JP2001057441A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2001057441A5
JP2001057441A5 JP2000089754A JP2000089754A JP2001057441A5 JP 2001057441 A5 JP2001057441 A5 JP 2001057441A5 JP 2000089754 A JP2000089754 A JP 2000089754A JP 2000089754 A JP2000089754 A JP 2000089754A JP 2001057441 A5 JP2001057441 A5 JP 2001057441A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
epitaxial growth
growth layer
layer
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000089754A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2001057441A (ja
JP3977572B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2000089754A external-priority patent/JP3977572B2/ja
Priority to JP2000089754A priority Critical patent/JP3977572B2/ja
Priority to TW089111181A priority patent/TW502458B/zh
Priority to EP00304862A priority patent/EP1065734B1/en
Priority to US09/589,452 priority patent/US6465809B1/en
Priority to DE60042187T priority patent/DE60042187D1/de
Publication of JP2001057441A publication Critical patent/JP2001057441A/ja
Priority to US10/211,707 priority patent/US6815312B2/en
Priority to US10/961,066 priority patent/US7217635B2/en
Publication of JP2001057441A5 publication Critical patent/JP2001057441A5/ja
Priority to US11/621,638 priority patent/US7364982B2/en
Publication of JP3977572B2 publication Critical patent/JP3977572B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US12/042,561 priority patent/US20080308827A1/en
Priority to US13/595,284 priority patent/US8829488B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP2000089754A 1999-06-09 2000-03-28 接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法 Expired - Lifetime JP3977572B2 (ja)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000089754A JP3977572B2 (ja) 1999-06-09 2000-03-28 接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法
TW089111181A TW502458B (en) 1999-06-09 2000-06-08 Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emission element and manufacturing method thereof
EP00304862A EP1065734B1 (en) 1999-06-09 2000-06-08 Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof.
US09/589,452 US6465809B1 (en) 1999-06-09 2000-06-08 Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof
DE60042187T DE60042187D1 (de) 1999-06-09 2000-06-08 Bond-typ Halbleitersubstrat, lichtemittierendes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
US10/211,707 US6815312B2 (en) 1999-06-09 2002-08-05 Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof
US10/961,066 US7217635B2 (en) 1999-06-09 2004-10-12 Process for preparing a bonding type semiconductor substrate
US11/621,638 US7364982B2 (en) 1999-06-09 2007-01-10 Process for preparing a bonding type semiconductor substrate
US12/042,561 US20080308827A1 (en) 1999-06-09 2008-03-05 Process for preparing a bonding type semiconductor substrate
US13/595,284 US8829488B2 (en) 1999-06-09 2012-08-27 Process for preparing a bonding type semiconductor substrate

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-162985 1999-06-09
JP16298599 1999-06-09
JP2000089754A JP3977572B2 (ja) 1999-06-09 2000-03-28 接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007135843A Division JP2007214597A (ja) 1999-06-09 2007-05-22 半導体発光素子
JP2007135855A Division JP4183731B2 (ja) 1999-06-09 2007-05-22 接着型半導体基板および半導体発光素子

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001057441A JP2001057441A (ja) 2001-02-27
JP2001057441A5 true JP2001057441A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2005-06-16
JP3977572B2 JP3977572B2 (ja) 2007-09-19

Family

ID=26488585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000089754A Expired - Lifetime JP3977572B2 (ja) 1999-06-09 2000-03-28 接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3977572B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4635079B2 (ja) * 1999-06-09 2011-02-16 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP2002359399A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法及び発光素子
JP3705791B2 (ja) 2002-03-14 2005-10-12 株式会社東芝 半導体発光素子および半導体発光装置
JP4116387B2 (ja) * 2002-09-30 2008-07-09 株式会社東芝 半導体発光素子
JP3737494B2 (ja) 2003-06-10 2006-01-18 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
EP1649514B1 (en) 2003-07-30 2014-01-01 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting apparatus
JP4899348B2 (ja) * 2005-05-31 2012-03-21 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
JP4584785B2 (ja) 2005-06-30 2010-11-24 シャープ株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP4918245B2 (ja) * 2005-10-14 2012-04-18 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
EP1900043B1 (en) 2005-07-05 2016-02-17 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
JP4913415B2 (ja) * 2006-01-23 2012-04-11 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP4225510B2 (ja) 2005-07-06 2009-02-18 昭和電工株式会社 化合物半導体発光ダイオードおよびその製造方法
US8592858B2 (en) 2006-01-23 2013-11-26 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
US8269236B2 (en) 2006-02-08 2012-09-18 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and fabrication method thereof
US8097892B2 (en) 2006-02-14 2012-01-17 Showa Denko K.K. Light-emitting diode
JP4973888B2 (ja) * 2007-01-26 2012-07-11 信越半導体株式会社 発光素子及びその製造方法
JP4892445B2 (ja) 2007-10-01 2012-03-07 昭和電工株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
JP5315070B2 (ja) * 2008-02-07 2013-10-16 昭和電工株式会社 化合物半導体発光ダイオード
JP2010098068A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ
JP2010192701A (ja) 2009-02-18 2010-09-02 Showa Denko Kk 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法
JP5957358B2 (ja) 2012-10-16 2016-07-27 昭和電工株式会社 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
JP6633881B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-22 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明器具およびその製造方法
DE102015121056A1 (de) 2015-12-03 2017-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen und Bauelement
JP7306736B2 (ja) * 2021-04-21 2023-07-11 ナシモト工業株式会社 切断用板、耕うん用板などの作業用板の製造方法
JP7711612B2 (ja) * 2022-03-15 2025-07-23 信越半導体株式会社 接合型ウェーハの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001057441A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP5021302B2 (ja) 半導体チップの製造方法
JP3511970B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
TWI228323B (en) Semiconductor light emitting device and its manufacturing method, integrated semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof, image display device and its manufacturing method, illumination device and manufacturing method thereof
TW513818B (en) Method to produce GaN-based semiconductor elements and thin layer semiconductor elements
JP4020977B2 (ja) 光放射デバイスの製造方法
EP1065734A3 (en) Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof.
JP3914615B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP4767035B2 (ja) 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JPH098403A (ja) 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
TW201009896A (en) Method of forming a circuit structure
CN101101868A (zh) 其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法
JP2010056458A (ja) 発光素子の製造方法
JPH07273367A (ja) 半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法
CN105405944A (zh) 包括光抽取结构的iii-v发光器件
TWI237407B (en) Light emitting diode having an adhesive layer and manufacturing method thereof
JP3460638B2 (ja) 窒化物半導体発光チップの製造方法
TWI289943B (en) Manufacturing method for semiconductor light emitting device
TW201103168A (en) Light emitting device and method for manufacturing same
JP4313478B2 (ja) ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード
JPH08250802A (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
JP7203511B2 (ja) 窒化アルミニウムテンプレート、および、デバイス
JP4257815B2 (ja) 半導体装置
CN111564545B (zh) 一种蓝宝石复合衬底及其制作方法
JP2004146652A (ja) 半導体発光素子の製法