JP2001064718A - 高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法 - Google Patents
高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、溶鋼が高Ｓｉであっても、Ａｌ濃度
を非常に狭い範囲に調整可能な高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃
度調整方法を提供することを目的としている。 【解決手段】Ｓｉ：１．５〜５．０重量％を含む高Ｓｉ
含有溶鋼をＲＨ真空脱ガス槽で溶製するに際して、脱ガ
ス処理により溶鋼中のＳｉＯ2の浮上を図る浮上処理期
間の経過後に、Ａｌ源を溶鋼に添加するようにした。
を非常に狭い範囲に調整可能な高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃
度調整方法を提供することを目的としている。 【解決手段】Ｓｉ：１．５〜５．０重量％を含む高Ｓｉ
含有溶鋼をＲＨ真空脱ガス槽で溶製するに際して、脱ガ
ス処理により溶鋼中のＳｉＯ2の浮上を図る浮上処理期
間の経過後に、Ａｌ源を溶鋼に添加するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高Ｓｉ含有溶鋼の
Ａｌ濃度調整方法に係わり、詳しくは、方向性電磁鋼板
の基になる高Ｓｉ含有溶鋼を溶製するに際して、含有さ
せるＡｌを狭い濃度範囲に的中させる技術である。
Ａｌ濃度調整方法に係わり、詳しくは、方向性電磁鋼板
の基になる高Ｓｉ含有溶鋼を溶製するに際して、含有さ
せるＡｌを狭い濃度範囲に的中させる技術である。
【０００２】
【従来の技術】変圧器や発電機の鉄心材料として使用さ
れる高Ｓｉ（通常、１重量％以上）の方向性電磁鋼板
は、最も重要な特性として、高磁束密度、且つ低鉄損で
あることを要求される。そのためには、該方向性電磁鋼
板の製造時に、結晶方位をゴス方位と呼ばれる状態にす
る必要がある。つまり、｛１００｝面を＜００１＞方位
に高度に集積させるのである。
れる高Ｓｉ（通常、１重量％以上）の方向性電磁鋼板
は、最も重要な特性として、高磁束密度、且つ低鉄損で
あることを要求される。そのためには、該方向性電磁鋼
板の製造時に、結晶方位をゴス方位と呼ばれる状態にす
る必要がある。つまり、｛１００｝面を＜００１＞方位
に高度に集積させるのである。
【０００３】このような二次再結晶の集積を促進させる
ためには、一次再結晶の成長を選択的に抑制するインヒ
ビターと呼ばれる析出分散相を、鋼中に均一且つ適正な
サイズで形成させるのが一般的である。このインヒビタ
ーの一つにＡｌＮがある。ＡｌＮを前記インヒビターと
して働かせるには、溶鋼段階で鋼中のＡｌ及びＮ濃度を
ある範囲内に調整する必要がある。その範囲をわずかで
もはずれると、これらの元素は有害元素としてふるま
い、前記特性が劣化することになるからである。
ためには、一次再結晶の成長を選択的に抑制するインヒ
ビターと呼ばれる析出分散相を、鋼中に均一且つ適正な
サイズで形成させるのが一般的である。このインヒビタ
ーの一つにＡｌＮがある。ＡｌＮを前記インヒビターと
して働かせるには、溶鋼段階で鋼中のＡｌ及びＮ濃度を
ある範囲内に調整する必要がある。その範囲をわずかで
もはずれると、これらの元素は有害元素としてふるま
い、前記特性が劣化することになるからである。
【０００４】現在、この高Ｓｉ含有溶鋼は、転炉出鋼後
の該溶鋼をＲＨ真空脱ガス槽を用いて減圧下でＡｌ源を
投入して、Ａｌ濃度の調整を行なっている。しかしなが
ら、Ａｌは非常に酸化し易い元素であり、溶鋼の溶製時
には酸化物としてスラグに移行してしまい、溶鋼のＡｌ
を狭い濃度範囲に調整することが非常に難しい状況にあ
る。
の該溶鋼をＲＨ真空脱ガス槽を用いて減圧下でＡｌ源を
投入して、Ａｌ濃度の調整を行なっている。しかしなが
ら、Ａｌは非常に酸化し易い元素であり、溶鋼の溶製時
には酸化物としてスラグに移行してしまい、溶鋼のＡｌ
