JP2001060536A

JP2001060536A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2001060536A
Application number: JP11233820A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Watanabe; 善博渡辺; Fumio Kudo; 二三男工藤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-08-20
Filing date: 1999-08-20
Publication date: 2001-03-06
Anticipated expiration: 2019-08-20
Also published as: JP4337181B2

Abstract

(57)【要約】【課題】陽極酸化により形成される誘電体酸化皮膜層
は水酸化皮膜が存在するために導電性高分子の固体電解
質層の形成時に侵されるという課題を解決し、漏れ電流
が少なく、高周波数領域でのインピーダンス特性に優れ
た固体電解コンデンサおよびその製造方法を得ることを
目的とする。【解決手段】弁作用金属であるアルミニウム箔１０の
表面にドライプロセスで形成されたＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，
Ｎｂの少なくとも１種からなる酸化物皮膜層１２が形成
され、この酸化物皮膜層１２上に導電性高分子の固体電
解質層１３を設けた構成とすることにより、漏れ電流が
少なく、高周波数領域でのインピーダンス特性に優れた
固体電解コンデンサおよびその製造方法を得ることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は導電性高分子の固体
電解質層を用いた漏れ電流、周波数特性などの信頼性特
性に優れた固体電解コンデンサおよびその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、プリント基板
の高密度実装化、実装の効率化の要請から電子部品のチ
ップ化、小型化が著しく進展している。これに伴い、電
解コンデンサのチップ化、小型化や低インピーダンスの
要請も高まり、各種の提案がなされて電解液を用いない
固体電解コンデンサが急速に伸びてきている。

【０００３】図４はこの種の従来の固体電解コンデンサ
の一般的な構成を示す断面図である。同図において、１
はコンデンサ素子で、このコンデンサ素子１はタンタル
等の弁作用を有する金属粉末を成形して焼結した多孔質
の陽極体から陽極導出線２を導出し、かつこの陽極導出
線２の一部と前記多孔質の陽極体の全面に陽極酸化によ
り誘電体酸化皮膜層とピロール等の導電性高分子の固体
電解質層を形成し、さらにこの固体電解質層の表面にカ
ーボン層及び銀層を順次積層して陰極層３が形成された
ものである。４は陽極端子で、この陽極端子４は一端部
が前記陽極導出線２に溶接により接続され、そして他端
部は後述する外装樹脂の成形後に折り曲げられている。
５は陰極端子で、この陰極端子５は一端部が前記コンデ
ンサ素子１の陰極層３に銀接着剤よりなる導電性接続層
６により接続され、そして他端部は後述する外装樹脂の
成形後に折り曲げられている。７はコンデンサ素子１全
体をモールド成形して被覆するエポキシ樹脂からなる外
装樹脂である。

【０００４】このような固体電解コンデンサにおいて、
導電性高分子の固体電解質層の形成方法についてこれま
で多くの発明がなされており、一般的には、導電性高分
子のモノマー溶液と酸化剤を含有する溶液で交互に電解
重合または化学重合して固体電解質層を形成するか、導
電性高分子のモノマー溶液と酸化剤を混合した溶液で電
解重合または化学重合して固体電解質層を形成させてい
た。

【０００５】また、特開昭６２−１８１４１５号公報に
は、導電性高分子層を形成しやすくするために、誘電体
酸化皮膜層にＭｎＯ₂層を形成した後に導電性高分子層
を電気化学的に形成するという方法が提案されており、
これにより導電性高分子層を均一に効率的に形成するこ
とができると記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開昭６２−１８１４１５号公報に記載の技術では、誘電
体酸化皮膜層上にＭｎＯ₂層を形成する場合、酸性度の
高い硝酸マンガン溶液に浸漬した後に熱分解によりＭｎ
Ｏ₂層を形成するため、硝酸マンガン溶液の酸性度で誘
電体酸化皮膜の一部分が侵されてしまうという問題があ
り、これを補う方法としてＭｎＯ₂層を形成した後に再
度陽極酸化を行ったりすることが考えられるが、この方
法を用いても漏れ電流特性を向上させるには困難を極め
たものであった。

