造することが可能で
ある。このナノクリスタルは特に凝集がわずかであり、
有利に20nmまでの平均粒子サイズを有する。製造プ
ロセスにおいてすでに酸化物の立方晶平衡相が達成され
る。この立方晶平衡相は特にこの種の酸化物をベースと
する高い量子効率を有する蛍光体、例えば酸化イットリ
ウム(Y2O3)、酸化ガドリニウム(Gd2O3)又は相
応するガーネット、例えばYAG:Ce又は(YGd)
AG:Ceにとって重要である。他の適用はYAM、Y
AP又はBAM及びCATタイプの蛍光体に関する。
有する特別な蛍光体が製造される。平均粒径について2
〜5nmの変動幅が一般的である。
g、Ca、Ba及びAl並びに他の希土類金属をベース
とする酸化物又は酸硫化物(oxisulfidisch)ナノクリ
スタルのために適している。
程a)中でホスト格子イオンと共にドーピングイオンを
有機金属錯体又は揮発性無機化合物として第2の蒸発器
中へ導入し、気相に変換する。生じた気相を1種以上の
キャリアガス及び/又はキャリアガス混合物を用いて反
応器の加熱帯域中へ輸送する。それにより、ドーピング
されていない酸化物だけでなく、ドーピングされた(特
に付活の意味で)ナノクリスタルの酸化物を製造するこ
とが可能である。この場合、ドーピング物質の組込はホ
スト格子中へ直接行われる。
グされたナノクリスタルの酸化物は低い又は高い輝度
(Leuchtdichten)を有する照射装置用の蛍光体として
使用される。特に、ここでは蛍光体ランプ、希ガス(X
e)−エキシマランプ、ディスプレー、並びに有機及び
無機LEDが考えられる。必要に応じて、ホスト格子イ
オンは元素の周期表のII〜VI主族の元素である。ド
ーピング物質は希土類元素、例えばEu、Ce又はTb
である。この方法のために、ホスト格子イオンの有機金
属錯体化合物(又は水素−テトラメチルヘプタンジオナ
ト(Tetramethylheptandionat)を有するドーピングイ
オン)を使用する場合に特に適している。揮発性無機化
合物として例えば塩化物が適している。
において、第1の及び第2の蒸発器はそれぞれ約30〜
900℃の温度を有する。反応器の加熱帯域中の温度は
約600〜1600℃である。さらに、キャリアガスと
して不活性ガス又はガス混合物が使用される。特に、こ
の場合、希ガス又は窒素又はこれらの混合物が使用され
る。反応ガスとして酸素又は酸素含有混合物が挙げられ
る。
態様において、系中のキャリアガス又はキャリアガス混
合物の流動速度が20ml/min〜50l/minで
ある。反応ガス及び/又は反応ガス混合物の流動速度は
50ml/min〜100l/minである。
500mbarに保持される。
装置は、少なくとも1つの蒸発器、少なくとも1つの加
熱帯域を有する少なくとも1つの反応器、少なくとも1
つの吸着トラップ及び少なくとも1つの真空ポンプから
なる。この装置を用いて、蛍光体として使用するための
所望な酸化物ナノクリスタルを製造することができる。
ナノクリスタルの所望の立方晶系を達成するための更な
る付加的な温度処理は反応器の加熱帯域を除いて先行技
術とは反対にもはや必要ではない。
は油浴として構成されている蒸発加熱装置を有する。油
浴の温度はそれぞれ約140〜180℃である。反応器
は有利に流通反応器として構成される。
態様において、蒸発器と反応器との間にそれぞれ1つの
加熱可能な管が配置されている。それにより本発明の場
合、気相の形で運ばれる有機金属錯体又は無機化合物の
早期の凝縮が避けられる。
態様において、反応器はアルミニウム管及び円筒状に構
成された加熱帯域からなる。加熱帯域の端部で、反応器
内にじゃま板が配置されている。この種の配置されたじ
ゃま板により、逆方向への、つまり気相が流入するのと
反対の方向への対流を抑制し、その結果、酸化物ナノク
リスタルの形成は反応器の加熱帯域の所望の領域中で行
われる。
態様において、第1の吸着トラップの後方に接続された
第2の吸着トラップと真空ポンプとの間にフィルターが
配置されている。第2の吸着トラップ及びフィルターは
真空ポンプが汚染されるのを防止する。通常、この吸着
トラップは冷却トラップとして構成されている。
更なる詳細、特徴及び利点を次に、図面に示した実施態
様により示した。
造する装置10は、第1の及び第2の蒸発装置12,1
4、加熱帯域18を備えた反応器16、前記反応器16
の後方に接続された第1の吸着トラップ20並びに第1
の吸着トラップ20の後方に接続されかつそれと連結さ
れている真空ポンプ24を有している。真空ポンプ24
と第1の吸着トラップ20との間に、第2の冷却トラッ
プ22が配置されている。
ピングされた酸化物、つまりユウロピウム(Eu)でド
ーピングされた酸化イットリウム(Y2O3:Eu)のナ
