JP2001067997A - 半導体スイッチ - Google Patents
半導体スイッチInfo
- Publication number
- JP2001067997A JP2001067997A JP2000229530A JP2000229530A JP2001067997A JP 2001067997 A JP2001067997 A JP 2001067997A JP 2000229530 A JP2000229530 A JP 2000229530A JP 2000229530 A JP2000229530 A JP 2000229530A JP 2001067997 A JP2001067997 A JP 2001067997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substance
- semiconductor
- layer
- semiconductor switch
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/0241—Structural association of a fuse and another component or apparatus
- H01H2085/0283—Structural association with a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H37/761—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material with a fusible element forming part of the switched circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/0039—Means for influencing the rupture process of the fusible element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/0039—Means for influencing the rupture process of the fusible element
- H01H85/0043—Boiling of a material associated with the fusible element, e.g. surrounding fluid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/0039—Means for influencing the rupture process of the fusible element
- H01H85/0073—Expansion or rupture of the insulating support for the fusible element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Fuses (AREA)
- Thermally Actuated Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 過負荷のあり得る結果から保護された半導体
素子を提供する。 【解決手段】 加熱されると著しく膨張する物質(5,
32)が、素子(1,20,30)の過熱の場合に前記
膨張性物質(5,32)によって素子の導電線(3,3
4)が切断されるように素子(1,20,30)に配置
されているようにした。
素子を提供する。 【解決手段】 加熱されると著しく膨張する物質(5,
32)が、素子(1,20,30)の過熱の場合に前記
膨張性物質(5,32)によって素子の導電線(3,3
4)が切断されるように素子(1,20,30)に配置
されているようにした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に電気的な接続
部を切り換えるための半導体素子に関する。
部を切り換えるための半導体素子に関する。
【0002】
【従来の技術】このような素子は、例えば自動車技術に
おいて搭載電源を完全に電子的に切り換えるために使用
される。使用される半導体スイッチは、過負荷の場合は
破壊されて、これにより、規定されていない低抵抗状態
に移行する恐れがある。更に、半導体スイッチ及び場合
によっては接続された装置並びに電子回路も、誤作動、
過熱及び炎上の恐れがある。
おいて搭載電源を完全に電子的に切り換えるために使用
される。使用される半導体スイッチは、過負荷の場合は
破壊されて、これにより、規定されていない低抵抗状態
に移行する恐れがある。更に、半導体スイッチ及び場合
によっては接続された装置並びに電子回路も、誤作動、
過熱及び炎上の恐れがある。
【0003】既存の溶融安全部材は、上記の場合に確実
には役に立たない。なぜならば、遮断のために必要とさ
れる電力が、いかなるエラーケースにおいても達成され
る訳ではないからである。また、半導体に組み込まれた
過負荷遮断器も、半導体チップ自体が未だ申し分なく機
能している限りにおいてのみ機能することができ、この
ことは、実地においてはやはり全てのエラーケースに関
しては保証され得ない。
には役に立たない。なぜならば、遮断のために必要とさ
れる電力が、いかなるエラーケースにおいても達成され
る訳ではないからである。また、半導体に組み込まれた
過負荷遮断器も、半導体チップ自体が未だ申し分なく機
能している限りにおいてのみ機能することができ、この
ことは、実地においてはやはり全てのエラーケースに関
しては保証され得ない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、過負
荷のあり得る結果から保護された半導体素子を提供する
ことである。この素子は、簡単且つ廉価に大量生産可能
であるのが望ましい。
荷のあり得る結果から保護された半導体素子を提供する
ことである。この素子は、簡単且つ廉価に大量生産可能
であるのが望ましい。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明では、加熱されると著しく膨張する物質が、素
子の過熱の場合に前記膨張性物質によって素子の導電線
が切断されるように素子に配置されているようにした。
に本発明では、加熱されると著しく膨張する物質が、素
子の過熱の場合に前記膨張性物質によって素子の導電線
が切断されるように素子に配置されているようにした。
【0006】
【発明の効果】過負荷がかけられた場合、本発明による
半導体素子は、その最終的な電気抵抗に基づいてますま
す加熱される。この過熱を、本発明は安全部材のトリガ
のために利用する。素子に通じる導電線は、適当に配置