を狭い濃度範囲に調整することが非常に難しい状況にあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑み、溶鋼が高Ｓｉであっても、Ａｌ濃度を非常に狭
い範囲に調整可能な高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法
を提供することを目的としている。
に鑑み、溶鋼が高Ｓｉであっても、Ａｌ濃度を非常に狭
い範囲に調整可能な高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的を達
成するため鋭意研究し、その成果を本発明に具現化し
た。
成するため鋭意研究し、その成果を本発明に具現化し
た。
【０００７】すなわち、本発明は、Ｓｉ：１．５〜５．
０重量％を含む高Ｓｉ含有溶鋼をＲＨ真空脱ガス槽で溶
製するに際して、脱ガス処理により溶鋼中のＳｉＯ2の
浮上を図る浮上処理期間の経過後に、Ａｌ源を溶鋼に添
加することを特徴とする高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整
方法である。
０重量％を含む高Ｓｉ含有溶鋼をＲＨ真空脱ガス槽で溶
製するに際して、脱ガス処理により溶鋼中のＳｉＯ2の
浮上を図る浮上処理期間の経過後に、Ａｌ源を溶鋼に添
加することを特徴とする高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整
方法である。
【０００８】また、本発明は、前記ＳｉＯ2の浮上処理
期間は、脱ガス処理開始から取鍋内の全溶鋼が脱ガス槽
との間で1回環流するに要する時間の７倍であることを
特徴とする高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法である。
期間は、脱ガス処理開始から取鍋内の全溶鋼が脱ガス槽
との間で1回環流するに要する時間の７倍であることを
特徴とする高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法である。
【０００９】さらに、本発明は、前記Ａｌ源を、フェロ
アルミニウムとすることを特徴とする高Ｓｉ含有溶鋼の
Ａｌ濃度調整方法である。
アルミニウムとすることを特徴とする高Ｓｉ含有溶鋼の
Ａｌ濃度調整方法である。
【００１０】本発明によれば、溶鋼中に存在するＳｉＯ
2がほとんどスラグに移行してから、Ａｌ源を溶鋼に添
加するようにしたので、ＳｉＯ2に邪魔されることなく
溶鋼中へのＡｌが溶解するようになる。すなわち、Ｓｉ
Ｏ2によるＡｌ酸化を防止したＡｌ添加ができるように
なる。その結果、溶鋼のＡｌ濃度が目標値から狭い範囲
に留まるようになる。
2がほとんどスラグに移行してから、Ａｌ源を溶鋼に添
加するようにしたので、ＳｉＯ2に邪魔されることなく
溶鋼中へのＡｌが溶解するようになる。すなわち、Ｓｉ
Ｏ2によるＡｌ酸化を防止したＡｌ添加ができるように
なる。その結果、溶鋼のＡｌ濃度が目標値から狭い範囲
に留まるようになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、発明をなすに至った経緯を
交え、本発明の実施の形態を説明する。
交え、本発明の実施の形態を説明する。
【００１２】まず、ＲＨ真空脱ガス槽を用いた従来の溶
鋼中Ａｌ濃度の調整方法を説明する。
鋼中Ａｌ濃度の調整方法を説明する。
【００１３】ＲＨ真空脱ガス槽１は、図３に示すよう
に、２本の浸漬管２を介して溶鋼３を吸い上げたり、降
下させて、取鍋４内の溶鋼３を脱ガス槽１と取鍋４間で
環流（循環）し、減圧した雰囲気にある溶鋼３から脱ガ
スする作用をする。その際、溶鋼３の脱炭も行なった
り、あるいは合金源５を添加し、溶鋼３の成分調整も行
なわれる。
に、２本の浸漬管２を介して溶鋼３を吸い上げたり、降
下させて、取鍋４内の溶鋼３を脱ガス槽１と取鍋４間で
環流（循環）し、減圧した雰囲気にある溶鋼３から脱ガ
スする作用をする。その際、溶鋼３の脱炭も行なった
り、あるいは合金源５を添加し、溶鋼３の成分調整も行
なわれる。
【００１４】高Ｓｉ溶鋼のＡｌ濃度を調整するにも、従
来よりこのＲＨ真空脱ガス槽１が用いられており、転炉
内及び／又は出鋼中に添加されるＳｉ源、脱ガス処理中
