JP2001048581A - 高剛性ガラスセラミックス基板 - Google Patents
高剛性ガラスセラミックス基板Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記憶密度化のコンタクトレコーディングに
対応した表面平滑性と、高速回転ドライブに対応できる
高ヤング率と良好な研磨加工性を兼ね備えた高剛性ガラ
スセラミック基板を提供する。 【解決手段】 主結晶相を構成する結晶相において、エ
ンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体
（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チタン酸マグネシウム（Ｍｇ
Ｔｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2
Ｏ5固溶体）の中から選ばれる少なくとも１種以上が含
まれ、且つ各析出結晶粒子は、いずれも微細粒子（より
好ましくは球状粒子）であり、原ガラスの溶融性・耐失
透性および研磨加工性に優れ、研磨後の表面もより平滑
性に優れた、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミッ
ク基板。
対応した表面平滑性と、高速回転ドライブに対応できる
高ヤング率と良好な研磨加工性を兼ね備えた高剛性ガラ
スセラミック基板を提供する。 【解決手段】 主結晶相を構成する結晶相において、エ
ンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体
（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チタン酸マグネシウム（Ｍｇ
Ｔｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2
Ｏ5固溶体）の中から選ばれる少なくとも１種以上が含
まれ、且つ各析出結晶粒子は、いずれも微細粒子（より
好ましくは球状粒子）であり、原ガラスの溶融性・耐失
透性および研磨加工性に優れ、研磨後の表面もより平滑
性に優れた、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミッ
ク基板。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高剛性ガラスセラ
ミックス基板に関する。特に、ランプロード方式で主に
用いられるニアコンタクトレコーディングあるいはコン
タクトレコーディングに対応した、超平滑な基板表面を
有し、しかも高速回転に対応し得る高ヤング率・低比重
特性を備えた、情報磁気記憶装置等に用いられる情報記
憶媒体用ガラスセラミックス基板、およびこのガラスセ
ラミックス基板に成膜プロセスを施し形成される情報磁
気記憶媒体に関するものである。尚、本明細書において
「情報磁気記憶媒体」とは、パーソナルコンピュータの
ハードディスクとして使用される、固定型ハードディス
ク，リムーバル型ハードディスク，カード型ハードディ
スクや、ＨＤＴＶ、デジタルビデオカメラ・デジタルカ
メラ、携帯通信機器等において使用可能なディスク状情
報磁気記憶媒体を意味し、またスピネル結晶とは、（Ｍ
ｇおよび／またはＺｎ）Ａｌ2Ｏ4，（Ｍｇおよび／また
はＺｎ）2ＴｉＯ4，前記２結晶間の固溶体としての混合
物の中から選ばれる少なくとも１種以上を、スピネル結
晶固溶体とは、前記各結晶にその他の成分が一部、置換
および／または侵入したものを意味する。
ミックス基板に関する。特に、ランプロード方式で主に
用いられるニアコンタクトレコーディングあるいはコン
タクトレコーディングに対応した、超平滑な基板表面を
有し、しかも高速回転に対応し得る高ヤング率・低比重
特性を備えた、情報磁気記憶装置等に用いられる情報記
憶媒体用ガラスセラミックス基板、およびこのガラスセ
ラミックス基板に成膜プロセスを施し形成される情報磁
気記憶媒体に関するものである。尚、本明細書において
「情報磁気記憶媒体」とは、パーソナルコンピュータの
ハードディスクとして使用される、固定型ハードディス
ク，リムーバル型ハードディスク，カード型ハードディ
スクや、ＨＤＴＶ、デジタルビデオカメラ・デジタルカ
メラ、携帯通信機器等において使用可能なディスク状情
報磁気記憶媒体を意味し、またスピネル結晶とは、（Ｍ
ｇおよび／またはＺｎ）Ａｌ2Ｏ4，（Ｍｇおよび／また
はＺｎ）2ＴｉＯ4，前記２結晶間の固溶体としての混合
物の中から選ばれる少なくとも１種以上を、スピネル結
晶固溶体とは、前記各結晶にその他の成分が一部、置換
および／または侵入したものを意味する。
【０００２】
【従来の技術】パーソナルコンピュータのマルチメディ
ア化や、デジタルビデオカメラ・デジタルカメラ等のよ
うに動画や音声等の大きなデータが扱われるようにな
り、大容量の情報磁気記憶装置が必要となっている。そ
の結果、情報磁気記憶媒体は面記録密度を大きくするた
めに、ビットセルのサイズを縮小化させてビットおよび
トラック密度を増加させる傾向にある。このため、磁気
ヘッドはディスク表面により近接して作動するようにな
っている。このように、磁気ヘッドが情報磁気記憶媒体
基板に対し、低浮上状態または接触状態（コンタクト）
にて作動する場合、磁気ヘッドおよび情報磁気記憶媒体
の起動・停止技術として、情報磁気記憶媒体の特定部分
（ディスク内径側もしくは外径側の未記憶部）に吸着防
止加工を施し、その部分で磁気ヘッドおよび情報磁気記
憶媒体の起動・停止動作を行うという、ランディングゾ
ーン方式等の技術が開発されてきた。
ア化や、デジタルビデオカメラ・デジタルカメラ等のよ
うに動画や音声等の大きなデータが扱われるようにな
り、大容量の情報磁気記憶装置が必要となっている。そ
の結果、情報磁気記憶媒体は面記録密度を大きくするた
めに、ビットセルのサイズを縮小化させてビットおよび
トラック密度を増加させる傾向にある。このため、磁気
ヘッドはディスク表面により近接して作動するようにな
っている。このように、磁気ヘッドが情報磁気記憶媒体
基板に対し、低浮上状態または接触状態（コンタクト）
にて作動する場合、磁気ヘッドおよび情報磁気記憶媒体
の起動・停止技術として、情報磁気記憶媒体の特定部分
（ディスク内径側もしくは外径側の未記憶部）に吸着防
止加工を施し、その部分で磁気ヘッドおよび情報磁気記
憶媒体の起動・停止動作を行うという、ランディングゾ
ーン方式等の技術が開発されてきた。
【０００３】現在の情報磁気記憶装置において、磁気ヘ
ッドは、（１）装置起動前は情報磁気記憶媒体に接触し
ており、（２）装置始動時には情報磁気記憶媒体より浮
上するといった動作を繰り返す、所謂ＣＳＳ（コンタク
ト・スタート・ストップ）方式を行っている。この時、
両者の接触面が必要以上に鏡面であると吸着（スティク
ション）が発生し、摩擦係数の増大に伴う回転始動の不
円滑、情報磁気記憶媒体表面もしくは磁気ヘッド自体の
損傷という問題が発生する。この様に情報磁気記憶媒体
は、記憶容量の増大に伴う磁気ヘッドの低浮上化と、情
報磁気記憶媒体上での磁気ヘッド吸着防止という、相反
する要求が以前から要望されている。この様な相反する
要望に対する解答のひとつとして、稼働中は磁気ヘッド
を完全に接触させつつも、磁気ヘッドの起動・停止動作
を情報磁気記憶媒体基板上から外す、ランプロード技術
が開発され、情報磁気記憶媒体表面への要求は、よりス
ムーズな方向へ進行している。
ッドは、（１）装置起動前は情報磁気記憶媒体に接触し
ており、（２）装置始動時には情報磁気記憶媒体より浮
上するといった動作を繰り返す、所謂ＣＳＳ（コンタク
ト・スタート・ストップ）方式を行っている。この時、
両者の接触面が必要以上に鏡面であると吸着（スティク
ション）が発生し、摩擦係数の増大に伴う回転始動の不
円滑、情報磁気記憶媒体表面もしくは磁気ヘッド自体の
損傷という問題が発生する。この様に情報磁気記憶媒体
は、記憶容量の増大に伴う磁気ヘッドの低浮上化と、情
報磁気記憶媒体上での磁気ヘッド吸着防止という、相反
する要求が以前から要望されている。この様な相反する
要望に対する解答のひとつとして、稼働中は磁気ヘッド
を完全に接触させつつも、磁気ヘッドの起動・停止動作
を情報磁気記憶媒体基板上から外す、ランプロード技術
が開発され、情報磁気記憶媒体表面への要求は、よりス
ムーズな方向へ進行している。
【０００４】また、今日磁気記憶装置の情報磁気記憶媒
体基板を高速回転化する事で情報の高速化を計る技術開
発が進んでいるが、基板の回転数が高速化する事で、た
わみや変形が発生するために、基板材には高ヤング率化
が要求されている。加えて、現在の固定型情報磁気記憶
装置に対し、リムーバブル方式やカード方式等、更に基
板材自体の強度を要求される情報磁気記憶装置が検討・
実用化段階にあり、ＨＤＴＶ、デジタルビデオカメラ，
デジタルカメラ，携帯通信機器等への用途展開が始まり
つつある。
体基板を高速回転化する事で情報の高速化を計る技術開
発が進んでいるが、基板の回転数が高速化する事で、た
わみや変形が発生するために、基板材には高ヤング率化
が要求されている。加えて、現在の固定型情報磁気記憶
装置に対し、リムーバブル方式やカード方式等、更に基
板材自体の強度を要求される情報磁気記憶装置が検討・
実用化段階にあり、ＨＤＴＶ、デジタルビデオカメラ，
デジタルカメラ，携帯通信機器等への用途展開が始まり
つつある。
【０００５】この様に、高強度基板材が求められている
状況において、アルミニウム合金基板では十分な強度を
確保することができず、強度を得ようとして基板材の厚
さを厚くすると、小型軽量化が困難になるという問題を
有している。このためこれらアルミニウム合金基板材の
問題点を解消する材料として、化学強化ガラス（アルミ
ノシリケート（ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ）ガラス：
特開平８−４８５３７，特開平５−３２４３１等）が知
られているが、この材料は、（１）研磨は化学強化後に
行なわれるため、ディスクの薄板化における強化層の不
安定要素が高い（２）化学強化相は、長期の使用におい
て経時変化を発生するため、これにより磁気特性を悪化
させてしまう（３）ガラス中にＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ成分を必
須成分として含有するため、これらアルカリ成分が成膜
時に形成された膜内に拡散し、情報記憶媒体の磁気特性
を悪化させてしまう。これを防止するには、Ｎａ2Ｏ，
Ｋ2Ｏ溶出防止のための全面バリアコート処理が必要で
あり、製品の低コスト安定生産性が難しいという欠点が
ある。（４）ガラスの機械的強度を向上させるために化
学強化を行っているが、基本的に表面相と内部相の強化
応力を利用するものであり、ヤング率は通常のアモルフ
ァスガラスと同等である８３ＧＰａ以下と高速回転ドラ
イブへの使用に限界がある等、やはり高密度磁気記憶媒
体用基板としての特性は不十分である。
状況において、アルミニウム合金基板では十分な強度を
確保することができず、強度を得ようとして基板材の厚
さを厚くすると、小型軽量化が困難になるという問題を
有している。このためこれらアルミニウム合金基板材の
問題点を解消する材料として、化学強化ガラス（アルミ
ノシリケート（ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ）ガラス：
特開平８−４８５３７，特開平５−３２４３１等）が知
られているが、この材料は、（１）研磨は化学強化後に
行なわれるため、ディスクの薄板化における強化層の不
安定要素が高い（２）化学強化相は、長期の使用におい
て経時変化を発生するため、これにより磁気特性を悪化
させてしまう（３）ガラス中にＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ成分を必
須成分として含有するため、これらアルカリ成分が成膜
時に形成された膜内に拡散し、情報記憶媒体の磁気特性
を悪化させてしまう。これを防止するには、Ｎａ2Ｏ，
Ｋ2Ｏ溶出防止のための全面バリアコート処理が必要で
あり、製品の低コスト安定生産性が難しいという欠点が
ある。（４）ガラスの機械的強度を向上させるために化
学強化を行っているが、基本的に表面相と内部相の強化
応力を利用するものであり、ヤング率は通常のアモルフ
ァスガラスと同等である８３ＧＰａ以下と高速回転ドラ
イブへの使用に限界がある等、やはり高密度磁気記憶媒
体用基板としての特性は不十分である。
【０００６】これらアルミニウム合金基板や化学強化ガ
ラス基板に対して、いくつかの結晶化ガラスが知られて
いる。例えば、特開平９−３５２３４号公報，ＥＰ０７
８１７３１Ａ１号公報に開示される磁気ディスク用ガラ
スセラミックス基板は、Ｌｉ 2Ｏ−ＳｉＯ2系組成から成
り、結晶相は二珪酸リチウムとβ−スポジューメン、あ
るいは二珪酸リチウムとβ−クリストバライトを析出さ
せたものであるが、高速回転に対するヤング率と比重の
関係を全く検討しておらず、何の示唆も与えていない。
尚、これらの系のガラスセラミックスのヤング率は１０
０ＧＰａが限界である。
ラス基板に対して、いくつかの結晶化ガラスが知られて
いる。例えば、特開平９−３５２３４号公報，ＥＰ０７
８１７３１Ａ１号公報に開示される磁気ディスク用ガラ
スセラミックス基板は、Ｌｉ 2Ｏ−ＳｉＯ2系組成から成
り、結晶相は二珪酸リチウムとβ−スポジューメン、あ
るいは二珪酸リチウムとβ−クリストバライトを析出さ
せたものであるが、高速回転に対するヤング率と比重の
関係を全く検討しておらず、何の示唆も与えていない。
尚、これらの系のガラスセラミックスのヤング率は１０
０ＧＰａが限界である。
【０００７】前述のような基板材の低ヤング率を改善す
べく、特開平９−７７５３１号公報にはＳｉＯ2−Ａｌ2
Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系結晶化ガラスが開示さ
れている。この結晶化ガラスは、主結晶相が多量のスピ
ネル結晶であり、副結晶としてＭｇＴｉ2Ｏ5他複数の結
晶を含み、ヤング率が９６．５〜１６５．５ＧＰａであ
る結晶化ガラスおよびこの結晶化ガラスからなる磁気記
憶媒体用剛性ディスク基板であるが、この材料は主結晶
相が（Ｍｇ／Ｚｎ）Ａｌ2Ｏ4および／または（Ｍｇ／Ｚ
ｎ）2ＴｉＯ4で表されるスピネルのみであり、副結晶相
については特定の結晶相を限定するものではなく広範囲
に明記してある。また、Ａｌ2Ｏ3を多量に含むものであ
り、本発明のようなＡｌ2Ｏ3の比較的少ない、耐失透性
と高ヤング率特性を兼ね備えたガラスセラミックス基板
材とは異なるものである。尚、この様にＡｌ2Ｏ3を多量
に含むと、原ガラスの溶融性が低下したり、耐失透性が
悪化する等の問題を生じ、生産性に問題を有している。
したがって、単に硬質な材料を提案しているにすぎな
い。しかもこの系の結晶化ガラスは表面硬度（ビッカー
ス硬度）が高くなり過ぎるため、加工性が低く、量産性
に劣るという問題も有している。以上のように、この基
板材では高密度情報磁気記憶媒体用基板としての改善効
果は不十分なものである。
べく、特開平９−７７５３１号公報にはＳｉＯ2−Ａｌ2
Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系結晶化ガラスが開示さ
れている。この結晶化ガラスは、主結晶相が多量のスピ
ネル結晶であり、副結晶としてＭｇＴｉ2Ｏ5他複数の結
晶を含み、ヤング率が９６．５〜１６５．５ＧＰａであ
る結晶化ガラスおよびこの結晶化ガラスからなる磁気記
憶媒体用剛性ディスク基板であるが、この材料は主結晶
相が（Ｍｇ／Ｚｎ）Ａｌ2Ｏ4および／または（Ｍｇ／Ｚ
ｎ）2ＴｉＯ4で表されるスピネルのみであり、副結晶相
については特定の結晶相を限定するものではなく広範囲
に明記してある。また、Ａｌ2Ｏ3を多量に含むものであ
り、本発明のようなＡｌ2Ｏ3の比較的少ない、耐失透性
と高ヤング率特性を兼ね備えたガラスセラミックス基板
材とは異なるものである。尚、この様にＡｌ2Ｏ3を多量
に含むと、原ガラスの溶融性が低下したり、耐失透性が
悪化する等の問題を生じ、生産性に問題を有している。
したがって、単に硬質な材料を提案しているにすぎな
い。しかもこの系の結晶化ガラスは表面硬度（ビッカー
ス硬度）が高くなり過ぎるため、加工性が低く、量産性
に劣るという問題も有している。以上のように、この基
板材では高密度情報磁気記憶媒体用基板としての改善効
果は不十分なものである。
【０００８】また、ＷＯ９８／２２４０５には、ＳｉＯ
2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｒＯ2−ＴｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ系結
晶化ガラスが開示されている。この結晶化ガラスは、β
−石英固溶体を主結晶相とし、副結晶相としてとエンス
タタイト、スピネル、その他複数の特定されない結晶を
含み、それら結晶粒径が１０００Å以下のものである
が、この材料には原料組成にＬｉ2Ｏが必須であり、更
に主結晶相として必ずβ−石英固溶体を含むものであ
り、本発明とは完全に異なるものである。
2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｒＯ2−ＴｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ系結
晶化ガラスが開示されている。この結晶化ガラスは、β
−石英固溶体を主結晶相とし、副結晶相としてとエンス
タタイト、スピネル、その他複数の特定されない結晶を
含み、それら結晶粒径が１０００Å以下のものである
が、この材料には原料組成にＬｉ2Ｏが必須であり、更
に主結晶相として必ずβ−石英固溶体を含むものであ
り、本発明とは完全に異なるものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、高密度記録の
ためのランプロード方式（磁気ヘッドのコンタクトレコ
ーディング）にも十分対応し得る良好な表面特性と、高
速回転化に耐え得る高ヤング率特性と加工性に優れた表
面硬度特性を兼ね備えた、情報磁気記憶媒体用ガラスセ
ラミックス基板およびその製造方法を提供することにあ
る。
従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、高密度記録の
ためのランプロード方式（磁気ヘッドのコンタクトレコ
ーディング）にも十分対応し得る良好な表面特性と、高
速回転化に耐え得る高ヤング率特性と加工性に優れた表
面硬度特性を兼ね備えた、情報磁気記憶媒体用ガラスセ
ラミックス基板およびその製造方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、主結晶相を
構成する結晶相において、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ
3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チ
タン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネ
シウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中から選ばれる
少なくとも１種以上が含まれ、且つ各析出結晶粒子は、
いずれも微細粒子（より好ましくは球状粒子）であり、
原ガラスの溶融性・耐失透性および研磨加工性に優れ、
研磨後の表面もより平滑性に優れ、高速回転に対応した
高ヤング率な情報磁気記憶媒体用ガラスセラミック基板
が得られることを見い出し、本発明に至った。
達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、主結晶相を
構成する結晶相において、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ
3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チ
タン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネ
シウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中から選ばれる
少なくとも１種以上が含まれ、且つ各析出結晶粒子は、
いずれも微細粒子（より好ましくは球状粒子）であり、
原ガラスの溶融性・耐失透性および研磨加工性に優れ、
研磨後の表面もより平滑性に優れ、高速回転に対応した
高ヤング率な情報磁気記憶媒体用ガラスセラミック基板
が得られることを見い出し、本発明に至った。
【００１１】すなわち、請求項１に記載の発明は、主結
晶相を有するガラスセラミックスからなる基板であっ
て、該主結晶相は、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），
エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チタン
酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウ
ム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中から選ばれる少な
くとも１種以上を含み、該ガラスセラミックスはヤング
率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が２０重量％
未満であることを特徴とする、高剛性ガラスセラミック
ス基板であり、請求項２に記載の発明は、主結晶相を有
するガラスセラミックスからなる基板であって、該主結
晶相は、最も析出比の多い第１相として、エンスタタイ
ト（ＭｇＳｉＯ3）またはエンスタタイト固溶体（Ｍｇ
ＳｉＯ3固溶体）を含み、該ガラスセラミックスはヤン
グ率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が２０重量
％未満であることを特徴とする、高剛性ガラスセラミッ
クス基板であり、請求項３に記載の発明は、主結晶相を
有するガラスセラミックスからなる基板であって、該主
結晶相は、最も析出比の多い第１相として、チタン酸マ
グネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マグネシウ
ム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を含み、該ガラスセラ
ミックスはヤング率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3
成分が２０重量％未満であることを特徴とする、高剛性
ガラスセラミックス基板であり、請求項４に記載の発明
は、主結晶相を有するガラスセラミックスからなる基板
であって、該主結晶相は、最も析出比の多い第１相とし
て、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3）またはエンスタタ
イト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）を、第１相より析出
比の少ない相として、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ
2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固
溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体の中から選
ばれる少なくとも１種以上を含み、該ガラスセラミック
スはヤング率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が
２０重量％未満であることを特徴とする、高剛性ガラス
セラミックス基板であり、請求項５に記載の発明は、主
結晶相を有するガラスセラミックスからなる基板であっ
て、該主結晶相は、最も析出比の多い第１相として、チ
タン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マ
グネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を、第１相よ
り析出比の少ない相として、エンスタタイト（ＭｇＳｉ
Ｏ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），
スピネル結晶，スピネル結晶固溶体の中から選ばれる少
なくとも１種以上を含み、該ガラスセラミックスはヤン
グ率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が２０重量
％未満であることを特徴とする、高剛性ガラスセラミッ
クス基板であり、請求項６に記載の発明は、該ガラスセ
ラミックスは、Ｌｉ2Ｏ, Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏを実質上含有
しないことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記
載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項７に
記載の発明は、前記ガラスセラミック基板において、研
磨後の表面の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が８Å以
下、表面最大粗さＲｍａｘが１００Å以下であることを
特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の高剛性ガ
ラスセラミックス基板であり、請求項８に記載の発明
は、前記ガラスセラミック基板において、−５０〜＋７
０℃の範囲における熱膨張係数が、４０×１０-7〜６０
×１０-7／℃の範囲であることを特徴とする、請求項１
〜７のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板
であり、請求項９に記載の発明は、該主結晶相は、結晶
粒子径が０．０５μm〜０．３０μｍであることを特徴
とする、請求項１〜８のいずれかに記載の高剛性ガラス
セラミックス基板であり、請求項１０に記載の発明は、
前記ガラスセラミック基板において、ビッカース硬度が
６８６０〜８３３０Ｎ／ｍｍ2であることを特徴とす
る、請求項１〜９のいずれかに記載の高剛性ガラスセラ
ミックス基板であり、請求項１１に記載の発明は、該ガ
ラスセラミックスは、酸化物基準の質量百分率で、 ＳｉＯ2 ４０〜６０％ ＭｇＯ １０〜２０％ Ａｌ2Ｏ3 １０〜２０％未満 ＣａＯ ０．５〜４％ ＳｒＯ ０．５〜４％ ＢａＯ ０．５〜５％ ＺｒＯ2 ０〜５％ ＴｉＯ2 ８％を越え１２％まで Ｂi2Ｏ3 ０〜６％ Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％ Ａｓ2Ｏ3 ０〜１％ の範囲の各成分を含有することを特徴とする、請求項１
〜１０のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基
板であり、請求項１２に記載の発明は、該ガラスセラミ
ックスは、Ｐ，Ｗ，Ｎｂ，Ｌａ，Ｙ,Ｐｂから選択され
る任意の元素を酸化物換算で３重量％まで、および／ま
たはＣｕ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｖから選択
される任意の元素を酸化物換算で２重量％まで含有する
ことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の
高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項１３に記
載の発明は、ガラス原料を溶融，成型および徐冷後、結
晶化熱処理条件として、核形成温度が６５０℃〜７５０
℃，核形成時間が１〜１２時間，結晶化温度が８５０℃
〜１０００℃，結晶化時間が１〜１２時間で熱処理させ
得られることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか
に記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項
１４に記載の発明は、請求項１〜１３のいずれかに記載
の高剛性ガラスセラミックス基板上に、磁気記憶媒体被
膜を形成して成る情報磁気記憶媒体ディスクである。
晶相を有するガラスセラミックスからなる基板であっ
て、該主結晶相は、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），
エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チタン
酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウ
ム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中から選ばれる少な
くとも１種以上を含み、該ガラスセラミックスはヤング
率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が２０重量％
未満であることを特徴とする、高剛性ガラスセラミック
ス基板であり、請求項２に記載の発明は、主結晶相を有
するガラスセラミックスからなる基板であって、該主結
晶相は、最も析出比の多い第１相として、エンスタタイ
ト（ＭｇＳｉＯ3）またはエンスタタイト固溶体（Ｍｇ
ＳｉＯ3固溶体）を含み、該ガラスセラミックスはヤン
グ率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が２０重量
％未満であることを特徴とする、高剛性ガラスセラミッ
クス基板であり、請求項３に記載の発明は、主結晶相を
有するガラスセラミックスからなる基板であって、該主
結晶相は、最も析出比の多い第１相として、チタン酸マ
グネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マグネシウ
ム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を含み、該ガラスセラ
ミックスはヤング率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3
成分が２０重量％未満であることを特徴とする、高剛性
ガラスセラミックス基板であり、請求項４に記載の発明
は、主結晶相を有するガラスセラミックスからなる基板
であって、該主結晶相は、最も析出比の多い第１相とし
て、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3）またはエンスタタ
イト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）を、第１相より析出
比の少ない相として、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ
2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固
溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体の中から選
ばれる少なくとも１種以上を含み、該ガラスセラミック
スはヤング率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が
２０重量％未満であることを特徴とする、高剛性ガラス
セラミックス基板であり、請求項５に記載の発明は、主
結晶相を有するガラスセラミックスからなる基板であっ
て、該主結晶相は、最も析出比の多い第１相として、チ
タン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マ
グネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を、第１相よ
り析出比の少ない相として、エンスタタイト（ＭｇＳｉ
Ｏ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），
スピネル結晶，スピネル結晶固溶体の中から選ばれる少
なくとも１種以上を含み、該ガラスセラミックスはヤン
グ率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が２０重量
％未満であることを特徴とする、高剛性ガラスセラミッ
クス基板であり、請求項６に記載の発明は、該ガラスセ
ラミックスは、Ｌｉ2Ｏ, Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏを実質上含有
しないことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記
載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項７に
記載の発明は、前記ガラスセラミック基板において、研
磨後の表面の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が８Å以
下、表面最大粗さＲｍａｘが１００Å以下であることを
特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の高剛性ガ
ラスセラミックス基板であり、請求項８に記載の発明
は、前記ガラスセラミック基板において、−５０〜＋７
０℃の範囲における熱膨張係数が、４０×１０-7〜６０
×１０-7／℃の範囲であることを特徴とする、請求項１
〜７のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板
であり、請求項９に記載の発明は、該主結晶相は、結晶
粒子径が０．０５μm〜０．３０μｍであることを特徴
とする、請求項１〜８のいずれかに記載の高剛性ガラス
セラミックス基板であり、請求項１０に記載の発明は、
前記ガラスセラミック基板において、ビッカース硬度が
６８６０〜８３３０Ｎ／ｍｍ2であることを特徴とす
る、請求項１〜９のいずれかに記載の高剛性ガラスセラ
ミックス基板であり、請求項１１に記載の発明は、該ガ
ラスセラミックスは、酸化物基準の質量百分率で、 ＳｉＯ2 ４０〜６０％ ＭｇＯ １０〜２０％ Ａｌ2Ｏ3 １０〜２０％未満 ＣａＯ ０．５〜４％ ＳｒＯ ０．５〜４％ ＢａＯ ０．５〜５％ ＺｒＯ2 ０〜５％ ＴｉＯ2 ８％を越え１２％まで Ｂi2Ｏ3 ０〜６％ Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％ Ａｓ2Ｏ3 ０〜１％ の範囲の各成分を含有することを特徴とする、請求項１
〜１０のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基
板であり、請求項１２に記載の発明は、該ガラスセラミ
ックスは、Ｐ，Ｗ，Ｎｂ，Ｌａ，Ｙ,Ｐｂから選択され
る任意の元素を酸化物換算で３重量％まで、および／ま
たはＣｕ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｖから選択
される任意の元素を酸化物換算で２重量％まで含有する
ことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の
高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項１３に記
載の発明は、ガラス原料を溶融，成型および徐冷後、結
晶化熱処理条件として、核形成温度が６５０℃〜７５０
℃，核形成時間が１〜１２時間，結晶化温度が８５０℃
〜１０００℃，結晶化時間が１〜１２時間で熱処理させ
得られることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか
に記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項
１４に記載の発明は、請求項１〜１３のいずれかに記載
の高剛性ガラスセラミックス基板上に、磁気記憶媒体被
膜を形成して成る情報磁気記憶媒体ディスクである。
【００１２】本発明の本発明の基板を構成するガラスセ
ラミックの物理的特性，主結晶相と結晶粒径，表面性
状，組成範囲を上記のように限定した理由を以下に示
す。尚、組成については、酸化物基準で表示する。
ラミックの物理的特性，主結晶相と結晶粒径，表面性
状，組成範囲を上記のように限定した理由を以下に示
す。尚、組成については、酸化物基準で表示する。
【００１３】まずは、ヤング率ついて述べる。前述のよ
うに、記録密度およびデータ転送速度を向上するため
に、情報磁気記憶媒体基板の高速回転化傾向が進行して
いるが、これに対応するには、基板材は高速回転（特に
１００００ｒｐｍ以上）時のたわみによるディスク振動
を防止するために高剛性，低比重でなければならない。
これは、単に高剛性であっても、比重が大きければ、高
速回転時にその重量が大きいことによってたわみが生
じ、振動を発生し、逆に低比重でも剛性が低ければ、同
様に振動が生じるためである。
うに、記録密度およびデータ転送速度を向上するため
に、情報磁気記憶媒体基板の高速回転化傾向が進行して
いるが、これに対応するには、基板材は高速回転（特に
１００００ｒｐｍ以上）時のたわみによるディスク振動
を防止するために高剛性，低比重でなければならない。
これは、単に高剛性であっても、比重が大きければ、高
速回転時にその重量が大きいことによってたわみが生
じ、振動を発生し、逆に低比重でも剛性が低ければ、同
様に振動が生じるためである。
【００１４】ところが、前記主結晶相を有する本発明の
ガラスセラミックス基板は、剛性を著しく向上させるべ
く成分の調整を行うと高比重となってしまい、逆に比重
を著しく低減すべく成分の調整を行うと剛性が低下して
しまうという傾向を持っている。したがって、高剛性で
ありながら、低比重という一見相反する特性のバランス
をとらなければならない。この観点から各種検討を行っ
た結果、低比重であってもヤング率は１１５ＧＰａ以上
を有するものでなければならず、一方高ヤング率であっ
ても比重とのバランスにより、ヤング率は１６０ＧＰａ
以下でなければならない。より好ましくは、１２０ＧＰ
ａ以上、１５０ＧＰａ以下が好ましい。ヤング率／比重
の値としては、３７ＧＰａ以上が好ましく、３９ＧＰａ
以上がより好ましい。また、比重については、３．３以
下が好ましく、３．１以下がより好ましい。
ガラスセラミックス基板は、剛性を著しく向上させるべ
く成分の調整を行うと高比重となってしまい、逆に比重
を著しく低減すべく成分の調整を行うと剛性が低下して
しまうという傾向を持っている。したがって、高剛性で
ありながら、低比重という一見相反する特性のバランス
をとらなければならない。この観点から各種検討を行っ
た結果、低比重であってもヤング率は１１５ＧＰａ以上
を有するものでなければならず、一方高ヤング率であっ
ても比重とのバランスにより、ヤング率は１６０ＧＰａ
以下でなければならない。より好ましくは、１２０ＧＰ
ａ以上、１５０ＧＰａ以下が好ましい。ヤング率／比重
の値としては、３７ＧＰａ以上が好ましく、３９ＧＰａ
以上がより好ましい。また、比重については、３．３以
下が好ましく、３．１以下がより好ましい。
【００１５】また、一般的に材料を高ヤング率化すると
材料の表面硬度が硬質化する傾向にあり、あまり硬質化
し過ぎると、加工研磨において加工時間が長時間化して
しまい、生産性や低コスト化を著しく悪化させてしま
う。加工性に起因する生産性を考慮すると、基板の表面
硬度（ビッカース硬度）は６８６０〜８３３０Ｎ／ｍｍ
2の範囲以内であることが好ましい。
材料の表面硬度が硬質化する傾向にあり、あまり硬質化
し過ぎると、加工研磨において加工時間が長時間化して
しまい、生産性や低コスト化を著しく悪化させてしま
う。加工性に起因する生産性を考慮すると、基板の表面
硬度（ビッカース硬度）は６８６０〜８３３０Ｎ／ｍｍ
2の範囲以内であることが好ましい。
【００１６】次にＬｉ2Ｏ，Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ成分につい
てであるが、磁性膜（特に垂直磁化膜）の高精度化，微
細化において、材料中にＬｉ2Ｏ，Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ成分
を含有すると、これらのイオンが成膜工程中に拡散し、
磁性膜粒子の異常成長を生じたり配向性が悪化するた
め、これらの成分を実質的に含有しないことが重要であ
る。
てであるが、磁性膜（特に垂直磁化膜）の高精度化，微
細化において、材料中にＬｉ2Ｏ，Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ成分
を含有すると、これらのイオンが成膜工程中に拡散し、
磁性膜粒子の異常成長を生じたり配向性が悪化するた
め、これらの成分を実質的に含有しないことが重要であ
る。
【００１７】次に、本発明の基板を構成するガラスセラ
ミックスの主結晶相についてであるが、エンスタタイト
（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3
固溶体），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チ
タン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中
から選ばれる少なくとも１種以上を含むことを特徴とし
ている。これは上記結晶相が剛性増加に寄与し、更に析
出結晶粒径も比較的小さくすることができ、更に研磨加
工における加工性も十分に備えているという有利な面が
あるためである。
ミックスの主結晶相についてであるが、エンスタタイト
（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3
固溶体），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チ
タン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中
から選ばれる少なくとも１種以上を含むことを特徴とし
ている。これは上記結晶相が剛性増加に寄与し、更に析
出結晶粒径も比較的小さくすることができ、更に研磨加
工における加工性も十分に備えているという有利な面が
あるためである。
【００１８】特に、析出比の多い第１相としてエンスタ
タイト（ＭｇＳｉＯ3）若しくははエンスタタイト固溶
体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）、又はチタン酸マグネシウム
（ＭｇＴｉ2Ｏ5）若しくはチタン酸マグネシウム固溶体
（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）が析出しているものが、前記所
望の物理特性を得るためには好ましい。更に、第１相よ
り析出比の少ない相については、第１相がエンスタタイ
ト（ＭｇＳｉＯ3）またはエンスタタイト固溶体（Ｍｇ
ＳｉＯ3固溶体）の場合には、チタン酸マグネシウム
（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（Ｍｇ
Ｔｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体
の中から選ばれる少なくとも１種以上であることが好ま
しく、第１相がチタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）
またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶
体）の場合には、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エ
ンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），スピネル
結晶，スピネル結晶固溶体の中から選ばれる少なくとも
１種以上であることが好ましい。
タイト（ＭｇＳｉＯ3）若しくははエンスタタイト固溶
体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）、又はチタン酸マグネシウム
（ＭｇＴｉ2Ｏ5）若しくはチタン酸マグネシウム固溶体
（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）が析出しているものが、前記所
望の物理特性を得るためには好ましい。更に、第１相よ
り析出比の少ない相については、第１相がエンスタタイ
ト（ＭｇＳｉＯ3）またはエンスタタイト固溶体（Ｍｇ
ＳｉＯ3固溶体）の場合には、チタン酸マグネシウム
（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（Ｍｇ
Ｔｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体
の中から選ばれる少なくとも１種以上であることが好ま
しく、第１相がチタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）
またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶
体）の場合には、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エ
ンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），スピネル
結晶，スピネル結晶固溶体の中から選ばれる少なくとも
１種以上であることが好ましい。
【００１９】スピネル結晶としては、ＭｇＡｌ2Ｏ4，Ｍ
ｇ2ＴｉＯ4，前記２結晶間の固溶体としての混合物の中
から選ばれる少なくとも１種以上、好ましいスピネル結
晶固溶体としては、前記各結晶にその他の成分が一部、
置換および／または侵入したものが挙げられる。
ｇ2ＴｉＯ4，前記２結晶間の固溶体としての混合物の中
から選ばれる少なくとも１種以上、好ましいスピネル結
晶固溶体としては、前記各結晶にその他の成分が一部、
置換および／または侵入したものが挙げられる。
【００２０】本発明の基板を構成するガラスセラミック
スの結晶相の形態としては、析出比のもっとも多い第１
相としてチタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）又はチ
タン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を含
有し、第１相より析出比の少ない相としてエンスタタイ
ト（ＭｇＳｉＯ3）又はエンスタタイト固溶体（ＭｇＳ
ｉＯ3固溶体）を含有し、かつ、スピネル結晶，スピネ
ル結晶固溶体を含有しない形態が、種々の特性及び加工
性の点から特に好ましい。この形態のガラスセラミック
スは、ＢａＯを２〜５％、ＺｒＯ2を０．５〜５％含有
する組成から得ることができる。
スの結晶相の形態としては、析出比のもっとも多い第１
相としてチタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）又はチ
タン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を含
有し、第１相より析出比の少ない相としてエンスタタイ
ト（ＭｇＳｉＯ3）又はエンスタタイト固溶体（ＭｇＳ
ｉＯ3固溶体）を含有し、かつ、スピネル結晶，スピネ
ル結晶固溶体を含有しない形態が、種々の特性及び加工
性の点から特に好ましい。この形態のガラスセラミック
スは、ＢａＯを２〜５％、ＺｒＯ2を０．５〜５％含有
する組成から得ることができる。
【００２１】次に析出結晶粒径と表面粗度についてであ
るが、先に述べたように、記録密度向上のためのニアコ
ンタクトレコーディングやコンタクトレコーディング方
式に対応するには、情報磁気記憶媒体の表面の平滑性が
従来品よりも良好でなければならない。従来レベルの平
滑性では、磁気媒体への高密度入出力を行おうとして
も、ヘッドと媒体間の距離が大きいため、高密度磁気記
録を行うことができない。またこの距離を小さくしよう
とすると、媒体の突起とヘッドが衝突し、ヘッド破損や
媒体破損を引き起こしてしまうという問題も生じてく
る。この様な理由から、ニアコンタクトレコーディング
やコンタクトレコーディング方式に対応するためのディ
スク用基板表面の平滑性は、表面粗度（Ｒａ）＝８Å以
下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝１００Å以下であることが
必要である。好ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝６Å以
下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝７０Å以下であり、更に好
ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝４Å以下，最大粗さ（Ｒ
ｍａｘ）＝５０Å以下であり、最も好ましくは、表面粗
度（Ｒａ）＝２．５Å以下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝３
５Å以下である。
るが、先に述べたように、記録密度向上のためのニアコ
ンタクトレコーディングやコンタクトレコーディング方
式に対応するには、情報磁気記憶媒体の表面の平滑性が
従来品よりも良好でなければならない。従来レベルの平
滑性では、磁気媒体への高密度入出力を行おうとして
も、ヘッドと媒体間の距離が大きいため、高密度磁気記
録を行うことができない。またこの距離を小さくしよう
とすると、媒体の突起とヘッドが衝突し、ヘッド破損や
媒体破損を引き起こしてしまうという問題も生じてく
る。この様な理由から、ニアコンタクトレコーディング
やコンタクトレコーディング方式に対応するためのディ
スク用基板表面の平滑性は、表面粗度（Ｒａ）＝８Å以
下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝１００Å以下であることが
必要である。好ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝６Å以
下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝７０Å以下であり、更に好
ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝４Å以下，最大粗さ（Ｒ
ｍａｘ）＝５０Å以下であり、最も好ましくは、表面粗
度（Ｒａ）＝２．５Å以下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝３
５Å以下である。
【００２２】次に熱膨張率についてであるが、ビットお
よびトラック密度を増加させ、ビットセルのサイズを縮
小化するにおいては、媒体と基板の熱膨張係数の差が大
きく影響する。しかしこの物性は、析出する全結晶相の
種類とその析出比や量により左右される。したがって、
媒体の熱膨張係数と本発明のガラスセラミックス基板に
おける結晶相を勘案すると、−５０〜＋７０℃の温度範
囲における熱膨張係数は、４０×１０-7〜６０×１０-7
／℃とするのが適正範囲である。
よびトラック密度を増加させ、ビットセルのサイズを縮
小化するにおいては、媒体と基板の熱膨張係数の差が大
きく影響する。しかしこの物性は、析出する全結晶相の
種類とその析出比や量により左右される。したがって、
媒体の熱膨張係数と本発明のガラスセラミックス基板に
おける結晶相を勘案すると、−５０〜＋７０℃の温度範
囲における熱膨張係数は、４０×１０-7〜６０×１０-7
／℃とするのが適正範囲である。
【００２３】次に組成限定理由について述べる。まずＳ
ｉＯ2成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相とし
て析出するエンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタ
タイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）結晶を生成する極
めて重要な成分であるが、その量が４０％未満では、得
られたガラスセラミックスの析出結晶相が不安定で組織
が粗大化し、更に原ガラスの耐失透性を低下させる。ま
た６０％を超えると原ガラスの溶融・成形性が困難にな
る。
ｉＯ2成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相とし
て析出するエンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタ
タイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）結晶を生成する極
めて重要な成分であるが、その量が４０％未満では、得
られたガラスセラミックスの析出結晶相が不安定で組織
が粗大化し、更に原ガラスの耐失透性を低下させる。ま
た６０％を超えると原ガラスの溶融・成形性が困難にな
る。
【００２４】ＭｇＯ成分は、原ガラスの熱処理により、
主結晶相として析出するエンスタタイト（ＭｇＳｉ
Ｏ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），
チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグ
ネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結
晶，スピネル結晶固溶体を生成する極めて重要な成分で
あるが、その量が１０％未満では、所望とする結晶が得
られず、例え得られたとしても、ガラスセラミックスの
析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすく、加えて溶融
性も悪化する。また２０％を超えると失透性が悪化す
る。
主結晶相として析出するエンスタタイト（ＭｇＳｉ
Ｏ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），
チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグ
ネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結
晶，スピネル結晶固溶体を生成する極めて重要な成分で
あるが、その量が１０％未満では、所望とする結晶が得
られず、例え得られたとしても、ガラスセラミックスの
析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすく、加えて溶融
性も悪化する。また２０％を超えると失透性が悪化す
る。
【００２５】Ａｌ2Ｏ3成分は、原ガラスの熱処理によ
り、主結晶相として析出するエンスタタイト固溶体（Ｍ
ｇＳｉＯ3固溶体），チタン酸マグネシウム固溶体（Ｍ
ｇＴｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶
体を生成する極めて重要な成分であるが、その量が１０
％未満では、所望の結晶相が得られず、例え得られたと
しても、ガラスセラミックスの析出結晶相が不安定で組
織が粗大化しやすく、加えて溶融性も悪化する。また２
０％以上では原ガラスの溶融性および失透性が悪化し、
更にスピネル結晶相が第１相として支配的となり、これ
が原因で基板の硬度が著しく上昇するため、加工性の点
からも好ましくない。好ましい範囲は１０〜１８％未
満、特に好ましい範囲は１０〜１７％である。
り、主結晶相として析出するエンスタタイト固溶体（Ｍ
ｇＳｉＯ3固溶体），チタン酸マグネシウム固溶体（Ｍ
ｇＴｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶
体を生成する極めて重要な成分であるが、その量が１０
％未満では、所望の結晶相が得られず、例え得られたと
しても、ガラスセラミックスの析出結晶相が不安定で組
織が粗大化しやすく、加えて溶融性も悪化する。また２
０％以上では原ガラスの溶融性および失透性が悪化し、
更にスピネル結晶相が第１相として支配的となり、これ
が原因で基板の硬度が著しく上昇するため、加工性の点
からも好ましくない。好ましい範囲は１０〜１８％未
満、特に好ましい範囲は１０〜１７％である。
【００２６】ＣａＯ成分は、ガラスの溶融性を向上させ
るのと同時に析出結晶相の粗大化を防止する成分である
が、その量が０．５％未満では上記効果が得られず、ま
た４％を超えると析出結晶の粗大化、結晶相の変化およ
び化学的耐久性が悪化する。
るのと同時に析出結晶相の粗大化を防止する成分である
が、その量が０．５％未満では上記効果が得られず、ま
た４％を超えると析出結晶の粗大化、結晶相の変化およ
び化学的耐久性が悪化する。
【００２７】ＳｒＯはガラスの溶融性を向上させるため
に添加するが、その量が０．５％未満では上記効果が得
られない。またその添加量は４％以下で十分である。Ｂ
ａＯ成分もガラスの溶融性を向上させるために添加する
ことが好ましい。その量は０．５％以上が好ましく、２
％以上がより好ましく、５％以下で十分である。
に添加するが、その量が０．５％未満では上記効果が得
られない。またその添加量は４％以下で十分である。Ｂ
ａＯ成分もガラスの溶融性を向上させるために添加する
ことが好ましい。その量は０．５％以上が好ましく、２
％以上がより好ましく、５％以下で十分である。
【００２８】ＺｒＯ2成分およびＴｉＯ2成分は、ガラス
の結晶核形成剤として機能する上に、析出結晶相の微細
化と材料の機械的強度向上、および化学的耐久性の向上
に効果を有する事が見出された極めて重要な成分であ
る。ＺｒＯ2成分は０．５％以上含有することが好まし
く、５％以内で十分である。ＴｉＯ2成分については、
８％以下では結晶化時に軟化を引き起こす場合があり、
１２％を超えると原ガラスの溶融が困難となり、耐失透
性が悪化する。
の結晶核形成剤として機能する上に、析出結晶相の微細
化と材料の機械的強度向上、および化学的耐久性の向上
に効果を有する事が見出された極めて重要な成分であ
る。ＺｒＯ2成分は０．５％以上含有することが好まし
く、５％以内で十分である。ＴｉＯ2成分については、
８％以下では結晶化時に軟化を引き起こす場合があり、
１２％を超えると原ガラスの溶融が困難となり、耐失透
性が悪化する。
【００２９】Ｂｉ2Ｏ3成分は、原ガラスの溶融・成形性
を損なわずにガラスの耐失透性を抑制させる効果のある
成分であるが、６％を超えると溶融器であるＰｔ，Ｓｉ
Ｏ2などへの侵食が著しくなる。
を損なわずにガラスの耐失透性を抑制させる効果のある
成分であるが、６％を超えると溶融器であるＰｔ，Ｓｉ
Ｏ2などへの侵食が著しくなる。
【００３０】Ｓｂ2Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3成分は、ガラス溶融の
際の清澄剤として使用するが、それぞれ１％以内で十分
である。
際の清澄剤として使用するが、それぞれ１％以内で十分
である。
【００３１】各種特性の調整もしくは他の目的のため
に、本発明の特性を損なわせない範囲で、Ｐ，Ｗ，Ｎ
ｂ，Ｌａ，Ｙ，Ｐｂから選択される任意の元素を酸化物
換算で３％まで、および／またはＣｕ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍ
ｎ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｖから選択される任意の元素を酸化物
換算で２％まで含有させることができる。
に、本発明の特性を損なわせない範囲で、Ｐ，Ｗ，Ｎ
ｂ，Ｌａ，Ｙ，Ｐｂから選択される任意の元素を酸化物
換算で３％まで、および／またはＣｕ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍ
ｎ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｖから選択される任意の元素を酸化物
換算で２％まで含有させることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】次に本発明の好適な実施例につい
て説明する。表１〜表３は本発明の高剛性ガラスセラミ
ック基板の実施組成例（No.１〜９）、および比較組成
例として従来の化学強化ガラスのアルミノシリケートガ
ラス（特開平８−４８５３７号公報）：比較例１，Ｌｉ
2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスセラミックス（特開平９−３５２
３４号公報）：比較例２，ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ
−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系結晶化ガラス（特開平９−７７５
３１号公報）：比較例３について、核形成温度，結晶化
温度，結晶相，結晶粒子径，ヤング率，ビッカース硬
度、比重，研磨後の表面粗度（Ｒａ），最大表面粗さ
（Ｒｍａｘ），−５０〜＋７０℃における熱膨張係数を
示す。尚、各結晶相の析出比については、それぞれの結
晶種の１００％結晶標準試料を準備し、Ｘ線回折（ＸＲ
Ｄ）装置により、内部標準法を使った回折ピーク面積に
より求めた。結晶粒子径（平均）については、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）により求めた。各結晶粒子の結晶種
はＴＥＭ構造解析により同定した。表面粗度（Ｒａ：算
術平均粗さ）は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により求め
た。結晶相の記載は、析出比の大きいものから順に記載
している。析出比の順位の決定は、Ｘ線回折による各主
結晶相のメインピークの高さの順で決定した。また実施
例の表１〜４において、チタン酸マグネシウム固溶体は
チタン酸マグネシウムＳＳ、スピネル結晶固溶体はスピ
ネル結晶ＳＳ、その他の結晶の固溶体については結晶名
の後にある固溶体の部分をＳＳ（例えば、β−石英固溶
体であれば、β−石英ＳＳ）と表示した。
て説明する。表１〜表３は本発明の高剛性ガラスセラミ
ック基板の実施組成例（No.１〜９）、および比較組成
例として従来の化学強化ガラスのアルミノシリケートガ
ラス（特開平８−４８５３７号公報）：比較例１，Ｌｉ
2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスセラミックス（特開平９−３５２
３４号公報）：比較例２，ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ
−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系結晶化ガラス（特開平９−７７５
３１号公報）：比較例３について、核形成温度，結晶化
温度，結晶相，結晶粒子径，ヤング率，ビッカース硬
度、比重，研磨後の表面粗度（Ｒａ），最大表面粗さ
（Ｒｍａｘ），−５０〜＋７０℃における熱膨張係数を
示す。尚、各結晶相の析出比については、それぞれの結
晶種の１００％結晶標準試料を準備し、Ｘ線回折（ＸＲ
Ｄ）装置により、内部標準法を使った回折ピーク面積に
より求めた。結晶粒子径（平均）については、透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）により求めた。各結晶粒子の結晶種
はＴＥＭ構造解析により同定した。表面粗度（Ｒａ：算
術平均粗さ）は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により求め
た。結晶相の記載は、析出比の大きいものから順に記載
している。析出比の順位の決定は、Ｘ線回折による各主
結晶相のメインピークの高さの順で決定した。また実施
例の表１〜４において、チタン酸マグネシウム固溶体は
チタン酸マグネシウムＳＳ、スピネル結晶固溶体はスピ
ネル結晶ＳＳ、その他の結晶の固溶体については結晶名
の後にある固溶体の部分をＳＳ（例えば、β−石英固溶
体であれば、β−石英ＳＳ）と表示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【表４】
【００３７】本発明の上記実施例のガラスは、いずれも
酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常
の溶解装置を用いて約１３５０〜１４９０℃の温度で溶
解し攪拌均質化した後、ディスク状に成形して冷却し、
ガラス成形体を得た。その後これを６５０〜７５０℃で
約１〜１２時間熱処理して結晶核形成後、８５０〜１０
００℃で約１〜１２時間熱処理結晶化して、所望のガラ
スセラミックを得た。ついで上記ガラスセラミックを平
均粒径５〜３０μｍの砥粒にて約１０分〜６０分ラッピ
ングし、その後平均粒径０．５〜２μｍの酸化セリュー
ムまたはジルコニアにて約３０分〜６０分間研磨し仕上
げた。
酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常
の溶解装置を用いて約１３５０〜１４９０℃の温度で溶
解し攪拌均質化した後、ディスク状に成形して冷却し、
ガラス成形体を得た。その後これを６５０〜７５０℃で
約１〜１２時間熱処理して結晶核形成後、８５０〜１０
００℃で約１〜１２時間熱処理結晶化して、所望のガラ
スセラミックを得た。ついで上記ガラスセラミックを平
均粒径５〜３０μｍの砥粒にて約１０分〜６０分ラッピ
ングし、その後平均粒径０．５〜２μｍの酸化セリュー
ムまたはジルコニアにて約３０分〜６０分間研磨し仕上
げた。
【００３８】表１〜３に示されるとおり、本発明と従来
のアルミノシリケート化学強化ガラス、Ｌｉ2Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2系ガラスセラミックス、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ
−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系ガラスセラミックスの比較例とで
は、ガラスセラミックスの結晶相が異なり、ヤング率の
比較においても、アルミノシリケート化学強化ガラス，
Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスセラミックスに比べて高剛性
である。また比較例３のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−
ＺｎＯ−ＴｉＯ2系ガラスセラミックスは、非常に硬質
な材料である（表面硬度ビッカース硬度が９８００Ｎ／
ｍｍ2）ため、通常の研磨加工では表面粗度において所
望の値を得る事が出来なかった。これに対し本発明のガ
ラスセラミックスは目的とする表面硬度ビッカース硬度
が８３３０Ｎ／ｍｍ2以下と通常の研磨加工において平
滑性が充分得られ、加えて結晶異方性，異物，不純物等
の欠陥がなく組織が緻密で均質，微細（析出結晶の粒径
はいずれの場合も０．３μｍ以下）であり、種々の薬品
や水による洗浄、あるいはエッチングにも耐え得る化学
的耐久性を有するものであった。
のアルミノシリケート化学強化ガラス、Ｌｉ2Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2系ガラスセラミックス、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ
−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系ガラスセラミックスの比較例とで
は、ガラスセラミックスの結晶相が異なり、ヤング率の
比較においても、アルミノシリケート化学強化ガラス，
Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスセラミックスに比べて高剛性
である。また比較例３のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−
ＺｎＯ−ＴｉＯ2系ガラスセラミックスは、非常に硬質
な材料である（表面硬度ビッカース硬度が９８００Ｎ／
ｍｍ2）ため、通常の研磨加工では表面粗度において所
望の値を得る事が出来なかった。これに対し本発明のガ
ラスセラミックスは目的とする表面硬度ビッカース硬度
が８３３０Ｎ／ｍｍ2以下と通常の研磨加工において平
滑性が充分得られ、加えて結晶異方性，異物，不純物等
の欠陥がなく組織が緻密で均質，微細（析出結晶の粒径
はいずれの場合も０．３μｍ以下）であり、種々の薬品
や水による洗浄、あるいはエッチングにも耐え得る化学
的耐久性を有するものであった。
【００３９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、上
記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、高記憶密度
のコンタクトレコーディング化に対応した基板表面の平
滑性に優れると同時に、高速回転ドライブに対応した高
ヤング率特性に兼ね備えた情報磁気記憶媒体用基板とし
て好適な高剛性ガラスセラミック基板およびその製造方
法ならびにこのガラスセラミック基板上に磁気媒体の被
膜を形成してなる情報磁気記憶媒体を提供することがで
きる。
記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、高記憶密度
のコンタクトレコーディング化に対応した基板表面の平
滑性に優れると同時に、高速回転ドライブに対応した高
ヤング率特性に兼ね備えた情報磁気記憶媒体用基板とし
て好適な高剛性ガラスセラミック基板およびその製造方
法ならびにこのガラスセラミック基板上に磁気媒体の被
膜を形成してなる情報磁気記憶媒体を提供することがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 勝彦 神奈川県相模原市小山１丁目15番30号 株 式会社オハラ内 (72)発明者 後藤 直雪 神奈川県相模原市小山１丁目15番30号 株 式会社オハラ内 (72)発明者 岸 孝之 神奈川県相模原市小山１丁目15番30号 株 式会社オハラ内
Claims (14)
- 【請求項１】 主結晶相を有するガラスセラミックスか
らなる基板であって、該主結晶相は、エンスタタイト
（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3
固溶体），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チ
タン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中
から選ばれる少なくとも１種以上を含み、該ガラスセラ
ミックスはヤング率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3
成分が２０重量％未満であることを特徴とする、高剛性
ガラスセラミックス基板。 - 【請求項２】 主結晶相を有するガラスセラミックスか
らなる基板であって、該主結晶相は、最も析出比の多い
第１相として、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ 3）または
エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）を含み、
該ガラスセラミックスはヤング率が１１５〜１６０ＧＰ
ａ、Ａｌ2Ｏ3成分が２０重量％未満であることを特徴と
