JP2001053089A

JP2001053089A - 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるレジン塗布装置

Info

Publication number: JP2001053089A
Application number: JP11222713A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Higuchi; 和範樋口; Akira Kuroda; 明黒田; Keisuke Nadamoto; 啓祐灘本; Tomiji Suda; 富司須田; Osamu Obata; 修小畑
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1999-08-05
Filing date: 1999-08-05
Publication date: 2001-02-23

Abstract

(57)【要約】【課題】レジンを全体に渡って均一に塗布する。【解決手段】レジン塗布装置３１がＸＹテーブル２２
の操作で移動されノズル３８がテープキャリア２の窓孔
６の一端部に配置される。エア３４がシリンジ３２にエ
ア供給装置３６で供給され、レジン塗布装置３１がＸＹ
テーブル２２で窓孔６に沿って水平移動され、ポッティ
ング材３０がチップ１０に窓孔６に倣って塗布されて行
く。この際、レジン塗布装置３１の移動速度に対応して
エア供給装置３６によるエア３４の供給圧力が制御さ
れ、ポッティング材３０の単位面積当たりの塗布量がレ
ジン塗布装置が加速運動および減速運動する塗布開始時
期から塗布終了時期を含めて全体にわたり均一に制御さ
れる。【効果】余分のポッティング材がチップの側面や下面
にはみ出すのを防止でき、ポッティング材のはみ出しに
よる外観不良等が発生するのを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、半導体素子を含む集積回路が作り込まれた
半導体チップ（以下、チップという。）や基板等にポッ
ティング材やボンディング材等の樹脂（以下、レジンと
いう。）を塗布（dispensing）するためのレジン塗布技
術に関し、例えば、チップの電極パッドとインナリード
との接続部にレジンを塗布して樹脂封止体を成形（ポッ
ティング）するのに利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置（以下、ＩＣとい
う。）を使用する電子機器の小型薄形化に伴って、ＩＣ
のパッケージの縮小が要望されている。この要望に応ず
るために、チップのサイズと同等または略同等のサイズ
を有したパッケージであるチップ・サイズ・パッケージ
（以下、ＣＳＰという。）が種々に開発されている。そ
の一例として、次のように構成されたマイクロ・ボール
・グリッド・アレイパッケージ（以下、μＢＧＡとい
う。）がある。すなわち、チップの電極パッド側の主面
にはテープキャリアが絶縁膜によって機械的に接続さ
れ、テープキャリアに敷設された各インナリードがチッ
プの各電極パッドにボンディングされ、チップの電極パ
ッドとインナリードとの接続部にはポッティング材とし
てのレジンが塗布される。レジン塗布によって成形（ポ
ッティング）された樹脂封止体により、チップの電極パ
ッドとインナリードとの接続部は樹脂封止された状態に
なる。そして、各インナリードに接続されたアウタリー
ドには各外部端子としてのバンプがそれぞれ半田付けさ
れて突設されている。

【０００３】樹脂封止体を成形するためのポッティング
材としてのレジンはレジン塗布装置によって次のように
塗布される。すなわち、ポッティング材としてのレジン
が予め充填されたシリンジが電極パッドとインナリード
との接続部群が並んだ被ポッティング部に沿って移動さ
れながら、シリンジから被ポッティング部に連続的に吐
出されて塗布されて行く。

【０００４】なお、ポッティング技術を述べている例と
しては、日経ＢＰ社１９９３年５月３１日発行の「実践
講座ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」Ｐ９６〜Ｐ１
００、がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記したレジン塗布装
置においては、シリンジの移動速度に無関係にレジンの
吐出流量が一定であるため、被ポッティング部へのレジ
ンの塗布量が不均一になるという問題点があることが本
発明者によって明らかにされた。すなわち、シリンジの
移動速度は慣性や摩擦の影響によって移動初期や終期に
おいて遅くなるため、レジンの吐出流量が一定である
と、被ポッティング部の始端部および終端部への単位面
積当たりの塗布量は増加してしまう。

