JP2001035361A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、
前記カソード導体にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを含むペースト材料を被着してエミッタを形成する工程と、
前記エミッタの表面をドライエッチングによりエッチング処理する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、
前記カソード導体に抵抗層を被着する工程と、
前記抵抗層にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを含むペースト材料を被着してエミッタを形成する工程と、
前記エミッタの表面をドライエッチングによりエッチング処理する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造方法。
【請求項３】
前記ドライエッチングは、Ｈ２又はＯ２を含むエッチングガス、あるいは、ＣｘＨｙ系ガス又はＣｘＨｙＦｚ系ガスを含むエッチングガスを使用した反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項１又は２記載の電子放出源の製造方法。
【請求項４】
カソード導体とゲート電極間にエミッタを配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を印加することにより前記エミッタから電子を放出する電子放出源において、
前記エミッタは、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを有するカーボン材料を、直接又は抵抗層を介して前記カソード導体に被着すると共に、前記カーボン材料をドライエッチングによってエッチング処理することにより形成したことを特徴とする電子放出源。
【請求項５】
電子放出源及び蛍光体が被着されたアノード電極を真空気密容器内に配設し、前記電子放出源から放出される電子を前記蛍光体に射突させることにより発光表示を行う蛍光発光型表示器において、
前記電子放出源として、請求項４記載の電子放出源を使用したことを特徴とする蛍光発光型表示器。
【請求項１】
絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、
前記カソード導体にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを含むペースト材料を被着してエミッタを形成する工程と、
前記エミッタの表面をドライエッチングによりエッチング処理する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板にカソード導体を被着する工程と、
前記カソード導体に抵抗層を被着する工程と、
前記抵抗層にカーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを含むペースト材料を被着してエミッタを形成する工程と、
前記エミッタの表面をドライエッチングによりエッチング処理する工程とを備えて成ることを特徴とする電子放出源の製造方法。
【請求項３】
前記ドライエッチングは、Ｈ２又はＯ２を含むエッチングガス、あるいは、ＣｘＨｙ系ガス又はＣｘＨｙＦｚ系ガスを含むエッチングガスを使用した反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項１又は２記載の電子放出源の製造方法。
【請求項４】
カソード導体とゲート電極間にエミッタを配設し、前記カソード導体とゲート電極間に電圧を印加することにより前記エミッタから電子を放出する電子放出源において、
前記エミッタは、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノパーティクル、ナノカプセル及びカーボンナノホーンの中の少なくとも一つを有するカーボン材料を、直接又は抵抗層を介して前記カソード導体に被着すると共に、前記カーボン材料をドライエッチングによってエッチング処理することにより形成したことを特徴とする電子放出源。
【請求項５】
電子放出源及び蛍光体が被着されたアノード電極を真空気密容器内に配設し、前記電子放出源から放出される電子を前記蛍光体に射突させることにより発光表示を行う蛍光発光型表示器において、
前記電子放出源として、請求項４記載の電子放出源を使用したことを特徴とする蛍光発光型表示器。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20256299A JP4036572B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 電子放出源の製造方法 |
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Family Applications (1)
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| JP2003168355A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Sony Corp | 電子放出体の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 |
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1999
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