【０００７】また、導電性高分子の固体電解質層の形成
においても、酸化重合に必要な酸性度の高い酸化剤溶液
を導電性高分子の溶液に混合したものか酸化剤溶液を直
接用いるため、誘電体酸化皮膜層の一部分が溶出して静
電容量、漏れ電流に大きな影響を与えるので再度陽極酸
化を行っているが、この点からも漏れ電流特性の向上に
困難を極めるという課題を有していた。

【０００８】なお、前記誘電体酸化皮膜層の一部分が溶
出するのは、アルミニウムやタンタル等の弁作用金属の
箔や焼結体を陽極酸化して得られる誘電体酸化皮膜層は
完全な酸化皮膜層とはなりにくく、水酸化皮膜が必ず存
在するからであり、この水酸化皮膜は耐酸性や耐水性に
弱いことから固体電解質層を形成するときの酸化剤溶液
で誘電体酸化皮膜層の水酸化皮膜部分が侵されて製品の
漏れ電流やインピーダンス特性に悪影響を与えているも
のと考えられる。この対策として、固体電解質層を形成
した後に再度陽極酸化して誘電体酸化皮膜層を修復して
いるが、このときに形成される皮膜層は、最初の陽極酸
化で誘電体酸化皮膜層を形成する工程よりも簡略化され
るために完全な酸化皮膜層ができない。

【０００９】従って、従来の導電性高分子の固体電解質
層を用いた固体電解コンデンサは、ある程度の低インピ
ーダンス化を図ることはできても、市場ニーズを満足す
るまでの特性が得られてないのが現実である。

【００１０】本発明はこのような課題を解決し、漏れ電
流が少なく、高周波数領域でのインピーダンス特性に優
れた固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、弁作用金属の表面にドライプロセスで形成
されたＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種からな
る酸化物皮膜層を有し、この酸化物皮膜層上に導電性高
分子の固体電解質層を設けた構成としたものである。

【００１２】この発明により、漏れ電流が少なく、高周
波数領域でのインピーダンス特性に優れた固体電解コン
デンサおよびその製造方法を得ることができるものであ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、弁作用金属の表面にドライプロセスで形成されたＡ
ｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種からなる酸化物
皮膜層を有し、この酸化物皮膜層上に導電性高分子の固
体電解質層を設けた構成としたもので、酸化物皮膜層に
は水酸化皮膜が存在しないので、酸性度の高い酸化剤を
用いて導電性高分子の固体電解質層を形成しても、酸化
物皮膜層の溶解が起きないという作用を有する。

【００１４】なお、ドライプロセスは、半導体プロセス
などで用いられている真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンプレーティング、ＣＶＤなどの技術を用いて皮膜形成
するものである。

【００１５】また、弁作用金属は１００μｍ程度の箔を
用いるかまたは粉末を成形して焼結体としたものを用い
ることができる。弁作用金属の箔を用いる場合は、その
箔をエッチングなどで表面拡大化処理を施してから用い
ることもできる。

【００１６】請求項２に記載の発明は、弁作用金属の表
面に陽極酸化により形成されたＡｌまたはＴａの誘電体
酸化皮膜層と、ドライプロセスにより形成されたＡｌ，
Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種からなる酸化物皮膜
層を有し、この酸化物皮膜層上に導電性高分子の固体電
解質層を設けた構成としたもので、陽極酸化により形成
された誘電体酸化皮膜層を有したときでも、誘電体酸化
皮膜層の水酸化皮膜をドライプロセスで形成される酸化
物皮膜層で被覆することで、酸性度の高い酸化剤を用い
て導電性高分子の固体電解質層を形成しても誘電体酸化
皮膜層の破壊が起きないという作用を有する。

【００１７】なお、酸化物皮膜層はＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，
Ｎｂの少なくとも１種からなる酸化物皮膜層で、弁作用
金属の酸化物であることから誘電体酸化皮膜層の誘電率
を損なうことなく信頼性をより高いものにすることがで
きる。