【０００６】本発明の目的は、レジンを全体に渡って均
一に塗布することができるレジン塗布技術を提供するこ
とにある。

【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００９】すなわち、被塗布部に対する移動速度に対
応してレジンの吐出流量を制御することを特徴とする。

【００１０】例えば、レジン塗布の開始初期においてレ
ジン塗布装置の移動速度は慣性や摩擦の影響によって徐
々に早くなって行く。そこで、前記した手段において
は、レジンは塗布開始時に大量に吐出され、移動速度の
増加に比例して減少されて行く。このように移動速度に
対応したレジン吐出流量についての制御により、レジン
の被塗布部への単位面積当たりの塗布量は全体にわたっ
て均一に制御することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
ポッティング装置を示す一部省略一部切断正面図であ
る。図２は本発明の一実施形態であるμＢＧＡを備えて
いるＩＣ（以下、μＢＧＡ・ＩＣという。）の製造方法
を示すフローチャートである。図３はそのポッティング
工程に供給されるワークを示しており、（ａ）は一部省
略平面図、（ｂ）は一部省略正面断面図である。図４は
ポッティング工程後を示しており、（ａ）は一部省略平
面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
図５はμＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は一部切断
平面図、（ｂ）は一部切断正面図である。図６は均一な
塗布の作用を説明するための各線図である。

【００１２】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置の製造方法は、μＢＧＡ・ＩＣの製造方法に使用さ
れており、図２に示されているように構成されている。
μＢＧＡ・ＩＣの製造方法におけるレジン塗布工程とし
てのポッティング工程は、図１に示されているポッティ
ング装置によって実施される。μＢＧＡ・ＩＣの製造方
法のポッティング工程における図３に示されたワーク１
は、図２に示されているように、テープキャリア製造工
程、チップ製造工程、テープキャリアとチップ組付工程
およびインナリードボンディング工程を経て製造され、
ポッティング工程に供給される。

【００１３】図３に示されているように、ワーク１はキ
ャリアとしてのテープキャリア２を備えている。テープ
キャリア２はテープキャリア製造工程で製造される。テ
ープキャリア２にはチップ１０が絶縁膜９を介して機械
的に接続されている。テープキャリア２はＴＣＰ・ＩＣ
（テープ・キャリア・パッケージを備えているＩＣ）の
製造方法に使用されているＴＡＢ（テープ・オートメイ
テッド・ポッティング）テープに相当するものである。
テープキャリア２は同一パターンが長手方向に繰り返さ
れているため、その構成の説明および図示は原則として
一単位だけについて行われている。

【００１４】テープキャリア２はポリイミド等の絶縁性
樹脂が用いられて同一パターンが長手方向に連続するテ
ープ形状に一体成形されたキャリア本体３を備えてお
り、キャリア本体３には正方形のバンプ形成部４が長手
方向に一列横隊に整列されている。バンプ形成部４には
バンプホール５が多数個、正方形の環状線上において整
列されて開設されており、各バンプホール５にはバンプ
がアウタリードに電気的に接続する状態に構成されるよ
うになっている。バンプ形成部４の周囲には凹字形状の
窓孔６が一対、バンプ形成部４を取り囲むように正方形
の枠形状に配置されて開口されている。

【００１５】キャリア本体３の片側主面（以下、下面と
する。）にはインナリード７が複数本、各窓孔６を短手
方向に突出するようにしてそれぞれ配線されており、イ
ンナリード７群は各窓孔６の長手方向に間隔を置かれて
互いに平行に配線されている。各インナリード７のバン
プ形成部４側に位置する一端（以下、内側端とする。）
には各アウタリード８がそれぞれ一連に連設されてお
り、互いに一連になったインナリード７とアウタリード
８とは機械的かつ電気的に一体の状態になっている。イ
ンナリード７群およびアウタリード８群は、銅や金等の
導電性を有する材料が使用されて形成されている。各ア
ウタリード８のバンプホール５に対向する部位はバンプ
形成部４から露出した状態になっている。

【００１６】キャリア本体３の下面にはエラストマやシ
リコンゴム製の絶縁膜９が接着等の適当な手段によって
被着されており、アウタリード８群は窓孔６の内径と略
等しい四角形形状の絶縁膜９によって被覆されている。
したがって、テープキャリア２はキャリア本体３、イン
ナリード７群、アウタリード８群および絶縁膜９によっ
て構成されている。

【００１７】図３に示されているように、チップ１０は
テープキャリア２の一単位と略等しい大きさの正方形の
平板形状に形成されており、その一主面側（以下、アク
ティブ・エリア側という。）には、半導体素子を含む所
望の半導体集積回路が作り込まれている。チップ１０は
図２に示されているようにチップ製造工程で製造されて
予め準備されている。すなわち、チップ１０は所謂ＩＣ
製造の前工程において半導体ウエハの状態でアクティブ
・エリア側に半導体集積回路を作り込まれ、ダイシング
工程において正方形の平板形状に分断されて製造され
る。チップ１０のアクティブ・エリア側の表面はパッシ
ベーション膜１１によって被覆されており、パッシベー
ション膜１１に形成された複数個の開口部には各電極パ
ッド１２が外部に露出した状態にそれぞれ形成されてい
る。各電極パッド１２にはテープキャリア２における各
インナリード７に対応されている。

【００１８】このように構成されたチップ１０は前記構
成に係るテープキャリア２に、テープキャリアとチップ
組付工程において図３に示されているように機械的に接
続される。すなわち、チップ１０はテープキャリア２に
各電極パッド１２が各インナリード７にそれぞれ整合す
るように配されて、パッシベーション膜１１と絶縁膜９
との間で接着されて機械的に接続される。各アウタリー
ド８はパッシベーション膜１１の上から絶縁膜９の厚さ
分だけ上方に離れた状態になっている。

【００１９】次に、図２に示されているように、インナ
リードボンディング工程において、各インナリード７は
各電極パッド１２にボンディングされて機械的かつ電気
的に接続される。すなわち、図３に示されているよう
に、インナリード７は略Ｓ字形状に屈曲された状態にな
って、一端部が電極パッド１２に熱圧着された状態にな
っている。

【００２０】なお、本実施形態においては、テープキャ
リア２はキャリア治具１４に図３に示されているように
接着されている。キャリア治具１４はステンレス鋼等の
剛性を有する材料が使用されて矩形の平板形状に形成さ
れている。キャリア治具１４にはテープキャリア２の一
単位の大きさに対応した略正方形の窓孔１５が複数個、
テープキャリア２の長さ方向に一列に並べられて開口さ
れており、各窓孔１５にはテープキャリア２の各単位が
それぞれ配置されている。

【００２１】図１に示されているように、ポッティング
装置２０はフィーダ２１を備えており、フィーダ２１は
ワーク１を水平に保持して長さ方向にピッチ送りするよ
うに構成されている。フィーダ２１の片脇にはＸＹテー
ブル２２が設備されており、ＸＹテーブル２２はその上
に搭載されたヘッド２３をＸＹ方向に移動させるように
構成されている。ヘッド２３にはアーム２４が支持され
ており、ヘッド２３はアーム２４を上下動させるように
構成されている。

【００２２】フィーダ２１のＸＹテーブル２２に対向し
た位置には上下動装置２５が設備されており、上下動装
置２５はチップ１０の温度を制御するための温度制御装
置（以下、チップ用温度制御装置という。）２６を垂直
に上下動させるように支持している。チップ用温度制御
装置２６はフィーダ２１によってピッチ送りされて間欠
停止したワーク１のチップ１０の下面に接触して加熱す
るようになっている。チップ用温度制御装置２６のチッ
プ１０との接触面はチップ１０の下面に対して小さめに
相似した略正方形に形成されている。

【００２３】フィーダ２１のチップ用温度制御装置２６
に対応した位置にはワーク押さえ上下動装置２７が設備
されており、ワーク押さえ上下動装置２７はワーク押さ
え２８を垂直方向に上下動させるように支持している。
ワーク押さえ２８はキャリア治具１４の窓孔１５に対し
て大きめに相似した略正方形の枠形状に形成されてお
り、チップ用温度制御装置２６と同心に配置された状態
になっている。ワーク押さえ２８はフィーダ２１の上面
との間でキャリア治具１４の窓孔の１５周りをクランピ
ングするクランパを構成している。ワーク押さえ２８に
はヒータ２９が内臓されている。

【００２４】アーム２４の先端にはレジン塗布装置３１
が下向きに配置されて着脱自在に装着されており、この
レジン塗布装置３１はレジンの一列であるポッティング
材３０を塗布によってポッティングするように構成され
ている。すなわち、ポッティング材３０はエポキシ樹脂
等の熱可塑性樹脂を主成分として熱硬化剤や骨材等が添
加された樹脂成形材料（レジン）によって組成されてい
る。レジン塗布装置３１は樹脂が使用されて注射器形状
に形成されたシリンジ３２を備えており、ポッティング
材３０はシリンジ３２の収容室３３に予め充填されてい
る。

【００２５】シリンジ３２の上端にはエア３４を供給す
るためのエア供給路３５の一端部が収容室３３に連通す
るように接続されており、エア供給路３５の他端はエア
供給装置３６に接続されている。エア供給装置３６は圧
力や流量を制御したエア３４をエア供給路３５を通じて
シリンジ３２の収容室３３に供給するように構成されて
いる。シリンジ３２の下端には吐出口部３７が形成され
ており、吐出口部３７には注射針形状のノズル３８が着
脱自在に装着されている。便宜上図示は省略するが、フ
ィーダ２１のレジン塗布装置３１の下方位置にはテレビ
カメラ等によって構成された撮像装置（以下、カメラと
いう。）が設置されており、カメラはノズル３８から吐
出されて塗布されたレジンの塗布状態を撮影して画像信
号をエア供給装置３６のコントローラへ送るように構成
されている。エア供給装置３６のコントローラはレジン
の塗布量に対応してエア３４の供給をフィードバック制
御するようになっている。

【００２６】シリンジ３２の外側には温度制御装置（以
下、シリンジ用温度制御装置という。）３９が着脱自在
に装着されている。シリンジ用温度制御装置３９はペル
チエ素子等が使用されて小型軽量に構成されており、収
容室３３に収容されたポッティング材３０を加熱または
冷却することにより、ポッティング材３０の温度を高精
度に制御するようになっている。

【００２７】次に、本発明の一実施形態であるμＢＧＡ
・ＩＣの製造方法におけるポッティング工程を前記した
ポッティング装置が使用される場合について説明する。

【００２８】図１に示されているように、キャリア治具
１４がフィーダ２１によってピッチ送りされてワーク押
さえ２８の所で間欠停止されると、ワーク押さえ２８が
ワーク押さえ上下動装置２７によって下降され、キャリ
ア治具１４がフィーダ２１の上面との間でクランピング
される。キャリア治具１４がクランピングされると、チ
ップ用温度制御装置２６が上下動装置２５によって上昇
されてワーク１のチップ１０の下面に当接されて、チッ
プ１０が加熱される。

【００２９】次いで、レジン塗布装置３１がＸＹテーブ
ル２２の操作によって水平移動されるとともに、ヘッド
２３によって下降され、ノズル３８の下端がテープキャ
リア２の窓孔６の一端部の真上に配置される。

【００３０】続いて、エア３４がシリンジ３２の収容室
３３にエア供給装置３６によりエア供給路３５を通じて
供給されるとともに、レジン塗布装置３１がＸＹテーブ
ル２２の操作によって窓孔６に沿って水平移動される。
エア３４が収容室３３に供給されると、収容室３３に収
容されているポッティング材３０は吐出口部３７からノ
ズル３８に送り出され、ノズル３８から窓孔６を通じて
チップ１０の上に吐出される。この際、レジン塗布装置
３１が窓孔６に沿って水平移動されているため、ノズル
３８からチップ１０の上に吐出されたポッティング材３
０はチップ１０に窓孔６に倣って塗布されて行くことに
なる。