ノクリスタルを製造するために用いられる。イットリウ
ムあるいはユウロピウムの有機金属錯体、つまりイット
リウム−テトラメチルヘプタンジオナト及びEu−テト
ラメチルヘプタンジオナト(Y(TMHD)3もしくは
Eu(TMHD)3)は第1の蒸発装置12もしくは第
2の蒸発装置14中で気相の形に移行させられる。生じ
たこれらの錯体の気相はキャリアガスを用いて反応器1
6中へ運ばれる。キャリアガスとしてこの実施例におい
てはアルゴンを使用し、このアルゴンはキャリアガス源
34から系中へ供給される。キャリアガスの流動速度は
この場合第1の流量調節器26及び第2の流量調節器2
8を用いて、一般に20ml/min〜50l/mi
n、有利に150〜250ml/minに調節される。
両方の蒸発器12,14はこの場合それぞれ約30〜9
00℃、有利に140〜180℃の温度を有し、この温
度は油浴として構成されている蒸発加熱装置により生じ
る。
おり(図2)、アルミニウム管52及び円筒形に構成さ
れた加熱帯域18からなる。加熱帯域18の末端には反
応器16の内部にじゃま板40が配置されている(図2
参照)。このじゃま板40は反応器16内のもしくは加
熱帯域18内の対流を調節するために用いられる。反応
器16の加熱帯域18中の温度は約600〜1600
℃、有利に900〜1100℃のである。
はその混合物が反応ガス源32から反応器16中へ導入
される。通常、反応ガスとして酸素又はその混合物が使
用される。導管44は反応ガスの酸素を50ml/mi
n〜100l/min、有利に700〜900ml/m
inの流動速度で反応室中へ導入し、この流動速度は第
3の流量調節器30を用いて調節される。反応器16の
加熱帯域18中で1〜1000mbarの圧力で有機金
属錯体が分解され及び即座に酸化物ナノクリスタルの形
成、特にY2O3:Eu−ナノクリスタルの形成が行われ
る。
0が接続されている。この吸着トラップは冷却トラップ
として構成されており、それにより生じたナノクリスタ
ルが分離される。第1の吸着トラップ20の後方に真空
ポンプ24が接続されており、この真空ポンプは全体の
系中の圧力を約40〜60mbarに保持する。全体の
系中で1〜1500mbarの圧力が考えられる。真空
ポンプ24の汚染を避けるために、第1の吸着トラップ
20と真空ポンプ24との間に、同様に冷却トラップと
して構成されている第2の吸着トラップ22及びフィル
ター(図示されていない)が設置されている。
物ナノクリスタル、つまりY2O3:Eu−ナノクリスタ
ルは、立方晶構造であり、1nm〜100nm、特に5
〜20nmの粒径を有する。さらにこのナノクリスタル
はほとんど凝集していない。一般にY2O3:Euは蛍光
体である。こうして製造された酸化物ナノクリスタルは
低い又は高い輝度を有する照射装置用の蛍光体として使
用される。
部分領域の略図であり、じゃま板40は反応器16の内
室38中に、つまりアルミニウム管52の内部に配置さ
れている。さらに、アルミニウム管52の一方の側がフ
ランジ42で封鎖されていることが認識できる。導管4
4及び46はフランジ42中の開口を通過して反応器の
内室もしくは反応器16の加熱帯域18中に導かれる。
図2中に示された実施例において、導管46はキャリア
ガス及びガス状のホスト格子イオンの有機金属錯体を反
応器中へ運搬し、導管44は反応ガス及びガス状のドー
ピングイオンの有機金属錯体を反応器中へ運搬する。
発明による方法により製造されたナノクリスタルのY2
O3の回折図を示す。粉末状のY2O3標準(これについ
ても製造されたY2O3の回折図が提供されている)は9
9.999%の純度及び約10μmの粒径を有する。標
準として十分に粗粒の結晶である粉末が用いられるた
め、その光学特性は相応する単結晶の光学特性と一致す
る。この比較は、本発明により製造されたY2O3とY2
O3標準との回折モデルが特に一致することを示してい
る。本発明により製造されたナノクリスタルが、付加的
な温度処理を必要とせずに立方晶構造(単結晶と同様)
を有することが示された。
Y2O3及びY2O3:Euに関して、ホスト格子に分類さ
れる吸収エッジ(Absorptionkante)(長波長の端部に
ある)が、粗結晶の対照物質と比較して短波長方向に約
10nmだけシフトする(より高いエネルギーに相当す
る)ことが示された。このことは励起最大値もより高い
励起エネルギーにあるという結果となる。しかしなが
ら、放出特性は変化しないままである。この特性は2つ
の点で注目すべきである:一方で、ナノクリスタル蛍光
体の吸収エッジを適合させるか又は最適化するという可
能性が提供される。Y2O3の場合、図4によるとこれは
214nm(標準)から204nmにシフトすることが
でき、0.2eV(5.85から6.05eVへの上
