JP2001033767A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 駆動電圧が上昇することなく、ヒステリシス
を低く抑えられ、コントラストが高く、表示品質の優れ
た高分子分散型液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 高分子中に液晶滴を分散させてなる高分
子・液晶複合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画
素内において少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性
の異なる領域を有する液晶表示素子の製造方法であっ
て、パネル外部にあるマスクを通してレーザー光を照射
することにより、相分離を行うことを特徴とする液晶表
示素子の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高分子分散型液晶
を用いた散乱型の液晶表示素子およびその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は、薄型、小型、低電圧駆
動、低消費電力という特徴を生かし、腕時計、電卓等の
表示から、ナビゲーションシステム、ノート型パソコ
ン、液晶モニター、データプロジェクター、プロジェク
ション液晶テレビなどあらゆるところで広く利用されて
いる。このような液晶表示素子の表示モードの中で、従
来より広く用いられているのがＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）方式であり、対向する２枚の基板の間
に上下で液晶分子が９０度ねじれた構造の液晶素子を２
枚の偏光板により挟持したものである。また、ＴＮ方式
の時分割駆動特性を改善したＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式の液晶表示素子も日
本語ワードプロセッサーなどに使われている。さらに、
最近では液晶分子の自発分極によって液晶分子の配列状
態を変化させ、その配列状態の変化に伴う電気光学効果
を表示に利用する強誘電性液晶を利用した情報機器も実
用化されている。

【０００３】しかし、これらの液晶表示素子は少なくと
も１枚の偏光板を必要とするため、暗い、配向処理が必
要、セル厚制御が容易でないという課題があった。

【０００４】一方、このような液晶表示素子に対して、
偏光板が不要で、電界により液晶分子の配列を制御し
て、白濁状態または透明状態を作り出す方式が提案され
ている。この方式は、液晶材料と透明高分子の複合体が
２枚の基板間に挟持されており、液晶分子が正の誘電率
異方性を有する場合、液晶分子の常光屈折率と透明高分
子の屈折率を一致させておくと、電圧を印加して液晶分
子の長軸を電界に平行になるように配列させて透明高分
子の屈折率と一致すると界面の光散乱がないため透明状
態になり、一方電圧が無印加のときには、液晶分子は種
々の方向に配向しているため透明高分子との界面で屈折
率が一致しないため光散乱が起こり白濁不透明状態にな
ることを利用しているものである。

【０００５】この方式の代表的な例は、ＮＣＡＰ（Ｎｅ
ｍａｔｉｃ Ｃｕｒｖｉｌｉｎｅａｒ Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｐｈａｓｅ）と呼ばれる、ネマチック液晶をポリビニ
ルアルコールなどでマイクロカプセル化したものである
（粉体と工業、ＶＯＬ．２２、ＮＯ．８（１９９
０））。

【０００６】また、このほかに、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ）といわれる方式があり、液晶微小滴を高分子マト
リクス中に分散させる方法である（フラットパネルディ
スプレイ’９１、日経ＢＰ社、ｐ２１９）。

【０００７】また、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔ
ｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）といわれる
ものもあり、樹脂が液晶の連続相の中に3次元ネットワ
ーク状に広がる構造を有するものである（電気情報通信
学会技術研究報告、ＥＩＤ８９−８９、ｐ１）。

【０００８】これらの液晶材料と透明高分子の複合体
は、総称して高分子分散型液晶と呼ばれている。

【０００９】従来、これらの液晶材料と高分子の複合体
の製造方法は、アクリル系またはエポキシ系紫外線硬化
樹脂などの未硬化樹脂モノマーと液晶材料を溶解させた
混合組成物を２枚の基板間に注入し、これに、紫外線を
照射すると、樹脂モノマーが重合して液晶材料と樹脂が
相分離する。その結果、高分子中に液晶材料が分散した
構造、または液晶中に高分子がネットワーク状に広がる
構造のものが得られる（フラットパネルディスプレイ’
９１、日経ＢＰ社、ｐ２１９、電気情報通信学会技術研
究報告、ＥＩＤ８９−８９、ｐ１など）。

【００１０】さて、高分子分散型液晶を作製し、電気光
学特性（印加電圧に対する透過率の変化）を測定する
と、図５に示されるように、電圧上昇過程と電圧下降過
程で同一の特性を示さず、印加電圧−透過率曲線にヒス
テリシス（光学ヒステリシス、電圧ヒステリシス）が観
測される（液晶討論会講演予稿集、ｐ３１２（１９９
１）、ＳＩＤ９３ Ｄｉｇｅｓｔ、５７５（１９９２）
など）。

【００１１】ここで、電圧ヒステリシスの大きさＨは、
所定透過率での電圧上昇過程と電圧下降過程の電圧差
（電圧ヒステリシス幅と呼ぶ）を、電圧下降過程の電圧
で割ったものとして定義される。Ｈは透過率Ｔの関数で
あり、Ｖｕｐ（Ｔ）を透過率Ｔでの電圧上昇時の電圧、
Ｖｄｏｗｎ（Ｔ）を透過率Ｔでの電圧下降時の電圧とす
ると、Ｈ（Ｔ）（％）は、 （Ｖｕｐ（Ｔ）−Ｖｄｏｗｎ（Ｔ））／Ｖｄｏｗｎ
（Ｔ）×１００ で定義される。

【００１２】また、この電圧ヒステリシスは、印加電圧
−透過率曲線の傾き（急峻性）が変化しても変化しな
い。ある特定のパネルの代表値としての電圧ヒステリシ
ス値は、Ｈ（Ｔ）の最大値で示される。

【００１３】さて、この電圧ヒステリシスとは別に、透
過率次元でヒステリシスを扱うために、光学ヒステリシ
ス（見かけのヒステリシス）Ｈ（Ｖ）（％）を導入す
る。

【００１４】ここで、光学ヒステリシスの大きさＨは、
同一印加電圧での電圧上昇過程と電圧下降過程の透過率
差のパネルの最大輝度に対する割合として定義される。
Ｈは印加電圧Ｖの関数であり、Ｔｕｐ（Ｖ）を印加電圧
Ｖでの電圧上昇時の透過率、Ｔｄｏｗｎ（Ｖ）を印加電
圧Ｖでの電圧下降時の透過率とすると、Ｈ（Ｖ）（％）
は、 （Ｔｄｏｗｎ（Ｖ）−Ｔｕｐ（Ｖ））／（Ｔ１００−Ｔ
０）×１００ で定義される。ここで、Ｔ１００は最大透過率、Ｔ０は
無印加時の透過率を表す。

【００１５】また、パネルの代表値としての光学ヒステ
リシス値は、Ｈ（Ｖ）の最大値で示される。

【００１６】通常の高分子分散型液晶では、光学ヒステ
リシス値は２％以上と大きい。

【００１７】このヒステリシス現象は、高分子分散型液
晶を映像表示装置に応用した際、残像として観測され、
表示装置の表示品質、特に諧調表示を著しく損なうもの
である。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、最大透過率
の１０％を与える駆動電圧Ｖ１０のみを低減させること
によりγ値（急峻度。Ｖ９０／Ｖ１０）を最適値に調整
し、駆動電圧が上昇することなく、ヒステリシスを低く
抑えられ、コントラストが高く、表示品質の優れた高分
子分散型液晶表示素子を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、高分子分散型
液晶表示素子において、１つの画素内に少なくとも２種
類の液晶滴粒径の異なる領域を形成することにより、駆
動電圧が上昇すること無く、印加電圧−透過率曲線にお
ける最もヒステリシスが大きい電圧領域の急峻度のみを
選択的に下げ、光学ヒステリシスを低減させることによ
り上記課題を解決したものである。

【００２０】特に、前記液晶表示素子を実現するにあた
って、平行度の高い紫外線レーザーを使用することによ
り、出力の大きい紫外線を容易に得られ、容易に製造で
きるものである。