【００３１】この際、レジン塗布装置３１の窓孔６に対
するポッティング材３０の塗布の状況はカメラによって
撮影されて、エア供給装置３６のコントローラに送られ
る。エア供給装置３６のコントローラはポッティング材
３０の実際の塗布量に対応してエア３４の供給をフィー
ドバック制御する。

【００３２】ちなみに、本実施形態においては、ワーク
押さえ２８がヒータ２９によって加熱され、チップ１０
がチップ用温度制御装置２６によって加熱され、シリン
ジ３２の収容室３３のポッティング材３０がシリンジ用
温度制御装置３９によって加熱されているため、窓孔６
に塗布されて行くポッティング材３０は効果的に濡れ広
がって行く。

【００３３】ところで、レジン塗布装置３１がＸＹテー
ブル２２の操作によって窓孔６に沿って水平移動される
に際して、慣性や摩擦が作用するため、レジン塗布装置
３１は移動開始時点から停止時点迄の期間中にわたって
の等速度運動を維持することはできない。すなわち、図
６（ａ）、（ｄ）に示されているように、移動開始時点
から所定の期間は加速度運動になり、停止前の所定期間
は減速度運動になり、等速度運動期間は加速度運動と減
速度運動との間の期間になる。

【００３４】また、エア３４の供給圧力に依存するシリ
ンジ３２からのポッティング材３０の吐出流量がＱ、シ
リンジ３２からのポッティング材３０の吐出時間がｔと
すると、レジン塗布装置３１によるポッティング材３０
の塗布量Ｄは、Ｄ＝Ｑ×ｔ、によって求められる。ここ
で、レジン塗布装置３１すなわちシリンジ３２の移動速
度Ｖは、Ｖ＝Ｓ／ｔ、であるから、Ｄ＝Ｑ×Ｓ／Ｖ、と
なる。故に、レジン塗布装置３１によるポッティング材
３０の単位面積当たりの塗布量はシリンジ３２の移動速
度に反比例することになる。

【００３５】したがって、図６（ｄ）に示されているレ
ジン塗布装置３１の移動速度の変化状況下において、エ
ア供給装置３６のエア３４の供給圧力が図６（ｅ）に示
されているように一定である場合には、窓孔６における
ポッティング材３０の塗布量と移動距離との関係は図６
（ｆ）に示されている状態になる。すなわち、図６
（ｆ）に示されているように、ポッティング材３０の単
位面積当たりの塗布量はレジン塗布装置３１の塗布開始
時期および終了時期においてそれぞれ増加してしまう。
そして、ポッティング材３０の単位面積当たりの塗布量
が増加すると、余分のポッティング材３０がチップ１０
の側面や下面にはみ出すため、外観不良等の原因になっ
てしまう。

【００３６】そこで、本実施形態においては、図６
（ａ）に示されているレジン塗布装置３１の移動速度の
変化状況に対応して、エア供給装置３６によるエア３４
の供給圧力を図６（ｂ）に示されているように制御する
ことにより、窓孔６におけるポッティング材３０の塗布
量と移動距離との関係が図６（ｃ）に示されている通り
に全体にわたって均一になるように制御している。すな
わち、図６（ｂ）と（ｃ）に示されているように、レジ
ン塗布装置３１の移動速度が零である塗布開始時点にお
いて、エア供給装置３６によるエア３４の供給圧力は最
小に設定され加速に比例して増加されて行く。つまり、
Ｄ＝Ｑ×Ｓ／Ｖにおいて、移動速度Ｖが小さい間はエア
３４の供給圧力を小さくしてポッティング材３０の吐出
流量Ｑを小さく抑制し、移動速度Ｖが増加するのに追従
して吐出流量Ｑが増加されて行く。他方、レジン塗布装
置３１の移動速度が減少されて行く塗布の終期におい
て、エア供給装置３６によるエア３４の供給圧力は減速
に比例して減少されて行く。つまり、移動速度Ｖが大き
い間はエア３４の供給圧力を大きくしてポッティング材
３０の吐出流量Ｑを大きく設定し、移動速度Ｖが減少す
るのに追従して吐出流量Ｑが減少されて行く。