昇)のエネルギー差に相当する。特に、20nmを下回
る粒径の場合、粒径が小さくなればシフトがより大きく
なる。図4aは標準(平均粒径10μm)と本発明によ
る粉末(平均粒径10nm)との間の比較を示す。
提供される。例えばユウロピウムは付活剤としてホスト
格子Y2O3中で最も発光する。しかしながら、十分にナ
ノクリスタルな粉末を使用する場合、他の希土類金属も
付活剤として挙げられる。
による装置の略図
による装置の反応器の部分領域の略図
クリスタルの回折図
較におけるY2O3の拡散反射スペクトルを示す図
較におけるEuでドーピングされたY2O3の励起スペク
トルを示す図
Claims (26)
- 【請求項1】 酸化物ナノクリスタルの製造方法におい
て、前記方法が次の工程: a) ホスト格子イオンを有機金属錯体又は揮発性無機
化合物として少なくとも1つの第1の蒸発器(12)中
へ導入する工程、 b) 前記錯体又は前記化合物を気相に変換する工程、 c) 生じた気相を1種以上のキャリアガス及び/又は
キャリアガス混合物を用いて、少なくとも1つの反応器
16の少なくとも1つの加熱帯域(18)中へ輸送し、
かつ1種以上の反応ガス及び/又は反応ガス混合物を供
給する工程、 d) 前記錯体又は前記化合物を反応器(16)の加熱
帯域(18)中で1〜1000mbarの圧力で分解
し、酸化物ナノクリスタルを即座に形成させる工程、 e) 酸化物ナノクリスタルを少なくとも1つの吸着ト
ラップ(20)で分離する工程、を有することを特徴と
する酸化物ナノクリスタルの製造方法。 - 【請求項2】 ホスト格子イオンを用いる方法工程a)
中において、ドーピングイオンを有機金属錯体又は揮発
性無機化合物として第2の蒸発器(14)中へ導入し、
前記錯体又は前記化合物を気相に変換し、生じた気相を
1種以上のキャリアガス及び/又はキャリアガス混合物
を用いて反応器(16)の加熱帯域(18)中へ輸送す
る、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 ホスト格子イオンが元素の周期表のII
〜VI主属の元素、特に希土類金属、有利にY、Gd並
びにMg、Ca、Ba及びAlである、請求項1又は2
記載の方法。 - 【請求項4】 ドーピングイオンが、希土類元素のイオ
ンである、請求項1から3までのいずれか1項記載の方
法。 - 【請求項5】 有機金属錯体が、ホスト格子イオン又は
ドーピングイオンと水素−テトラメチルヘプタンジオナ
トとの化合物である、請求項1から4までのいずれか1
項記載の方法。 - 【請求項6】 生じるドーピングされた酸化物ナノクリ
スタルが蛍光体である、請求項2から5までのいずれか
1項記載の方法。 - 【請求項7】 第1及び第2の蒸発器(12,14)が
約30〜900℃の温度を有する、請求項1から6まで
のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項8】 反応器(16)の加熱帯域(18)中の
温度が約600〜1600℃である、請求項1から7ま
でのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項9】 キャリアガスとして不活性なガス又はガ
ス混合物を使用する、請求項1から8までのいずれか1
項記載の方法。 - 【請求項10】 反応ガスとして酸素又はその混合物を
使用する、請求項1から9までのいずれか1項記載の方
法。 - 【請求項11】 系中でのキャリアガス又はキャリアガ
ス混合物の流動速度は20ml/minから50l/m
inである、請求項1から10までのいずれか1項記載
の方法。 - 【請求項12】 系中での反応ガス又は反応ガス混合物
の流動速度は50ml/min〜100l/minであ
る、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項13】 全体の系中の圧力が約1〜1500m
barである、請求項1から12までのいずれか1項記
載の方法。 - 【請求項14】 生じた酸化物ナノクリスタルが熱力学
的平衡相で存在する、請求項1から13までのいずれか
1項記載の方法。 - 【請求項15】 生じた酸化物ナノクリスタルが高くて
も100nm、有利に高くても20nmの粒度を有し、
かつ立方晶構造を有する、請求項14記載の方法。 - 【請求項16】 装置(10)が少なくとも1つの蒸発
器(12,14)、少なくとも1つの加熱帯域(18)
を有する少なくとも1つの反応器(16)、少なくとも
1つの吸着トラップ(20,22)及び少なくとも一つ
の真空ポンプ(24)からなる、酸化物ナノクリスタル
を製造するための装置。 - 【請求項17】 蒸発器(12,14)が油浴として構