する、高剛性ガラスセラミックス基板。 - 【請求項３】 主結晶相を有するガラスセラミックスか
らなる基板であって、該主結晶相は、最も析出比の多い
第１相として、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）
またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶
体）を含み、該ガラスセラミックスはヤング率が１１５
〜１６０ＧＰａ、Ａｌ2Ｏ3成分が２０重量％未満である
ことを特徴とする、高剛性ガラスセラミックス基板。 - 【請求項４】 主結晶相を有するガラスセラミックスか
らなる基板であって、該主結晶相は、最も析出比の多い
第１相として、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ 3）または
エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）を、第１
相より析出比の少ない相として、チタン酸マグネシウム
（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（Ｍｇ
Ｔｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体
の中から選ばれる少なくとも１種以上を含み、該ガラス
セラミックスはヤング率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ
2Ｏ3成分が２０重量％未満であることを特徴とする、高
剛性ガラスセラミックス基板。 - 【請求項５】 主結晶相を有するガラスセラミックスか
らなる基板であって、該主結晶相は、最も析出比の多い
第１相として、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）
またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶
体）を、第１相より析出比の少ない相として、エンスタ
タイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（Ｍｇ
ＳｉＯ3固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体
の中から選ばれる少なくとも１種以上を含み、該ガラス
セラミックスはヤング率が１１５〜１６０ＧＰａ、Ａｌ
2Ｏ3成分が２０重量％未満であることを特徴とする、高
剛性ガラスセラミックス基板。 - 【請求項６】 該ガラスセラミックスは、Ｌｉ2Ｏ, Ｎ
ａ2Ｏ，Ｋ2Ｏを実質上含有しないことを特徴とする、請
求項１〜５のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミック
ス基板。 - 【請求項７】 前記ガラスセラミック基板において、研
磨後の表面の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が８Å以
下、表面最大粗さＲｍａｘが１００Å以下であることを
特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の高剛性ガ
ラスセラミックス基板。 - 【請求項８】 前記ガラスセラミック基板において、−
５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、４０×１
０-7〜６０×１０-7／℃の範囲であることを特徴とす
る、請求項１〜７のいずれかに記載の高剛性ガラスセラ
ミックス基板。 - 【請求項９】 該主結晶相は、結晶粒子径が０．０５μ
m〜０．３０μｍであることを特徴とする、請求項１〜
８のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板。 - 【請求項１０】 前記ガラスセラミック基板において、
ビッカース硬度が６８６０〜８３３０Ｎ／ｍｍ2である
ことを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の高
剛性ガラスセラミックス基板。 - 【請求項１１】 該ガラスセラミックスは、酸化物基準
の質量百分率で、 ＳｉＯ2 ４０〜６０％ ＭｇＯ １０〜２０％ Ａｌ2Ｏ3 １０〜２０％未満 ＣａＯ ０．５〜４％ ＳｒＯ ０．５〜４％ ＢａＯ ０．５〜５％ ＺｒＯ2 ０〜５％ ＴｉＯ2 ８％を越え１２％まで Ｂi2Ｏ3 ０〜６％ Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％ Ａｓ2Ｏ3 ０〜１％ の範囲の各成分を含有することを特徴とする、請求項１
〜１０のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基
板。 - 【請求項１２】 該ガラスセラミックスは、Ｐ，Ｗ，Ｎ
ｂ，Ｌａ，Ｙ,Ｐｂから選択される任意の元素を酸化物
換算で３重量％まで、および／またはＣｕ，Ｃｏ，Ｆ
ｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｖから選択される任意の元素を
酸化物換算で２重量％まで含有することを特徴とする、
請求項１〜１１のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミ
ックス基板。 - 【請求項１３】 ガラス原料を溶融，成型および徐冷
後、結晶化熱処理条件として、核形成温度が６５０℃〜
７５０℃，核形成時間が１〜１２時間，結晶化温度が８
５０℃〜１０００℃，結晶化時間が１〜１２時間で熱処
理させ得られることを特徴とする、請求項１〜１２のい
ずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかに記載の高
剛性ガラスセラミックス基板上に、磁気記憶媒体被膜を
形成して成る情報磁気記憶媒体ディスク。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000133213A JP4680347B2 (ja) | 1999-06-01 | 2000-05-02 | 高剛性ガラスセラミックス基板 |
| US09/577,720 US6429160B1 (en) | 1999-06-01 | 2000-05-23 | High rigidity glass-ceramic substrate |
| EP00111163A EP1057794A1 (en) | 1999-06-01 | 2000-05-24 | High rigidity glass-ceramic substrate |
| MYPI20002412A MY124737A (en) | 1999-06-01 | 2000-05-30 | High rigidity glass-ceramic substrate. |
| CN00119224A CN1275542A (zh) | 1999-06-01 | 2000-06-01 | 高刚性玻璃陶瓷基片 |
| US09/947,960 US6503857B2 (en) | 1999-06-01 | 2001-09-06 | High rigidity glass-ceramic substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-154052 | 1999-06-01 | ||
| JP15405299 | 1999-06-01 | ||
| JP2000133213A JP4680347B2 (ja) | 1999-06-01 | 2000-05-02 | 高剛性ガラスセラミックス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001048581A true JP2001048581A (ja) | 2001-02-20 |
| JP4680347B2 JP4680347B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=26482478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000133213A Expired - Fee Related JP4680347B2 (ja) | 1999-06-01 | 2000-05-02 | 高剛性ガラスセラミックス基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6429160B1 (ja) |
| EP (1) | EP1057794A1 (ja) |
| JP (1) | JP4680347B2 (ja) |
| CN (1) | CN1275542A (ja) |
| MY (1) | MY124737A (ja) |
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- 2000-05-24 EP EP00111163A patent/EP1057794A1/en not_active Withdrawn
- 2000-05-30 MY MYPI20002412A patent/MY124737A/en unknown
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| KR20240052949A (ko) | 2021-09-13 | 2024-04-23 | 가부시키가이샤 오하라 | 결정화 유리 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6503857B2 (en) | 2003-01-07 |
| MY124737A (en) | 2006-07-31 |
| CN1275542A (zh) | 2000-12-06 |
| US20020032113A1 (en) | 2002-03-14 |
| EP1057794A1 (en) | 2000-12-06 |
| JP4680347B2 (ja) | 2011-05-11 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090827 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |