JP2001035362A - カーボンナノチューブのパターン形成方法、カーボンナノチューブのパターン形成材料、電子放出源及び蛍光発光型表示器 - Google Patents

カーボンナノチューブのパターン形成方法、カーボンナノチューブのパターン形成材料、電子放出源及び蛍光発光型表示器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 カーボンナノチューブの微細なパターンを形
成可能にすること。 【解決手段】 ガラス製絶縁基板１０１、カソード導体
１０２及びカーボンナノチューブ１０３を積層形成した
後、粘着テープ４０３を貼付して剥離する。このとき、
絶縁基板１０１はカソード導体１０２よりもカーボンナ
ノチューブ１０３との接着力が小さいため、絶縁基板１
０１に直接被着されたカーボンナノチューブ３０１は粘
着テープ４０３に被着して剥離され、カソード導体１０
２と同一の所定パターンのエミッタ４０１が形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カーボンナノチュ
ーブを所定のパターンに形成するためのカーボンナノチ
ューブのパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、表示装置の冷陰極等に使用可
能な電子放出材料として、カーボンナノチューブの応用
が研究されている。表示装置の電子放出源としてカーボ
ンナノチューブ使用する一方法として、基板上にカーボ
ンナノチューブを所定のパターンに形成して使用するこ
とが考えられている。従来、カーボンナノチューブを基
板上に所定パターンで形成するパターン形成方法とし
て、次のような方法がある。即ち、先ず、所定パターン
の開口を有するマスクを基板上に重ね、これを容器の内
底にセットする。
【０００３】そこへ、アセトン等の溶媒と粗カーボンナ
ノチューブをビーカに入れて超音波をかけた後に静止し
て得られた懸濁液の上部を、前記基板及びマスクが配設
された容器内に注ぎ込んで自然蒸発させる。これによ
り、前記基板の露出部及び前記マスクの表面にカーボン
ナノチューブが、均一に密着、堆積する。その後、前記
マスクを除去することにより、前記基板の露出部にのみ
被着されたカーボンナノチューブが得られる。これによ
って、マスクパターンに対応する所定パターンで、前記
基板上にカーボンナノチューブを形成することができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高精細な画
像表示装置等のように、直径が数μｍ〜数十μｍ程度の
微細な多数の電子源が必要とされる装置においては、前
記従来のカーボンナノチューブのパターン形成方法を用
いて電子源を形成しようとすると、カーボンナノチュー
ブの微細なパターンを多数形成するために、多数の微細
な開口を有するマスクを形成すると共に前記基板との間
に隙間を生じることの無いように前記マスクを前記基板
に密着させなければならず、カーボンナノチューブの微
細なパターンを形成することは困難であるという問題が
あった。
【０００５】本発明は、前記問題点に鑑み成されたもの
で、カーボンナノチューブの微細なパターンを形成可能
にすることを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、所定の
金属パターンと、前記金属パターンから露出した露出部
を有しカーボンナノチューブとの被着力が前記金属より
も弱い材料とを備えた基板を形成する工程と、前記金属
及び前記露出部にカーボンナノチューブを被着する工程
と、前記露出部に被着したカーボンナノチューブを除去
する工程とを備えて成ることを特徴とするカーボンナノ
チューブのパターン形成方法が提供される。
【０００７】ここで、前記露出部からカーボンナノチュ
ーブを除去する工程は、前記金属及び前記露出部に被着
したカーボンナノチューブに粘着テープを貼付した後こ
れを剥離させることにより前記露出部に被着したカーボ
ンナノチューブを除去する工程、液体によって洗浄する
ことにより前記露出部に被着したカーボンナノチューブ
を除去する工程、又は、エアブローによって前記露出部
に被着したカーボンナノチューブを除去する工程である
ことが好ましい。電子放出源として利用する場合には、
前記基板はガラス基板であり、前記金属はカソード導体
であることが好ましい。
【０００８】また、本発明によれば、所定の金属パター
ンと、前記金属パターンから露出した露出部を有しカー