【００２１】請求項１記載の液晶表示素子の製造方法
は、高分子中に液晶滴を分散させてなる高分子・液晶複
合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画素内におい
て少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性の異なる領
域を有する液晶表示素子の製造方法であって、パネル外
部にあるマスクを通してレーザー光を照射することによ
り、相分離を行うことを特徴とする液晶表示素子の製造
方法。

【００２２】マスクを使用して１つの画素内に少なくと
も２種類の液晶滴粒径の異なる領域を形成するために
は、十分な平行度と十分な紫外線強度が必要である。こ
の光源としては、アルゴン・レーザーやヘリウム・カド
ミウム・レーザーが適している。

【００２３】請求項２記載の液晶表示素子の製造方法
は、高分子中に液晶滴を分散させてなる高分子・液晶複
合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画素内におい
て少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性の異なる領
域を有する液晶表示素子の製造方法であって、画素ピッ
チと同じピッチで照射強度を変化させたレーザー光を照
射することにより、相分離を行うことを特徴とする。

【００２４】アルゴン・レーザーやヘリウム・カドミウ
ム・レーザーを紫外線光源として用いれば、十分な平行
度が得られるので、マスクの代わりに画素ピッチと同じ
ピッチで照射強度を変化させたレーザーでも十分に領域
分割をすることができる。

【００２５】請求項３記載の液晶表示素子の製造方法
は、高分子中に液晶滴を分散させてなる高分子・液晶複
合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画素内におい
て少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性の異なる領
域を有する液晶表示素子の製造方法であって、外部に配
置したマスクのピッチが画素ピッチの２倍のマスクを通
して紫外線を照射することにより、相分離を行うことを
特徴とする。

【００２６】マスクの形状を工夫することにより、画素
ピッチの２倍のマスクで１つの画素内に少なくとも２種
類の液晶滴粒径の異なる領域を形成することができる。
これにより、紫外線光源の平行度を落とすことができ、
その代わりに紫外線強度を確保することができ、光学ヒ
ステリシスの小さい高分子分散型液晶ライトバルブを得
ることができる。

【００２７】請求項４記載の液晶表示素子の製造方法
は、高分子中に液晶滴を分散させてなる高分子・液晶複
合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画素内におい
て少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性の異なる領
域を有する液晶表示素子の製造方法であって、紫外線照
射側の基板の厚みｄが０．５ｍｍ以下であり、かつパネ
ル外部にあるマスクを通して紫外線を照射することによ
り、相分離を行うことを特徴とする。

【００２８】請求項５記載の液晶表示素子の製造方法
は、高分子中に液晶滴を分散させてなる高分子・液晶複
合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画素内におい
て少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性の異なる領
域を有する液晶表示素子の製造方法であって、紫外線照
射側の基板の厚みをｄ、紫外線光源の強度が半減する角
度をθ、マスクピッチをｐとするとき、（数３）を満た
す条件で相分離を行うことを特徴とする。

【００２９】

【数３】

【００３０】請求項６記載の液晶表示素子の製造方法
は、請求項４に記載の液晶表示素子の製造方法であっ
て、紫外線光源の強度が半減する角度θが５度以上であ
り、かつ紫外線照射側の基板の厚みｄが０．５ｍｍ以下
であることを特徴とする。

【００３１】高分子分散型液晶を使用したディスプレイ
を仮定する場合、直視方式で大きいサイズのものはピク
セル数が横６４０個で縦４８０個、対角距離が５０ｃｍ
（いわゆる２０インチ型）のものである。横方向のピク
セルはさらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の各
画素に分かれるため、最小のピッチは横方向で、約０．
２１ｍｍとなる。

【００３２】紫外線光源の強度が半減する角度θは、照
射強度とトレード・オフの関係にあり、十分な照射強度
を得るためには最低でも５度以上にしなくてはならな
い。このピッチと半値幅５度からｄを（前記数３）で計
算すると、ｄ＜０．６ｍｍとなり、これ以上では、１つ
の画素内に２種類の液晶滴粒径の異なる領域を形成する
ことができるが、マスク像がほけてしまい、急峻度γが
十分に大きくならないので光学ヒステリシスを十分に低
減させることができない。好ましくは、紫外線照射側の
基板の厚みｄが０．５ｍｍ以下である。

【００３３】請求項７記載の液晶表示素子の製造方法
は、高分子中に液晶滴を分散させてなる高分子・液晶複
合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画素内におい
て少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性の異なる領
域を有する液晶表示素子の製造方法であって、第１の紫
外線を照射して相分離を行う第１の紫外線照射工程と、
パネル外部にあるマスクを通して第２の紫外線を照射す
る第２の紫外線照射工程と、を有することを特徴とす
る。

【００３４】この発明は、１つの画素内に少なくとも２
種類の液晶滴粒径の異なる領域を形成する代わりに、１
つの画素内の粒径は同じで少なくとも２種類の透過率−
印加電圧特性の異なる領域を形成する方法である。この
発明は、第２の紫外線照射工程により液晶−高分子界面
の濡れ性（アンカリング力、界面規制力ど考えても同
様）を上昇させるものであり、効果は粒径分割と同様で
光学ヒステリシスを十分に低減させることができる。

【００３５】請求項８記載の液晶表示素子の製造方法
は、請求項７に記載の液晶表示素子の製造方法であっ
て、紫外線照射側の基板の厚みをｄ、第２の紫外線光源
の強度が半減する角度をθ、マスクピッチをｐとすると
き、（数４）を満たす条件で第２の紫外線照射を行うこ
とを特徴とする。

【００３６】

【数４】

【００３７】本発明は、請求項４〜６記載の発明と全く
同じ原理である。

【００３８】請求項９記載の液晶表示素子の製造方法
は、請求項８に記載の液晶表示素子の製造方法であっ
て、第２の紫外線光源の強度が半減する角度θが５度以
上であり、かつ第２の紫外線照射側の基板の厚みｄが
０．５ｍｍ以下であることを特徴とする。

【００３９】本発明も、請求項４〜６記載の発明と全く
同じ原理である。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の一
実施例による高分子分散型液晶表示素子の断面図であ
る。図１は１つの画素の断面図を示しており、１つの画
素内に少なくとも２種類の液晶滴粒径の異なる領域を形
成している。図１では、液晶相が独立相（液晶滴）とし
て高分子マトリクス（高分子相）中に分散したタイプの
ものであるが、液晶材料や重合条件により、電気情報通
信学会技術研究報告、ＥＩＤ８９−８９、ｐ１のように
液晶相および高分子相が連続相を形成する場合もある。

【００４１】以下の説明では、主として液晶相が独立相
として高分子マトリクス中に分散したタイプのものにつ
いて述べるが、本発明では液晶相および高分子相が連続
相を形成するポリマーネットワーク構造にも適用でき
る。

【００４２】（実施例１）図９は、本発明の一実施例に
よる液晶表示素子の製造方法を示したものである。

【００４３】電極が複数の画素電極からなり、各画素電
極に印加する電圧を制御するアクティブ素子を設けたア
クティブマトリクス基板９２を中性洗剤に３０分浸した
後、流水で２０分洗浄し、１１０℃で１時間乾燥した。
また、対向基板としてインジウム・錫酸化膜からなる透
明電極付き透明ガラス基板９１をアルカリ洗剤に３０分
浸した後、同様に流水で２０分洗浄し、１１０℃で１時
間乾燥した。

【００４４】その後、両基板に紫外線を１０分照射し、
有機汚染物を分解した。

【００４５】次に、それらの基板の上に、絶縁膜ＪＡＬ
Ｓ−２１４（日本合成ゴム（株）社製）をスピンナー塗
布し、１８０℃、３０分間硬化させた。

【００４６】これらの基板を１２μｍ径のプラスティッ
ク製のスペーサ（ミクロパール：積水ファイン（株））
を介して熱硬化型のシール材（ストラクトボンド：三井
東圧化学（株））により液晶注入口を設けて貼り合わ
せ、１５０℃で２時間加熱してシール材を完全硬化させ
て空セルを得た。

【００４７】なお、図９では、透明電極、絶縁膜、アク
ティブ素子、スペーサ、シール材は省略している。

【００４８】次に、液晶材料としてＴＬ−２１３（メル
ク社製）８．５０ｇと重合性モノマーとして２−エチル
ヘキシルアクリレート（東京化成製）を０．８０ｇ、オ
リゴマーとしてポリウレタンアクリレートを０．６０
ｇ、光重合開始剤としてダロキュア１１７３（チバガイ
ギ（株））を０．０５ｇそれぞれ加え、できあがった液
晶材料と高分子モノマーの混合組成物を、２５℃で十分
撹拌し均一な混合溶液を調製した。

【００４９】この均一混合溶液を２５℃で前記空セルの
空隙部９５に封口部から真空注入し、その後、紫外線硬
化型封口樹脂であるロックタイト（日本ロックタイト
（株））により封口した。

【００５０】次に、前記液晶セルに、図９のように、ラ
イン幅２５μｍ−スペース幅２５μｍの金属クロム９４
からなるストライプマスク９３（石英基板）を介して、
アルゴン・レーザーを基板全面に均一に照射し、前記ス
トライプマスク９３の開口部の重合性モノマーを光重合
開始剤との反応により重合、相分離させた。

【００５１】次に、前記ストライプマスク９３を取り外
し、５０ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯による紫外線を２５
℃で６０秒照射し、金属クロム９４の直下の重合性モノ
マーを光重合開始剤との反応により重合、相分離させ
た。なお、紫外線照射の際、液晶の分解を防ぐため、紫
外線カットフィルターＵＶ−３５（東芝硝子（株））を
通過させた。また、このとき、特に平行化した紫外線光
源は使用していない。

【００５２】このようにして、図１のような１つの画素
において、高分子マトリクス１５中に粒径の異なる液晶
滴１６が分散された高分子分散型液晶が得られた。

【００５３】なお、図１では、アクティブ素子、スペー
サ、シール材は省略している。

【００５４】こうして完成した高分子分散型液晶表示素
子を分解し、イソプロピルアルコールで液晶材料を洗浄
除去し、高分子分散型液晶の相分離構造を光学顕微鏡で
観察したところ、この液晶滴１６は完全な球形ではな
く、歪んだ形状になっていた。

【００５５】また、隣接する液晶滴と連続的につながっ
ているものも観察された。光学顕微鏡での観察結果か
ら、その領域での平均粒径Ｒを求めた。

【００５６】本実施例の高分子分散型液晶では、小さい
方の液晶滴は平均０．９μｍ、大きい方の液晶滴は平均
１．１μｍであった。

【００５７】次に、このように作製した高分子分散型液
晶のコントラスト特性を調べた。

【００５８】高分子分散型液晶の散乱特性（コントラス
ト特性）を定量化する指標として、散乱ゲインＧを用い
た。

【００５９】高分子分散型液晶のコントラストは散乱ゲ
インＧの逆数に比例する。

【００６０】散乱ゲインＧは、高分子分散型液晶の光照
射面での照度をＥ、高分子分散型液晶の光照射側とは反
対側の面での輝度をＢ、円周率をπとして、次式で定義
される。

【００６１】Ｇ＝πＢ／Ｅ 散乱ゲインＧは、高分子分散型液晶セルの基板面に平行
に光を照射し、高分子分散型液晶セルの基板面上に配置
した照度計（ミノルタ製Ｔ−１Ｍ）で照度Ｅを測定し
た。また、高分子分散型液晶の光照射側とは反対側の面
での輝度Ｂを輝度計（ＴＯＰＣＯＮ製ＢＭ−８）で測定
した。高分子分散型液晶が完全な散乱体である場合は、
散乱ゲインＧは０．５となる。