に添加されるＡｌ源の順で、溶鋼３に添加されている。
ところが、前記したように、高Ｓｉ含有鋼の場合には、
Ａｌ濃度の狭幅な調整を難しくするという問題が生じて
いた。つまり、方向性電磁鋼板用の溶鋼３とするには、
目標Ａｌ濃度に対して、±１０ｐｐｍの精度で調整する
のが理想であるが、それが達成できていなかった。
来よりこのＲＨ真空脱ガス槽１が用いられており、転炉
内及び／又は出鋼中に添加されるＳｉ源、脱ガス処理中
に添加されるＡｌ源の順で、溶鋼３に添加されている。
ところが、前記したように、高Ｓｉ含有鋼の場合には、
Ａｌ濃度の狭幅な調整を難しくするという問題が生じて
いた。つまり、方向性電磁鋼板用の溶鋼３とするには、
目標Ａｌ濃度に対して、±１０ｐｐｍの精度で調整する
のが理想であるが、それが達成できていなかった。
【００１５】そこで、発明者は、その原因について鋭意
研究を行ない、転炉内又は出鋼中に大量に添加されたＳ
ｉがＳｉＯ2として溶鋼３中に存在し、これがＡｌを酸
化する酸素源となってＡｌの添加歩留りを不安定にし、
Ａｌ濃度の狭幅な調整を難しくするという結論を得た。
そして、Ａｌ歩留りが不安定になる原因が溶鋼３中に大
量に存在する珪素介在物であるなら、この介在物を浮上
させた後にＡｌを添加すれば、Ａｌ歩留りは安定すると
考え、真空脱ガス処理中におけるＳｉＯ2浮上のための
浮上処理期間経過後にＡｌ源を添加するようにしたもの
である。また、このＳｉＯ2浮上のための浮上処理期間
は、溶鋼中に懸濁しているＳｉＯ2を分析することで求
められる。つまり、脱ガス処理中の溶鋼サンプリングを
行なってＳｉ濃度が一定の値に安定した時、浮上処理が
完了したとみることができ、この間をＳｉＯ2浮上のた
めの浮上処理期間とするのである。この浮上処理期間
は、使用している脱ガス装置の大きさや能力別処理溶鋼
量毎に予め調査しておくことでも、設定することができ
る。また、ＳｉＯ2浮上に要する浮上処理の時間から設
定することもできる。発明者らは、このＳｉＯ2浮上に
要する浮上処理の時間を調査した。
研究を行ない、転炉内又は出鋼中に大量に添加されたＳ
ｉがＳｉＯ2として溶鋼３中に存在し、これがＡｌを酸
化する酸素源となってＡｌの添加歩留りを不安定にし、
Ａｌ濃度の狭幅な調整を難しくするという結論を得た。
そして、Ａｌ歩留りが不安定になる原因が溶鋼３中に大
量に存在する珪素介在物であるなら、この介在物を浮上
させた後にＡｌを添加すれば、Ａｌ歩留りは安定すると
考え、真空脱ガス処理中におけるＳｉＯ2浮上のための
浮上処理期間経過後にＡｌ源を添加するようにしたもの
である。また、このＳｉＯ2浮上のための浮上処理期間
は、溶鋼中に懸濁しているＳｉＯ2を分析することで求
められる。つまり、脱ガス処理中の溶鋼サンプリングを
行なってＳｉ濃度が一定の値に安定した時、浮上処理が
完了したとみることができ、この間をＳｉＯ2浮上のた
めの浮上処理期間とするのである。この浮上処理期間
は、使用している脱ガス装置の大きさや能力別処理溶鋼
量毎に予め調査しておくことでも、設定することができ
る。また、ＳｉＯ2浮上に要する浮上処理の時間から設
定することもできる。発明者らは、このＳｉＯ2浮上に
要する浮上処理の時間を調査した。
【００１６】その調査は、溶鋼３の環流量Ｑを表わす下
記（２）式を用いて、取鍋内の溶鋼３の全量が脱ガス槽
との間で一回の還流をするに要する時間Ｈを（１）式で
求め、環流回数（環流時間の何倍の時間であるか）と溶
鋼中のＳｉ濃度との関係を求めることで行なわれた。得
られた結果を図１に示す。なお、図１で、［Ｓｉ％］は
各時間でのＳｉ濃度であり、［Ｓｉ％］fは処理後の値
である。
記（２）式を用いて、取鍋内の溶鋼３の全量が脱ガス槽
との間で一回の還流をするに要する時間Ｈを（１）式で
求め、環流回数（環流時間の何倍の時間であるか）と溶
鋼中のＳｉ濃度との関係を求めることで行なわれた。得
られた結果を図１に示す。なお、図１で、［Ｓｉ％］は
各時間でのＳｉ濃度であり、［Ｓｉ％］fは処理後の値
である。