【００３７】エア供給装置３６におけるエア３４の供給
制御はコントローラに予め設定された図６（ｂ）に対応
するシーケンスによって実行される。本実施形態におい
ては、このシーケンス制御と共に、カメラから送信され
て来た実際の塗布状況のデータによってフィードバック
制御が実行される。すなわち、エア供給装置３６のコン
トローラはシーケンス制御によるポッティング材３０の
塗布量と実際のポッティング材３０の塗布量との誤差を
求めて、その誤差を解消する補正値を演算してエア３４
の供給圧力を修正する。

【００３８】本実施形態においてはポッティング材３０
の単位面積当たりの塗布量はレジン塗布装置３１が加速
運動または減速運動する塗布開始時期から塗布終了時期
を含めて全体にわたり均一になるため、余分のポッティ
ング材３０がチップ１０の側面や下面にはみ出すのをポ
ッティング材の全領域にわたって防止することができ、
ポッティング材のはみ出しによる外観不良等が発生する
のを未然に防止することができる。

【００３９】以上のようにしてチップ１０の上に塗布さ
れたポッティング材３０により、チップ１０の上面には
インナリード７と電極パッド１２とのインナリードボン
ディング部（接続部）群を樹脂封止した樹脂封止体１６
が図４に示されているように成形された状態になる。樹
脂封止体１６のレジンはチップ１０の側面や下面にはみ
出すことなく、チップ１０の上面においてインナリード
７と電極パッド１２とのインナリードボンディング部群
を適正に樹脂封止した状態になっている。

【００４０】樹脂封止体１６が成形されると、チップ用
温度制御装置２６が下降されるとともに、ワーク押さえ
２８が上昇される。続いて、フィーダ２１によってキャ
リア治具１４が一ピッチ送られることにより、次のチッ
プ１０がチップ用温度制御装置２６の真上に配置され
る。以降、前記した作動が繰り返されることにより、チ
ップ１０の上に樹脂封止体１６が成形される。

【００４１】キャリア治具１４に保持された全てのワー
ク１について樹脂封止体１６が成形されると、フィーダ
２１は成形作業が終了したキャリア治具１４を排出し、
次のキャリア治具１４をワーク押さえ２８の位置に供給
する。

【００４２】以上のようにしてポッティング工程におい
てポッティング装置によって樹脂封止された樹脂封止体
１６は、図２に示されているベーキング工程においてベ
ーキングされて熱硬化される。

【００４３】その後、図２に示されているバンプ形成工
程において、テープキャリア２の各アウタリード８にお
ける各バンプホール５の底で露出した部位に半田ボール
が半田付けされることにより、バンプ形成部４の上面か
ら突出したバンプ１７がテープキャリア２に図５に示さ
れているように形成される。

【００４４】次いで、図２に示されている切り離し工程
において、ワーク１のテープキャリア２が一単位毎に切
り離されると、図５に示されているμＢＧＡ・ＩＣ１８
が製造されたことになる。

【００４５】前記実施形態によれば、次の効果が得られ
る。

【００４６】1) レジン塗布装置の移動速度に対応して
エア供給装置によるエアの供給圧力を制御することによ
り、ポッティング材の単位面積当たりの塗布量をレジン
塗布装置が加速運動および減速運動する塗布開始時期か
ら塗布終了時期を含めて全体にわたり均一に制御するこ
とができるため、余分のポッティング材がチップの側面
や下面にはみ出すのを全領域にわたって防止することが
でき、ポッティング材のはみ出しによる外観不良等が発
生するのを未然に防止することができる。

【００４７】2) エア供給装置のコントローラによるシ
ーケンス制御と共に、カメラから送信されて来た実際の
塗布状況のデータによってフィードバック制御を実行す
ることにより、シーケンス制御によるポッティング材の
塗布量と実際のポッティング材の塗布量との誤差を修正
することができるため、ポッティング材のはみ出しをよ
り一層確実に防止することができる。

【００４８】図７は本発明の他の実施形態であるレジン
塗布装置を示しており、（ａ）は正面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ部の拡大断面図である。図８はその作用を説
明するための線図である。