成されている蒸発加熱装置を有する、請求項16記載の
装置。 - 【請求項18】 反応器(16)が流通反応器である、
請求項16又は17記載の装置。 - 【請求項19】 蒸発器(12,14)と反応器(1
6)との間にそれぞれ加熱可能な導管(48,50)が
配置されている、請求項16から18までのいずれか1
項記載の装置。 - 【請求項20】 反応器(16)がアルミニウム管(5
2)及び円筒形に構成された加熱帯域(18)からな
る、請求項16から19までのいずれか1項記載の装
置。 - 【請求項21】 反応器(16)内の加熱帯域(18)
の末端部にじゃま板(40)が配置されている、請求項
20記載の装置。 - 【請求項22】 第1の吸着トラップ(20)の後方に
接続された第2の吸着トラップ(22)と真空ポンプ
(24)との間にフィルタが配置されている、請求項1
6から21までのいずれか1項記載の装置。 - 【請求項23】 吸着トラップ(20,22)が冷却ト
ラップである、請求項16から22までのいずれか1項
記載の装置。 - 【請求項24】 低い又は高い輝度を有する照射装置用
の蛍光体としての請求項1から15までのいずれか1項
記載の製造方法により製造された酸化物ナノクリスタル
の使用。 - 【請求項25】 酸化物の結晶、特に金属Y、Gd、M
g、Ca、Ba、Alの酸化物又は酸硫化物からなるホ
スト格子を有し、その際、前記ホスト格子は希土類金属
で付活されており、その際、蛍光体は凝集の少ない、平
均粒子サイズ1〜20nm及び立方晶構造を有するナノ
クリスタルからなる、照射装置用の蛍光体。 - 【請求項26】 ホスト格子の吸収エッジが同じ材料の
標準物質と比較して短い波長方向にシフトしている、請
求項25記載の蛍光体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19936868.6 | 1999-08-05 | ||
DE19936868A DE19936868A1 (de) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von oxidischen Nanokristallen |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013049197A Division JP2013166690A (ja) | 1999-08-05 | 2013-03-12 | 酸化物ナノクリスタルを製造するための方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001072402A true JP2001072402A (ja) | 2001-03-21 |
JP5366344B2 JP5366344B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=7917259
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000234162A Expired - Fee Related JP5366344B2 (ja) | 1999-08-05 | 2000-08-02 | 酸化物ナノクリスタルを製造するための方法及び装置、その使用及び照射装置用の蛍光体 |
JP2013049197A Pending JP2013166690A (ja) | 1999-08-05 | 2013-03-12 | 酸化物ナノクリスタルを製造するための方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013049197A Pending JP2013166690A (ja) | 1999-08-05 | 2013-03-12 | 酸化物ナノクリスタルを製造するための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6391273B1 (ja) |
EP (1) | EP1074603B1 (ja) |
JP (2) | JP5366344B2 (ja) |
CN (1) | CN1217860C (ja) |
CA (1) | CA2314649A1 (ja) |
DE (1) | DE19936868A1 (ja) |
HU (1) | HU230317B1 (ja) |
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-