された物質量によって分離、有利には裂断される。更
に、発生する膨張性物質の圧力により、構成素子が分離
されて、電気的な接続の断絶に利用され得る。
半導体素子は、その最終的な電気抵抗に基づいてますま
す加熱される。この過熱を、本発明は安全部材のトリガ
のために利用する。素子に通じる導電線は、適当に配置
された物質量によって分離、有利には裂断される。更
に、発生する膨張性物質の圧力により、構成素子が分離
されて、電気的な接続の断絶に利用され得る。
【0007】本発明の第1の構成では、物質は規定され
た境界温度で急速に気化する物質である。
た境界温度で急速に気化する物質である。
【0008】本発明の別の構成では、物質は規定の境界
温度で膨張する物質である。
温度で膨張する物質である。
【0009】本発明の更に別の構成では、物質は規定の
境界温度を超えた場合に爆発的に膨張し、更に、前記物
質は、導線が爆発に基づき切断されるように配置されて
いる。このためには、エアバッグに使用される材料と類
似の火工品用材料が使用されてよい。
境界温度を超えた場合に爆発的に膨張し、更に、前記物
質は、導線が爆発に基づき切断されるように配置されて
いる。このためには、エアバッグに使用される材料と類
似の火工品用材料が使用されてよい。
【0010】導電線の効果的な断絶は、半導体素子と別
の構成素子とが膨張性物質によって分離されるように物
質が半導体素子と別の構成素子との間に配置されてお
り、更に、半導体素子に取り付けられた導線が、離間運
動する別の構成素子によって裂断されるようにガイドさ
れていることによって達成され得る。この場合特に、半
導体素子が物質層によって被覆されていること、この物
質層が別の構成素子によって被覆されていること及び素
子に取り付けられた導線が前記物質層を貫通して延びて
別の構成素子に固定的に結合されていることが規定され
ていてよい。この場合、前記の別の構成素子は、導線の
注入された、プラスチックから成る被覆層であってよ
い。物質の体積増大に基づいて前記被覆層が半導体素子
から持ち上がり、導線が裂断される。
の構成素子とが膨張性物質によって分離されるように物
質が半導体素子と別の構成素子との間に配置されてお
り、更に、半導体素子に取り付けられた導線が、離間運
動する別の構成素子によって裂断されるようにガイドさ
れていることによって達成され得る。この場合特に、半
導体素子が物質層によって被覆されていること、この物
質層が別の構成素子によって被覆されていること及び素
子に取り付けられた導線が前記物質層を貫通して延びて
別の構成素子に固定的に結合されていることが規定され
ていてよい。この場合、前記の別の構成素子は、導線の
注入された、プラスチックから成る被覆層であってよ
い。物質の体積増大に基づいて前記被覆層が半導体素子
から持ち上がり、導線が裂断される。
【0011】前記課題の別の解決手段は、素子に対する
電気的な接続が低融点の導電材料を介して行われること
によって得られる。この材料は、接続部が素子の過熱の
場合に該材料の溶融によって分離されるように前記素子
に配置されている。この場合、熱供給は過熱された半導
体素子自体から行われる。従来の溶融安全部材は、この
ためには使用不能である。それというのも、発生する電
力が、一般にはシステム内に存在する電力の強さを超え
ないからである。
電気的な接続が低融点の導電材料を介して行われること
によって得られる。この材料は、接続部が素子の過熱の
場合に該材料の溶融によって分離されるように前記素子
に配置されている。この場合、熱供給は過熱された半導
体素子自体から行われる。従来の溶融安全部材は、この
ためには使用不能である。それというのも、発生する電
力が、一般にはシステム内に存在する電力の強さを超え
ないからである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面につき詳しく説明する。各図面において同一の構成素
子には同一符号を付した。
面につき詳しく説明する。各図面において同一の構成素
子には同一符号を付した。
【0013】図1に示した素子1は、本発明による過負
荷防止部を備えた半導体スイッチである。素子1は、担
体2に組み付けられて、ワイヤ3を介して電気的な端子
4に接続されている。1つの端子のワイヤ3の下位に
は、素子1の過熱の場合に反応してワイヤ3を裂断する
爆発性物質5が配置されているので、下流側に接続され
た構成素子が損傷を被ることはない。
荷防止部を備えた半導体スイッチである。素子1は、担
体2に組み付けられて、ワイヤ3を介して電気的な端子
4に接続されている。1つの端子のワイヤ3の下位に
は、素子1の過熱の場合に反応してワイヤ3を裂断する
爆発性物質5が配置されているので、下流側に接続され
た構成素子が損傷を被ることはない。
【0014】図2には、溶融安全部材21によって保護
された素子20が示されている。この素子20の過熱の
場合には、安全ワイヤ21が素子20の熱によって溶融
し、これにより電力の供給を中断する。
された素子20が示されている。この素子20の過熱の
場合には、安全ワイヤ21が素子20の熱によって溶融
し、これにより電力の供給を中断する。
【0015】最後に、図3にはもう1つの半導体素子3
0が側面図で示されている。この素子30は担体31に
載着されている。その上には素子30の過熱時に気化す
る物質の層32が位置している。この層32には、カバ
ーとして役立つ固定的な被覆層33が設けられている。
接続ワイヤ34は、アーチ形にガイドされて前記被覆層
33に注入されている。素子30の過熱の場合には、前
記の層32が気化して被覆層33を上方に向かって押圧
し、これにより、接続ワイヤ34を裂断する。
0が側面図で示されている。この素子30は担体31に
載着されている。その上には素子30の過熱時に気化す
る物質の層32が位置している。この層32には、カバ
ーとして役立つ固定的な被覆層33が設けられている。
接続ワイヤ34は、アーチ形にガイドされて前記被覆層
33に注入されている。素子30の過熱の場合には、前
記の層32が気化して被覆層33を上方に向かって押圧
し、これにより、接続ワイヤ34を裂断する。
【図1】爆発性の装填物を備えた半導体素子を示した図
である。
である。
【図2】溶融安全部材を備えた半導体素子を示した図で
ある。
ある。
【図3】低温で気化する物質及び固定的な被覆層を備え
た半導体素子を示した図である。
た半導体素子を示した図である。
1,20 素子、 2,31 担体、 3 ワイヤ、
4 端子、 5 爆発性物質、 21 安全ワイヤ、
30 半導体素子、 32 層、 33 被覆層、 3
4 接続ワイヤ
4 端子、 5 爆発性物質、 21 安全ワイヤ、
30 半導体素子、 32 層、 33 被覆層、 3