【００４９】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
図７に示されているように、レジン塗布装置３１がレジ
ンであるポッティング材３０を吐出するスクリューポン
プ４０を備えている点である。すなわち、スクリューポ
ンプ４０は内部にスクリュー４２を回転自在に軸支した
ケーシング４１を備えており、ケーシング４１はアーム
２４の先端部に垂直方向下向きに据え付けられている。
ケーシング４１の外部にはスクリュー４２を回転駆動す
るためモータ４３が設置されており、ケーシング４１の
吸入口４４にはシリンジ３２の吐出口部３７が供給路４
５によって流体的に接続されている。ケーシング４１の
吐出口部４６にはノズル４７が装着されている。

【００５０】本実施形態に係るレジン塗布装置において
は、レジン塗布装置３１の移動速度に対応してスクリュ
ー４２の回転によるポッティング材３０のノズル４７か
ら吐出流量が制御されることにより、ポッティング材３
０の単位面積当たりの塗布量がレジン塗布装置３１が加
速運動および減速運動する塗布開始時期から塗布終了時
期を含めて全体にわたり均一に制御される。すわなち、
図８（ａ）に示されているレジン塗布装置３１の移動速
度の変化状況に対応して、モータ４３によるスクリュー
４２の回転速度を図８（ｂ）に示されているように制御
することにより、窓孔６におけるポッティング材３０の
塗布量と移動距離との関係が図８（ｃ）に示されている
通りに全体にわたって均一になるように制御している。
図８（ａ）と（ｂ）に示されているように、レジン塗布
装置３１の移動速度が零である塗布開始時点において、
スクリュー４２の回転速度は最小に設定され加速に比例
して増速されて行く。つまり、Ｄ＝Ｑ×Ｓ／Ｖにおい
て、移動速度Ｖが小さい間はスクリュー４２の回転速度
を小さくしてポッティング材３０の吐出流量Ｑを小さく
抑制し、移動速度Ｖが増加するのに追従して吐出流量Ｑ
が増加されて行く。他方、レジン塗布装置３１の移動速
度が減少されて行く塗布終了時期において、モータ４３
によるスクリュー４２の回転速度は減速に比例して減速
されて行く。つまり、移動速度Ｖが大きい間はスクリュ
ー４２の回転速度を大きくしてポッティング材３０の吐
出流量Ｑを大きく設定し、移動速度Ｖが減少するのに追
従して吐出流量Ｑが減少されて行く。

【００５１】本実施形態によれば、ポッティング材３０
の単位面積当たりの塗布量をレジン塗布装置３１が加速
運動および減速運動する塗布開始時期から塗布終了時期
を含めて全体にわたり均一に制御することができるた
め、余分のポッティング材がチップの側面や下面にはみ
出すのを全領域にわたって防止することができ、ポッテ
ィング材のはみ出しによる外観不良等が発生するのを未
然に防止することができる。

【００５２】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５３】例えば、レジンの吐出流量の制御は、エア
供給圧力の調整およびスクリューの回転速度の調整によ
って実行するに限らず、シリンジに嵌入されたピストン
の押出量の調整等によって実行してもよい。

【００５４】レジンの一例であるポッティング材はイン
ナリードと電極パッドとの接続部にポッティングするに
限らず、ＢＧＡのキャビティー内やチップとベースとの
間のアンダーフィル、さらには、他のパッケージの被ポ
ッティング部にポッティングすることができる。

【００５５】また、本発明に係るレジン塗布技術は、ポ
ッティング材を被ポッティング部に塗布するポッティン
グ技術に限らず、半田ペーストや銀ペースト等の接着材
をタブやボンディング床に塗布する塗布技術全般に適用
することができる。

【００５６】ワーク押さえとフィーダの上面との間でワ
ークを押さえるように構成するに限らず、上側ワーク押
さえと下側ワーク押さえとを備えたクランパによってワ
ークをクランピングするように構成してもよい。

【００５７】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるμＢＧ
Ａ・ＩＣの製造方法に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、その他のＣＳＰ・
ＩＣの製造方法やＴＣＰ・ＩＣ等に使用されるレジン塗
布技術全般に適用することができる。