【００１７】 Ｈ＝Ｗ／Ｑ ……（１） Ｑ＝（１１．４Ｇ1/3Ｄ4/3（ｌｎＰ1／Ｐ2）1/3）……（２） ここで、Ｈ：全溶鋼が一回の環流に要する時間（分） Ｑ：環流量（トン／分） Ｗ：処理溶鋼の全量（トン） Ｇ：環流ガス量（ノルマルリットル／分） Ｄ：浸漬管の内径（メートル） Ｐ1：大気圧力（ａｔｍ） Ｐ2：槽内圧力（ａｔｍ） ＳｉＯ2介在物もＳｉとして分析されるため、図１よ
り、脱ガス処理の開始から溶鋼を７回還流（（７×Ｈ）
分後）すれば、溶鋼３中のＳｉ濃度に変化がなくなる。
このことは、、溶鋼３中のＳｉＯ2がほぼ全量浮上し、
スラグ７にトラップされたことを意味している。
り、脱ガス処理の開始から溶鋼を７回還流（（７×Ｈ）
分後）すれば、溶鋼３中のＳｉ濃度に変化がなくなる。
このことは、、溶鋼３中のＳｉＯ2がほぼ全量浮上し、
スラグ７にトラップされたことを意味している。
【００１８】従って、発明者は、溶鋼が７回環流した状
態になってからＡｌ源を溶鋼に添加すれば、溶鋼のＡｌ
濃度は目標値から大きく変動することはないと考え、こ
の考えを本発明としたのである。
態になってからＡｌ源を溶鋼に添加すれば、溶鋼のＡｌ
濃度は目標値から大きく変動することはないと考え、こ
の考えを本発明としたのである。
【００１９】
【実施例】方向性電磁鋼板を製造するため、Ｃ：０．０
３〜０．１０重量％、Ｓｉ：１．５〜５．０重量％、Ｍ
ｎ：０．０４〜０．１５重量％を含む高Ｓｉ含有溶鋼
を、図３に示したＲＨ真空脱ガス槽１で溶製した。１回
の溶製で処理した溶鋼量Ｗは１９０トンであり、予め転
炉（図示せず）から出鋼した前記溶鋼１９０トンを取鍋
４に装入し、該取鍋４をＲＨ真空脱ガス槽１にセットし
た。直ちに、ＲＨ真空脱ガス槽１の内部雰囲気を４０ｔ
ｏｒｒに減圧し、環流ガス６を流して溶鋼３を脱ガス槽
１に吸引し、環流を開始した。その後は、作業者がコン
ピュータにより前記（１）〜（２）式に基き、環流時間
Ｈを求め、脱ガス開始からの経過時間が７Ｈを超えてか
ら、フェロアルミを８２０ｋｇ／ｍｉｎで溶鋼面上に投
入した。なお、目標Ａｌ濃度は、０．０１０〜０．０３
０ｗｔ％の範囲で、処理毎に変更した。
３〜０．１０重量％、Ｓｉ：１．５〜５．０重量％、Ｍ
ｎ：０．０４〜０．１５重量％を含む高Ｓｉ含有溶鋼
を、図３に示したＲＨ真空脱ガス槽１で溶製した。１回
の溶製で処理した溶鋼量Ｗは１９０トンであり、予め転
炉（図示せず）から出鋼した前記溶鋼１９０トンを取鍋
４に装入し、該取鍋４をＲＨ真空脱ガス槽１にセットし
た。直ちに、ＲＨ真空脱ガス槽１の内部雰囲気を４０ｔ
ｏｒｒに減圧し、環流ガス６を流して溶鋼３を脱ガス槽
１に吸引し、環流を開始した。その後は、作業者がコン
ピュータにより前記（１）〜（２）式に基き、環流時間
Ｈを求め、脱ガス開始からの経過時間が７Ｈを超えてか
ら、フェロアルミを８２０ｋｇ／ｍｉｎで溶鋼面上に投
入した。なお、目標Ａｌ濃度は、０．０１０〜０．０３
０ｗｔ％の範囲で、処理毎に変更した。
【００２０】かかる操業で得た溶鋼３の実績Ａｌ濃度と
目標値と差を、その出現度数割合で図２に示す。なお、
図２には、比較のため従来の方法での操業結果も示して
ある。図２より、本発明によれば、溶鋼３中のＡｌ濃度
が目標値に対して±１０ｐｐｍで調整されたことが明ら
かである。また、脱ガス処理後の溶鋼中のＮ濃度は、１
００ｐｐｍであり、ＡｌＮを形成するに十分な量であっ
た。
目標値と差を、その出現度数割合で図２に示す。なお、
図２には、比較のため従来の方法での操業結果も示して
ある。図２より、本発明によれば、溶鋼３中のＡｌ濃度
が目標値に対して±１０ｐｐｍで調整されたことが明ら
かである。また、脱ガス処理後の溶鋼中のＮ濃度は、１
００ｐｐｍであり、ＡｌＮを形成するに十分な量であっ
た。
【００２１】上記実施例では、溶鋼として電磁鋼板用の
ものを使用したが、本発明はそれに限らず、高Ｓｉであ
れば如何なる鋼材の溶鋼にも適用できることは言うまで
もない。
ものを使用したが、本発明はそれに限らず、高Ｓｉであ
れば如何なる鋼材の溶鋼にも適用できることは言うまで
もない。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、高Ｓ
ｉ含有溶鋼のＡｌ濃度が狭い範囲で調整できるようにな
る。その結果、高磁気密度、低鉄損特性に優れた方向性