ボンナノチューブとの被着力が前記金属よりも弱い材料
とを備えた基板と、前記金属上に被着されたカーボンナ
ノチューブを備え、前記カーボンナノチューブは、請求
項１乃至３のいずれか一に記載の方法によって形成され
ていることを特徴とするカーボンナノチューブのパター
ン形成材料が提供される。
【０００９】さらに、本発明によれば、カソード導体と
ゲート電極間にエミッタを配設し、前記カソード導体と
ゲート電極間に電圧を印加することにより前記エミッタ
から電子を放出する電子放出源において、請求項４に記
載のカーボンナノチューブのパターン形成材料を用いて
形成されることを特徴とする電子放出源が提供される。
【００１０】また、本発明によれば、電子放出源及び蛍
光体が被着されたアノード電極を真空気密容器内に配設
し、前記電子放出源から放出される電子を前記蛍光体に
射突させることにより発光表示を行う蛍光発光型表示器
において、電子放出源として、前記電子放出源を使用し
たことを特徴とする蛍光発光型表示器が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて、本発明の実
施の形態について説明する。尚、各図において同一部分
には同一符号を付している。図１乃至図４は、本発明の
実施の形態に係るカーボンナノチューブのパターン形成
方法を説明するための図である。
【００１２】先ず、図１の側断面図に示すように、硼珪
酸ガラスによって形成された絶縁基板１０１上に、真空
蒸着によって所定パターンにアルミニウムを蒸着し、カ
ソード導体１０２を被着形成する。一方、粗カーボンナ
ノチューブ（金属触媒等を含む未精製のカーボンナノチ
ューブ）を粉砕器で粉砕し、溶媒（例えばアセトン）と
粗カーボンナノチューブをビーカに入れて超音波をかけ
た後に、１０分間程度静止する。その後、前記分散液か
ら、カーボンナノチューブの純度が高い中上層部の上澄
み液（上部液）を取り出す。
【００１３】次に、カソード導体１０２が被着された絶
縁基板１０１を、図２の側面図に示すように、容器２０
１の内底にセットし、前記の如くして得られた懸濁液の
上部液２０２を、容器２０１内に注ぎ込んで、アセトン
が自然蒸発するまで乾燥させる。これにより、図３の側
断面図に示すように、カソード導体１０２上のみなら
ず、基板１０１の露出部分（基板１０１上でカソード導
体１０２が被着されていない部分）にカーボンナノチュ
ーブ３０１が、均一に堆積し被着する。
【００１４】この状態で、カーボンナノチューブ３０１
の上面（絶縁基板１０１に接する面の裏面側）に粘着テ
ープ４０３を強く押し付けて貼付した後、図４に示すよ
うに、粘着テープ４０３を剥離させる。このとき、カー
ボンナノチューブ３０１はガラスとの接着力よりも金属
との接着力の方が大きいという性質を有しており、又、
粘着テープ４０３の接着力は、粘着テープ４０３を剥離
した際にカソード導体１０２に被着したカーボンナノチ
ューブ３０１がカソード導体１０２に被着した状態で残
ると共に、前記露出部に被着したカーボンナノチューブ
３０１が粘着テープ４０３に被着して基板１０１から剥
離されるように選定している。
【００１５】したがって、粘着テープ４０３を剥離する
ことにより、絶縁基板１０１の露出部に被着したカーボ
ンナノチューブ３０１は粘着テープ４０３に被着して絶
縁基板１０１から剥離除去され、その一方、カソード導
体１０２に被着したカーボンナノチューブは粘着テープ
４０３には被着せずにカソード導体１０２に被着した状
態で残る。
【００１６】尚、カーボンナノチューブ３０１とカソー
ド導体１０２間の接着力の方が、カーボンナノチューブ
３０１と絶縁基板１０１間の接着力よりも大きいのは、
金属はガラスに比べて活性点が多いため、カソード導体
１０２の方がカーボンナノチューブ３０１とより強く結
合するためと考えられる。
【００１７】以上により、絶縁基板１０１、カソード導
体１０２、カーボンナノチューブを備えたエミッタ４０
１が積層形成され、カソード導体１０２と同一パターン
のカーボンナノチューブを有するエミッタ基板４０２が
形成される。このとき、エミッタ４０１は、粘着テープ
４０３による処理によって、該処理を行う前よりも多数
のカーボンナノチューブの鋭利な先端部分が表面に露出
するため、低電圧で高効率な電子放出が可能になる。
【００１８】尚、前記実施の形態においては、絶縁基板
１０１及びカソード導体１０２へのカーボンナノチュー
ブ３０１の被着は、分散液中に基板を配設することによ
り行ったが、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、
プラズマＣＶＤ、スパッタリング等、他の方法によって
も行うことが可能である。また、前記粘着テープ４０３
による貼付、剥離作業は、複数回繰り返し行うようにし
てもよく又、局所的に行うようにしてもよい。さらに、
前記カーボンナノチューブの剥離作業は、水等の液体洗
浄や、空気流をあてるエアブローによって行うことも可
能である。
【００１９】さらにまた、エミッタ４０１の材料として
単層及び多層カーボンナノチューブのいずれであっても
よい。また、従来から使用されている半導体製造技術
（例えば、薄膜形成技術、エッチング技術、リソグラフ
ィ技術等）を用いて、例えば、シリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜、チタン酸化膜等の絶縁膜を備えた基板に金属
を蒸着させ、前記金属をエッチングして所望の微細パタ
ーンに形成し、前述の如くしてエミッタを該パターン化
された金属層上に被着形成するようにしてもよい。尚、
前記金属は、基板に対して同一平面状、凸状あるいは凹
状のいずれであってもよい。
【００２０】また、金属基板上に、該金属よりもカーボ
ンナノチューブとの接着力が劣る材料を所定パターンで
被着形成することにより基板を形成し、次に、カーボン
ナノチューブを前記基板全面に被着した後、前記同様に
して、金属が被着されていない部分（基板の露出部分）
上に被着したカーボンナノチューブを除去するようにし
てもよい。
【００２１】また、カーボンナノチューブを被着する金
属として、アルミニウム、銅、銀、チタン、ニッケル、
ステンレス等の各種金属が使用でき又、金属よりもカー
ボンナノチューブとの接着力が弱い材料として、ガラ
ス、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、チタン酸化膜以
外にも、セラミック、プラスチック、合成樹脂、陶器、
磁器、木、紙、ビニール、ポリエチレン、テフロン等が
使用できる。即ち、所定のパターンに形成された金属
と、前記金属に積層され前記金属よりもカーボンナノチ
ューブとの接着力が劣る（活性点が少ない）材料とを備
えた基板であれば、種々の材料を選択して使用すること
が可能である。
【００２２】図５は、本発明の実施の形態に係る電子放
出源の側断面図で、エミッタ基板４０２を用いて製造し
た電界電子放出源を示している。図５において、絶縁基
板１０１の露出部上（各エミッタ４０１間の凹部）に、
接着剤５０３、ガラス製絶縁層（リブ）５０２及びゲー
ト電極５０１を積層被着することにより、リブ状ゲート
電極５０４を形成し、これにより電界放出型の電子放出
源が完成する。
【００２３】尚、リブ状ゲート電極５０４の形成方法と
しては、例えば、転写用基板（図示せず）上に、ゲート
電極５０１を形成した後、ゲート電極５０１上に絶縁性
リブ５０２を積層形成し、さらに絶縁性リブ５０２上に
接着剤５０３を積層被着し、これらを、図５に示す位置
に位置合わせを行って転写するようにしてもよい。
【００２４】このようにして得られた電子放出源におい
ては、カソード導体１０２とゲート電極５０１間に所定
の電圧を印加することにより、エミッタ４０１に含まれ
るカーボンナノチューブに電界の集中が生じる。これに
より、カーボンナノチューブのパターンに応じた電子放
出が得られる。
【００２５】尚、前記電子放出源においては、ゲート電
極として、リブ状ゲート電極を形成するようにするよう
にしたが、メッシュ状のゲート電極をエミッタから所定
距離離間して対面する位置に形成するようにしてもよ
い。また、ゲート電極をカソード導体の上方に配設する
立体構造の電子放出源の例で説明したが、カソード導体
とゲート電極の双方をエミッタ基板上の同一平面上に配
設することにより、平面的な電子放出源を構成すること
も可能である。
【００２６】次に、以上のようにして製造した電子放出
源を使用して、蛍光発光型表示器を形成する。図６は、
本発明の実施の形態に係る蛍光発光型表示器の一部切欠
き側面図であり、前記電子放出源を使用した蛍光発光型
表示器の例である。
【００２７】図６において、蛍光発光型表示器は、硼珪
酸ガラスによって形成された背面基板としての絶縁基板
１０１、硼珪酸ガラスによって形成された透光性の前面
基板としての絶縁基板６０１、及び、絶縁基板１０１、
６０１の周囲を封着するシールガラス６０４とを有し、
その内部が真空状態に保持された真空気密容器を備えて
いる。
【００２８】また、前述したように、絶縁基板１０１の
内面上には、カソード導体１０２、カソード導体１０２
に連続して形成されたエミッタ４０１が積層被着されて
いる。さらに、絶縁基板１０１の内面上にはエミッタ４
０１間の凹部内に、ゲート電極５０１及び絶縁性リブ５
０２によって形成されたリブ状ゲート電極５０４が被着
されている。一方、絶縁基板６０１の内面上には、アノ
ード電極６０２及びアノード電極６０２に被着された蛍
光体６０３が積層配設されている。
【００２９】尚、文字やグラフィック等を表示する形式
の蛍光発光型表示器の場合には、カソード導体１０２、
アノード電極６０２及びゲート電極５０１は、各々、マ
トリクス状に形成する、あるいは、特定の電極をベタ状
に形成して他の電極をマトリクス状に形成する等、適宜
目的に応じたパターンに形成する。また、大画面表示装
置の画素用発光素子として使用する蛍光発光型表示器の
場合にも、前記各電極のパターンを適宜選定して形成す
る。
【００３０】上記構成の蛍光発光型表示器において、カ
ソード導体１０２、ゲート電極５０１及びアノード電極
６０２に所定電圧の駆動信号を供給することにより蛍光
体６０３が発光し、各電極の形成パターンや駆動信号に
応じて、文字やグラフィック等の発光表示、あるいは発
光素子としての発光表示を行わせることができる。この
とき、エミッタ４０１のパターンを種々に形成すること
により、高精細で多様な表示を行うことが可能になる。
【００３１】以上述べたように、本発明の実施の形態に
係るカーボンナノチューブのパターン形成方法は、所定
の金属パターンと、前記金属パターンから露出した露出
部を有しカーボンナノチューブとの被着力が前記金属よ
りも弱い材料とを備えた基板を形成する工程と、前記金
属及び前記露出部にカーボンナノチューブを被着する工
程と、前記露出部に被着したカーボンナノチューブを除
去する工程とを備えている。
【００３２】したがって、金属（例えばカソード導体１
０２）と同一のカーボンナノチューブ３０１のパターン
が形成され、よって、絶縁基板１０１、金属、エミッタ
４０１を備えた基板（例えばエミッタ基板４０２）にお
いて、エミッタ４０１を所定パターンに形成することが
できる。また、エミッタ４０１は、粘着テープ４０３等
による処理によって、該処理を行う前よりも多数のカー
ボンナノチューブの鋭利な先端部分が表面に露出するた
め、電子放出源に利用した場合に、低電圧で高効率な電
子放出が可能になる。
【００３３】また、前記基板を真空外囲器を形成するガ
ラス基板１０１で構成すると共に、前記金属をソード導
体１０２で構成すれば、電子放出源に直接利用できる。
尚、このとき、ガラス基板１０１上にカソード導体１０
２及びカソード配線（図示せず）を連続的に形成し、前
記カソード配線上に、活性点の少ない絶縁層を被着し、
その後、カーボンナノチューブ３０１を前記基板全面に
被着した後、前記絶縁層に被着したカーボンナノチュー
ブ３０１を除去するようにすれば、容易に電子放出源を
形成することが可能になる。
【００３４】さらに、本発明の実施の形態に係るカーボ
ンナノチューブのパターン形成材料は、所定の金属パタ
ーンと、前記金属パターンから露出した露出部を有しカ
ーボンナノチューブとの被着力が前記金属よりも弱い材
料とを備えた基板と、前記金属上に被着されたカーボン
ナノチューブを備え、前記カーボンナノチューブは、前
述したパターン形成方法によって形成されている。した
がって、微細パターンのカーボンナノチューブを有する
カーボンナノチューブのパターン形成材料を提供するこ
とが可能になる。
【００３５】さらにまた、本発明の実施の形態に係る電
子放出源は、カソード導体１０２とゲート電極５０１間
にエミッタ４０１を配設し、カソード導体１０２とゲー
ト電極５０１間に電圧を印加することによりエミッタ４
０１から電子を放出する電子放出源において、エミッタ
４０１は、前記カーボンナノチューブのパターン形成材
料を用いて形成されている。したがって、微細パターン
のエミッタを有する電子放出源を構成することが可能に
なる。また、低電圧駆動で高効率な電子放出源を構成す
ることが可能になる。
【００３６】また、本発明の実施の形態に係る蛍光発光
型表示器は、電子放出源及び蛍光体６０２が被着された
アノード電極６０３を真空気密容器内に配設し、前記電
子放出源から放出される電子を蛍光体６０２に射突させ
ることにより発光表示を行う蛍光発光型表示器におい
て、電子放出源として、前記電子放出源を使用してい
る。したがって、高精細で種々のパターンに発光表示が
可能になる。また、低電圧駆動で高輝度な表示を行うこ
とが可能になる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、カーボンナノチューブ
の微細なパターンを形成することが可能になる。これに
より、高精度で種々のパターンの電子放出源を提供する
ことが可能になる。また、高精細で種々のパターンに発
光する蛍光発光型表示器を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態に係るカーボンナノチュ
ーブのパターン形成方法においてカソード電極を被着す
る工程を示す図である。
【図２】 本発明の実施の形態に係るカーボンナノチュ
ーブのパターン形成方法においてカーボンナノチューブ
を被着する工程を示す図である。
【図３】 本発明の実施の形態に係るカーボンナノチュ
ーブのパターン形成方法においてカーボンナノチューブ
を被着する工程を示す図である。
【図４】 本発明の実施の形態に係るカーボンナノチュ
ーブのパターン形成方法においてエミッタを形成する工
程を示す図である。
【図５】 本発明の実施の形態に係る電子放出源の製造
工程を示す図である。
【図６】 本発明の実施の形態に係る蛍光発光型表示器
の一部切欠き側面図である。
【符号の説明】
１０１、６０１・・・真空気密容器を構成する絶縁基板 １０２・・・カソード導体 ３０１・・・カーボンナノチューブ ４０１・・・エミッタ ４０３・・・粘着テープ ５０１・・・ゲート電極 ５０４・・・リブ状ゲート電極 ６０２・・・アノード電極 ６０３・・・蛍光体 ６０４・・・真空気密容器を構成するシールガラス

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の金属パターンと、前記金属パター
    ンから露出した露出部を有しカーボンナノチューブとの
    被着力が前記金属よりも弱い材料とを備えた基板を形成
    する工程と、 前記金属及び前記露出部にカーボンナノチューブを被着
    する工程と、 前記露出部に被着したカーボンナノチューブを除去する
    工程とを備えて成ることを特徴とするカーボンナノチュ
    ーブのパターン形成方法。
  2. 【請求項２】 前記露出部からカーボンナノチューブを
    除去する工程は、前記金属及び前記露出部に被着したカ
    ーボンナノチューブに粘着テープを貼付した後これを剥
    離させることにより前記露出部に被着したカーボンナノ
    チューブを除去する工程、液体によって洗浄することに
    より前記露出部に被着したカーボンナノチューブを除去
    する工程、又は、エアブローによって前記露出部に被着
    したカーボンナノチューブを除去する工程であることを
    特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブのパタ
    ーン形成方法。
  3. 【請求項３】 前記基板はガラス基板であり、前記金属
    はカソード導体であることを特徴とする請求項１又は２
    記載のカーボンナノチューブのパターン形成方法。
  4. 【請求項４】 所定の金属パターンと、前記金属パター
    ンから露出した露出部を有しカーボンナノチューブとの
    被着力が前記金属よりも弱い材料とを備えた基板と、前
    記金属上に被着されたカーボンナノチューブを備え、前
    記カーボンナノチューブは、請求項１乃至３のいずれか
    一に記載の方法によって形成されていることを特徴とす
    るカーボンナノチューブのパターン形成材料。
  5. 【請求項５】 カソード導体とゲート電極間にエミッタ
    を配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を印
    加することにより前記エミッタから電子を放出する電子
    放出源において、請求項４記載のカーボンナノチューブ
    のパターン形成材料を用いて形成されることを特徴とす
    る電子放出源。
  6. 【請求項６】 電子放出源及び蛍光体が被着されたアノ
    ード電極を真空気密容器内に配設し、前記電子放出源か
    ら放出される電子を前記蛍光体に射突させることにより
    発光表示を行う蛍光発光型表示器において、電子放出源
    として、請求項５記載の電子放出源を使用したことを特
    徴とする蛍光発光型表示器。
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