JP2001052779A - コンタクトプローブの構造とその製造方法 - Google Patents
コンタクトプローブの構造とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンタクトプローブのヘッドで、回路基板、
半導体デバイスのウェハーなどの被測定物とプローブ側
の配線基板とに電気的、機械的にコンタクトをとる装置
において、複雑な構造と組み合わせ、位置合わせが難し
い構造ではなく、構造が簡単で、高精度の位置合わせと
低コスト化が実現できる構造およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 本発明のコンタクトプローブは、被測定
物及び配線基板について、各々のコンタクトすべき電極
に対応した位置に、ピットが形成されたシリコンテンプ
レートを、更には、これから電鋳型を、さらに反転電鋳
型を生成して、樹脂成形型部材として用いて、異方性導
電樹脂による樹脂成形を行い、この一体化された樹脂成
形体をコンタクトプローブにしたことを特徴とする。
半導体デバイスのウェハーなどの被測定物とプローブ側
の配線基板とに電気的、機械的にコンタクトをとる装置
において、複雑な構造と組み合わせ、位置合わせが難し
い構造ではなく、構造が簡単で、高精度の位置合わせと
低コスト化が実現できる構造およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 本発明のコンタクトプローブは、被測定
物及び配線基板について、各々のコンタクトすべき電極
に対応した位置に、ピットが形成されたシリコンテンプ
レートを、更には、これから電鋳型を、さらに反転電鋳
型を生成して、樹脂成形型部材として用いて、異方性導
電樹脂による樹脂成形を行い、この一体化された樹脂成
形体をコンタクトプローブにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として、ウェハ
ーバーインや半導体デバイス、回路基板の検査装置など
に用いるコンタクトプローブの構造およびその製造方法
に関する。
ーバーインや半導体デバイス、回路基板の検査装置など
に用いるコンタクトプローブの構造およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のコンタクトプローブ技術は、既
に、NIKKEI MICRODEVICES （1997年7月号：P126〜131）
に記載されている。ここでは、図９に示すように、プロ
ーブ本体５１にプローブカード５７をセットしたコンタ
クトプローブと、ウェハー５３がセットされたウェハー
カセット５４とが、シーリング５２を介して合体し、そ
の内部空間に、真空バルブ５５を介して、吸引５６を行
い、内部を真空状態にして、大気圧によって、ウェハー
５３の電極部とプローブカード５７のコンタクト部と
を、間接的（後述）に電気的、機械的に接触させてい
る。
に、NIKKEI MICRODEVICES （1997年7月号：P126〜131）
に記載されている。ここでは、図９に示すように、プロ
ーブ本体５１にプローブカード５７をセットしたコンタ
クトプローブと、ウェハー５３がセットされたウェハー
カセット５４とが、シーリング５２を介して合体し、そ
の内部空間に、真空バルブ５５を介して、吸引５６を行
い、内部を真空状態にして、大気圧によって、ウェハー
５３の電極部とプローブカード５７のコンタクト部と
を、間接的（後述）に電気的、機械的に接触させてい
る。
【０００３】図１０は、この、プローブカード５７とウ
ェハー５３とのコンタクト部の拡大断面を示すもので、
ここでは、配線５９が形成されているプローブ側の配線
基板６０に、同じく、配線５９が形成されている異方性
導電ゴム６１を取り付けて、コンタクトプローブを構成
しており、シーリング５２に際しては、バンプ付きポリ
イミドフィルム６２をプローブとウェハー５３との間に
位置決めして、配置する。ポリイミドフィルム６２に
は、プローブ側の電極（配線５９に導通する）およびウ
ェハー５３の電極にそれぞれ対応した位置に、バンプ６
３を形成しており、上述のように、その後の吸引５６
で、コンタクトプローブ内を真空にして、バンプ６３を
介して、ウェハー５３の電極とプローブの電極（配線５
９）とを、電気的にコンタクトしている。
ェハー５３とのコンタクト部の拡大断面を示すもので、
ここでは、配線５９が形成されているプローブ側の配線
基板６０に、同じく、配線５９が形成されている異方性
導電ゴム６１を取り付けて、コンタクトプローブを構成
しており、シーリング５２に際しては、バンプ付きポリ
イミドフィルム６２をプローブとウェハー５３との間に
位置決めして、配置する。ポリイミドフィルム６２に
は、プローブ側の電極（配線５９に導通する）およびウ
ェハー５３の電極にそれぞれ対応した位置に、バンプ６
３を形成しており、上述のように、その後の吸引５６
で、コンタクトプローブ内を真空にして、バンプ６３を
介して、ウェハー５３の電極とプローブの電極（配線５
９）とを、電気的にコンタクトしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術で
は、プローブ側の配線基板６０の電極（配線５９）にウ
ェハー５３の電極をコンタクトするのに、異方性導電ゴ
ム６１およびバンプ付きポリイミドフィルム６２の、少
なくとも二層構造をもったコンタクトプローブの構成を
採用しなければならない。そのため、配線基板６０と異
方性導電ゴム６１との位置合わせ、それら相互の固定方
法が難しくなり、同時に構造が複雑になるので、コスト
高を免れない。
は、プローブ側の配線基板６０の電極（配線５９）にウ
ェハー５３の電極をコンタクトするのに、異方性導電ゴ
ム６１およびバンプ付きポリイミドフィルム６２の、少
なくとも二層構造をもったコンタクトプローブの構成を
採用しなければならない。そのため、配線基板６０と異
方性導電ゴム６１との位置合わせ、それら相互の固定方
法が難しくなり、同時に構造が複雑になるので、コスト
高を免れない。
【０００５】更に、バンプ付きポリイミドフィルム６２
についても、バンプ６３をバンプ付きポリイミドフィル
ム６２の両面に設けるには、その高さバラツキを小さ
く、且つ、位置精度を良くするような、構成上の工夫が
必要であるが、そのような、バンプ６３の形成は、非常
に難しい。
についても、バンプ６３をバンプ付きポリイミドフィル
ム６２の両面に設けるには、その高さバラツキを小さ
く、且つ、位置精度を良くするような、構成上の工夫が
必要であるが、そのような、バンプ６３の形成は、非常
に難しい。
【０００６】このように、配線基板６０、異方性導電ゴ
ム６１、および、バンプ付きポリイミドフィルム６２相
互の位置合わせ、固定方法が難しいので、製品として、
安定したコンタクトが得られない上、全体の構造が複雑
になっているので、コスト高を免れないと言う問題点が
あった。
ム６１、および、バンプ付きポリイミドフィルム６２相
互の位置合わせ、固定方法が難しいので、製品として、
安定したコンタクトが得られない上、全体の構造が複雑
になっているので、コスト高を免れないと言う問題点が
あった。
【０００７】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、相互に位置合わせが容
易で、安定したコンタクトが得られ、しかも、コスト低
減が可能であるコンタクトプローブの構造およびその製
造方法を提供するにある。
ので、その目的とするところは、相互に位置合わせが容
易で、安定したコンタクトが得られ、しかも、コスト低
減が可能であるコンタクトプローブの構造およびその製
造方法を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
回路基板あるいは半導体デバイスの電極と電気的にコン
タクトを取るコンタクトプローブにおいて、異方性導電
樹脂によって、プローブ本体の両面あるいは片面に、前
記回路基板面の電極あるいは前記半導体デバイスにおけ
るウェハー面の電極に対応して、コンタクト用突起を一
体成形していることを特徴とする。
回路基板あるいは半導体デバイスの電極と電気的にコン
タクトを取るコンタクトプローブにおいて、異方性導電
樹脂によって、プローブ本体の両面あるいは片面に、前
記回路基板面の電極あるいは前記半導体デバイスにおけ
るウェハー面の電極に対応して、コンタクト用突起を一
体成形していることを特徴とする。
【０００９】この場合、本発明の実施の形態として、前
記コンタクト用突起が、前記半導体デバイスのウェハー
面に対応した、マルチチップ対応の配列に形成されてい
ることが、あるいは、前記コンタクト用突起が、前記回
路基板面に対応した、マルチ回路基板対応の配列に形成
されていることが好ましい。
記コンタクト用突起が、前記半導体デバイスのウェハー
面に対応した、マルチチップ対応の配列に形成されてい
ることが、あるいは、前記コンタクト用突起が、前記回
路基板面に対応した、マルチ回路基板対応の配列に形成
されていることが好ましい。
【００１０】また、本発明では、回路基板あるいは半導
体デバイスの電極と電気的にコンタクトを取るコンタク
トプローブの製造方法において、被測定物としての回路
基板面の電極あるいは半導体デバイスにおけるウェハー
面の電極に対応した位置にピットを形成したシリコンテ
ンプレートを、樹脂成形型部材として用い、異方性導電
樹脂により、プローブ本体の両面あるいは片面の、任意
の場所にコンタクト用突起を一体成形することを特徴と
する。
体デバイスの電極と電気的にコンタクトを取るコンタク
トプローブの製造方法において、被測定物としての回路
基板面の電極あるいは半導体デバイスにおけるウェハー