【００１８】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の発明において、導電性高分子の固体電解質層
が複素環式化合物のモノマーであるピロール、アニリ
ン、チオフェンまたはこれらの誘導体を繰り返し単位と
して含む化合物であるとしたもので、信頼性の高い導電
性高分子の固体電解質層を得ることができるという作用
を有する。

【００１９】請求項４に記載の発明は、弁作用金属の表
面にＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種からなる
酸化物皮膜層をドライプロセスで形成する工程と、この
酸化物皮膜層上に複素環式化合物のモノマーを酸化重合
することにより導電性高分子の固体電解質層を形成する
工程とを有し、前記固体電解質層上にカーボン層および
導電性接着層を順次形成した後に外装樹脂でモールドす
るようにした製造方法としたもので、この方法により、
誘電体酸化皮膜層の破壊が起きないのでロットばらつき
の少ない安定した生産ができ、かつ漏れ電流が少なく高
周波数領域のインピーダンス特性に優れた固体電解コン
デンサを製造することができるという作用を有する。

【００２０】請求項５に記載の発明は、弁作用金属の表
面に陽極酸化によりＡｌまたはＴａの誘電体酸化皮膜層
を形成する工程と、この誘電体酸化皮膜層上にＡｌ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種の酸化物皮膜層をドラ
イプロセスで形成する工程と、この酸化物皮膜層上に複
素環式化合物のモノマーを酸化重合することにより導電
性高分子の固体電解質層を形成する工程とを有し、前記
固体電解質層上にカーボン層および導電性接着層を順次
形成した後に外装樹脂でモールドするようにした製造方
法としたもので、この方法により、請求項２に記載の発
明による作用と同様の作用を有する。

【００２１】請求項６に記載の発明は、弁作用金属の表
面にドライプロセスによって酸化物皮膜層を形成した陽
極箔と陰極箔とをセパレータを介在させて巻回すること
によりコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に
複素環式モノマーを酸化重合することにより導電性高分
子の固体電解質層を形成した後に、このコンデンサ素子
を有底筒状の金属ケースに収納して金属ケースの開口部
を封口部材で封口するようにした製造方法としたもの
で、この方法により、漏れ電流が少なく、高周波領域の
インピーダンス特性に優れた高容量の固体電解コンデン
サを製造することができるという作用を有する。

【００２２】請求項７に記載の発明は、請求項４〜６の
いずれか一つに記載の発明において、固体電解質層を複
素環式モノマーを含有する溶液と酸化剤を含有する溶液
とを個々に含浸又は複素環式モノマーと酸化剤とを含有
する混合液に含浸することにより形成するようにした製
造方法としたものであり、導電性高分子の固体電解質層
を化学酸化重合により容易に形成できるという作用を有
する。

【００２３】請求項８に記載の発明は、請求項４〜７の
いずれか一つに記載の発明において、導電性高分子の固
体電解質層を複素環式化合物のモノマーであるピロー
ル、アニリン、チオフェンまたはこれらの誘導体を用い
た製造方法としたもので、請求項３に記載の発明による
作用と同様の作用を有する。

【００２４】請求項９に記載の発明は、請求項７に記載
の発明において、酸化剤に遷移金属の塩あるいは過硫酸
の塩を用いた製造方法としたもので、酸化力が高く、反
応効率が高くなるので、コンデンサ素子の内部に高い導
電性を有する導電性高分子層を形成することができると
いう作用を有する。

【００２５】なお、上記の反応効率をさらに高める目的
で、酸化剤に有機酸あるいは無機酸を添加することもで
きる。ここで用いられる有機酸としては、シュウ酸、マ
ロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン
酸、アゼライン酸、セバチン酸、マレイン酸、フマル
酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、ステアリン酸などが挙げられ
る。また、無機酸としては、塩酸、燐酸、硫酸、ホウ
酸、硝酸、亜燐酸、次亜燐酸、亜硝酸などを用いること
ができる。

【００２６】以下、本発明の実施の形態について比較例
と共に説明する。

【００２７】（実施の形態１）図１は本発明の第１の実
施の形態による固体電解コンデンサの構成を示した一部
切欠斜視図である。同図において、１０は弁作用金属で
あるアルミニウム箔、１１は前記アルミニウム箔１０を
陽極部と陰極部に分離するために設けられた絶縁性のレ
ジスト、１２は前記レジスト１１により分離された陰極
部にドライプロセスにより形成された酸化物皮膜層、１
３は前記酸化物皮膜層１２の表面に形成された導電性高
分子の固体電解質層、１４はカーボン層で、このカーボ
ン層１４の表面に銀層１５を積層することによって陰極
層を形成して素子を構成して、この素子を単独もしくは
複数枚積層し、上記陽極部と陰極部に陽極端子１６Ａ、
陰極端子１６Ｂを接続した後に外装樹脂１７でモールド
（図示せず）することにより固体電解コンデンサを構成
するようにしたものである。

【００２８】この固体電解コンデンサの製造方法は、ま
ず、弁作用金属であるアルミニウム箔１０（厚さ１００
μｍ）を陽極部と陰極部に分離するために絶縁性のレジ
スト１１を設け、このレジスト１１により分離された陰
極部にイオンプレーティング法でＡｌ₂Ｏ₃の酸化物皮膜
層１２を形成した後、この酸化物皮膜層１２の表面に導
電性高分子の固体電解質層１３を形成させた。

【００２９】この固体電解質層１３の形成は、複素環式
モノマー液としてエチレンジオキシチオフェンを含むエ
タノール溶液を前記酸化物皮膜層１２の表面に塗布して
１０５℃で１分間乾燥し、続いて酸化剤として４０ｗｔ
％のｐ−トルエンスルホン酸を含むメタノール溶液を塗
布して１０５℃で１分間乾燥し、その後水洗して１０５
℃で５分間乾燥をした。このような工程を３回繰り返し
て行い化学酸化重合の固体電解質層１３とした。

【００３０】次に、前記固体電解質層１３の表面にカー
ボン層１４、銀層１５を順次積層して陰極層を形成して
素子を得た。

【００３１】このように構成された素子を２枚積層し、
上記陽極部と陰極部に陽極端子１６Ａ、陰極端子１６Ｂ
を接続した後に外装樹脂１７でモールド（図示せず）し
て固体電解コンデンサを作製した（サイズ：７．３×
４．３×１．８ｍｍ）。

【００３２】（実施の形態２）上記実施の形態１におい
て、弁作用金属であるアルミニウム箔（厚み１００μ
ｍ）の表面にイオンプレーティング法でＴｉＯ₂の酸化
物皮膜層を形成した。それ以外は実施の形態１と同様に
して固体電解コンデンサを得た。

【００３３】（実施の形態３）上記実施の形態１におい
て、弁作用金属であるタンタル箔（厚み１００μｍ）の
表面にイオンプレーティング法でＴａ₂Ｏ₅の酸化物皮膜
層を形成した。それ以外は実施の形態１と同様にして固
体電解コンデンサを得た。

【００３４】（実施の形態４）上記実施の形態１におい
て、弁作用金属であるチタン箔（厚み１００μｍ）の表
面にスパッタリング法でＮｂ₂Ｏ₅の酸化物皮膜層を形成
した。それ以外は実施の形態１と同様にして固体電解コ
ンデンサを得た。

【００３５】（実施の形態５）上記実施の形態１におい
て、複素環式モノマー液としてピロールモノマーを用い
た以外は実施の形態１と同様にして固体電解コンデンサ
を得た。

【００３６】（実施の形態６）上記実施の形態１におい
て、酸化剤として４０ｗｔ％のナフタレンスルホン酸第
２鉄粉末を用いた以外は実施の形態１と同様にして固体
電解コンデンサを得た。

【００３７】（実施の形態７）上記実施の形態１におい
て、複素環式モノマー液としてピロールモノマーと酸化
剤として４０ｗｔ％のｐ−トルエンスルホン酸を重量比
で１：１に混合したエタノール溶液を塗布して１０５℃
で１０秒間乾燥した後１０分間放置して、続いて水洗し
て１０５℃で５分間乾燥を行う。このような工程を３回
行い化学酸化重合膜を形成した。それ以外は実施の形態
１と同様にして固体電解コンデンサを得た。

【００３８】（実施の形態８）図２は本発明の第８の実
施の形態による固体電解コンデンサの素子の構成を示す
断面図である。同図において、２１は弁作用金属である
タンタル箔（厚さ１００μｍ）、２２は陽極酸化により
形成された誘電体酸化皮膜層、２３はスパッタリング法
で形成されたＴａ₂Ｏ₅の酸化物皮膜層、２４は複素環式
モノマー液としてエチレンジオキシチオフェンを含むエ
タノール溶液を塗布して１０５℃で１分間乾燥し、続い
て酸化剤として４０ｗｔ％のナフタレンスルホン酸第２
鉄粉末を含むメタノール溶液を塗布して１０５℃で１分
間乾燥して、その後水洗して１０５℃で５分間乾燥をす
る工程を３回行って形成した固体電解質層である。２５
は固体電解質層２４の表面に形成されたカーボン層で、
このカーボン層２５上に銀層２６を順次積層して陰極層
が形成されている。

【００３９】このように構成された素子を用いて、実施
の形態１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。

【００４０】（実施の形態９）図３（ａ），（ｂ）は本
発明の第９の実施の形態による固体電解コンデンサの素
子の正面図とこの素子を用いた固体電解コンデンサの分
解斜視図である。同図において、３１はエッチング処理
により表面を粗面化したアルミニウム箔（厚さ１００μ
ｍ）に真空蒸着により形成したＡｌ₂Ｏ₃の酸化物皮膜層
を形成した陽極箔、３２は陰極箔、３３はポリプロピレ
ン樹脂からなるセパレータ、３４は陽極箔３１と陰極箔
３２の間にセパレータ３３を介在させて巻回したコンデ
ンサ素子である。

【００４１】次に、このコンデンサ素子３４を４０ｗｔ
％のナフタレンスルホン酸第２鉄粉末と３ｗｔ％のｐ−
ニトロフェノールをメタノールに溶解した酸化剤溶液に
浸漬して含浸させた後に８５℃で１０分間乾燥して８０
％以上のメタノールを除去した。このコンデンサ素子３
４を５℃に冷却するとともに、予め５℃に冷却した３０
ｗｔ％のピロールモノマーをメタノールに溶解したモノ
マー溶液に浸漬させた後に８５℃で１０分間乾燥した。
その後水洗いして化学酸化重合にて導電性高分子層を形
成した。このようにして得られたコンデンサ素子３４を
有底筒状の金属ケース３７内に収納すると共に、金属ケ
ース３７の開口部を陽極箔３１と陰極箔３２のそれぞれ
から導出したリード線３５ａ，３５ｂを封口板３６の貫
通孔３６ａ，３６ｂから貫通するようにして封止して固
体電解コンデンサを完成させた（サイズ：φ１０ｍｍ×
Ｌ１０．２ｍｍ）。

【００４２】（比較例１）上記実施の形態１の固体電解
コンデンサの構成において、弁作用金属であるアルミニ
ウム箔（厚さ１００μｍ）をエッチング処理により表面
を粗面化し、陽極酸化により誘電体酸化皮膜層を形成し
た。この誘電体酸化皮膜層の表面に複素環式モノマー液
としてエチレンジオキシチオフェンを含むエタノール溶
液を塗布して１０５℃で１分間乾燥して、続いて酸化剤
として４０ｗｔ％のｐ−トルエンスルホン酸を含むメタ
ノール溶液を塗布して１０５℃で１分間乾燥し、その後
水洗して１０５℃で５分間乾燥をした。このような工程
を３回行い化学酸化重合の固体電解質層を形成した。次
に電解液を用いて陽極酸化して誘電体酸化皮膜層を修復
した後に、固体電解質層の表面にカーボン層及び銀層を
順次積層して陰極層を形成して、最後にエポキシ樹脂で
モールドして外装部を形成して固体電解コンデンサを得
た。