4 接続ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 390009416 Kruppstrabe 105,Fran kfurt am Main,BRD (72)発明者 ヴォルフガング バイ ドイツ連邦共和国 フランクフルト クア マインツァー シュトラーセ 152
Claims (7)
- 【請求項1】 電気的な接続部を切り換えるための半導
体素子であって、 加熱されると著しく膨張する物質(5,32)が、素子
(1,20,30)の過熱の場合に前記膨張性物質
(5,32)によって素子の導電線(3,34)が切断
されるように素子(1,20,30)に配置されている
ことを特徴とする半導体スイッチ。 - 【請求項2】 物質(32)が、規定された境界温度で
急速に気化する物質である、請求項1記載の半導体スイ
ッチ。 - 【請求項3】 物質が、規定された境界温度で膨張する
物質(5)である、請求項1記載の半導体スイッチ。 - 【請求項4】 物質(5)が、規定された境界温度を超
えると爆発的に膨張し、この爆発に基づき導線(3)が
切断されるように前記物質が配置されている、請求項1
記載の半導体スイッチ。 - 【請求項5】 半導体素子(30)と別の構成素子(3
3)とが膨張性物質(32)によって分離されるよう
に、該膨張性物質が前記半導体素子(30)と別の構成
素子(33)との間に配置されており、更に、半導体素
子(30)に取り付けられた導線(34)が、離間運動
する別の構成素子(33)によって裂断されるようにガ
イドされている、請求項1から4までのいずれか1項記
載の半導体スイッチ。 - 【請求項6】 半導体素子が、物質の層(32)によっ
て被覆されており、該層が、別の構成素子(33)によ
って被覆されており、半導体素子に取り付けられた導線
(34)が前記層(32)を貫通して延びて別の構成素
子(33)に固定的に結合されている、請求項5記載の
半導体スイッチ。 - 【請求項7】 素子に対する電気的な接続が低融点の導
電材料(21)を介して行われ、該材料が、接続部が素
子(20)の過熱の場合に前記材料の溶融によって分離
されるように前記素子(20)に配置されていることを
特徴とする、電気的な接続部を切り換えるための半導体
スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19936112.6 | 1999-07-31 | ||
DE19936112A DE19936112A1 (de) | 1999-07-31 | 1999-07-31 | Halbleiterschalter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001067997A true JP2001067997A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=7916759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000229530A Pending JP2001067997A (ja) | 1999-07-31 | 2000-07-28 | 半導体スイッチ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6504467B1 (ja) |
EP (1) | EP1075010A3 (ja) |
JP (1) | JP2001067997A (ja) |
DE (1) | DE19936112A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010254128A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Denso Corp | 車載電力変換装置 |
JP2013143339A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Toyota Motor Corp | ヒューズ構造 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10122363B4 (de) * | 2001-05-09 | 2007-11-29 | Infineon Technologies Ag | Halbleitermodul |
DE10323492A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Bosch Gmbh Robert | Elektrisches Bauelement |
DE102005024321B8 (de) * | 2005-05-27 | 2012-10-04 | Infineon Technologies Ag | Absicherungsschaltung |
DE102005024347B8 (de) * | 2005-05-27 | 2010-07-08 | Infineon Technologies Ag | Elektrisches Bauteil mit abgesichertem Stromzuführungsanschluss |
DE102005024346B4 (de) * | 2005-05-27 | 2012-04-26 | Infineon Technologies Ag | Sicherungselement mit Auslöseunterstützung |
DE102006009236A1 (de) * | 2006-02-28 | 2007-09-06 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zur temperaturunterbrechenden Absicherung eines elektrischen Bauelements |
EP1906448A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | Delphi Technologies, Inc. | Abgesichertes Feldeffekttransistorbauelement |
DE102007014339A1 (de) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Thermosicherung für den Einsatz in elektrischen Modulen |
US7986212B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-07-26 | Yazaki Corporation | Fuse |
US8319596B2 (en) * | 2009-05-20 | 2012-11-27 | GM Global Technology Operations LLC | Active material circuit protector |