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- 2000-07-15 EP EP00115377.4A patent/EP1074603B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-20 US US09/619,802 patent/US6391273B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-25 CA CA002314649A patent/CA2314649A1/en not_active Abandoned
- 2000-08-02 JP JP2000234162A patent/JP5366344B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-04 HU HU0003120A patent/HU230317B1/hu not_active IP Right Cessation
- 2000-08-04 CN CN001224875A patent/CN1217860C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-06 US US09/992,883 patent/US6702957B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-04 US US10/655,169 patent/US7285252B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-03-12 JP JP2013049197A patent/JP2013166690A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
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---|---|
EP1074603B1 (de) | 2018-04-04 |
US6391273B1 (en) | 2002-05-21 |
US7285252B2 (en) | 2007-10-23 |
EP1074603A2 (de) | 2001-02-07 |
HU230317B1 (hu) | 2016-01-28 |
DE19936868A1 (de) | 2001-02-15 |
JP2013166690A (ja) | 2013-08-29 |
JP5366344B2 (ja) | 2013-12-11 |
HU0003120D0 (en) | 2000-10-28 |
US6702957B2 (en) | 2004-03-09 |
CN1217860C (zh) | 2005-09-07 |
HUP0003120A3 (en) | 2002-01-28 |
CA2314649A1 (en) | 2001-02-05 |
CN1283591A (zh) | 2001-02-14 |
EP1074603A3 (de) | 2001-05-16 |
US20020051740A1 (en) | 2002-05-02 |
HUP0003120A2 (hu) | 2001-04-28 |
US20040052720A1 (en) | 2004-03-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070507 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101105 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110204 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120405 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20121213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20121213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130125 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20130311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130312 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20130515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130812 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |