JP2001035741A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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- JP2001035741A JP2001035741A JP11207459A JP20745999A JP2001035741A JP 2001035741 A JP2001035741 A JP 2001035741A JP 11207459 A JP11207459 A JP 11207459A JP 20745999 A JP20745999 A JP 20745999A JP 2001035741 A JP2001035741 A JP 2001035741A
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- Insulating Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として使用し
ながらも、Ａｇの拡散による誘電特性のバラツキが極め
て少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、
内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のない
誘電体磁器を用いた電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 Ａｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ
−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物に対してＡ
ｇを０．３〜１．５重量％の範囲となるように添加した
グリーンシートを用い、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体
として積層して所定の形状に成形し、その後、内部導体
の融点以下の温度で焼成する。
ながらも、Ａｇの拡散による誘電特性のバラツキが極め
て少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、
内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のない
誘電体磁器を用いた電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 Ａｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ
−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物に対してＡ
ｇを０．３〜１．５重量％の範囲となるように添加した
グリーンシートを用い、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体
として積層して所定の形状に成形し、その後、内部導体
の融点以下の温度で焼成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器を用いた
電子部品、特にＡｇまたはＡｇを主成分とする合金を内
部導体とした電子部品の製造方法に関する。
電子部品、特にＡｇまたはＡｇを主成分とする合金を内
部導体とした電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話、携帯電話等の移動体
通信分野の成長が著しい。これら移動体通信では、数１
００ＭＨｚ〜数ＧＨｚのいわゆる準マイクロ波と呼ばれ
る高周波帯が使用される。そのため、移動体通信機器に
用いられる共振器、フィルター、コンデンサー等の電子
デバイスにおいても高周波特性が重視される。また、近
年の移動体通信の普及に関しては、サービスの向上の他
に通信機器の小型化および低価格化が重要な因子となっ
ている。そのため、上記の電子デバイスに関しても小型
化・低価格化が要求されている。
通信分野の成長が著しい。これら移動体通信では、数１
００ＭＨｚ〜数ＧＨｚのいわゆる準マイクロ波と呼ばれ
る高周波帯が使用される。そのため、移動体通信機器に
用いられる共振器、フィルター、コンデンサー等の電子
デバイスにおいても高周波特性が重視される。また、近
年の移動体通信の普及に関しては、サービスの向上の他
に通信機器の小型化および低価格化が重要な因子となっ
ている。そのため、上記の電子デバイスに関しても小型
化・低価格化が要求されている。
【０００３】例えば、共振器用材料では高周波特性の向
上と小型化を達成するために、使用周波数において以下
の（１）〜（４）のような特性が要求される。 （１）比誘電率が大きいこと：マイクロ波付近で使用さ
れる共振器は、誘電体中において波長が誘電率の平方根
の逆数に比例して短縮されることを利用する場合が多
く、そのため共振器の長さは誘電率の平方根の逆数に比
例して短くできる。 （２）Ｑが大きいこと：マイクロ波材料では、誘電損失
の評価としてＱ＝１／ｔａｎδで定義されるＱを用い、
このＱが大きいことは損失が小さいことを表す。 （３）誘電率の温度変化が小さいこと：共振器やフィル
ター等の共振周波数の温度変化を極力抑えるため、誘電
率の温度変化は小さいことが望ましい。 （４）低温燒結が可能であること：電子デバイスの小型
化を実現するために、内部に導体電極を内蔵した表面実
装型の部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）が主流と
なりつつあるが、その場合、電子デバイスの損失特性を
向上させるために、内部導体電極としては低抵抗である
ＡｇもしくはＣｕを用いることが望ましい。しかし、Ａ
ｇやＣｕは融点が低く、使用される誘電体磁器組成物と
しては、これらの融点以下の温度で燒結が可能であるこ
とが要求される。この同時燒結の問題は、ＡｇやＣｕ等
を内部導体電極とした温度補償用コンデンサー材料とす
るときにも同様に指摘される。
上と小型化を達成するために、使用周波数において以下
の（１）〜（４）のような特性が要求される。 （１）比誘電率が大きいこと：マイクロ波付近で使用さ
れる共振器は、誘電体中において波長が誘電率の平方根
の逆数に比例して短縮されることを利用する場合が多
く、そのため共振器の長さは誘電率の平方根の逆数に比
例して短くできる。 （２）Ｑが大きいこと：マイクロ波材料では、誘電損失
の評価としてＱ＝１／ｔａｎδで定義されるＱを用い、
このＱが大きいことは損失が小さいことを表す。 （３）誘電率の温度変化が小さいこと：共振器やフィル
ター等の共振周波数の温度変化を極力抑えるため、誘電
率の温度変化は小さいことが望ましい。 （４）低温燒結が可能であること：電子デバイスの小型
化を実現するために、内部に導体電極を内蔵した表面実
装型の部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）が主流と
なりつつあるが、その場合、電子デバイスの損失特性を
向上させるために、内部導体電極としては低抵抗である
ＡｇもしくはＣｕを用いることが望ましい。しかし、Ａ
ｇやＣｕは融点が低く、使用される誘電体磁器組成物と
しては、これらの融点以下の温度で燒結が可能であるこ
とが要求される。この同時燒結の問題は、ＡｇやＣｕ等
を内部導体電極とした温度補償用コンデンサー材料とす
るときにも同様に指摘される。
【０００４】従来、マイクロ波用誘電体磁器の材料とし
ては、ＢａＯ−４ＴｉＯ2系、ＢａＯ−希土類酸化物−
ＴｉＯ2系等の組成系がよく知られている。特に、Ｂａ
Ｏ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系は、誘電率およびＱ値が高い
ことから広範な研究がなされている。近年では、この組
成系での低温燒結化も行なわれており、特許第２６１３
７２２号（主成分仮焼の後に所定粒径まで粉砕を行い、
これに副成分を添加するもの）；特許第２７８１５００
号、特許第２７８１５０１号、特許第２７８１５０２
号、特許第２７８１５０３号、特許第２７８６９７７号
（これらは、副成分としてガラスを使用する）；特開平
５−２３４４２０号公報、特開平６−２１１５６４号公
報、特開平６−２２３６２５号公報、特開平７−６９７
１９号公報、特開平８−５５５１８号公報、特開平８−
５５５１９号公報、特開平８−１６７３２２号公報、特
開平８−１６７３２３号公報、特開平８−１６７３２４
号公報、特開平８−２０８３２８号公報、特開平８−２
０８３２９号公報（これらは、副成分としてガラスを含
有する）；特開平３−２９０３５９号公報、特開平３−
２９５８５４号公報、特開平３−２９５８５５号公報、
特開平３−２９５８５６号公報、特開平６−１１６０２
３号公報、特開平６−１５０７１９号公報、特開平６−
１６２８２２号公報、特開平８−５５５１８号公報、特
開平８−１６７３２２号公報、特開平８−１６７３２３
号公報、特開平８−１６７３２４号公報、特開平８−２
０８３２８号公報、特開平８−２０８３２９号公報、特
開平８−２４５２６２号公報（これらは、副成分として
Ｇｅ酸化物を含有する）；その他、特開昭６１−５６４
０７号公報、特開平２−４４６０９号公報、特開平５−
９７５０８号公報、特開平６−１１６０２３号公報、特
開平８−１５７２５７号公報、特開平８−２７７１６１
号公報等に記載されている。
ては、ＢａＯ−４ＴｉＯ2系、ＢａＯ−希土類酸化物−
ＴｉＯ2系等の組成系がよく知られている。特に、Ｂａ
Ｏ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系は、誘電率およびＱ値が高い
ことから広範な研究がなされている。近年では、この組
成系での低温燒結化も行なわれており、特許第２６１３
７２２号（主成分仮焼の後に所定粒径まで粉砕を行い、
これに副成分を添加するもの）；特許第２７８１５００
号、特許第２７８１５０１号、特許第２７８１５０２
号、特許第２７８１５０３号、特許第２７８６９７７号
（これらは、副成分としてガラスを使用する）；特開平
５−２３４４２０号公報、特開平６−２１１５６４号公
報、特開平６−２２３６２５号公報、特開平７−６９７
１９号公報、特開平８−５５５１８号公報、特開平８−
５５５１９号公報、特開平８−１６７３２２号公報、特
開平８−１６７３２３号公報、特開平８−１６７３２４
号公報、特開平８−２０８３２８号公報、特開平８−２
０８３２９号公報（これらは、副成分としてガラスを含
有する）；特開平３−２９０３５９号公報、特開平３−
２９５８５４号公報、特開平３−２９５８５５号公報、
特開平３−２９５８５６号公報、特開平６−１１６０２
３号公報、特開平６−１５０７１９号公報、特開平６−
１６２８２２号公報、特開平８−５５５１８号公報、特
開平８−１６７３２２号公報、特開平８−１６７３２３
号公報、特開平８−１６７３２４号公報、特開平８−２
０８３２８号公報、特開平８−２０８３２９号公報、特
開平８−２４５２６２号公報（これらは、副成分として
Ｇｅ酸化物を含有する）；その他、特開昭６１−５６４
０７号公報、特開平２−４４６０９号公報、特開平５−
９７５０８号公報、特開平６−１１６０２３号公報、特
開平８−１５７２５７号公報、特開平８−２７７１６１
号公報等に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ＢａＯ
−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物は、誘電率
およびＱが高く、誘電率の温度係数が小さい誘電体磁器
を可能とすることから、マイクロ波用誘電体磁器の材料
として利用されている。特に、近年においてＢａＯ−Ｎ
ｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系での低温焼結化が実現されるように
なった。
−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物は、誘電率
およびＱが高く、誘電率の温度係数が小さい誘電体磁器
を可能とすることから、マイクロ波用誘電体磁器の材料
として利用されている。特に、近年においてＢａＯ−Ｎ
ｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系での低温焼結化が実現されるように
なった。
【０００６】しかし、従来の誘電体磁器組成物は、Ａｇ
を内部導体として焼成した場合、内部導体のＡｇが誘電
体中に拡散する。このＡｇの拡散は、Ａｇの濃度勾配に
より発生するため、誘電体内部におけるＡｇの濃度は均
一ではなく、例えば、Ａｇ導体周辺ではＡｇ濃度が高
く、Ａｇ導体から離れた部位ではＡｇ濃度が低いといっ
た濃度分布が生じる。このようにＡｇが誘電体内に拡散
した場合、その濃度によって誘電特性が変化するため、
Ａｇを内部導体とした誘電体磁器においては、部位によ
って異なる誘電特性をもつことになり、所望のデバイス
特性が得られず、デバイス特性のバラツキを生じる等の
不具合の要因となる。また、上記のＡｇの誘電体内への
拡散により、内部導体のＡｇ量が減少し、これによって
も、所望のデバイス特性が得られず、デバイス特性にバ
ラツキを生じることになる。
を内部導体として焼成した場合、内部導体のＡｇが誘電
体中に拡散する。このＡｇの拡散は、Ａｇの濃度勾配に
より発生するため、誘電体内部におけるＡｇの濃度は均
一ではなく、例えば、Ａｇ導体周辺ではＡｇ濃度が高
く、Ａｇ導体から離れた部位ではＡｇ濃度が低いといっ
た濃度分布が生じる。このようにＡｇが誘電体内に拡散
した場合、その濃度によって誘電特性が変化するため、
Ａｇを内部導体とした誘電体磁器においては、部位によ
って異なる誘電特性をもつことになり、所望のデバイス
特性が得られず、デバイス特性のバラツキを生じる等の
不具合の要因となる。また、上記のＡｇの誘電体内への
拡散により、内部導体のＡｇ量が減少し、これによって
も、所望のデバイス特性が得られず、デバイス特性にバ
ラツキを生じることになる。
【０００７】さらに、内部導体から誘電体内へのＡｇの
拡散量が多い場合、内部導体と誘電体との間に隙間が生
じたり、外部との接続のための導体部分に引き込みが発
生し、導通不良等の不具合の原因となる。特に近年にお
いて高周波部品の小型化が急速に進行しており、これに
伴い内部導体のファインパターン化と薄層化も進んでい
るため、上記の内部導体と誘電体素地との間の隙間や、
内部導体の外部接続部分における引き込みによる不具合
は大きな問題となっている。
拡散量が多い場合、内部導体と誘電体との間に隙間が生
じたり、外部との接続のための導体部分に引き込みが発
生し、導通不良等の不具合の原因となる。特に近年にお
いて高周波部品の小型化が急速に進行しており、これに
伴い内部導体のファインパターン化と薄層化も進んでい
るため、上記の内部導体と誘電体素地との間の隙間や、
内部導体の外部接続部分における引き込みによる不具合
は大きな問題となっている。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として使
用しても、Ａｇの拡散による誘電特性のバラツキが極め
て少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、
内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のない
誘電体磁器を用いた電子部品を製造するための方法を提
供することを目的とする。
たものであり、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として使
用しても、Ａｇの拡散による誘電特性のバラツキが極め
て少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、
内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のない
誘電体磁器を用いた電子部品を製造するための方法を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の電子部品の製造方法は、Ａｇの融点
以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の
誘電体磁器組成物に対してＡｇを０．３〜１．５重量％
の範囲となるように添加したグリーンシートを用い、Ａ
ｇまたはＡｇ合金を内部導体として積層して所定の形状
に成形し、前記内部導体の融点以下の温度で焼成した誘
電体磁器を用いるような構成とした。
るために、本発明の電子部品の製造方法は、Ａｇの融点
以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の
誘電体磁器組成物に対してＡｇを０．３〜１．５重量％
の範囲となるように添加したグリーンシートを用い、Ａ
ｇまたはＡｇ合金を内部導体として積層して所定の形状
に成形し、前記内部導体の融点以下の温度で焼成した誘
電体磁器を用いるような構成とした。
【００１０】そして、前記ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2
系の誘電体磁器組成物を、主成分が一般式ｘＢａＯ・ｙ
Ｎｄ2Ｏ3・ｚＴｉＯ2（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦
ｙ≦３０、６４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係
を有する）で表され、該主成分に対して副成分としてＣ
ｕ酸化物がＣｕＯ換算で０．１〜３．０重量％、Ｚｎ酸
化物がＺｎＯ換算で０．１〜４．０重量％、Ｂ酸化物が
Ｂ2Ｏ3換算で０．１〜３．０重量％の範囲で含有される
ものであるような構成とした。
系の誘電体磁器組成物を、主成分が一般式ｘＢａＯ・ｙ
Ｎｄ2Ｏ3・ｚＴｉＯ2（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦
ｙ≦３０、６４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係
を有する）で表され、該主成分に対して副成分としてＣ
ｕ酸化物がＣｕＯ換算で０．１〜３．０重量％、Ｚｎ酸
化物がＺｎＯ換算で０．１〜４．０重量％、Ｂ酸化物が
Ｂ2Ｏ3換算で０．１〜３．０重量％の範囲で含有される
ものであるような構成とした。
【００１１】あるいは、前記ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ
2系の誘電体磁器組成物を、主成分が一般式ｘＢａＯ・
ｙＮｄ2Ｏ3・ｚＴｉＯ2（ただし、６≦ｘ≦２３、１３
≦ｙ≦３０、６４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関
係を有する）で表され、該主成分に対して副成分として
Ｃｕ酸化物がＣｕＯ換算で０．１〜３．０重量％、ガラ
ス組成物が２．０〜１０重量％の範囲で含有されるもの
であり、前記ガラス組成物が以下の組成の範囲にあるよ
うな構成とした。 ５重量％≦ＳｉＯ2≦１５重量％ １５重量％≦Ｂ2Ｏ3≦２５重量％ ５０重量％≦（ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋Ｃａ
Ｏ）≦８０重量％ ９０重量％≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋Ｓ
ｒＯ＋ＺｎＯ+ＣａＯ）≦１００重量％
2系の誘電体磁器組成物を、主成分が一般式ｘＢａＯ・
ｙＮｄ2Ｏ3・ｚＴｉＯ2（ただし、６≦ｘ≦２３、１３
≦ｙ≦３０、６４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関
係を有する）で表され、該主成分に対して副成分として
Ｃｕ酸化物がＣｕＯ換算で０．１〜３．０重量％、ガラ
ス組成物が２．０〜１０重量％の範囲で含有されるもの
であり、前記ガラス組成物が以下の組成の範囲にあるよ
うな構成とした。 ５重量％≦ＳｉＯ2≦１５重量％ １５重量％≦Ｂ2Ｏ3≦２５重量％ ５０重量％≦（ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋Ｃａ
Ｏ）≦８０重量％ ９０重量％≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋Ｓ
ｒＯ＋ＺｎＯ+ＣａＯ）≦１００重量％
【００１２】このような本発明では、Ａｇの融点以下で
の燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体
磁器組成物に副成分として所定の含有量で添加されたＡ
ｇが、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として焼成した場
合のＡｇの誘電体内への拡散を抑制する作用をなす。
の燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体
磁器組成物に副成分として所定の含有量で添加されたＡ
ｇが、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として焼成した場
合のＡｇの誘電体内への拡散を抑制する作用をなす。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１４】本発明の電子部品の製造方法は、Ａｇの融
点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系
の誘電体磁器組成物に対してＡｇを０．３〜１．５重量
％の範囲となるように添加したグリーンシートを用い
て、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として所定の形状に
成形し、この内部導体の融点以下の温度で燒結した誘電
体磁器を用いるものである。
点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系
の誘電体磁器組成物に対してＡｇを０．３〜１．５重量
％の範囲となるように添加したグリーンシートを用い
て、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として所定の形状に
成形し、この内部導体の融点以下の温度で燒結した誘電
体磁器を用いるものである。
【００１５】本発明において、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−Ｔｉ
Ｏ2系の誘電体磁器組成物にＡｇを含有させるのは、内
部導体としてＡｇまたはＡｇ合金を使用して焼成する際
に、内部導体から誘電体素地中へのＡｇの拡散を抑制す
るためである。このようなＡｇの含有量がＢａＯ−Ｎｄ
2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物に対して０．３重
量％未満であると、上記のＡｇ拡散の抑制が不十分とな
り、Ａｇ拡散による不具合、例えば、誘電体内のＡｇ含
有量の不均一化による誘電率のバラツキ発生、内部導体
のＡｇ量低減による導体と誘電体素地との間での空隙発
生、外部との接続部分における内部導体の引き込みよる
導通不良等を起こすことになる。また、Ａｇの含有量が
増大するにつれて誘電率が大きくなる傾向にあるが、Ａ
ｇの含有量がＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁
器組成物に対して１．５重量％を超えると、誘電体中で
のＡｇ拡散の許容取り込み量を超えてしまい、誘電体素
地中においてＡｇの偏析を生じるようになり、電圧負荷
寿命等の信頼性に悪影響を及ぼすことになり好ましくな
い。
Ｏ2系の誘電体磁器組成物にＡｇを含有させるのは、内
部導体としてＡｇまたはＡｇ合金を使用して焼成する際
に、内部導体から誘電体素地中へのＡｇの拡散を抑制す
るためである。このようなＡｇの含有量がＢａＯ−Ｎｄ
2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物に対して０．３重
量％未満であると、上記のＡｇ拡散の抑制が不十分とな
り、Ａｇ拡散による不具合、例えば、誘電体内のＡｇ含
有量の不均一化による誘電率のバラツキ発生、内部導体
のＡｇ量低減による導体と誘電体素地との間での空隙発
生、外部との接続部分における内部導体の引き込みよる
導通不良等を起こすことになる。また、Ａｇの含有量が
増大するにつれて誘電率が大きくなる傾向にあるが、Ａ
ｇの含有量がＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁
器組成物に対して１．５重量％を超えると、誘電体中で
のＡｇ拡散の許容取り込み量を超えてしまい、誘電体素
地中においてＡｇの偏析を生じるようになり、電圧負荷
寿命等の信頼性に悪影響を及ぼすことになり好ましくな
い。
【００１６】本発明の電子部品の製造方法では、まず、
Ａｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−Ｔ
ｉＯ2系の誘電体磁器組成物を準備する。この誘電体磁
器組成物に所定量のＡｇと、ポリビニルアルコール系、
アクリル系、エチルセルロース系のような有機バインダ
ーと、可塑剤およびトルエン、エタノール等の有機溶剤
をボールミル等により混合して誘電体スラリーを得る。
次に、この誘電体スラリーを用いてシート法や印刷法等
の湿式成型により誘電体グリーンシートを得る。上記の
Ａｇは、金属Ａｇである必要はなく、例えば、ＡｇＮＯ
3、Ａｇ2ＯおよびＡｇＣｌのように熱処理により金属Ａ
ｇとなるものを使用することにより、金属Ａｇを使用し
た場合と同等の誘電体磁器を得ることができる。
Ａｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−Ｔ
ｉＯ2系の誘電体磁器組成物を準備する。この誘電体磁
器組成物に所定量のＡｇと、ポリビニルアルコール系、
アクリル系、エチルセルロース系のような有機バインダ
ーと、可塑剤およびトルエン、エタノール等の有機溶剤
をボールミル等により混合して誘電体スラリーを得る。
次に、この誘電体スラリーを用いてシート法や印刷法等
の湿式成型により誘電体グリーンシートを得る。上記の
Ａｇは、金属Ａｇである必要はなく、例えば、ＡｇＮＯ
3、Ａｇ2ＯおよびＡｇＣｌのように熱処理により金属Ａ
ｇとなるものを使用することにより、金属Ａｇを使用し
た場合と同等の誘電体磁器を得ることができる。
【００１７】その後、ＡｇまたはＡｇ合金の粉末を含有
するペーストをスクリーン印刷法等により上記の誘電体
グリーンシート上に印刷して内部導体パターンを形成
し、この印刷面上にさらに誘電体グリーンシートを重ね
て積層体とした後に焼成して燒結する。焼成は、例え
ば、空気中のような酸素雰囲気にて行うことが望まし
く、焼成温度はＡｇまたはＡｇ合金からなる内部導体の
融点以下、好ましくは８５０〜９５０℃の範囲で設定す
ることができ、焼成時間は０．１〜２４時間程度が好ま
しい。
するペーストをスクリーン印刷法等により上記の誘電体
グリーンシート上に印刷して内部導体パターンを形成
し、この印刷面上にさらに誘電体グリーンシートを重ね
て積層体とした後に焼成して燒結する。焼成は、例え
ば、空気中のような酸素雰囲気にて行うことが望まし
く、焼成温度はＡｇまたはＡｇ合金からなる内部導体の
融点以下、好ましくは８５０〜９５０℃の範囲で設定す
ることができ、焼成時間は０．１〜２４時間程度が好ま
しい。
【００１８】上述のような本発明の製造方法により製造
される電子部品は、誘電体磁器組成物に含有させたＡｇ
によって、ＡｇやＡｇ合金からなる内部導体からの誘電
体へのＡｇ拡散が抑制されて誘電特性の不均一性が防止
され、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部
導体の外部接続部位における引き込み発生が防止され
る。その結果、高周波用デバイスの諸特性の向上、小型
化、低コスト化が可能となる。
される電子部品は、誘電体磁器組成物に含有させたＡｇ
によって、ＡｇやＡｇ合金からなる内部導体からの誘電
体へのＡｇ拡散が抑制されて誘電特性の不均一性が防止
され、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部
導体の外部接続部位における引き込み発生が防止され
る。その結果、高周波用デバイスの諸特性の向上、小型
化、低コスト化が可能となる。
【００１９】次に、本発明において用いるＢａＯ−Ｎｄ
2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物について説明す
る。
2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物について説明す
る。
【００２０】本発明では、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2
系の誘電体磁器組成物として、一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ
2Ｏ3・ｚＴｉＯ2で表される主成分に対して、副成分と
してＣｕ酸化物、Ｚｎ酸化物およびＢ酸化物を含有する
ものを使用することができる。
系の誘電体磁器組成物として、一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ
2Ｏ3・ｚＴｉＯ2で表される主成分に対して、副成分と
してＣｕ酸化物、Ｚｎ酸化物およびＢ酸化物を含有する
ものを使用することができる。
【００２１】上記の主成分は、ｘ、ｙ、ｚが下記の関係
を満足する組成である。 ６≦ｘ≦２３ １３≦ｙ≦３０ ６４≦ｚ≦６８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
を満足する組成である。 ６≦ｘ≦２３ １３≦ｙ≦３０ ６４≦ｚ≦６８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
【００２２】また、主成分に対して含有される各副成分
の含有量は、下記の範囲内で設定される。 Ｃｕ酸化物：ＣｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％ Ｚｎ酸化物：ＺｎＯ換算にて０．１〜４．０重量％ Ｂ酸化物 ：Ｂ2Ｏ3換算にて０．１〜３．０重量％
の含有量は、下記の範囲内で設定される。 Ｃｕ酸化物：ＣｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％ Ｚｎ酸化物：ＺｎＯ換算にて０．１〜４．０重量％ Ｂ酸化物 ：Ｂ2Ｏ3換算にて０．１〜３．０重量％
【００２３】上記のような主成分の組成範囲、副成分の
含有範囲は、使用するＢａＯ−Ｎｄ 2Ｏ3−ＴｉＯ2系の
誘電体磁器組成物をＡｇの融点以下での燒結が可能なも
のとし、かつ、所望の誘電特性を具備した誘電体磁器を
可能とするために設定されたものである。以下、これに
ついて説明する。
含有範囲は、使用するＢａＯ−Ｎｄ 2Ｏ3−ＴｉＯ2系の
誘電体磁器組成物をＡｇの融点以下での燒結が可能なも
のとし、かつ、所望の誘電特性を具備した誘電体磁器を
可能とするために設定されたものである。以下、これに
ついて説明する。
【００２４】誘電体磁器組成物の成分含有量は、低温
燒結性、比誘電率、誘電率の温度係数（以下、ＴＣ
Ｃで表す）、Ｑ（１／ｔａｎδ）特性の各評価項目に
おいて、以下のような判断に基づいて規定することがで
きる。
燒結性、比誘電率、誘電率の温度係数（以下、ＴＣ
Ｃで表す）、Ｑ（１／ｔａｎδ）特性の各評価項目に
おいて、以下のような判断に基づいて規定することがで
きる。
【００２５】低温燒結性 本発明では、Ａｇの融点以下での燒結が可能な誘電体磁
器組成物を使用することを前提としているので、９２０
℃での焼成後に燒結体密度が５．０ｇ／ｃｍ3以上のも
のを実用可能であると判断する。
器組成物を使用することを前提としているので、９２０
℃での焼成後に燒結体密度が５．０ｇ／ｃｍ3以上のも
のを実用可能であると判断する。
【００２６】比誘電率 例えば、本発明の電子部品の製造方法により高周波用の
誘電体共振器が製造された場合、共振器の長さは誘電率
の大きさに依存するので、共振器の小型化を図るために
は誘電率が大きい方が有利である。しかし、本発明にお
いて使用できる誘電体磁器組成物は、上記の誘電体共振
器の他にも、ＡｇまたはＡｇを主成分とした合金を内部
導体とする種々の電子デバイスに使用可能であることが
望ましく、好ましい誘電率の値は一概には決定できな
い。したがって、本発明では誘電率の値は特に考慮しな
いものとする。
誘電体共振器が製造された場合、共振器の長さは誘電率
の大きさに依存するので、共振器の小型化を図るために
は誘電率が大きい方が有利である。しかし、本発明にお
いて使用できる誘電体磁器組成物は、上記の誘電体共振
器の他にも、ＡｇまたはＡｇを主成分とした合金を内部
導体とする種々の電子デバイスに使用可能であることが
望ましく、好ましい誘電率の値は一概には決定できな
い。したがって、本発明では誘電率の値は特に考慮しな
いものとする。
【００２７】ＴＣＣ 本発明では、ＴＣＣ（ｐｐｍ／℃）は下記の式で算出さ
れる。 ＴＣＣ＝［（Ｃ85℃−Ｃ-25℃）／Ｃ25℃］×（１／１
１０℃）×１０6 ここで、ＴＣＣ：−２５℃〜８５℃の誘電率の温度係数 Ｃ85℃ ：８５℃でのキャパシタンス Ｃ-25℃ ：−２５℃でのキャパシタンス Ｃ25℃ ：２５℃でのキャパシタンス
れる。 ＴＣＣ＝［（Ｃ85℃−Ｃ-25℃）／Ｃ25℃］×（１／１
１０℃）×１０6 ここで、ＴＣＣ：−２５℃〜８５℃の誘電率の温度係数 Ｃ85℃ ：８５℃でのキャパシタンス Ｃ-25℃ ：−２５℃でのキャパシタンス Ｃ25℃ ：２５℃でのキャパシタンス
【００２８】例えば、誘電体共振器ではＴＣＣが±３０
ｐｐｍ／℃以内であることが好ましく、誘電体フィルタ
ではＴＣＣが±１００ｐｐｍ／℃以内であることが好ま
しく、さらに、温度補償用コンデンサーではＴＣＣは広
範な値をもつ方が利用領域が広くなる。そして、本発明
によってこのような誘電体共振器、誘電体フィルタ、温
度補償用コンデンサ等を製造可能とするためには、ＴＣ
Ｃの目標として０近傍が好ましいが、ＴＣＣの絶対値が
大きくても特に問題とはならない。
ｐｐｍ／℃以内であることが好ましく、誘電体フィルタ
ではＴＣＣが±１００ｐｐｍ／℃以内であることが好ま
しく、さらに、温度補償用コンデンサーではＴＣＣは広
範な値をもつ方が利用領域が広くなる。そして、本発明
によってこのような誘電体共振器、誘電体フィルタ、温
度補償用コンデンサ等を製造可能とするためには、ＴＣ
Ｃの目標として０近傍が好ましいが、ＴＣＣの絶対値が
大きくても特に問題とはならない。
【００２９】Ｑ特性 上述のように、Ｑ特性の低下は電子デバイスの損失が大
きくなることを意味するので、ある程度以上のＱ特性が
必要となる。そこで、本発明では、Ｑ特性の目標を１０
００以上とする。
きくなることを意味するので、ある程度以上のＱ特性が
必要となる。そこで、本発明では、Ｑ特性の目標を１０
００以上とする。
【００３０】上述のような誘電体磁器組成物の主成分組
成が上記の組成範囲から外れると、以下のような不具合
が生じる。
成が上記の組成範囲から外れると、以下のような不具合
が生じる。
【００３１】まず、ＢａＯの割合が６モル％未満である
と、誘電率が低下するとともに、低温燒結性も低下（９
２０℃での焼成後において燒結体密度が５．０ｇ／ｃｍ
3未満となる）する。低温燒結性の低下は、Ａｇまたは
Ａｇを主成分とする合金を内部導体とする誘電体磁器を
用いた電子部品の製造方法である本発明に対して致命的
であるため、低温燒結性の確保が可能な範囲にＢａＯ量
を限定した。また、ＢａＯが２３モル％を超えると、誘
電率が大きくなり低温燒結性が向上し、ＴＣＣが大きく
マイナス側にシフトするとともに、Ｑ特性が低下（１０
００未満）する。Ｑ特性の低下は、誘電体磁器の損失増
大を来すことになり好ましくないため、Ｑ特性の確保
（１０００以上）が可能な範囲にＢａＯ量を限定した。
と、誘電率が低下するとともに、低温燒結性も低下（９
２０℃での焼成後において燒結体密度が５．０ｇ／ｃｍ
3未満となる）する。低温燒結性の低下は、Ａｇまたは
Ａｇを主成分とする合金を内部導体とする誘電体磁器を
用いた電子部品の製造方法である本発明に対して致命的
であるため、低温燒結性の確保が可能な範囲にＢａＯ量
を限定した。また、ＢａＯが２３モル％を超えると、誘
電率が大きくなり低温燒結性が向上し、ＴＣＣが大きく
マイナス側にシフトするとともに、Ｑ特性が低下（１０
００未満）する。Ｑ特性の低下は、誘電体磁器の損失増
大を来すことになり好ましくないため、Ｑ特性の確保
（１０００以上）が可能な範囲にＢａＯ量を限定した。
【００３２】次に、Ｎｄ2Ｏ3の割合が１３モル％未満の
場合、誘電率が増加し、低温燒結性が向上するものの、
ＴＣＣおよびＱ特性の低下（１０００未満）が生じるの
で、Ｑ特性の確保が可能な範囲にＮｄ2Ｏ3量を限定し
た。一方、Ｎｄ2Ｏ3が３０モル％を超えると、誘電率が
低下するとともに、低温燒結性が低下（９２０℃での焼
成後において燒結体密度が５．０ｇ／ｃｍ3未満）する
ので好ましくない。
場合、誘電率が増加し、低温燒結性が向上するものの、
ＴＣＣおよびＱ特性の低下（１０００未満）が生じるの
で、Ｑ特性の確保が可能な範囲にＮｄ2Ｏ3量を限定し
た。一方、Ｎｄ2Ｏ3が３０モル％を超えると、誘電率が
低下するとともに、低温燒結性が低下（９２０℃での焼
成後において燒結体密度が５．０ｇ／ｃｍ3未満）する
ので好ましくない。
【００３３】また、ＴｉＯ2の割合が６４モル％未満の
場合、ＴＣＣがプラス側に大きくなるとともに、Ｑ特性
が悪化（１０００未満）するので好ましくない。一方、
ＴｉＯ2の割合が６８モル％を超えると、低温燒結性が
低下するとともに、ＴＣＣがマイナス側に大きくなる。
このため、低温燒結性の確保が可能な範囲にＴｉＯ2量
を限定した。
場合、ＴＣＣがプラス側に大きくなるとともに、Ｑ特性
が悪化（１０００未満）するので好ましくない。一方、
ＴｉＯ2の割合が６８モル％を超えると、低温燒結性が
低下するとともに、ＴＣＣがマイナス側に大きくなる。
このため、低温燒結性の確保が可能な範囲にＴｉＯ2量
を限定した。
【００３４】上述の誘電体磁器組成物における副成分組
成が上記の範囲から外れると、以下のような不具合が生
じる。
成が上記の範囲から外れると、以下のような不具合が生
じる。
【００３５】まず、Ｃｕ酸化物の割合が、主成分に対し
てＣｕＯ換算にて０．１重量％未満であると、Ｃｕ酸化
物による低温燒結効果が不充分なものとなる。また、
３．０重量％を超えると、Ｑ特性が低下（１０００未
満）して好ましくないとともに、温度に対して誘電率が
非直線的に変化するため、電子部品としては使用しにく
いものとなる。特に、Ｃｕ酸化物の割合は主成分に対し
てＣｕＯ換算にて０．５〜１．５重量％の範囲が好まし
い。
てＣｕＯ換算にて０．１重量％未満であると、Ｃｕ酸化
物による低温燒結効果が不充分なものとなる。また、
３．０重量％を超えると、Ｑ特性が低下（１０００未
満）して好ましくないとともに、温度に対して誘電率が
非直線的に変化するため、電子部品としては使用しにく
いものとなる。特に、Ｃｕ酸化物の割合は主成分に対し
てＣｕＯ換算にて０．５〜１．５重量％の範囲が好まし
い。
【００３６】また、Ｚｎ酸化物の割合が、主成分に対し
てＺｎＯ換算にて０．１重量％未満であると、Ｚｎ酸化
物による低温燒結効果が不充分なものとなり好ましくな
い。一方、４．０重量％を超えても、含有量の増加にし
たがって低温燒結性が向上するわけではなく、逆に低温
燒結性が低下するとともに、誘電率の低下、Ｑ特性の低
下等の誘電特性の劣化を引き起こすことになり好ましく
ない。
てＺｎＯ換算にて０．１重量％未満であると、Ｚｎ酸化
物による低温燒結効果が不充分なものとなり好ましくな
い。一方、４．０重量％を超えても、含有量の増加にし
たがって低温燒結性が向上するわけではなく、逆に低温
燒結性が低下するとともに、誘電率の低下、Ｑ特性の低
下等の誘電特性の劣化を引き起こすことになり好ましく
ない。
【００３７】さらに、Ｂ酸化物の割合が、主成分に対し
てＢ2Ｏ3換算にて０．１重量％未満であると、Ｂ酸化物
による低温燒結効果が不充分なものとなる。また、３．
０重量％を超えても、含有量の増加にしたがって低温燒
結性が向上するわけではなく、逆に低温燒結性が低下す
るとともに、誘電率の低下、Ｑ特性の低下等の誘電特性
の劣化を引き起こすことになり好ましくない。
てＢ2Ｏ3換算にて０．１重量％未満であると、Ｂ酸化物
による低温燒結効果が不充分なものとなる。また、３．
０重量％を超えても、含有量の増加にしたがって低温燒
結性が向上するわけではなく、逆に低温燒結性が低下す
るとともに、誘電率の低下、Ｑ特性の低下等の誘電特性
の劣化を引き起こすことになり好ましくない。
【００３８】本発明において使用するＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3
−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物の他の例として、一般
式ｘＢａＯ・ｙＮｄ2Ｏ3・ｚＴｉＯ2で表される主成分
に対して、副成分としてＣｕ酸化物、ガラス組成物を含
有するものを使用することができる。
−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物の他の例として、一般
式ｘＢａＯ・ｙＮｄ2Ｏ3・ｚＴｉＯ2で表される主成分
に対して、副成分としてＣｕ酸化物、ガラス組成物を含
有するものを使用することができる。
【００３９】上記の主成分は、ｘ、ｙ、ｚが下記の関係
を満足する組成である。 ６≦ｘ≦２３ １３≦ｙ≦３０ ６４≦ｚ≦６８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
を満足する組成である。 ６≦ｘ≦２３ １３≦ｙ≦３０ ６４≦ｚ≦６８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
【００４０】また、主成分に対して含有される各副成分
の含有量は、下記の範囲内で設定される。 Ｃｕ酸化物 ：ＣｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％、
好ましくは０．５〜１．５重量％ ガラス組成物：２．０〜１０重量％、好ましくは３．０
〜６．０重量％
の含有量は、下記の範囲内で設定される。 Ｃｕ酸化物 ：ＣｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％、
好ましくは０．５〜１．５重量％ ガラス組成物：２．０〜１０重量％、好ましくは３．０
〜６．０重量％
【００４１】ただし、上記のガラス組成物の組成が以下
の範囲にあるような構成とした。 ５重量％≦ＳｉＯ2≦１５重量％ １５重量％≦Ｂ2Ｏ3≦２５重量％ ５０重量％≦（ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋Ｃａ
Ｏ）≦８０重量％（好ましくはＺｎＯ必須） ９０重量％≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋Ｓ
ｒＯ＋ＺｎＯ+ＣａＯ）≦１００重量％
の範囲にあるような構成とした。 ５重量％≦ＳｉＯ2≦１５重量％ １５重量％≦Ｂ2Ｏ3≦２５重量％ ５０重量％≦（ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋Ｃａ
Ｏ）≦８０重量％（好ましくはＺｎＯ必須） ９０重量％≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋Ｓ
ｒＯ＋ＺｎＯ+ＣａＯ）≦１００重量％
【００４２】より好ましいガラス組成物の組成範囲は以
下のものである。 ５重量％≦ＳｉＯ2≦１５重量％ １５重量％≦Ｂ2Ｏ3≦２５重量％ ５０重量％≦ＺｎＯ≦８０重量％ ９０重量％≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦１００重
量％
下のものである。 ５重量％≦ＳｉＯ2≦１５重量％ １５重量％≦Ｂ2Ｏ3≦２５重量％ ５０重量％≦ＺｎＯ≦８０重量％ ９０重量％≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦１００重
量％
【００４３】上記のような主成分の組成範囲、副成分の
含有範囲は、使用するＢａＯ−Ｎｄ 2Ｏ3−ＴｉＯ2系の
誘電体磁器組成物をＡｇの融点以下での燒結が可能なも
のとし、かつ、所望の誘電特性を具備した誘電体磁器の
製造を可能とするために設定されたものであり、上記の
各評価項目（〜）にしたがって、以下のような判断
に基づいて規定することができる。
含有範囲は、使用するＢａＯ−Ｎｄ 2Ｏ3−ＴｉＯ2系の
誘電体磁器組成物をＡｇの融点以下での燒結が可能なも
のとし、かつ、所望の誘電特性を具備した誘電体磁器の
製造を可能とするために設定されたものであり、上記の
各評価項目（〜）にしたがって、以下のような判断
に基づいて規定することができる。
【００４４】まず、主成分であるＢａＯ、Ｎｄ2Ｏ3、Ｔ
ｉＯ2、および、副成分であるＣｕ酸化物の各割合は、
上記例で示した誘電体磁器組成物と同じである。
ｉＯ2、および、副成分であるＣｕ酸化物の各割合は、
上記例で示した誘電体磁器組成物と同じである。
【００４５】副成分であるガラス組成物が、主成分に対
して２．０重量％未満の場合には、低温燒結効果が不充
分であり、１０重量％を超える場合には、誘電率が低下
するとともに、Ｑ特性も低下（１０００未満）するので
好ましくない。
して２．０重量％未満の場合には、低温燒結効果が不充
分であり、１０重量％を超える場合には、誘電率が低下
するとともに、Ｑ特性も低下（１０００未満）するので
好ましくない。
【００４６】また、ガラス組成物に関しては、ＳｉＯ2
とＢ2Ｏ3が必須成分であり、これにＭｇＯ、ＢａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＺｎＯおよびＣａＯの中から選択された副成分を
加えた合計が９０重量％以上であることが好ましく、特
に副成分としてＺｎＯがより好ましい。例えば、Ａｌ2
Ｏ3等のような上記の群以外の無機成分の含有量が１０
重量％を超えると、低温燒結効果が不充分なものとなり
好ましくない。
とＢ2Ｏ3が必須成分であり、これにＭｇＯ、ＢａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＺｎＯおよびＣａＯの中から選択された副成分を
加えた合計が９０重量％以上であることが好ましく、特
に副成分としてＺｎＯがより好ましい。例えば、Ａｌ2
Ｏ3等のような上記の群以外の無機成分の含有量が１０
重量％を超えると、低温燒結効果が不充分なものとなり
好ましくない。
【００４７】さらに、ガラス組成物のＳｉＯ2量が５重
量％未満の場合、またはＢ2Ｏ3量が２５重量％を超える
場合、ガラス化が困難であり実用的ではない。また、Ｓ
ｉＯ 2量が１５重量％を超える場合、またはＢ2Ｏ3量が
１５重量％未満の場合、低温燒結効果が不充分である。
量％未満の場合、またはＢ2Ｏ3量が２５重量％を超える
場合、ガラス化が困難であり実用的ではない。また、Ｓ
ｉＯ 2量が１５重量％を超える場合、またはＢ2Ｏ3量が
１５重量％未満の場合、低温燒結効果が不充分である。
【００４８】
【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００４９】［実施例１］まず、Ａｇの融点以下での燒
結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器
組成物として、下記の表１に示す組成の誘電体磁器組成
物１を準備した。
結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器
組成物として、下記の表１に示す組成の誘電体磁器組成
物１を準備した。
【００５０】
【表１】 次に、１００重量部の誘電体磁器組成物１に、下記の表
２に示される量のＡｇ粉と、バインダーとしてポリビニ
ルブチラール１０重量部、溶剤としてトルエン１２重量
部、エタノール２８重量部、分散剤１．５重量部、可塑
剤４．０重量部を秤量し、ボールミルにて混合して、７
種の誘電体スラリー（試料１〜７）を得た。
２に示される量のＡｇ粉と、バインダーとしてポリビニ
ルブチラール１０重量部、溶剤としてトルエン１２重量
部、エタノール２８重量部、分散剤１．５重量部、可塑
剤４．０重量部を秤量し、ボールミルにて混合して、７
種の誘電体スラリー（試料１〜７）を得た。
【００５１】得られた誘電体スラリーをポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にドクターブレード
を用いて流し込み乾燥させた。これをＰＥＴフィルムか
ら剥離し、厚さ１００μｍの誘電体グリーンシート（試
料１〜７）を得た。
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にドクターブレード
を用いて流し込み乾燥させた。これをＰＥＴフィルムか
ら剥離し、厚さ１００μｍの誘電体グリーンシート（試
料１〜７）を得た。
【００５２】評価項目１ 上記のようにして得た誘電体グリーンシート上に、Ａｇ
ペースト（Ａｇ粉、エチルセルロース、ブチルカルビト
ールを混合したもの）をスクリーン印刷法により印刷し
て内部導体パターンを形成した。次いで、この印刷面上
に更に誘電体グリーンシートを重ねて熱圧着した後、所
定の大きさに切断し、空気中にて９２０℃で２時間焼成
した後、端子導体としてＡｇを焼き付けて、図１に示さ
れるような内部導体１（幅Ｗ＝１００μｍ）と誘電体２
（厚みＴ＝３００μｍ）と端子導体３とを備えた導通試
験用のサンプル（試料１〜７）を作製した。
ペースト（Ａｇ粉、エチルセルロース、ブチルカルビト
ールを混合したもの）をスクリーン印刷法により印刷し
て内部導体パターンを形成した。次いで、この印刷面上
に更に誘電体グリーンシートを重ねて熱圧着した後、所
定の大きさに切断し、空気中にて９２０℃で２時間焼成
した後、端子導体としてＡｇを焼き付けて、図１に示さ
れるような内部導体１（幅Ｗ＝１００μｍ）と誘電体２
（厚みＴ＝３００μｍ）と端子導体３とを備えた導通試
験用のサンプル（試料１〜７）を作製した。
【００５３】この導通試験用サンプルの試料１と試料５
について、Ａｇ内部導体１まで研磨（図１（Ｂ）に鎖線
矢印で示される個所）し、Ａｇ内部導体１からの距離に
よるＡｇの濃度分布をＥＰＭＡ(Electron Probe Micro
Analyzer)によるＷＤＳ(Wavelength Dispersive Spectr
ometer)により分析し、結果を図２に示した。
について、Ａｇ内部導体１まで研磨（図１（Ｂ）に鎖線
矢印で示される個所）し、Ａｇ内部導体１からの距離に
よるＡｇの濃度分布をＥＰＭＡ(Electron Probe Micro
Analyzer)によるＷＤＳ(Wavelength Dispersive Spectr
ometer)により分析し、結果を図２に示した。
【００５４】図２に示されるように、誘電体磁器組成物
にＡｇを含有させないで製造された誘電体磁器（試料
１）では、内部導体１からＡｇが誘電体２中に拡散し、
内部導体１近傍の誘電体素地中のＡｇ濃度が高く、内部
導体１からの距離が大きくなるにしたがって、Ａｇ濃度
が減少する濃度分布が存在している。これに対して、Ａ
ｇを所定量含有させて製造する本発明による誘電体磁器
（試料５）では、誘電体素地中のＡｇ濃度がほぼ均一で
あり、内部導体１からのＡｇの拡散が抑制されているこ
とが確認された。
にＡｇを含有させないで製造された誘電体磁器（試料
１）では、内部導体１からＡｇが誘電体２中に拡散し、
内部導体１近傍の誘電体素地中のＡｇ濃度が高く、内部
導体１からの距離が大きくなるにしたがって、Ａｇ濃度
が減少する濃度分布が存在している。これに対して、Ａ
ｇを所定量含有させて製造する本発明による誘電体磁器
（試料５）では、誘電体素地中のＡｇ濃度がほぼ均一で
あり、内部導体１からのＡｇの拡散が抑制されているこ
とが確認された。
【００５５】評価項目２ また、上記のように作製した導通試験用サンプル（試料
１〜７）を内部導体１の部位まで研磨し、図３に示され
るような内部導体１の端部に生じている空隙の大きさＧ
を測定して、下記の表２に示した。
１〜７）を内部導体１の部位まで研磨し、図３に示され
るような内部導体１の端部に生じている空隙の大きさＧ
を測定して、下記の表２に示した。
【００５６】表２に示されるように、内部導体１と誘電
体２との間に生じる空隙は、使用する誘電体磁器組成物
へのＡｇ添加量が増加するにしたがって減少する。この
ことより、誘電体磁器組成物にＡｇを含有させる本発明
の製造方法では、内部導体からのＡｇの拡散が抑制さ
れ、内部導体の端部に発生する空隙を原因とする不具合
（内部導体パターン面積の変化、電磁気結合量の変化に
よるデバイス特性のバラツキ等）を低減することがで
き、設計値通りのデバイス特性を安定して得られること
が確認された。
体２との間に生じる空隙は、使用する誘電体磁器組成物
へのＡｇ添加量が増加するにしたがって減少する。この
ことより、誘電体磁器組成物にＡｇを含有させる本発明
の製造方法では、内部導体からのＡｇの拡散が抑制さ
れ、内部導体の端部に発生する空隙を原因とする不具合
（内部導体パターン面積の変化、電磁気結合量の変化に
よるデバイス特性のバラツキ等）を低減することがで
き、設計値通りのデバイス特性を安定して得られること
が確認された。
【００５７】評価項目３ さらに、上記のように作製した導通試験用サンプル（試
料１〜７）の両端の端子導体３間の導通をテスターにて
測定し、導通不良率を下記の表２に示した。
料１〜７）の両端の端子導体３間の導通をテスターにて
測定し、導通不良率を下記の表２に示した。
【００５８】表２に示されるように、Ａｇの含有量が
０．３重量％未満（試料１、２）の場合、内部導体１の
端子導体３との接続部分において、Ａｇの拡散が原因で
ある内部導体の引き込みが発生し導通不良を生じること
が明らかである。しかし、Ａｇを０．３重量％以上含有
する場合、内部導体１からのＡｇの拡散が抑制され、こ
れにより、内部導体１の端子導体３との接続部分におけ
る引き込みが抑えられ、結果として導通不良が防止され
ることが確認された。
０．３重量％未満（試料１、２）の場合、内部導体１の
端子導体３との接続部分において、Ａｇの拡散が原因で
ある内部導体の引き込みが発生し導通不良を生じること
が明らかである。しかし、Ａｇを０．３重量％以上含有
する場合、内部導体１からのＡｇの拡散が抑制され、こ
れにより、内部導体１の端子導体３との接続部分におけ
る引き込みが抑えられ、結果として導通不良が防止され
ることが確認された。
【００５９】評価項目４ 先に得た誘電体グリーンシートを積層して熱圧着後、
０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍ×１００ｍｍの棒形状に切
断し、これを空気中にて９２０℃で２時間焼成して棒状
サンプル（試料１〜７）を得た。この各棒状サンプルに
ついて、空洞共振器により摂動法にて２ＧＨｚでの誘電
率εを測定し、結果を下記の表２に示した。また、同時
に低温燒結性（棒状サンプルの燒結密度が５．０ｇ／ｃ
ｍ3以上を実用レベルとする）、およびＱｆを測定し、
結果を下記の表２に示した。尚、表２中の燒結密度の単
位は（ｇ／ｃｍ3）、誘電率εは無次元、Ｑｆの単位は
（ＧＨｚ）である。
０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍ×１００ｍｍの棒形状に切
断し、これを空気中にて９２０℃で２時間焼成して棒状
サンプル（試料１〜７）を得た。この各棒状サンプルに
ついて、空洞共振器により摂動法にて２ＧＨｚでの誘電
率εを測定し、結果を下記の表２に示した。また、同時
に低温燒結性（棒状サンプルの燒結密度が５．０ｇ／ｃ
ｍ3以上を実用レベルとする）、およびＱｆを測定し、
結果を下記の表２に示した。尚、表２中の燒結密度の単
位は（ｇ／ｃｍ3）、誘電率εは無次元、Ｑｆの単位は
（ＧＨｚ）である。
【００６０】
【表２】 表２に示されるように、Ａｇの含有量にかかわらず、低
温燒結性、誘電率ε、Ｑｆ特性は、全て実用上問題のな
いレベルである。しかし、高周波デバイスを設計する際
に最も重要な要素である誘電率εに関しては、Ａｇの含
有量が増えるにつれて大きくなっている。この結果と、
上述の図２に示された結果から以下のことが明らかであ
る。すなわち、Ａｇを内部導体とする図４に示すような
コンデンサー（図４に示すチップコンデンサーは、Ａｇ
の内部導体１と誘電体２とが交互に積層され、最外層の
Ａｇ内部導体１は、それぞれ異なる端子導体３に接続さ
れたものである）を作製した場合、Ａｇの含有量が０．
３重量％未満である誘電体磁器組成物を用いて作製した
コンデンサー（試料１、２）では、内部導体からＡｇが
誘電体中に拡散し、内部導体近傍の誘電体素地中のＡｇ
濃度が高くなるような濃度分布が生じているが、これと
同時に、誘電率分布も生じる。これに対して、Ａｇを
０．３重量％以上含有する誘電体磁器組成物を用いて作
製したコンデンサー（試料３〜７）では、内部導体から
のＡｇの拡散が抑制され、Ａｇ濃度がほぼ均一となるの
で、誘電体素地中の誘電特性のバラツキを極めて少ない
ものとなる。
温燒結性、誘電率ε、Ｑｆ特性は、全て実用上問題のな
いレベルである。しかし、高周波デバイスを設計する際
に最も重要な要素である誘電率εに関しては、Ａｇの含
有量が増えるにつれて大きくなっている。この結果と、
上述の図２に示された結果から以下のことが明らかであ
る。すなわち、Ａｇを内部導体とする図４に示すような
コンデンサー（図４に示すチップコンデンサーは、Ａｇ
の内部導体１と誘電体２とが交互に積層され、最外層の
Ａｇ内部導体１は、それぞれ異なる端子導体３に接続さ
れたものである）を作製した場合、Ａｇの含有量が０．
３重量％未満である誘電体磁器組成物を用いて作製した
コンデンサー（試料１、２）では、内部導体からＡｇが
誘電体中に拡散し、内部導体近傍の誘電体素地中のＡｇ
濃度が高くなるような濃度分布が生じているが、これと
同時に、誘電率分布も生じる。これに対して、Ａｇを
０．３重量％以上含有する誘電体磁器組成物を用いて作
製したコンデンサー（試料３〜７）では、内部導体から
のＡｇの拡散が抑制され、Ａｇ濃度がほぼ均一となるの
で、誘電体素地中の誘電特性のバラツキを極めて少ない
ものとなる。
【００６１】以上の評価項目１〜４の内容から、Ａｇの
融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2
系の誘電体磁器組成物に副成分としてＡｇを所定の含有
量で添加して用いる本発明の製造方法により、Ａｇを内
部導体として使用した場合においても、焼成時における
内部導体から誘電体内へのＡｇ拡散が抑制され、これに
より、誘電体内部での誘電特性のバラツキが低減され、
かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の
外部接続部位における引き込み発生が防止される。これ
により、ＡｇやＡｇ合金のような融点の低い金属を内部
導体とした電子部品において、所望の設計値通りのデバ
イス特性を得ることが可能となる。
融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2
系の誘電体磁器組成物に副成分としてＡｇを所定の含有
量で添加して用いる本発明の製造方法により、Ａｇを内
部導体として使用した場合においても、焼成時における
内部導体から誘電体内へのＡｇ拡散が抑制され、これに
より、誘電体内部での誘電特性のバラツキが低減され、
かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の
外部接続部位における引き込み発生が防止される。これ
により、ＡｇやＡｇ合金のような融点の低い金属を内部
導体とした電子部品において、所望の設計値通りのデバ
イス特性を得ることが可能となる。
【００６２】ただし、Ａｇの含有量が１．５重量％を超
える場合（試料７）、誘電特性および導通の両方におい
て問題は生じないが、誘電体素地中のＡｇの取り込み量
の限界を超え、極度なＡｇの偏析が生じる。したがっ
て、例えば、図４に示すようなコンデンサーにおいて
は、寿命に悪影響を及ぼす。このため、Ａｇの添加量と
しては、０．３〜１．５重量％の範囲が好ましい。
える場合（試料７）、誘電特性および導通の両方におい
て問題は生じないが、誘電体素地中のＡｇの取り込み量
の限界を超え、極度なＡｇの偏析が生じる。したがっ
て、例えば、図４に示すようなコンデンサーにおいて
は、寿命に悪影響を及ぼす。このため、Ａｇの添加量と
しては、０．３〜１．５重量％の範囲が好ましい。
【００６３】［実施例２］まず、Ａｇの融点以下での燒
結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器
組成物として、下記の表３に示す組成の誘電体磁器組成
物２を準備した。尚、誘電体磁器組成物２に用いたガラ
ス組成物の組成を下記の表４に示す。
結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器
組成物として、下記の表３に示す組成の誘電体磁器組成
物２を準備した。尚、誘電体磁器組成物２に用いたガラ
ス組成物の組成を下記の表４に示す。
【００６４】
【表３】
【００６５】
【表４】 次に、１００重量部の誘電体磁器組成物２に、下記の表
５に示される量のＡｇ粉と、バインダーとしてポリビニ
ルブチラール１０重量部、溶剤としてトルエン１２重量
部、エタノール２８重量部、分散剤１．５重量部、可塑
剤４．０重量部を秤量し、ボールミルにて混合して、７
種の誘電体スラリー（試料８〜１４）を得た。
５に示される量のＡｇ粉と、バインダーとしてポリビニ
ルブチラール１０重量部、溶剤としてトルエン１２重量
部、エタノール２８重量部、分散剤１．５重量部、可塑
剤４．０重量部を秤量し、ボールミルにて混合して、７
種の誘電体スラリー（試料８〜１４）を得た。
【００６６】得られた誘電体スラリーをポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にドクターブレード
を用いて流し込み乾燥させた。これをＰＥＴフィルムか
ら剥離し、厚さ１００μｍの誘電体グリーンシート（試
料８〜１４）を得た。
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にドクターブレード
を用いて流し込み乾燥させた。これをＰＥＴフィルムか
ら剥離し、厚さ１００μｍの誘電体グリーンシート（試
料８〜１４）を得た。
【００６７】評価項目１ 上記のようにして得た誘電体グリーンシート（試料８〜
１４）を使用し、実施例１の評価項目１と同様にして、
図１に示されるような内部導体１（幅Ｗ＝１００μｍ）
と誘電体２（厚みＴ＝３００μｍ）と端子導体３とを備
えた導通試験用のサンプル（試料８〜１４）を作製し
た。
１４）を使用し、実施例１の評価項目１と同様にして、
図１に示されるような内部導体１（幅Ｗ＝１００μｍ）
と誘電体２（厚みＴ＝３００μｍ）と端子導体３とを備
えた導通試験用のサンプル（試料８〜１４）を作製し
た。
【００６８】次に、上記のように作製した導通試験用サ
ンプル（試料８〜１４）を内部導体１の部位まで研磨
し、図３に示されるような内部導体１の端部に生じてい
る空隙の大きさＧを測定して、下記の表５に示した。
ンプル（試料８〜１４）を内部導体１の部位まで研磨
し、図３に示されるような内部導体１の端部に生じてい
る空隙の大きさＧを測定して、下記の表５に示した。
【００６９】表５に示されるように、内部導体１と誘電
体２との間に生じる空隙は、使用する誘電体磁器組成物
へのＡｇ添加量が増加するにしたがって減少する。この
ことより、誘電体磁器組成物にＡｇを含有させて用いる
本発明の製造方法において、誘電体磁器組成物としてガ
ラス組成物を添加し低温燒結性が付与された誘電体磁器
組成物２を用いても、内部導体からのＡｇの拡散が抑制
され、内部導体の端部に発生する空隙を原因とする不具
合（内部導体パターン面積の変化、電磁気結合量の変化
によるデバイス特性のバラツキ等）を低減することがで
き、設計値通りのデバイス特性を安定して得られること
が確認された。
体２との間に生じる空隙は、使用する誘電体磁器組成物
へのＡｇ添加量が増加するにしたがって減少する。この
ことより、誘電体磁器組成物にＡｇを含有させて用いる
本発明の製造方法において、誘電体磁器組成物としてガ
ラス組成物を添加し低温燒結性が付与された誘電体磁器
組成物２を用いても、内部導体からのＡｇの拡散が抑制
され、内部導体の端部に発生する空隙を原因とする不具
合（内部導体パターン面積の変化、電磁気結合量の変化
によるデバイス特性のバラツキ等）を低減することがで
き、設計値通りのデバイス特性を安定して得られること
が確認された。
【００７０】評価項目２ また、上記のように作製した導通試験用サンプル（試料
８〜１４）の両端の端子導体３間の導通をテスターにて
測定し、導通不良率を下記の表５に示した。
８〜１４）の両端の端子導体３間の導通をテスターにて
測定し、導通不良率を下記の表５に示した。
【００７１】表５に示されるように、Ａｇの含有量が
０．３重量％未満（試料８、９）の場合、内部導体１の
端子導体３との接続部分において、Ａｇの拡散が原因で
ある内部導体の引き込みが発生し導通不良を生じること
が明らかである。しかし、Ａｇを０．３重量％以上含有
する場合、内部導体１からのＡｇの拡散が抑制され、こ
れにより、内部導体１の端子導体３との接続部分におけ
る引き込みが抑えられ、結果として導通不良が防止され
ることが確認された。
０．３重量％未満（試料８、９）の場合、内部導体１の
端子導体３との接続部分において、Ａｇの拡散が原因で
ある内部導体の引き込みが発生し導通不良を生じること
が明らかである。しかし、Ａｇを０．３重量％以上含有
する場合、内部導体１からのＡｇの拡散が抑制され、こ
れにより、内部導体１の端子導体３との接続部分におけ
る引き込みが抑えられ、結果として導通不良が防止され
ることが確認された。
【００７２】評価項目３ 先に得た誘電体グリーンシートを積層して熱圧着後、
０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍ×１００ｍｍの棒形状に切
断し、これを空気中にて９２０℃で２時間焼成して棒状
サンプル（試料８〜１４）を得た。この各棒状サンプル
について、空洞共振器により摂動法にて２ＧＨｚでの誘
電率εを測定し、結果を下記の表５に示した。また、同
時に低温燒結性（棒状サンプルの燒結密度が５．０ｇ／
ｃｍ3以上を実用レベルとする）、およびＱｆを測定
し、結果を下記の表５に示した。尚、表５中の燒結密度
の単位は（ｇ／ｃｍ3）、誘電率εは無次元、Ｑｆの単
位は（ＧＨｚ）である。
０．７５ｍｍ×０．７５ｍｍ×１００ｍｍの棒形状に切
断し、これを空気中にて９２０℃で２時間焼成して棒状
サンプル（試料８〜１４）を得た。この各棒状サンプル
について、空洞共振器により摂動法にて２ＧＨｚでの誘
電率εを測定し、結果を下記の表５に示した。また、同
時に低温燒結性（棒状サンプルの燒結密度が５．０ｇ／
ｃｍ3以上を実用レベルとする）、およびＱｆを測定
し、結果を下記の表５に示した。尚、表５中の燒結密度
の単位は（ｇ／ｃｍ3）、誘電率εは無次元、Ｑｆの単
位は（ＧＨｚ）である。
【００７３】
【表５】 表５に示されるように、Ａｇの含有量にかかわらず、低
温燒結性、誘電率ε、Ｑｆ特性は、全て実用上問題のな
いレベルである。しかし、高周波デバイスを設計する際
に最も重要な要素である誘電率εに関しては、Ａｇの含
有量が増えるにつれて大きくなっている。この結果から
以下のことが明らかである。すなわち、Ａｇを内部導体
とする図４に示すようなコンデンサーを作製した場合、
Ａｇの含有量が０．３重量％未満である誘電体磁器組成
物を用いて作製したコンデンサー（試料８、９）では、
内部導体からＡｇが誘電体中に拡散し、内部導体近傍の
誘電体素地中のＡｇ濃度が高くなるような濃度分布が生
じているが、これと同時に、誘電率分布も生じる。これ
に対して、Ａｇを０．３重量％以上含有する誘電体磁器
組成物を用いて作製したコンデンサー（試料１０〜１
４）では、内部導体からのＡｇの拡散が抑制され、Ａｇ
濃度がほぼ均一となるので、誘電体素地中の誘電特性の
バラツキを極めて少ないものとなる。
温燒結性、誘電率ε、Ｑｆ特性は、全て実用上問題のな
いレベルである。しかし、高周波デバイスを設計する際
に最も重要な要素である誘電率εに関しては、Ａｇの含
有量が増えるにつれて大きくなっている。この結果から
以下のことが明らかである。すなわち、Ａｇを内部導体
とする図４に示すようなコンデンサーを作製した場合、
Ａｇの含有量が０．３重量％未満である誘電体磁器組成
物を用いて作製したコンデンサー（試料８、９）では、
内部導体からＡｇが誘電体中に拡散し、内部導体近傍の
誘電体素地中のＡｇ濃度が高くなるような濃度分布が生
じているが、これと同時に、誘電率分布も生じる。これ
に対して、Ａｇを０．３重量％以上含有する誘電体磁器
組成物を用いて作製したコンデンサー（試料１０〜１
４）では、内部導体からのＡｇの拡散が抑制され、Ａｇ
濃度がほぼ均一となるので、誘電体素地中の誘電特性の
バラツキを極めて少ないものとなる。
【００７４】以上の評価項目１〜３の内容から、本発明
では、Ａｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2
Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物として、ガラス組成
物を添加して低温燒結性が付与された誘電体磁器組成物
を使用し得ることが確認された。すなわち、この誘電体
磁器組成物に副成分としてＡｇを所定の含有量で添加し
て用いる本発明の製造方法では、Ａｇを内部導体として
使用しても、焼成時における内部導体から誘電体内への
Ａｇ拡散が抑制され、これにより、誘電体内部での誘電
特性のバラツキが低減され、かつ、内部導体と誘電体間
の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位における引き
込み発生が防止される。これにより、ＡｇやＡｇ合金の
ような融点の低い金属を内部導体とした電子部品におい
て、所望の設計値通りのデバイス特性を得ることが可能
となる。
では、Ａｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2
Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体磁器組成物として、ガラス組成
物を添加して低温燒結性が付与された誘電体磁器組成物
を使用し得ることが確認された。すなわち、この誘電体
磁器組成物に副成分としてＡｇを所定の含有量で添加し
て用いる本発明の製造方法では、Ａｇを内部導体として
使用しても、焼成時における内部導体から誘電体内への
Ａｇ拡散が抑制され、これにより、誘電体内部での誘電
特性のバラツキが低減され、かつ、内部導体と誘電体間
の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位における引き
込み発生が防止される。これにより、ＡｇやＡｇ合金の
ような融点の低い金属を内部導体とした電子部品におい
て、所望の設計値通りのデバイス特性を得ることが可能
となる。
【００７５】ただし、Ａｇの含有量が１．５重量％を超
える場合（試料１４）、実施例１の試料７と同じよう
に、誘電特性および導通の両方において問題は生じない
が、誘電体素地中のＡｇの取り込み量の限界を超え、極
度なＡｇの偏析が生じ、例えば、図４に示すようなコン
デンサーにおいては、寿命に悪影響を及ぼす。このた
め、Ａｇの添加量としては、０．３〜１．５重量％の範
囲が好ましい。
える場合（試料１４）、実施例１の試料７と同じよう
に、誘電特性および導通の両方において問題は生じない
が、誘電体素地中のＡｇの取り込み量の限界を超え、極
度なＡｇの偏析が生じ、例えば、図４に示すようなコン
デンサーにおいては、寿命に悪影響を及ぼす。このた
め、Ａｇの添加量としては、０．３〜１．５重量％の範
囲が好ましい。
【００７６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればＡ
ｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−Ｔｉ
Ｏ2系の誘電体磁器組成物に副成分としてＡｇが所定の
含有量で添加されているので、内部導体であるＡｇやＡ
ｇ合金から誘電体内への焼成時におけるＡｇ拡散が抑制
され、誘電特性の不均一性が防止され、かつ、内部導体
と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位に
おける引き込み発生が防止される。これにより、低抵抗
であるＡｇやＡｇ合金のような融点の低い金属を内部導
体として電子部品を構成することが可能となり、結果と
して高周波用デバイスの諸特性の向上、小型化、低コス
ト化が可能となる。
ｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−Ｔｉ
Ｏ2系の誘電体磁器組成物に副成分としてＡｇが所定の
含有量で添加されているので、内部導体であるＡｇやＡ
ｇ合金から誘電体内への焼成時におけるＡｇ拡散が抑制
され、誘電特性の不均一性が防止され、かつ、内部導体
と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位に
おける引き込み発生が防止される。これにより、低抵抗
であるＡｇやＡｇ合金のような融点の低い金属を内部導
体として電子部品を構成することが可能となり、結果と
して高周波用デバイスの諸特性の向上、小型化、低コス
ト化が可能となる。
【図１】導通試験用のサンプルの例を示す図であり、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）に示されるサンプルの
Ｉ−Ｉ線における断面図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）に示されるサンプルの
Ｉ−Ｉ線における断面図である。
【図２】実施例１において、チップコンデンサーの誘電
体素地中のＡｇの濃度分布を分析した結果を示す図であ
る。
体素地中のＡｇの濃度分布を分析した結果を示す図であ
る。
【図３】図１（Ａ）に示されるサンプルのII−II線にお
ける断面図である。
ける断面図である。
【図４】チップコンデンサーの一例を示す図であり、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）に示されるチップコン
デンサーのIII−III線における断面図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）に示されるチップコン
デンサーのIII−III線における断面図である。
１…内部導体 ２…誘電体 ３…端子導体
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｈ０１Ｂ 17/62 // Ｈ０１Ｂ 17/62 Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｄ (72)発明者 福原 綾 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA11 AA25 AA26 AA28 AA30 BA09 CA03 GA11 5E001 AC09 AE00 AE02 AE03 AE04 AH05 AH06 AH09 AJ02 5E082 AA01 BC39 BC40 EE04 EE24 EE35 FG06 FG22 FG26 FG27 FG46 FG54 LL03 MM22 MM24 PP03 PP06 5G303 AA01 AA02 AA10 AB06 AB08 AB11 AB20 BA12 CA01 CA03 CB02 CB03 CB06 CB11 CB17 CB22 CB30 CB32 CB35 CB38 CB43 5G333 AA07 AB12 BA01 CA03 DA01 DB01 FB02 FB12
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体磁器を用いた電子部品において、
Ａｇの融点以下での燒結が可能なＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−Ｔ
ｉＯ2系の誘電体磁器組成物に対してＡｇを０．３〜
１．５重量％の範囲となるように添加したグリーンシー
トを用い、ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として積層し
て所定の形状に成形し、前記内部導体の融点以下の温度
で焼成することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘
電体磁器組成物は、主成分が一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ2
Ｏ3・ｚＴｉＯ2（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦ｙ≦３
０、６４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を有す
る）で表され、該主成分に対して副成分としてＣｕ酸化
物をＣｕＯ換算で０．１〜３．０重量％、Ｚｎ酸化物を
ＺｎＯ換算で０．１〜４．０重量％、Ｂ酸化物をＢ2Ｏ3
換算で０．１〜３．０重量％の範囲で含有するものであ
ることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項３】 前記ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘
電体磁器組成物は、主成分が一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ2
Ｏ3・ｚＴｉＯ2（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦ｙ≦３
０、６４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を有す
る）で表され、該主成分に対して副成分としてＣｕ酸化
物をＣｕＯ換算で０．１〜３．０重量％、ガラス組成物
を２．０〜１０重量％の範囲で含有するものであり、前
記ガラス組成物は以下の組成の範囲にあることを特徴と
する請求項１に記載の電子部品の製造方法。 ５重量％≦ＳｉＯ2≦１５重量％ １５重量％≦Ｂ2Ｏ3≦２５重量％ ５０重量％≦（ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋Ｃａ
Ｏ）≦８０重量％ ９０重量％≦（ＳｉＯ2＋Ｂ2Ｏ3＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋Ｓ
ｒＯ＋ＺｎＯ+ＣａＯ）≦１００重量％
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11207459A JP2001035741A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11207459A JP2001035741A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035741A true JP2001035741A (ja) | 2001-02-09 |
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|---|---|---|---|
| JP11207459A Pending JP2001035741A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 電子部品の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001035741A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329638A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | 積層型電子部品およびその製法 |
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