JP2001060318A - 磁気記録媒体，その製造方法及び製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体，その製造方法及び製造装置Info
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- JP2001060318A JP2001060318A JP11235814A JP23581499A JP2001060318A JP 2001060318 A JP2001060318 A JP 2001060318A JP 11235814 A JP11235814 A JP 11235814A JP 23581499 A JP23581499 A JP 23581499A JP 2001060318 A JP2001060318 A JP 2001060318A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性膜表層の過渡の酸化を防ぎ、高周波信号
出力特性を改善することができる磁気記録媒体，その製
造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】 ベ−スフィルム７が冷却キャンロール６
に沿って走行している状態で、ピアス型電子銃１３から
ルツボ１２に対して電子ビーム１４を照射し、コバルト
Ｃｏなどの磁性材料１１を溶融蒸発させる。蒸発したコ
バルトＣｏは、ベースフィルム７に入射付着する。一
方、酸素ノズル９からは酸素が噴出している。このた
め、ベ−スフィルム７上には、酸化コバルトＣｏＯが磁
性膜として形成される。次に、ベースフィルム７が防着
板８のスリット２０の部分に達すると、ルツボ１２から
蒸発したコバルトＣｏが蒸着され、酸素濃度が低い磁性
層が形成される。
出力特性を改善することができる磁気記録媒体，その製
造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】 ベ−スフィルム７が冷却キャンロール６
に沿って走行している状態で、ピアス型電子銃１３から
ルツボ１２に対して電子ビーム１４を照射し、コバルト
Ｃｏなどの磁性材料１１を溶融蒸発させる。蒸発したコ
バルトＣｏは、ベースフィルム７に入射付着する。一
方、酸素ノズル９からは酸素が噴出している。このた
め、ベ−スフィルム７上には、酸化コバルトＣｏＯが磁
性膜として形成される。次に、ベースフィルム７が防着
板８のスリット２０の部分に達すると、ルツボ１２から
蒸発したコバルトＣｏが蒸着され、酸素濃度が低い磁性
層が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着法を利用して
磁性膜を形成した磁気記録媒体，その製造方法及び製造
装置に関するものである。
磁性膜を形成した磁気記録媒体，その製造方法及び製造
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の蒸着法を利用した磁気記録媒体の
製造装置としては、例えば図３に示すものがある。同図
において、真空槽１内には、供給ロール２，巻取りロー
ル３，供給側の金属ガイドローラ４，巻取り側の金属ガ
イドローラ５，及び冷却キャンロール６が配置されてい
る。供給ロール２から送り出されたベースフィルム７
は、冷却キャンロール６に沿って図中矢印方向に連続走
行している。すなわち、ベースフィルム７は、供給側の
ガイドローラ４を経て回転自在な冷却キャンロール６に
沿いながら走行し、更に巻取り側の金属ガイドロール５
を経て巻取りロール３に巻き取られている。
製造装置としては、例えば図３に示すものがある。同図
において、真空槽１内には、供給ロール２，巻取りロー
ル３，供給側の金属ガイドローラ４，巻取り側の金属ガ
イドローラ５，及び冷却キャンロール６が配置されてい
る。供給ロール２から送り出されたベースフィルム７
は、冷却キャンロール６に沿って図中矢印方向に連続走
行している。すなわち、ベースフィルム７は、供給側の
ガイドローラ４を経て回転自在な冷却キャンロール６に
沿いながら走行し、更に巻取り側の金属ガイドロール５
を経て巻取りロール３に巻き取られている。
【０００３】冷却キャンロール６には、図示しない冷却
器が内蔵されており、前記ベースフィルム７に対する磁
性材の蒸着時におけるベ−スフィルム７の温度上昇を防
止している。また、冷却キャンロール６の下方には、Ｃ