面の電極に対応した位置にピットを形成したシリコンテ
ンプレートを、樹脂成形型部材として用い、異方性導電
樹脂により、プローブ本体の両面あるいは片面の、任意
の場所にコンタクト用突起を一体成形することを特徴と
する。
【００１１】更に、本発明では、回路基板あるいは半導
体デバイスの電極と電気的にコンタクトを取るコンタク
トプローブの製造方法において、被測定物としての回路
基板面の電極あるいは半導体デバイスにおけるウェハー
面の電極に対応した位置にピットを形成したシリコンテ
ンプレートをベースにして、電鋳メッキにより電鋳型
を、更に、該電鋳型から、電鋳メッキにより反転電鋳型
を形成し、これを樹脂成形型部材として用い、異方性導
電樹脂により、プローブ本体の両面あるいは片面の、任
意の場所にコンタクト用突起を一体成形することを特徴
とする。
体デバイスの電極と電気的にコンタクトを取るコンタク
トプローブの製造方法において、被測定物としての回路
基板面の電極あるいは半導体デバイスにおけるウェハー
面の電極に対応した位置にピットを形成したシリコンテ
ンプレートをベースにして、電鋳メッキにより電鋳型
を、更に、該電鋳型から、電鋳メッキにより反転電鋳型
を形成し、これを樹脂成形型部材として用い、異方性導
電樹脂により、プローブ本体の両面あるいは片面の、任
意の場所にコンタクト用突起を一体成形することを特徴
とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１ないし図８を参照して、具体的に説明する。なお、こ
こでのコンタクトプローブ１は、半導体デバイスのウェ
ハー（あるいは回路基板）５をプローブ側の配線基板４
にコンタクトするために、各々の、コンタクトすべき電
極に対応した位置に、ピットが形成されたシリコンテン
プレート７を、樹脂成形型として用いることで、異方性
導電樹脂による型成形により、一体化された樹脂成形体
で構成させる。
１ないし図８を参照して、具体的に説明する。なお、こ
こでのコンタクトプローブ１は、半導体デバイスのウェ
ハー（あるいは回路基板）５をプローブ側の配線基板４
にコンタクトするために、各々の、コンタクトすべき電
極に対応した位置に、ピットが形成されたシリコンテン
プレート７を、樹脂成形型として用いることで、異方性
導電樹脂による型成形により、一体化された樹脂成形体
で構成させる。
【００１３】更に、コンタクトプローブ１の製造方法と
して、上述の方法以外には、ウェハー５および配線基板
４の各々の、コンタクトすべき電極に対応した位置に、
ピットが形成されたシリコンテンプレート７を用意し、
これを電鋳ベース金型として用いて、電鋳メッキを施
し、電鋳金型を構成し、更に、これを二回目の電鋳ベー
ス金型として、反転した電鋳成形金型を製造し、これを
樹脂成形型として用いることで、異方性導電樹脂によ
り、一体化された樹脂成形体を得て、コンタクトプロー
ブにする製造方法が、本発明において採用される。
して、上述の方法以外には、ウェハー５および配線基板
４の各々の、コンタクトすべき電極に対応した位置に、
ピットが形成されたシリコンテンプレート７を用意し、
これを電鋳ベース金型として用いて、電鋳メッキを施
し、電鋳金型を構成し、更に、これを二回目の電鋳ベー
ス金型として、反転した電鋳成形金型を製造し、これを
樹脂成形型として用いることで、異方性導電樹脂によ
り、一体化された樹脂成形体を得て、コンタクトプロー
ブにする製造方法が、本発明において採用される。
【００１４】（第１の実施形態）この実施形態で示され
る本発明のコンタクトプローブ１は、図１の（ａ）およ
び（ｂ）に示されるように、その板状のプローブ本体の
両面に、四角錐の形状をしたコンタクト用突起２を配列
形成したものであり、異方性導電樹脂で、好ましくは、
エラストマー樹脂を含む異方性導電樹脂で成形される。
る本発明のコンタクトプローブ１は、図１の（ａ）およ
び（ｂ）に示されるように、その板状のプローブ本体の
両面に、四角錐の形状をしたコンタクト用突起２を配列
形成したものであり、異方性導電樹脂で、好ましくは、
エラストマー樹脂を含む異方性導電樹脂で成形される。
【００１５】コンタクトプローブ１は、公知のように、
回路基板４の電極、および、半導体デバイスのウェハー
５の電極と、それぞれ、電気的にコンタクトを取るもの
で（図２を参照）、この発明では、特に、異方性導電樹
脂によって、プローブ本体の両面に、回路基板４の対向
面の電極（回路パターン３で示す）および半導体デバイ
スにおけるウェハー５の面の電極に対応して、コンタク
ト用突起２を一体成形している。
回路基板４の電極、および、半導体デバイスのウェハー
５の電極と、それぞれ、電気的にコンタクトを取るもの
で（図２を参照）、この発明では、特に、異方性導電樹
脂によって、プローブ本体の両面に、回路基板４の対向
面の電極（回路パターン３で示す）および半導体デバイ
スにおけるウェハー５の面の電極に対応して、コンタク
ト用突起２を一体成形している。
【００１６】なお、この実施の形態では、コンタクト用
突起２が、プローブ本体の両面に形成されている、一体
化された異方性導電樹脂成形体のコンタクトプローブ１
を示しているが、本発明のコンタクトプローブの構造
は、以下に説明する製造方法で、形成されるのがよい。
ここでは、被測定物（回路基板の電極あるいは半導体デ
バイスのウェハー）６、および、プローブ側の配線基板
４の、各々のコンタクトすべき電極に対応した位置にピ
ットを形成したシリコンテンプレートを、樹脂成形型部
材として用いる方法（図４を参照）と、前記シリコンテ
ンプレートをベース金型として、電鋳工程を二回行い、
電鋳ベース金型の反転した電鋳成形型部材を用いる方法
（図５を参照）の、どちらかによって、異方性導電樹脂
による樹脂成形を行い、この一体化された異方性導電樹
脂成形体をコンタクトプローブとしてもよい。
突起２が、プローブ本体の両面に形成されている、一体
化された異方性導電樹脂成形体のコンタクトプローブ１
を示しているが、本発明のコンタクトプローブの構造
は、以下に説明する製造方法で、形成されるのがよい。
ここでは、被測定物（回路基板の電極あるいは半導体デ
バイスのウェハー）６、および、プローブ側の配線基板
４の、各々のコンタクトすべき電極に対応した位置にピ
ットを形成したシリコンテンプレートを、樹脂成形型部
材として用いる方法（図４を参照）と、前記シリコンテ
ンプレートをベース金型として、電鋳工程を二回行い、
電鋳ベース金型の反転した電鋳成形型部材を用いる方法
（図５を参照）の、どちらかによって、異方性導電樹脂
による樹脂成形を行い、この一体化された異方性導電樹
脂成形体をコンタクトプローブとしてもよい。
【００１７】更に詳述すると、図２は、両面にコンタク
ト用突起２を配列・成形して、一体化した異方性導電樹
脂の成形体であるコンタクトプローブ１を、半導体デバ
イスのウェハー５の測定に適用した事例を示している。
突起２の形状は、前述の図１の（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、四角錐の型である。
ト用突起２を配列・成形して、一体化した異方性導電樹
脂の成形体であるコンタクトプローブ１を、半導体デバ
イスのウェハー５の測定に適用した事例を示している。
突起２の形状は、前述の図１の（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、四角錐の型である。
【００１８】（第２の実施形態）図３は、一体化された
異方性導電樹脂成形体のコンタクトプローブを、回路基
板、その他の被測定物（半導体デバイスのウェハーな
ど）の測定に適用した事例を示す側面図である。ここで
示す実施形態のコンタクト用突起２の形状は、図６の
（ａ）、（ｂ）に示すような、四角錐台の形状である。
なお、この突起２の形状は、コンタクトする電極の材
質、接触面の状態、および、測定寿命などを考慮して、
選択することができる。
異方性導電樹脂成形体のコンタクトプローブを、回路基
板、その他の被測定物（半導体デバイスのウェハーな
ど）の測定に適用した事例を示す側面図である。ここで
示す実施形態のコンタクト用突起２の形状は、図６の
（ａ）、（ｂ）に示すような、四角錐台の形状である。
なお、この突起２の形状は、コンタクトする電極の材
質、接触面の状態、および、測定寿命などを考慮して、
選択することができる。
【００１９】（第３の実施形態）図４の（ａ）ないし
（ｄ）は、本発明のコンタクトプローブ１を構成するた
めの製造方法に係わる成形型部材およびこれを用いた製
造プロセスを説明するもので、この実施形態では、リソ
グラフィー技術とエッチング技術を用いて、シリコン板
に、被測定物およびプローブ側の配線基板の、各々のコ
ンタクトすべき電極に対応した位置に、ピット８が形成
されたシリコンテンプレート７が用いられる。なお、そ
の平面図と断面図とは、図４の（ａ）と（ｂ）とに示し
てあり、これを用いた樹脂成形型は図４の（ｃ）に、こ
れによって成形された突起２付きのコンタクトプローブ
１は、図４の（ｄ）に示されている。
（ｄ）は、本発明のコンタクトプローブ１を構成するた
めの製造方法に係わる成形型部材およびこれを用いた製
造プロセスを説明するもので、この実施形態では、リソ
グラフィー技術とエッチング技術を用いて、シリコン板
に、被測定物およびプローブ側の配線基板の、各々のコ
ンタクトすべき電極に対応した位置に、ピット８が形成
されたシリコンテンプレート７が用いられる。なお、そ
の平面図と断面図とは、図４の（ａ）と（ｂ）とに示し
てあり、これを用いた樹脂成形型は図４の（ｃ）に、こ
れによって成形された突起２付きのコンタクトプローブ
１は、図４の（ｄ）に示されている。
【００２０】即ち、図４の（ｃ）では、モールド成形金
型１０に上面突起２製作用のシリコンテンプレート７と
下面突起２製作用のシリコンテンプレート７とをセット
して、異方性導電樹脂９を加熱、加圧１１して、ゲート
１２を介して圧入する。その結果、シリコンテンプレー
ト７に異方性導電樹脂９が充填され、異方性導電樹脂か
らなる、図４の（ｄ）に示すような、コンタクト用突起
２付きの、一体成形されたコンタクトプローブ１が製作
される。なお、コンタクトプローブ１の上面、下面に対
応するシリコンテンプレートは、別々に製作するとよ
い。
型１０に上面突起２製作用のシリコンテンプレート７と
下面突起２製作用のシリコンテンプレート７とをセット
して、異方性導電樹脂９を加熱、加圧１１して、ゲート
１２を介して圧入する。その結果、シリコンテンプレー
ト７に異方性導電樹脂９が充填され、異方性導電樹脂か
らなる、図４の（ｄ）に示すような、コンタクト用突起
２付きの、一体成形されたコンタクトプローブ１が製作
される。なお、コンタクトプローブ１の上面、下面に対
応するシリコンテンプレートは、別々に製作するとよ
い。
【００２１】（第４の実施形態）図５の（ａ）ないし
（ｅ）は、本発明の他のコンタクトプローブ１を構成す
るための製造方法に係わる成形型部材、および、これを
用いた製造プロセスを説明するもので、この実施形態で
は、シリコンテンプレート１をベースとした電鋳メッキ
法による電鋳工程を二回行い（図５の（ｂ）〜（ｅ）を
参照）、電鋳ベース金型１４を更に反転した電鋳成形型
１６を製造する方法について示してある。
（ｅ）は、本発明の他のコンタクトプローブ１を構成す
るための製造方法に係わる成形型部材、および、これを
用いた製造プロセスを説明するもので、この実施形態で
は、シリコンテンプレート１をベースとした電鋳メッキ
法による電鋳工程を二回行い（図５の（ｂ）〜（ｅ）を
参照）、電鋳ベース金型１４を更に反転した電鋳成形型
１６を製造する方法について示してある。
【００２２】この電鋳成形型１６をモールド成形金型
（図示せず）にセットして、異方性導電樹脂９を注入し
て、樹脂成形を行い、例えば、図４の（ｄ）に示すよう
な、一体化された異方性導電樹脂のコンタクトプローブ
１を製造することができる。
（図示せず）にセットして、異方性導電樹脂９を注入し
て、樹脂成形を行い、例えば、図４の（ｄ）に示すよう
な、一体化された異方性導電樹脂のコンタクトプローブ
１を製造することができる。
【００２３】更に詳述すると、図５の（ｂ）は、例え
ば、シリコンテンプレート７に電鋳メッキ−１（符号１
３）を厚さ1.0mm以上実施して、反転電鋳型１４を製作
する。なお、電鋳メッキーの材質としては、Ｎｉ、その
他の金型に適したものを選択する。また、図５の（ｃ）
に示すように、反転電鋳型１４をベース金型として、電
鋳メッキ−２（符号１５）を厚さ1.0mm以上実施して、
反転の反転電鋳型１６を製作する。電鋳メッキの材質と
しては、Ｎｉ、その他の金型に適したものを選択する。
ば、シリコンテンプレート７に電鋳メッキ−１（符号１
３）を厚さ1.0mm以上実施して、反転電鋳型１４を製作
する。なお、電鋳メッキーの材質としては、Ｎｉ、その
他の金型に適したものを選択する。また、図５の（ｃ）
に示すように、反転電鋳型１４をベース金型として、電
鋳メッキ−２（符号１５）を厚さ1.0mm以上実施して、
反転の反転電鋳型１６を製作する。電鋳メッキの材質と
しては、Ｎｉ、その他の金型に適したものを選択する。
【００２４】更に、コンタクトプローブの上面および下
面の突起２用に、反転電鋳型１４と反転の反転電鋳型１
６とは、各々、個別に製作する。既に述べたように、シ
リコンテンプレート７の代わりに、反転電鋳型１４と反
転の反転電鋳型１６をモールド金型にセットして、異方
性導電樹脂９を加熱、加圧１１して圧入する。その結
果、反転電鋳型１４と反転の反転電鋳型１６の間に、異
方性導電樹脂９が充填され、異方性導電樹脂からなる一
体成形コンタクトプローブ１が製作される。
面の突起２用に、反転電鋳型１４と反転の反転電鋳型１
６とは、各々、個別に製作する。既に述べたように、シ
リコンテンプレート７の代わりに、反転電鋳型１４と反
転の反転電鋳型１６をモールド金型にセットして、異方
性導電樹脂９を加熱、加圧１１して圧入する。その結
果、反転電鋳型１４と反転の反転電鋳型１６の間に、異
方性導電樹脂９が充填され、異方性導電樹脂からなる一
体成形コンタクトプローブ１が製作される。
【００２５】（第５の実施形態）なお、コンタクトプロ
ーブ１におけるコンタクト用突起の形状は、既に示した
ように、図６の（ａ）、（ｂ）では、四角錐台１７の形
であるが、別に、図７の（ａ）、（ｂ）では、半球形１
８の形で構成されてもよい。いずれも、コンタクト用突
起２の形状は、コンタクトする電極の材質、接触面の状
態および測定寿命などを考慮して選択することになる。
