JP2001043697A - 半導体メモリ試験装置のデータ転送回路 - Google Patents

半導体メモリ試験装置のデータ転送回路

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JP2001043697A
JP2001043697A JP11212948A JP21294899A JP2001043697A JP 2001043697 A JP2001043697 A JP 2001043697A JP 11212948 A JP11212948 A JP 11212948A JP 21294899 A JP21294899 A JP 21294899A JP 2001043697 A JP2001043697 A JP 2001043697A
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JP
Japan
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clock signal
data
serial data
data transfer
semiconductor memory
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JP11212948A
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English (en)
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Tadakazu Endo
忠和 遠藤
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 データ転送経路に用いるケーブル等の増大を
最小限に抑えることのできる、半導体メモリ試験装置の
データ転送回路を提供する。 【解決手段】 半導体メモリ試験装置のデータ転送回路
の送信側ブロックに、クロック信号CLKに同期する第
1のシリアルデータを出力する第1の出力手段FFAと
第2のシリアルデータを出力する第2の出力手段FFB
と、第2のシリアルデータを反転クロック信号CLKA
に同期する第3のシリアルデータに変換する第3の出力
手段FFCと、クロック信号の論理値に基づいて第1の
シリアルデータまたは第3のシリアルデータのいずれか
を送信するセレクタSELとを設け、受信側ブロック
に、送信されたデータをクロック信号に同期して受信す
る第1の受信手段FFDと、反転クロック信号CLKB
に同期して受信する第2の受信手段FFEとを設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリ試験
装置において、試験メモリデバイスのアドレス等の多ビ
ット化に伴い、半導体メモリ試験装置内のデータ転送経
路、ケーブル等の増大を最小限に抑えることができる半
導体メモリ試験装置のデータ転送回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術による半導体メモリ試験装置の
データ転送回路の構成を図3を参照して説明する。送信
側ブロックであるAブロックにおいて、データA1を、
フリップフロップFFAで、クロック信号CLKの立ち
上がりに同期して受信し、このFFAは、データ転送区
間に信号Aを出力する。同様に、データB1を、FFB
で、CLKの立ち上がりに同期して受信し、このFFB
は、データ転送区間に信号Bを出力する。
【0003】受信側ブロックであるBブロックにおいて
は、フリップフロップFFDで、データ転送区間からの
信号Aを、クロック信号CLKの立ち上がりに同期して
受信し、このFFDは、データA2を出力する。同様
に、FFEで、データ転送区間からの信号Bを、CLK
の立ち上がりに同期して受信し、このFFEは、データ
B2を出力する。すなわち、データ転送区間には、信号
Aと信号Bの転送のために、2本のデータ転送ラインが
設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術による
データ転送回路には、信号Aと信号Bの転送のために、
それぞれ専用のデータ転送ラインが設けられているの
で、メモリデバイスのピン数、ビット数が増加するのに
比例し、データ転送ラインのためのケーブル等も増大し
ていくという問題がある。
【0005】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたもので、データ転送ラインを増大させてしまうこ
とがない半導体メモリ試験装置のデータ転送回路を提供
するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、送信側ブロックから受信側ブロックへ、クロック信
号に同期するシリアルデータを転送する半導体メモリ試
験装置のデータ転送回路において、前記送信側ブロック
は、前記クロック信号に同期する第1のシリアルデータ
を出力する第1の出力手段と、前記クロック信号に同期
する第2のシリアルデータを出力する第2の出力手段
と、前記クロック信号の論理を反転させ、反転クロック
信号を出力する第1の反転手段と、前記第2のシリアル
データを、前記反転クロック信号に同期する第3のシリ
アルデータに変換して出力する第3の出力手段と、前記
クロック信号の論理値に基づいて、前記第1のシリアル
データまたは前記第3のシリアルデータのいずれかを送
信データとして選択するセレクタとを有し、前記受信側
ブロックは、送信されてきたデータを前記クロック信号
に同期して受信する第1の受信手段と、前記クロック信
号の論理を反転させ、反転クロック信号を出力する第2
の反転手段と、送信されてきたデータを前記反転クロッ
ク信号に同期して受信する第2の受信手段とを有するこ
とを特徴とする半導体メモリ試験装置のデータ転送回路
である。
【0007】請求項2に記載の発明は、前記第1の出力
手段、第2の出力手段、第3の出力手段は、それぞれフ
リップフロップで構成され、前記第1の反転手段は、イ
ンバータと遅延回路とで構成されていることを特徴とす
る請求項1に記載の半導体メモリ試験装置のデータ転送
回路である。
【0008】請求項3に記載の発明は、前記第1の受信
手段、第2の反転手段は、それぞれフリップフロップで
構成され、前記第2の反転手段は、インバータと遅延回
路とで構成されていることを特徴とする請求項1に記載
の半導体メモリ試験装置のデータ転送回路である。
【0009】本発明によれば、送信側ブロックの第1の
出力手段から出力された第1のシリアルデータがセレク
タに入力され、第2の出力手段から出力された第2のシ
リアルデータが、第3の出力手段によって第3のシリア
ルデータに変換され、この第3のシリアルデータもまた
セレクタに入力される。
【0010】そして、このセレクタにて、クロック信号
の論理値に基づいて、第1のシリアルデータまたは第3
のシリアルデータのいずれかが選択され、選択されたシ
リアルデータが受信側ブロックに転送される。
【0011】受信側ブロックでは、転送されてきたシリ
アルデータを第1の受信手段および第2の受信手段で受
信し、1本のデータ転送ラインで転送されてきたシリア
ルデータを2本のデータに分割する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態である半導体
メモリ試験装置のデータ転送回路の構成を図1を参照し
て説明する。データ転送回路の送信側ブロックであるA
ブロックは、フリップフロップFFA、FFB、FF
C、セレクタSEL、インバータNA、ディレイ回路D
LAを含む。
【0013】フリップフロップFFAは、データA1を
入力し、信号Aを出力する。フリップフロップFFB
は、データB1を入力し、信号Bを出力する。この信号
Bは、フリップフロップFFCに入力され、このフリッ
プフロップFFCは、信号Cを出力する。
【0014】前記フリップフロップFFA、FFBのク
ロック入力端子には、クロック信号CLKが入力されて
いる。クロック信号CLKは、インバータNAにも入力
されている。インバータNAの出力はディレイ回路DL
Aに入力され、このディレイ回路DLAの出力は、前記
フリップフロップFFCのクロック入力端子に入力され
ている。
【0015】前記信号Aおよび信号Cは、セレクタSE
Lに入力されている。セレクタSELの制御端子Sに
は、前記クロック信号CLKが入力されている。セレク
タSELの出力は、Aブロックのデータ送信端子D1に
接続されている。また、前記クロック信号CLKは、A
ブロックのクロック送信端子C1に接続されている。
【0016】送信側ブロックであるAブロックと、受信
側ブロックであるBブロックとは、1本のデータ転送ラ
インDTと、1本のクロック転送ラインCTとで接続さ
れている。すなわち、データ転送ラインDTは、Aブロ
ックのデータ送信端子D1と、Bブロックのデータ受信
端子D2とを接続し、クロック転送ラインCTは、Aブ
ロックのクロック送信端子C1と、Bブロックのクロッ
ク受信端子C2とを接続している。
【0017】受信側ブロックであるBブロックは、フリ
ップフロップFFD、FFE、インバータNB、ディレ
イ回路DLBを含む。データ受信端子D2は、フリップ
フロップFFDおよびFFEの入力に接続されている。
クロック受信端子C2は、フリップフロップFFDのク
ロック入力端子、およびインバータNBの入力端子に接
続されている。インバータNBの出力は、ディレイ回路
DLBに入力され、このディレイ回路DLBの出力は、
前記フリップフロップFFEのクロック入力端子に入力
されている。フリップフロップFFD、FFEからは、
それぞれデータA2、B2が出力されている。
【0018】次に、本実施形態の動作を図2のタイミン
グチャートを参照して説明する。フリップフロップFF
Aは、入力されたデータA1を、クロック信号CLKの
立ち上がりのタイミングで、信号Aとして出力する。ま
た、フリップフロップFFBは、入力されたデータB1
を、クロック信号CLKの立ち上がりのタイミングで、
信号Bとして出力する。
【0019】インバータNAは、入力されたクロック信
号CLKを反転して出力し、この出力がディレイ回路D
LAに入力される。ディレイ回路DLAは、入力された
信号を遅らせた波形CLKAを出力し、この出力は、フ
リップフロップFFCのクロック入力端子に入力され
る。
【0020】フリップフロップFFCは、上記CLKA
の立ち上がりのタイミングで、入力された信号Bを、信
号Cとして出力する。
【0021】セレクタSELは、前記信号Aおよび信号
Cを入力し、このセレクタSELの制御端子Sが0(L
レベル)のとき、信号Aを選択して出力し、制御端子S
が1(Hレベル)のとき、信号Cを選択して出力し、こ
の出力が信号Dとなる。
【0022】制御端子Sにはクロック信号CLKが入力
されているので、結局、前記信号Dは、CLKが0のと
きにはデータA1となり、CLKが1のときにはデータ
B1となる。信号Dは、データ転送ラインDTを経由し
て、受信側ブロックであるBブロックに送信される。ま
た、クロック信号CLKも、クロック転送ラインCTを
経由してBブロックに送信される。
【0023】Bブロックでは、送信されてきた信号D
が、フリップフロップFFDおよびFFEに入力され
る。フリップフロップFFDは、入力された信号Dを、
FFDのクロック入力端子に入力されているクロック信
号CLKの立ち上がりのタイミングで、データA2とし
て出力する。
【0024】クロック信号CLKは、インバータNBに
も入力され、このインバータNBは、入力されたクロッ
ク信号CLKを反転して出力し、この出力がディレイ回
路DLBに入力される。ディレイ回路DLBは、入力さ
れた信号を遅らせた波形CLKBを出力し、この出力
は、フリップフロップFFEのクロック入力端子に入力
される。
【0025】フリップフロップFFEは、上記CLKB
の立ち上がりのタイミングで、入力された信号Dを、デ
ータB2として出力する。
【0026】以上の動作によって、Aブロックにおける
データA1とデータB1との2系統のデータが、1本の
データ転送ラインDTを経由してBブロックに転送さ
れ、Bブロックにおいて、再びデータA2とデータB2
との2系統の信号に戻される。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、半導体メモリ試験装置
内でのデータ転送経路に用いるケーブル等の本数を半減
させることができるので、メモリデバイスのアドレス等
のビット数やピン数等が増えても、半導体メモリ試験装
置内でのデータ転送経路に用いるケーブル等の本数を極
端に増大させてしまうことがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態である半導体メモリ試験
装置のデータ転送回路の構成図である。
【図2】 本発明の一実施形態である半導体メモリ試験
装置のデータ転送回路の動作を示すタイミングチャート
である。
【図3】 従来技術による半導体メモリ試験装置のデー
タ転送回路の構成図である。
【符号の説明】
FFA フリップフロップ(第1の出力手段) FFB フリップフロップ(第2の出力手段) FFC フリップフロップ(第3の出力手段) FFD フリップフロップ(第1の受信手段) FFE フリップフロップ(第2の受信手段) DLA、DLB ディレイ回路 NA、NB
インバータ SEL セレクタ D1 データ
送信端子 D2 データ受信端子 DT データ
転送ライン C1 クロック送信端子 C2 クロッ
ク受信端子 CT クロック転送ライン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 送信側ブロックから受信側ブロックへ、
    クロック信号に同期するシリアルデータを転送する半導
    体メモリ試験装置のデータ転送回路において、 前記送信側ブロックは、 前記クロック信号に同期する第1のシリアルデータを出
    力する第1の出力手段と、 前記クロック信号に同期する第2のシリアルデータを出
    力する第2の出力手段と、 前記クロック信号の論理を反転させ、反転クロック信号
    を出力する第1の反転手段と、 前記第2のシリアルデータを、前記反転クロック信号に
    同期する第3のシリアルデータに変換して出力する第3
    の出力手段と、 前記クロック信号の論理値に基づいて、前記第1のシリ
    アルデータまたは前記第3のシリアルデータのいずれか
    を送信データとして選択するセレクタとを有し、 前記受信側ブロックは、 送信されてきたデータを前記クロック信号に同期して受
    信する第1の受信手段と、 前記クロック信号の論理を反転させ、反転クロック信号
    を出力する第2の反転手段と、 送信されてきたデータを前記反転クロック信号に同期し
    て受信する第2の受信手段とを有することを特徴とする
    半導体メモリ試験装置のデータ転送回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の出力手段、第2の出力手段、
    第3の出力手段は、それぞれフリップフロップで構成さ
    れ、 前記第1の反転手段は、インバータと遅延回路とで構成
    されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体メ
    モリ試験装置のデータ転送回路。
  3. 【請求項3】 前記第1の受信手段、第2の反転手段
    は、それぞれフリップフロップで構成され、 前記第2の反転手段は、インバータと遅延回路とで構成
    されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体メ
    モリ試験装置のデータ転送回路。
JP11212948A 1999-07-27 1999-07-27 半導体メモリ試験装置のデータ転送回路 Withdrawn JP2001043697A (ja)

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