ｏなどの磁性材料１１を収容したルツボ１２が配置され
ており、真空槽１の供給側の側壁にはこの磁性材料１１
を溶融させて、蒸発磁性材料を蒸発させるための加熱器
として、例えばピアス型電子銃１３が斜め下方に向かっ
て設置されている。
器が内蔵されており、前記ベースフィルム７に対する磁
性材の蒸着時におけるベ−スフィルム７の温度上昇を防
止している。また、冷却キャンロール６の下方には、Ｃ
ｏなどの磁性材料１１を収容したルツボ１２が配置され
ており、真空槽１の供給側の側壁にはこの磁性材料１１
を溶融させて、蒸発磁性材料を蒸発させるための加熱器
として、例えばピアス型電子銃１３が斜め下方に向かっ
て設置されている。
【０００４】冷却キャンロール６に沿って、防着板８が
設けられている。この防着板８は、ルツボ１２からの蒸
発磁性材料のベ−スフィルム７への最小入射角θminを
規制する作用もある。なお、本例では、ルツボ１２から
の蒸発磁性材料のベ−スフィルム７への最大入射角θma
x＝９０°，最小入射角θmin＝４０゜となっている。ま
た、冷却キャンロール６と防着板８との間には、酸素ノ
ズル９が設けられている。また、真空槽１の適宜位置に
は、排気装置１７が設けられている。
設けられている。この防着板８は、ルツボ１２からの蒸
発磁性材料のベ−スフィルム７への最小入射角θminを
規制する作用もある。なお、本例では、ルツボ１２から
の蒸発磁性材料のベ−スフィルム７への最大入射角θma
x＝９０°，最小入射角θmin＝４０゜となっている。ま
た、冷却キャンロール６と防着板８との間には、酸素ノ
ズル９が設けられている。また、真空槽１の適宜位置に
は、排気装置１７が設けられている。
【０００５】ベ−スフィルム７が冷却キャンロール６に
沿って走行している状態で、ピアス型電子銃１３からル
ツボ１２に対して電子ビーム１４を照射し、Ｃｏなどの
磁性材料１１を溶融蒸発させる。蒸発したＣｏは、ベー
スフィルム７に入射付着する。一方、酸素ノズル９から
は酸素Ｏ２が噴出している。このため、ベ−スフィルム
７上には、磁性膜ＣｏＯが形成される。
沿って走行している状態で、ピアス型電子銃１３からル
ツボ１２に対して電子ビーム１４を照射し、Ｃｏなどの
磁性材料１１を溶融蒸発させる。蒸発したＣｏは、ベー
スフィルム７に入射付着する。一方、酸素ノズル９から
は酸素Ｏ２が噴出している。このため、ベ−スフィルム
７上には、磁性膜ＣｏＯが形成される。
【０００６】なお、ピアス型電子銃１３から出力される
電子ビーム１４の制御は、ピアス型電子銃１３に取り付
けた偏向マグネット１５と、ルツボ１２に近接して設置
されている偏向マグネット１６によって行われている。
また、電子ビーム１４の照射位置はルツボ１２の中央部
となっており、ベ−スフィルム７の幅方向に所定の周期
で電子ビーム１４を走査して、ルツボ１２内の磁性材料
１１を溶解・蒸発している。また、冷却キャンロール６
とルツボ１２との間には、シャッタ（図示せず）が設け
られており、蒸着の開始，終了の制御が行われる。
電子ビーム１４の制御は、ピアス型電子銃１３に取り付
けた偏向マグネット１５と、ルツボ１２に近接して設置
されている偏向マグネット１６によって行われている。
また、電子ビーム１４の照射位置はルツボ１２の中央部
となっており、ベ−スフィルム７の幅方向に所定の周期
で電子ビーム１４を走査して、ルツボ１２内の磁性材料
１１を溶解・蒸発している。また、冷却キャンロール６
とルツボ１２との間には、シャッタ（図示せず）が設け
られており、蒸着の開始，終了の制御が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
にしてベースフィルム７上に形成された磁性膜の厚み方
向の組成分布を調べると、例えば図４のようになる。こ
の例は、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemic
al Analysis）による分析結果の一例である。図４の横
軸はエッチング時間であり、磁性膜の深さに相当する。
また、図４の縦軸は元素の割合である。磁性膜は、酸素
供給量１４００（SCCM）で形成したものである。この図
４は、磁性膜がエッチング時間の経過とともに膜表層か
らベースフィルム７側にエッチングされたときの元素の
割合を示しており、各エッチング時間では、Ｃ＋Ｃo＋
Ｏ＝１００％になるものである。
にしてベースフィルム７上に形成された磁性膜の厚み方
向の組成分布を調べると、例えば図４のようになる。こ
の例は、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemic
al Analysis）による分析結果の一例である。図４の横
軸はエッチング時間であり、磁性膜の深さに相当する。
また、図４の縦軸は元素の割合である。磁性膜は、酸素
供給量１４００（SCCM）で形成したものである。この図
４は、磁性膜がエッチング時間の経過とともに膜表層か
らベースフィルム７側にエッチングされたときの元素の
割合を示しており、各エッチング時間では、Ｃ＋Ｃo＋
Ｏ＝１００％になるものである。
【０００８】この図４に示すように、磁性膜表面には、
まず炭素Ｃが存在する。これは、保護膜として磁性膜表
面に形成されるダイヤモンドライク膜に対応する。しか
し、それ以降は、コバルトＣｏ及び酸素Ｏが存在するよ
うになる。ところが、その割合をみると、磁性膜表面
（矢印ＦＡ）とベースフィルムに接する部分（矢印Ｆ
Ｂ）では、酸素Ｏの割合が高く、中央部分より過度に酸
化されている。特に磁性膜の表層が酸化されやすいの
は、酸素導入ノズルに近いことや、本来表層は活性で酸
化されやすいことが原因である。
まず炭素Ｃが存在する。これは、保護膜として磁性膜表
面に形成されるダイヤモンドライク膜に対応する。しか
し、それ以降は、コバルトＣｏ及び酸素Ｏが存在するよ
うになる。ところが、その割合をみると、磁性膜表面
（矢印ＦＡ）とベースフィルムに接する部分（矢印Ｆ
Ｂ）では、酸素Ｏの割合が高く、中央部分より過度に酸
化されている。特に磁性膜の表層が酸化されやすいの
は、酸素導入ノズルに近いことや、本来表層は活性で酸
化されやすいことが原因である。
【０００９】このように、磁性膜表層が過度に酸化され
ると、その部分が非磁性になり、磁気的には磁気ヘッド
に対してスペーシングとなってしまう。このため、高周
波における信号出力が劣化するという不都合があり、そ
の改善が望まれている。
ると、その部分が非磁性になり、磁気的には磁気ヘッド
に対してスペーシングとなってしまう。このため、高周
波における信号出力が劣化するという不都合があり、そ
の改善が望まれている。
【００１０】本発明は、以上の点に着目したもので、蒸
着法で磁気記録媒体を作製する際において、磁性膜表層
の過渡の酸化を防ぎ、高周波信号出力特性を改善するこ
とができる磁気記録媒体，その製造方法及び製造装置を
提供することを、目的とするものである。
着法で磁気記録媒体を作製する際において、磁性膜表層
の過渡の酸化を防ぎ、高周波信号出力特性を改善するこ
とができる磁気記録媒体，その製造方法及び製造装置を
提供することを、目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、コバルトを主
成分とする蒸気流によって、酸素を供給しつつベース上
に磁性膜を形成する第１の工程；前記第１の工程によっ
て形成した磁性膜上に、コバルトを主成分とする蒸気流
によって、酸素を供給することなく磁性膜を形成する第
２の工程；を含むことを特徴とする。
め、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、コバルトを主
成分とする蒸気流によって、酸素を供給しつつベース上
に磁性膜を形成する第１の工程；前記第１の工程によっ
て形成した磁性膜上に、コバルトを主成分とする蒸気流
によって、酸素を供給することなく磁性膜を形成する第
２の工程；を含むことを特徴とする。
【００１２】本発明の磁気記録媒体の製造装置は、磁性
膜を形成するためのベースを供給する冷却キャンロー
ル；コバルトを主成分とする蒸気流を放出する蒸発源；
この蒸発源から放出された蒸気流の前記ベースに対する
付着を規制する防着板；この防着板と前記冷却キャンロ
ールとの間に設けられており、前記蒸気流に酸素を供給
する酸素ノズル；前記防着板の前記酸素ノズルよりも後
側に設けられており、酸素が供給されない状態で前記蒸
気流を前記ベースに付着させるスリット；を備えたこと
を特徴とする。
膜を形成するためのベースを供給する冷却キャンロー
ル；コバルトを主成分とする蒸気流を放出する蒸発源；
この蒸発源から放出された蒸気流の前記ベースに対する
付着を規制する防着板；この防着板と前記冷却キャンロ
ールとの間に設けられており、前記蒸気流に酸素を供給
する酸素ノズル；前記防着板の前記酸素ノズルよりも後
側に設けられており、酸素が供給されない状態で前記蒸
気流を前記ベースに付着させるスリット；を備えたこと
を特徴とする。
【００１３】本発明の磁気記録媒体は、コバルトを主成
分とする蒸気流によって、酸素を供給しつつベース上に
磁性膜を形成した磁気記録媒体であって、前記磁性膜の
膜表層酸素濃度が膜中央部酸素濃度よりも低いことを特
徴とする。
分とする蒸気流によって、酸素を供給しつつベース上に
磁性膜を形成した磁気記録媒体であって、前記磁性膜の
膜表層酸素濃度が膜中央部酸素濃度よりも低いことを特
徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１には、本実施形態の磁気記録媒
体の製造装置の構成が示されている。図２には、図１の
主要部が拡大して示されている。
て詳細に説明する。図１には、本実施形態の磁気記録媒
体の製造装置の構成が示されている。図２には、図１の
主要部が拡大して示されている。
【００１５】これらの図において、冷却キャンロール６
に沿って設けられている防着板８には、スリット２０が
設けられている。このスリット２０は、酸素ノズル９よ
りもベースフィルム７の走行先（下流側）に設けられて
いる。より詳細には、酸素ノズル９の先端から後方下流
５０mmの部位に２mmの幅でスリット２０が設けられてい
る。また、酸素ノズル９による酸素吹き出し方向の略延
長線上に、真空槽１の排気装置１７が設けられている。
他の部分は、前記背景技術と同様である。
に沿って設けられている防着板８には、スリット２０が
設けられている。このスリット２０は、酸素ノズル９よ
りもベースフィルム７の走行先（下流側）に設けられて
いる。より詳細には、酸素ノズル９の先端から後方下流
５０mmの部位に２mmの幅でスリット２０が設けられてい
る。また、酸素ノズル９による酸素吹き出し方向の略延
長線上に、真空槽１の排気装置１７が設けられている。
他の部分は、前記背景技術と同様である。
【００１６】次に、以上のように構成された装置の動作
を説明すると、図２の矢印Ｆ１のようにベ−スフィルム
７が冷却キャンロール６に沿って走行している状態で、
ピアス型電子銃１３からルツボ１２に対して電子ビーム
１４を照射し、コバルトＣｏなどの磁性材料１１を溶融
蒸発させる。蒸発したコバルトＣｏは、矢印Ｆ２のよう
にベースフィルム７に入射付着する。一方、酸素ノズル
９からは、矢印Ｆ３のように酸素Ｏ２が噴出している。
このため、ベ−スフィルム７上には、酸化コバルトＣｏ
Ｏが磁性膜として形成される。
を説明すると、図２の矢印Ｆ１のようにベ−スフィルム
７が冷却キャンロール６に沿って走行している状態で、
ピアス型電子銃１３からルツボ１２に対して電子ビーム
１４を照射し、コバルトＣｏなどの磁性材料１１を溶融
蒸発させる。蒸発したコバルトＣｏは、矢印Ｆ２のよう
にベースフィルム７に入射付着する。一方、酸素ノズル
９からは、矢印Ｆ３のように酸素Ｏ２が噴出している。
このため、ベ−スフィルム７上には、酸化コバルトＣｏ
Ｏが磁性膜として形成される。
【００１７】このようにして酸化コバルトＣｏＯが形成
されたベースフィルム７は、矢印Ｆ４のように更に冷却
キャンロール６に沿って走行する。そして、防着板８の
スリット２０の部分に達すると、矢印Ｆ５のように、再
びルツボ１２から蒸発したコバルトＣｏが蒸着する。こ
のスリット２０は、酸素ノズル９の後方下流に位置し、
また酸素ノズル９の酸素吹き出し方向に排気装置１７が
設けられている。このため、磁性膜の表面側には、コバ
ルトＣｏの層が形成されるようになる。
されたベースフィルム７は、矢印Ｆ４のように更に冷却
キャンロール６に沿って走行する。そして、防着板８の
スリット２０の部分に達すると、矢印Ｆ５のように、再
びルツボ１２から蒸発したコバルトＣｏが蒸着する。こ
のスリット２０は、酸素ノズル９の後方下流に位置し、
また酸素ノズル９の酸素吹き出し方向に排気装置１７が
設けられている。このため、磁性膜の表面側には、コバ
ルトＣｏの層が形成されるようになる。
【００１８】次に、実施例について説明する。１０００
（SCCM）の酸素Ｏ２を導入しつつ、図１の装置でベース
フィルム７を冷却キャンローラ６上を走行させて磁性膜
を蒸着した。ベースフィルム７としては、厚み６．３μ
mのＰＥＴフィルムを用いた。磁性膜の成膜の際におけ
る蒸発流の最小入射角θminは４８°である。次に、成
膜した磁性膜上に、約１０nmのダイヤモンドライクカー
ボン（ＤＬＣ）による保護膜を設けるとともに、潤滑剤
を約３nm塗布した。またベースフィルム７の裏面には、
帯電防止などのために、バックコート層を約０．５μm
成膜した。以上のようにして、実施例１のサンプルを得
た。
（SCCM）の酸素Ｏ２を導入しつつ、図１の装置でベース
フィルム７を冷却キャンローラ６上を走行させて磁性膜
を蒸着した。ベースフィルム７としては、厚み６．３μ
mのＰＥＴフィルムを用いた。磁性膜の成膜の際におけ
る蒸発流の最小入射角θminは４８°である。次に、成
膜した磁性膜上に、約１０nmのダイヤモンドライクカー
ボン（ＤＬＣ）による保護膜を設けるとともに、潤滑剤
を約３nm塗布した。またベースフィルム７の裏面には、
帯電防止などのために、バックコート層を約０．５μm
成膜した。以上のようにして、実施例１のサンプルを得
た。
【００１９】次に、酸素Ｏ２の導入量を１２００（SCC
M）とした他は前記実施例１と同様として、実施例２の
サンプルを得た。また、酸素Ｏ２の導入量を１４００
（SCCM）とした他は前記実施例１と同様として、実施例
３のサンプルを得た。
M）とした他は前記実施例１と同様として、実施例２の
サンプルを得た。また、酸素Ｏ２の導入量を１４００
（SCCM）とした他は前記実施例１と同様として、実施例
３のサンプルを得た。
【００２０】一方、性能比較のために比較例を作製し
た。図１に示した本実施形態の製造装置においてスリッ
ト２６を設けない構成として、比較例の各サンプルを作
製した。酸素Ｏ２の導入量を、それぞれ１０００（SCC
M），１２００（SCCM），１４００（SCCM）として、比
較例１，２，３のサンプルを得た。
た。図１に示した本実施形態の製造装置においてスリッ
ト２６を設けない構成として、比較例の各サンプルを作
製した。酸素Ｏ２の導入量を、それぞれ１０００（SCC
M），１２００（SCCM），１４００（SCCM）として、比
較例１，２，３のサンプルを得た。
【００２１】次に、以上のようにして得た各サンプルの
組成分布をＥＳＣＡで分析した。また、電気特性をドラ
ムテスタ（図示せず）で評価した。ドラムテスタでは、
磁気ヘッドとテープ媒体との相対速度を１０．２（m／s
ec）とするとともに、トラック幅１０μm，ギャップ長
０．１９μmのＭＩＧヘッドを用いて２０．９２５MHzの
信号出力を調べた。各サンプルの測定結果を示すと、次
の表１のようになる。
組成分布をＥＳＣＡで分析した。また、電気特性をドラ
ムテスタ（図示せず）で評価した。ドラムテスタでは、
磁気ヘッドとテープ媒体との相対速度を１０．２（m／s
ec）とするとともに、トラック幅１０μm，ギャップ長
０．１９μmのＭＩＧヘッドを用いて２０．９２５MHzの
信号出力を調べた。各サンプルの測定結果を示すと、次
の表１のようになる。
【００２２】
【表１】
【００２３】この表１において、まず磁性膜の膜表層酸
素濃度を比較すると、実施例のサンプルでは２０〜２９
原子％（at％）であるのに対し、従来技術の比較例のサ
ンプルでは３６〜４６原子％となっており、実施例のほ
うが低い。一方、磁性膜の膜中央部酸素濃度を比較する
と、実施例が２３〜３２原子％であるのに対し、比較例
は２１〜３２原子％となっており、両者ほぼ同じであ
る。次に、信号出力を比較すると、実施例では０．２〜
３．４dBであるのに対し、比較例では−３．６〜０dBで
あり、実施例のほうが高い。このように、スリット２０
を設けることにより、磁性膜の膜表層酸素濃度が膜中央
部酸素濃度より低くなり、また高周波信号出力も大きく
なっている。
素濃度を比較すると、実施例のサンプルでは２０〜２９
原子％（at％）であるのに対し、従来技術の比較例のサ
ンプルでは３６〜４６原子％となっており、実施例のほ
うが低い。一方、磁性膜の膜中央部酸素濃度を比較する
と、実施例が２３〜３２原子％であるのに対し、比較例
は２１〜３２原子％となっており、両者ほぼ同じであ
る。次に、信号出力を比較すると、実施例では０．２〜
３．４dBであるのに対し、比較例では−３．６〜０dBで
あり、実施例のほうが高い。このように、スリット２０
を設けることにより、磁性膜の膜表層酸素濃度が膜中央
部酸素濃度より低くなり、また高周波信号出力も大きく
なっている。
【００２４】なお、本発明は、何ら上記実施形態に限定
されるものではない。例えば、前記実施形態では、酸素
ノズルの吹き出し方向に排気ポンプを設けたが、これは
不要な酸素を速やかに真空槽外に排気するためのもの
で、必要に応じて行えばよい。その他、前記実施形態に
示した材料や数値などにも、本発明は限定されるもので
はない。
されるものではない。例えば、前記実施形態では、酸素
ノズルの吹き出し方向に排気ポンプを設けたが、これは
不要な酸素を速やかに真空槽外に排気するためのもの
で、必要に応じて行えばよい。その他、前記実施形態に
示した材料や数値などにも、本発明は限定されるもので
はない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁性膜表層に酸素濃度の低い磁性層を形成することとし
たので、磁性膜表層の過渡の酸化を防ぎ、高周波信号出
力特性を改善することができるという効果が得られる。
磁性膜表層に酸素濃度の低い磁性層を形成することとし
たので、磁性膜表層の過渡の酸化を防ぎ、高周波信号出
力特性を改善することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかる磁気記録媒体製造
装置の構成を示す図である。
装置の構成を示す図である。
【図２】前記図１の製造装置の主要部を示す図である。
【図３】従来の磁気記録媒体製造装置の一例を示す図で
ある。
ある。
【図４】図３に示した装置で作製した磁気テープのＥＳ
ＣＡによる調べたテープ厚み方向の組成分布を示すグラ
フである。
ＣＡによる調べたテープ厚み方向の組成分布を示すグラ
フである。
１…真空槽 ２…供給ロール ３…巻取りロール ４…ガイドローラ ５…金属ガイドロール ６…冷却キャンロール ７…ベースフィルム ８…防着板 ９…酸素ノズル １２…ルツボ １３…ピアス型電子銃 １４…電子ビーム １５，１６…偏向マグネット １７…排気装置 ２０…スリット θmax…最大入射角 θmin…最小入射角
Claims (3)
- 【請求項１】 コバルトを主成分とする蒸気流によっ
て、酸素を供給しつつベース上に磁性膜を形成する第１
の工程；前記第１の工程によって形成した磁性膜上に、
コバルトを主成分とする蒸気流によって、酸素を供給す
ることなく磁性膜を形成する第２の工程；を含むことを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 磁性膜を形成するためのベースを供給す
る冷却キャンロール；コバルトを主成分とする蒸気流を
放出する蒸発源；この蒸発源から放出された蒸気流の前
記ベースに対する付着を規制する防着板；この防着板と
前記冷却キャンロールとの間に設けられており、前記蒸
気流に酸素を供給する酸素ノズル；前記防着板の前記酸
素ノズルよりも後側に設けられており、酸素が供給され
ない状態で前記蒸気流を前記ベースに付着させるスリッ
ト；を備えたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装
置。 - 【請求項３】 コバルトを主成分とする蒸気流によっ
て、酸素を供給しつつベース上に磁性膜を形成した磁気
記録媒体において、 前記磁性膜の膜表層酸素濃度が膜中央部酸素濃度よりも
低いことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11235814A JP2001060318A (ja) | 1999-08-23 | 1999-08-23 | 磁気記録媒体，その製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11235814A JP2001060318A (ja) | 1999-08-23 | 1999-08-23 | 磁気記録媒体，その製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001060318A true JP2001060318A (ja) | 2001-03-06 |
Family
ID=16991662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11235814A Pending JP2001060318A (ja) | 1999-08-23 | 1999-08-23 | 磁気記録媒体，その製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001060318A (ja) |
-
1999
- 1999-08-23 JP JP11235814A patent/JP2001060318A/ja active Pending
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