【００４３】（比較例２）上記実施の形態９の固体電解
コンデンサの構成において、アルミニウム箔をエッチン
グ処理により表面を粗面化した後、陽極酸化することに
より誘電体酸化皮膜層を形成した陽極箔と陰極箔の間に
マニラ紙からなるセパレータを介在させて巻回してコン
デンサ素子を得た。次に、このコンデンサ素子を、４０
ｗｔ％のナフタレンスルホン酸第２鉄粉末をメタノール
に溶解した酸化剤溶液に浸漬して含浸させた後に８５℃
で１０分間乾燥して８０％以上のメタノールを除去し
た。その後３０ｗｔ％のピロールモノマーをメタノール
に溶解したモノマー溶液を室温中で浸漬させた後に８５
℃で１０分間乾燥した。その後水洗いを行い化学酸化重
合にて導電性高分子層を形成した。その後は実施の形態
９と同様にして固体電解コンデンサを完成させた。

【００４４】上記実施の形態１〜９と比較例１および２
の固体電解コンデンサについて、静電容量（測定周波数
１２０Ｈｚ）、インピーダンス（測定周波数１００ｋＨ
ｚ）、漏れ電流（定格電圧６．３Ｖ印加後２分値）を測
定した結果を（表１）に示す。

【００４５】なお、試験数はそれぞれ２０個であり、特
性はその平均値で示した。

【００４６】

【表１】

【００４７】（表１）より明らかなように、実施の形態
１〜７の固体電解コンデンサは、ドライプロセスで形成
された酸化物皮膜層に水酸化皮膜が存在しないので、酸
性度の高い酸化剤を用いて導電性高分子の固体電解質層
を形成しても、漏れ電流が小さく、インピーダンス特性
も低い値の固体電解コンデンサを得ることができる。ま
た、Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｂなどの酸化物皮膜層を形成するこ
とによりＡｌの酸化物皮膜層よりも静電容量が高いもの
が得られた。

【００４８】さらに実施の形態８の固体電解コンデンサ
は、タンタル箔に陽極酸化により誘電体酸化皮膜層を形
成した後に導電性高分子の固体電解質層を形成したもの
であるが、実施の形態３とほぼ同等の特性が得られた。

【００４９】これに対して比較例１の固体電解コンデン
サは、導電性高分子の固体電解質層を形成した後に誘電
体酸化皮膜層を修復しても実施の形態１〜７の固体電解
コンデンサよりも漏れ電流が大きく、インピーダンス特
性の値も大きくなっている。

【００５０】また、実施の形態９の固体電解コンデンサ
は、アルミニウム箔をエッチング処理により表面を粗面
化した陽極箔と陰極箔の間にセパレータを介在させて巻
回したコンデンサ素子を用いたもので、比較例２と比べ
て漏れ電流が小さく、インピーダンス特性も低い値の固
体電解コンデンサを得ることができる。

【００５１】

【発明の効果】以上のように本発明の固体電解コンデン
サは、弁作用金属の表面にドライプロセスで形成された
Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種からなる酸化
物皮膜層を有し、この酸化物皮膜層上に導電性高分子の
固体電解質層を設けたものであり、また、弁作用金属の
表面に陽極酸化により形成されたＡｌまたはＴａの誘電
体酸化皮膜層と、ドライプロセスで形成されたＡｌ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種からなる酸化物皮膜層
を有して、この酸化物皮膜層上に導電性高分子の固体電
解質層を設けた構成とすることにより、漏れ電流が少な
く、高周波数領域でのインピーダンス特性に優れた固体
電解コンデンサおよびその製造方法を得ることができる
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による固体電解コン
デンサの構成を示す一部切欠斜視図