電磁鋼板が安定して製造できるようになった。
ｉ含有溶鋼のＡｌ濃度が狭い範囲で調整できるようにな
る。その結果、高磁気密度、低鉄損特性に優れた方向性
電磁鋼板が安定して製造できるようになった。
【図１】溶鋼の脱ガス処理期間（溶鋼全量の１回還流時
間の何倍であるか）と溶鋼中Ｓｉ濃度との関係を示す図
である。
間の何倍であるか）と溶鋼中Ｓｉ濃度との関係を示す図
である。
【図２】本発明に係るＡｌ濃度調整方法と従来方法での
Ａｌ濃度の的中精度を示す図である。
Ａｌ濃度の的中精度を示す図である。
【図３】ＲＨ真空脱ガス槽を示す縦断面図である。
１ ＲＨ真空脱ガス槽 ２ 浸漬管 ３ 溶鋼 ４ 取鍋 ５ 合金源 ６ 環流ガス ７ スラグ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K013 AA00 BA07 BA16 CE01 CF13 DA03 DA08 DA12 EA19 EA32 FA02
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓｉ：１．５〜５．０重量％を含む高Ｓ
ｉ含有溶鋼をＲＨ真空脱ガス槽で溶製するに際して、 脱ガス処理により溶鋼中のＳｉＯ2の浮上を図る浮上処
理期間の経過後に、Ａｌ源を溶鋼に添加することを特徴
とする高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法。 - 【請求項２】 前記ＳｉＯ2の浮上処理期間は、脱ガス
処理開始から取鍋内の全溶鋼が脱ガス槽との間で１回環
流するに要する時間の７倍であることを特徴とする請求
項１記載の高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法。 - 【請求項３】 前記Ａｌ源を、フェロアルミニウムとす
ることを特徴とする請求項１又は２記載の高Ｓｉ含有溶
鋼のＡｌ濃度調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24313199A JP3855553B2 (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24313199A JP3855553B2 (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001064718A true JP2001064718A (ja) | 2001-03-13 |
| JP3855553B2 JP3855553B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=17099272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24313199A Expired - Fee Related JP3855553B2 (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3855553B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001094648A2 (en) * | 2000-06-05 | 2001-12-13 | Sanyo Special Steel Co., Ltd. | High-cleanliness steel and process for producing the same |
| GB2406580A (en) * | 2000-06-05 | 2005-04-06 | Sanyo Special Steel Co Ltd | High-cleanliness steel and processes for producing the same |
| US8043962B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-10-25 | Hynix Semiconductor Inc. | Metal wire for a semiconductor device formed with a metal layer without voids therein and a method for forming the same |