【００５８】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５９】レジン塗布装置の移動速度に対応してレジ
ンの吐出流量を制御することにより、レジンの単位面積
当たりの塗布量をレジン塗布装置が加速運動および減速
運動する塗布開始時期から塗布終了時期を含めて全体に
わたり均一に制御することができるため、余分のレジン
のはみ出しによる外観不良等が発生するのを未然に防止
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるポッティング装置を
示す一部省略一部切断正面図である。

【図２】本発明の一実施形態であるμＢＧＡ・ＩＣの製
造方法を示すフローチャートである。

【図３】そのポッティング工程に供給されるワークを示
しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は一部省略
正面断面図である。

【図４】ポッティング工程後を示しており、（ａ）は一
部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図
である。

【図５】μＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は一部切
断平面図、（ｂ）は一部切断正面図である。

【図６】均一な塗布の作用を説明するための各線図であ
る。

【図７】本発明の他の実施形態であるレジン塗布装置を
示しており、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ部の
拡大断面図である。

【図８】その作用を説明するための各線図である。

【符号の説明】

１…ワーク、２…テープキャリア、３…キャリア本体、
４…バンプ形成部、５…バンプホール、６…窓孔、７…
インナリード、８…アウタリード、９…絶縁膜、１０…
チップ（半導体チップ）、１１…パッシベーション膜、
１２…電極パッド、１４…キャリア治具、１５…窓孔、
１６…樹脂封止体、１７…バンプ、１８…μＢＧＡ・Ｉ
Ｃ（半導体装置）、２０…ポッティング装置、２１…フ
ィーダ、２２…ＸＹテーブル、２３…ヘッド、２４…ア
ーム、２５…チップ用温度制御装置上下動装置、２６…
チップ用温度制御装置、２７…ワーク押さえ上下動装
置、２８…ワーク押さえ、２９…ヒータ、３０…ポッテ
ィング材（レジン）、３１…レジン塗布装置、３２…シ
リンジ、３３…収容室、３４…エア、３５…エア供給
路、３６…エア供給装置、３７…吐出口部、３８…ノズ
ル、３９…シリンジ用温度制御装置、４０…スクリュー
ポンプ、４１…ケーシング、４２…スクリュー、４３…
スクリュー駆動用モータ、４４…吸入口、４５…供給
路、４６…吐出口部、４７…ノズル。

フロントページの続き (72)発明者黒田明東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者灘本啓祐東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者須田富司東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者小畑修東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内Ｆターム(参考） 4F041 AA05 BA34 BA56 5F061 AA01 BA03 CA04 DE06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被塗布部に対する移動速度に対応してレ
ジンの吐出流量を制御することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
【請求項２】前記レジンの吐出流量がレジンを吐出さ
せるためのエアの圧力の調整によって制御されることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記レジンの吐出流量がレジンを吐出さ
せるためのスクリューの回転速度の調整によって制御さ
れることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項４】前記レジンの吐出流量がレジンを吐出さ
せるためのピストンのストローク量の調整によって制御
されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項５】前記レジンの吐出流量がフィードバック
制御されることを特徴とする請求項１、２、３または４
に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】被塗布部に対する移動速度に対応してレ
ジンの吐出流量が制御されることを特徴とするレジン塗
布装置。
【請求項７】前記レジンの吐出流量がレジンを吐出さ
せるためのエアの圧力についての調整によって制御され
ることを特徴とする請求項６に記載のレジン塗布装置。
【請求項８】前記レジンの吐出流量がレジンを吐出さ
せるためのスクリューの回転速度の調整によって制御さ
れることを特徴とする請求項６に記載のレジン塗布装
置。
【請求項９】前記レジンの吐出流量がレジンを吐出さ
せるためのピストンのストローク量の調整によって制御
されることを特徴とする請求項６に記載のレジン塗布装
置。
【請求項１０】前記レジンの吐出流量がフィードバッ
ク制御されることを特徴とする請求項６、７、８または
９に記載のレジン塗布装置。