ーブ１におけるコンタクト用突起の形状は、既に示した
ように、図６の（ａ）、（ｂ）では、四角錐台１７の形
であるが、別に、図７の（ａ）、（ｂ）では、半球形１
８の形で構成されてもよい。いずれも、コンタクト用突
起２の形状は、コンタクトする電極の材質、接触面の状
態および測定寿命などを考慮して選択することになる。
【００２６】（第６の実施形態）図８は、エラストマー
樹脂を含んだ異方性導電樹脂製の、一体化されたコンタ
クトプローブについて、そのコンタクト用突起２に、メ
タライズ１９を施した例を示している。ここでのコンタ
クト用突起２には、メタライズ寸法−Ａ２０とメタライ
ズ寸法−Ａ２１の処理が施される。なお、メタライズ１
９はＮｉ、Ａｕ、Ｃｕなどの耐摩耗特性とコンタクト特
性とを考慮して選択し、メッキ、蒸着スパッタ法などに
より、形成され、リソグラフィー技術によって、パター
ンニングされる。また、突起２の表面状態は、コンタク
トする電極の材質、接触面の状態、および、測定寿命な
どを考慮して選択することができる。
樹脂を含んだ異方性導電樹脂製の、一体化されたコンタ
クトプローブについて、そのコンタクト用突起２に、メ
タライズ１９を施した例を示している。ここでのコンタ
クト用突起２には、メタライズ寸法−Ａ２０とメタライ
ズ寸法−Ａ２１の処理が施される。なお、メタライズ１
９はＮｉ、Ａｕ、Ｃｕなどの耐摩耗特性とコンタクト特
性とを考慮して選択し、メッキ、蒸着スパッタ法などに
より、形成され、リソグラフィー技術によって、パター
ンニングされる。また、突起２の表面状態は、コンタク
トする電極の材質、接触面の状態、および、測定寿命な
どを考慮して選択することができる。
【００２７】なお、本発明では、このコンタクトプロー
ブの構造をウェハーバーインに適用することで、ウェハ
ーバーイン装置として使用できる。また、このコンタク
トプローブの構造を用いて、半導体デバイス、回路基板
の検査装置を構成することができる。
ブの構造をウェハーバーインに適用することで、ウェハ
ーバーイン装置として使用できる。また、このコンタク
トプローブの構造を用いて、半導体デバイス、回路基板
の検査装置を構成することができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明のコンタクトプローブは、ウェハ
ーなどの被測定物およびプローブ側の配線基板につい
て、各々におけるコンタクトすべき電極に対応した位置
に、プローブ用突起を有するものであり、このために、
対応するピットが形成されたシリコンテンプレートをベ
ースとした樹脂成形金型と電鋳金型を製作し、異方性導
電樹脂による樹脂成形を行い、この一体化された樹脂成
形体を、コンタクトプローブにすることができる。この
ようにして、従来技術における異方性導電ゴムとバンプ
付きポリイミドフイルムを用いるものと異なり、コンタ
クトプローブを精度良く製造することができ、コンタク
トの安定性が得られ、また、コストの低減も図れる。
ーなどの被測定物およびプローブ側の配線基板につい
て、各々におけるコンタクトすべき電極に対応した位置
に、プローブ用突起を有するものであり、このために、
対応するピットが形成されたシリコンテンプレートをベ
ースとした樹脂成形金型と電鋳金型を製作し、異方性導
電樹脂による樹脂成形を行い、この一体化された樹脂成
形体を、コンタクトプローブにすることができる。この
ようにして、従来技術における異方性導電ゴムとバンプ
付きポリイミドフイルムを用いるものと異なり、コンタ
クトプローブを精度良く製造することができ、コンタク
トの安定性が得られ、また、コストの低減も図れる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す平面図及び断面
図である。
図である。
【図２】同じく、使用態様を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す平面図及び断面
図である。
図である。
【図４】本発明のコンタクトプローブの製造工程を示す
第３の実施形態の説明図である。
第３の実施形態の説明図である。
【図５】本発明のコンタクトプローブの製造工程を示す
第４の実施形態の説明図である。
第４の実施形態の説明図である。
【図６】上述の第２の実施形態でのコンタクトプローブ
の平面図及び断面図である。
の平面図及び断面図である。
【図７】同じく、第５の実施形態としての、コンタクト
プローブの平面図及び断面図である。
プローブの平面図及び断面図である。
【図８】本発明の第６の実施形態としての、コンタクト
プローブの断面図である。
プローブの断面図である。
【図９】従来技術のコンタクトプローブを示す断面図で
ある。
ある。
【図１０】図９のコンタクトプローブを示す部分拡大断
面図である。
面図である。
１ コンタクトプローブ ２ 突起 ３ 回路パターン ４ 回路基板（配線基板） ５ ウェハー ６ 被測定物、回路基板 ７ シリコンテンプレート ８ ピット ９ 異方性導電樹脂 １０ モールド成形金型 １１ 加圧 １２ ゲート １３ 電鋳メッキ−１ １４ 反転電鋳型 １５ 電鋳メッキ−２ １６ 反転の反転電鋳型 １７ 四角錐台形のコンタクト用突起 １８ 半球形のコンタクト用突起 １９ メタライズ ２０ メタライズ寸法−Ａ ２１ メタライズ寸法−Ｂ ５１ コンタクトプローブ部 ５２ シーリング ５３ ウェハー ５４ ウェハーカセット ５５ 真空バルブ ５６ 吸引 ５７ プローブカード ５８ 大気圧 ５９ 配線 ６０ 配線基板 ６１ 異方性導電ゴム ６２ バンプ付きポリイミドフイルム ６３ バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G011 AA16 AA21 AC06 AC14 AE01 AE02 AE03 4M106 AA01 AA02 BA01 BA14 CA56 DD03 DD04 DD09 5E051 CA10
Claims (12)
- 【請求項１】 回路基板あるいは半導体デバイスの電極
と電気的にコンタクトを取るコンタクトプローブにおい
て、異方性導電樹脂によって、プローブ本体の両面ある
いは片面に、前記回路基板面の電極あるいは前記半導体
デバイスにおけるウェハー面の電極に対応して、コンタ
クト用突起を一体成形していることを特徴とするコンタ
クトプローブの構造。 - 【請求項２】 前記コンタクト用突起は、前記半導体デ
バイスのウェハー面に対応した、マルチチップ対応の配
列に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
コンタクトプローブの構造。 - 【請求項３】 前記コンタクト用突起は、前記回路基板
面に対応した、マルチ回路基板対応の配列に形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプロ
ーブの構造。 - 【請求項４】 回路基板あるいは半導体デバイスの電極
と電気的にコンタクトを取るコンタクトプローブの製造
方法において、被測定物としての回路基板面の電極ある
いは半導体デバイスにおけるウェハー面の電極に対応し
た位置にピットを形成したシリコンテンプレートを、樹
脂成形型部材として用い、異方性導電樹脂により、プロ
ーブ本体の両面あるいは片面の、任意の場所にコンタク
ト用突起を一体成形することを特徴とするコンタクトプ
ローブの製造方法。 - 【請求項５】 回路基板あるいは半導体デバイスの電極
と電気的にコンタクトを取るコンタクトプローブの製造
方法において、被測定物としての回路基板面の電極ある
いは半導体デバイスにおけるウェハー面の電極に対応し
た位置にピットを形成したシリコンテンプレートをベー
スにして、電鋳メッキにより電鋳型を、更に、該電鋳型
から、電鋳メッキにより反転電鋳型を形成し、これを樹
脂成形型部材として用い、異方性導電樹脂により、プロ
ーブ本体の両面あるいは片面の、任意の場所にコンタク
ト用突起を一体成形することを特徴とするコンタクトプ
ローブの製造方法。 - 【請求項６】 前記異方性導電樹脂はエラストマー樹脂
を含んでいることを特徴とする請求項１ないし３の何れ
か１項に記載のコンタクトプローブの構造。 - 【請求項７】 前記コンタクト用突起の形状が、四角錐
であることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項
に記載のコンタクトプローブの構造。 - 【請求項８】 前記コンタクト用突起の形状が、半球型
であることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項
に記載のコンタクトプローブの構造。 - 【請求項９】 前記コンタクト用突起の形状が、先端部
がフラットな四角錐台形であることを特徴とする請求項
１ないし３の何れか１項に記載のコンタクトプローブの
構造。 - 【請求項１０】 前記コンタクト用突起の先端部には、
メタライズが施されていることを特徴とする請求項７な
いし９の何れか１項に記載のコンタクトプローブの構
造。 - 【請求項１１】 請求項１ないし３に記載のコンタクト
プローブの構造をウェハーバーインに適用したことを特
徴とするウェハーバーイン装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし３に記載のコンタクト
プローブの構造を用いたことを特徴とする半導体デバイ
ス、回路基板の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11225746A JP2001052779A (ja) | 1999-08-09 | 1999-08-09 | コンタクトプローブの構造とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11225746A JP2001052779A (ja) | 1999-08-09 | 1999-08-09 | コンタクトプローブの構造とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001052779A true JP2001052779A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16834196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11225746A Pending JP2001052779A (ja) | 1999-08-09 | 1999-08-09 | コンタクトプローブの構造とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001052779A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177379A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用測定治具 |
| US8628149B2 (en) * | 2011-03-08 | 2014-01-14 | Plombco Inc. | Overmolded wheel-balancing weight |
| CN103543302A (zh) * | 2012-07-11 | 2014-01-29 | 本田技研工业株式会社 | 电流施加装置 |
| US8922234B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-12-30 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Probe card and method for manufacturing probe card |
| US9052341B2 (en) | 2011-03-09 | 2015-06-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Probe card and manufacturing method thereof |
| CN109298208A (zh) * | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 中华精测科技股份有限公司 | 整合信号及电源完整性模块的集成电路测试座 |
-
1999
- 1999-08-09 JP JP11225746A patent/JP2001052779A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010177379A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用測定治具 |
| US8922234B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-12-30 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Probe card and method for manufacturing probe card |
| US8628149B2 (en) * | 2011-03-08 | 2014-01-14 | Plombco Inc. | Overmolded wheel-balancing weight |
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| CN103543302A (zh) * | 2012-07-11 | 2014-01-29 | 本田技研工业株式会社 | 电流施加装置 |
| JP2014032172A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-02-20 | Honda Motor Co Ltd | 電流印加装置 |
| US9291643B2 (en) | 2012-07-11 | 2016-03-22 | Honda Motor Co., Ltd. | Current applying device having pressing body and contact body |
| CN109298208A (zh) * | 2017-07-24 | 2019-02-01 | 中华精测科技股份有限公司 | 整合信号及电源完整性模块的集成电路测试座 |
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