| JP2015501382A (ja) * | 2011-10-25 | 2015-01-15 | 宝山鋼鉄股▲分▼有限公司 | 高アルミ低シリコン超純フェライトステンレススチールの製錬方法 |
-
1999
- 1999-08-30 JP JP24313199A patent/JP3855553B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001094648A2 (en) * | 2000-06-05 | 2001-12-13 | Sanyo Special Steel Co., Ltd. | High-cleanliness steel and process for producing the same |
| FR2812663A1 (fr) * | 2000-06-05 | 2002-02-08 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Acier haute proprete et son procede de fabrication |
| WO2001094648A3 (en) * | 2000-06-05 | 2002-08-08 | Sanyo Special Steel Co Ltd | High-cleanliness steel and process for producing the same |
| GB2381537A (en) * | 2000-06-05 | 2003-05-07 | Sanyo Special Steel Co Ltd | High-cleanliness steel and process for producing the same |
| GB2406580A (en) * | 2000-06-05 | 2005-04-06 | Sanyo Special Steel Co Ltd | High-cleanliness steel and processes for producing the same |
| GB2406580B (en) * | 2000-06-05 | 2005-09-07 | Sanyo Special Steel Co Ltd | High-cleanliness steel and process for producing the same |
| GB2381537B (en) * | 2000-06-05 | 2005-09-14 | Sanyo Special Steel Co Ltd | High-cleanliness steel and process for producing the same |
| US7396378B2 (en) | 2000-06-05 | 2008-07-08 | Sanyo Special Steel Co., Ltd. | Process for producing a high cleanliness steel |
| US8043962B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-10-25 | Hynix Semiconductor Inc. | Metal wire for a semiconductor device formed with a metal layer without voids therein and a method for forming the same |
| JP2015501382A (ja) * | 2011-10-25 | 2015-01-15 | 宝山鋼鉄股▲分▼有限公司 | 高アルミ低シリコン超純フェライトステンレススチールの製錬方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3855553B2 (ja) | 2006-12-13 |
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