DE102009053145A1 (de) * | 2009-11-05 | 2011-05-12 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Überspannungsschutzelement |
US8816390B2 (en) * | 2012-01-30 | 2014-08-26 | Infineon Technologies Ag | System and method for an electronic package with a fail-open mechanism |
US20150380353A1 (en) * | 2013-02-12 | 2015-12-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of fabricating an integrated circuit device, and an integrated circuit device therefrom |
DE102020213747A1 (de) | 2020-11-02 | 2022-05-05 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Ansteuerung von mindestens zwei Halbleiterbauelementen in Parallelschaltung zur Trennung eines über einem vordefinierten Schwellenwert liegenden elektrischen Stroms |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3638083A (en) * | 1970-08-14 | 1972-01-25 | Sprague Electric Co | Fusible ceramic capacitor |
US3743993A (en) * | 1972-02-02 | 1973-07-03 | Gen Electric | Thermal overload protective device |
US3995246A (en) * | 1975-02-04 | 1976-11-30 | Morgan John M | Device for controlling the temperature and protecting against excessive flow of current of electric installations |
US4225841A (en) * | 1977-07-21 | 1980-09-30 | Behr-Thomson Dehnstoffregler Gmbh | Temperature-dependent switch |
US4352082A (en) * | 1981-02-25 | 1982-09-28 | Fasco Industries, Inc. | Thermal fuse |
US4677412A (en) * | 1982-07-28 | 1987-06-30 | Dan Sibalis | Energy supplemented electrical fuse |
US4494104A (en) * | 1983-07-18 | 1985-01-15 | Northern Telecom Limited | Thermal Fuse |
FR2550886B1 (fr) * | 1983-08-17 | 1986-10-24 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation de transistors de puissance incluant des moyens de protection contre les surcharges et dispositifs ainsi obtenus |
JPS6329426A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-08 | 岡崎 資 | 温度ヒユ−ズ |
US5084691A (en) * | 1990-10-01 | 1992-01-28 | Motorola, Inc. | Controllable fuse |
JPH04237139A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集積回路パッケージ |
US5097247A (en) * | 1991-06-03 | 1992-03-17 | North American Philips Corporation | Heat actuated fuse apparatus with solder link |
JPH05234495A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP3459291B2 (ja) * | 1993-09-21 | 2003-10-20 | ローム株式会社 | 半導体チップを備えた電子部品 |
DE4313339A1 (de) * | 1993-04-23 | 1994-11-03 | Ego Elektro Blanc & Fischer | Sicherungseinrichtung eines Elektro-Heizelementes gegen unzulässige Verringerung der Wärmeabnahme |
DE4425307A1 (de) * | 1994-07-18 | 1996-01-25 | Bayerische Motoren Werke Ag | Elektrischer Sicherheitsschalter für Kraftfahrzeuge |
DE9402484U1 (de) * | 1994-02-08 | 1994-04-14 | Dewitron Elektronik GmbH, 14513 Teltow | Widerstand niederohmiger Bauart mit irreversibler Überlastsicherung |
JPH0878611A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
US5612662A (en) * | 1995-02-07 | 1997-03-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Thermal fuse and method for its activation |