【図２】本発明の第８の実施の形態による固体電解コン
デンサの素子の構成を示す断面図

【図３】（ａ）本発明の第９の実施の形態による固体電
解コンデンサの素子の正面図（ｂ）同素子を用いた固体電解コンデンサの分解斜視図

【図４】従来の固体電解コンデンサの構成を示す断面図

【符号の説明】

１０アルミニウム箔１１絶縁性のレジスト１２酸化物皮膜層１３固体電解質層１４カーボン層１５銀層１６Ａ陽極端子１６Ｂ陰極端子１７外装樹脂２１タンタル箔２２誘電体酸化皮膜層２３酸化物皮膜層２４固体電解質層２５カーボン層２６銀層３１陽極箔３２陰極箔３３セパレータ３４コンデンサ素子３５ａ，３５ｂリード線３６封口板３７金属ケース

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｇ 9/24 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】弁作用金属の表面にドライプロセスによ
り形成されたＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種
からなる酸化物皮膜層を有し、この酸化物皮膜層上に導
電性高分子の固体電解質層を設けた固体電解コンデン
サ。
【請求項２】弁作用金属の表面に陽極酸化により形成
されたＡｌまたはＴａの誘電体酸化皮膜層と、ドライプ
ロセスにより形成されたＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少な
くとも１種からなる酸化物皮膜層を有し、この酸化物皮
膜層上に導電性高分子の固体電解質層を設けた固体電解
コンデンサ。
【請求項３】導電性高分子の固体電解質層が複素環式
化合物のモノマーであるピロール、アニリン、チオフェ
ンまたはこれらの誘導体を繰り返し単位として含む化合
物である請求項１または２に記載の固体電解コンデン
サ。
【請求項４】弁作用金属の表面にＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，
Ｎｂの少なくとも１種からなる酸化物皮膜層をドライプ
ロセスで形成する工程と、この酸化物皮膜層上に複素環
式化合物のモノマーを酸化重合することにより導電性高
分子の固体電解質層を形成する工程とを有し、前記固体
電解質層上にカーボン層および導電性接着層を順次形成
した後に外装樹脂でモールドするようにした固体電解コ
ンデンサの製造方法。
【請求項５】弁作用金属の表面に陽極酸化によりＡｌ
またはＴａの誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、この
誘電体酸化皮膜層上にＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なく
とも１種の酸化物皮膜層をドライプロセスで形成する工
程と、この酸化物皮膜層上に複素環式化合物のモノマー
を酸化重合することにより導電性高分子の固体電解質層
を形成する工程とを有し、前記固体電解質層上にカーボ
ン層および導電性接着層を順次形成した後に外装樹脂で
モールドするようにした固体電解コンデンサの製造方
法。
【請求項６】弁作用金属の表面にドライプロセスによ
って酸化物皮膜層を形成した陽極箔と陰極箔とをセパレ
ータを介在させて巻回することによりコンデンサ素子を
形成し、このコンデンサ素子に複素環式化合物のモノマ
ーを酸化重合することにより導電性高分子の固体電解質
層を形成した後、このコンデンサ素子を有底筒状の金属
ケースに収納して金属ケースの開口部を封口部材で封口
するようにした固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項７】導電性高分子の固体電解質層を複素環式
モノマーを含有する溶液と酸化剤を含有する溶液とを個
々に含浸又は複素環式モノマーと酸化剤とを含有する混
合液に含浸して形成するようにした請求項４〜６のいず
れか一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項８】導電性高分子の固体電解質層を複素環式
化合物のモノマーであるピロール、アニリン、チオフェ
ンまたはこれらの誘導体を用いた請求項４〜７のいずれ
か一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項９】酸化剤に遷移金属の塩あるいは過硫酸の
塩を用いた請求項７に記載の固体電解コンデンサの製造
方法。