JPH08242046A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Rohm Co Ltd | 温度ヒューズ付き半導体装置の構造 |
JPH0992110A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Denso Corp | 温度ヒューズ付抵抗器 |
US5777540A (en) * | 1996-01-29 | 1998-07-07 | Cts Corporation | Encapsulated fuse having a conductive polymer and non-cured deoxidant |
US5652562A (en) * | 1996-05-21 | 1997-07-29 | Spectrol Electronics Corporation | Thermally fused resistor having a portion of a solder loop thermally connected to an electrically insulated portion of an outer surface of the resistor |
US5796152A (en) * | 1997-01-24 | 1998-08-18 | Roxburgh Ltd. | Cantilevered microstructure |
DE19805785C1 (de) * | 1998-02-12 | 1999-06-17 | Siemens Ag | Leistungshalbleiter-Modul mit thermischer Laststromsicherung |
JP4112078B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2008-07-02 | 内橋エステック株式会社 | 基板型抵抗・温度ヒュ−ズ |
-
1999
- 1999-07-31 DE DE19936112A patent/DE19936112A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-07-08 EP EP00114739A patent/EP1075010A3/de not_active Withdrawn
- 2000-07-27 US US09/626,903 patent/US6504467B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-28 JP JP2000229530A patent/JP2001067997A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010254128A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Denso Corp | 車載電力変換装置 |
US8742708B2 (en) | 2009-04-24 | 2014-06-03 | Denso Corporation | Electric power conversion apparatus for vehicle |
JP2013143339A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Toyota Motor Corp | ヒューズ構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19936112A1 (de) | 2001-02-01 |
EP1075010A2 (de) | 2001-02-07 |
US6504467B1 (en) | 2003-01-07 |
EP1075010A3 (de) | 2002-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001067997A (ja) | 半導体スイッチ | |
US11387068B2 (en) | Active/passive fuse module | |
JP2002512422A (ja) | 特に高電流強さ用電気回路の分離装置 | |
US6147396A (en) | Power semiconductor module | |
CA2216358A1 (en) | Automatic switching-off structure for protecting electronic device from burning | |
US20100073120A1 (en) | Thermal fuse for use in electric modules | |
KR19990077580A (ko) | 자동차공업용퓨즈 | |
GB2489101A (en) | Pyrotechnically actuated fuse for a motor vehicle | |
JP2000108838A (ja) | 電気式火薬用起爆装置および起爆システム | |
JPH11353997A (ja) | 電流遮断装置 | |
JP2002015648A (ja) | 回路遮断装置 | |
EP3840006A1 (en) | Active and passive fuse module | |
CN104919560B (zh) | 用于独立于工作电压来生成安全低阻抗电短路的装置 | |
US6100745A (en) | Combination positive temperature coefficient resistor and metal-oxide semiconductor field-effect transistor devices | |
JP2001516125A (ja) | 電気装置用ヒューズエレメント及びヒューズエレメントの作動方法及び回路装置 | |
JP2001068000A (ja) | 回路遮断装置 | |
CA2159188A1 (en) | An electric fuse and protective circuit | |
US11594391B2 (en) | Active/passive fuse module | |
CA2439860A1 (en) | Connection device for an electric accumulator | |
KR20010024742A (ko) | 이그니션 물질을 가열하기 위한 집적 회로 장치와 그러한집적 회로 장치의 사용방법 | |
JP2004517596A (ja) | ブラシレス直流機 | |
JP2017022089A (ja) | 電子回路のための火工式デバイス | |
JPS63240009A (ja) | Acコンデンサ | |
JPH10241523A (ja) | 電気回路遮断器 | |
JP3742502B2 (ja) | 電源端子台 |