【００６２】上記散乱ゲインＧについては、「液晶ビデ
オプロジェクタ技術」（佐々木 正、１９９０、１０．
２９、ｐ１３９）に解説されている。

【００６３】本実験では散乱ゲインＧは０．９５であ
り、通常の作製法による値とほぼ同等の値が得られた。

【００６４】散乱ゲインＧは、セルの厚み、液晶相の平
均粒径（液晶滴の直径）または液晶相の平均厚み（ネッ
トワーク構造のとき）Ｒに大きく依存する。

【００６５】また、しきい値電圧もセルの厚み、液晶相
の平均粒径または液晶相の平均厚みＲに大きく依存す
る。

【００６６】本実施例では、高分子分散型液晶の液晶相
の平均粒径または液晶相の平均厚みＲを紫外線強度の差
により、１つの画素内に２種類の異なる領域を形成させ
たものであり、画素領域中、レーザー照射部では紫外線
強度が大きく、Ｒが小さくなり（高しきい値電圧）、レ
ーザー非照射部では紫外線強度が小さく、Ｒが大きく
（低しきい値電圧）なる。

【００６７】図３は、本実施例で作製した高分子分散型
液晶セルの印加電圧による透過率変化を輝度計で測定し
たものである。測定温度３０℃、受光角０．２゜で、３
０Ｈｚの矩形波を印加して測定した。

【００６８】図３の２曲線は各々、印加電圧を０Ｖから
３０Ｖに増加させたときの透過率特性、および印加電圧
を３０Ｖから０Ｖに減少させたときの透過率特性を示
す。両者の曲線は全く同一にはならず、ヒステリシスが
観測された。最も光学ヒステリシスの大きいところを最
大光学ヒステリシスと呼ぶことにすると、本実施例で作
製した高分子分散型液晶セルの最大光学ヒステリシスは
０．９％であった。また、このときの急峻度、すなわち
γは、Ｖ１０＝３．０Ｖ、Ｖ９０＝６．０Ｖであり、γ
＝Ｖ９０／Ｖ１０＝２．０であった。

【００６９】（比較例１）図１２に比較例１による液晶
表示素子の断面図を示す。

【００７０】実施例１と同様な方法で空セルを作製し、
実施例１と同様に液晶材料としてＴＬ−２１３（メルク
社製）８．５０ｇと重合性モノマーとして２−エチルヘ
キシルアクリレート（東京化成製）を０．８０ｇ、オリ
ゴマーとしてポリウレタンアクリレートを０．６０ｇ、
光重合開始剤としてダロキュア１１７３（チバガイギ
（株））を０．０５ｇそれぞれ加え、できあがった液晶
材料と高分子モノマーの混合組成物を、２５℃で十分撹
拌し均一な混合溶液を調製した。

【００７１】この均一混合溶液を２５℃で前記空セルの
空隙部９５に封口部から真空注入し、その後、紫外線硬
化型封口樹脂であるロックタイト（日本ロックタイト
（株））により封口した。

【００７２】次に、前記液晶セルに、２００ｍＷ／ｃｍ
²の高圧水銀灯による紫外線を２５℃で６０秒照射し、
重合性モノマーを光重合開始剤との反応により重合、相
分離させた。なお、紫外線照射の際、液晶の分解を防ぐ
ため、紫外線カットフィルターＵＶ−３５（東芝硝子
（株））を通過させた。

【００７３】この高分子分散型液晶表示素子の印加電圧
による透過率変化を、実施例１と同様に輝度計で測定し
たところ、図４に見られるように、γ＝１．７であり、
最大光学ヒステリシスは１．６％であった。また、この
ときのＶ９０は約６．２Ｖであり、実施例１とほぼ同じ
であった。また、液晶滴は平均０．９μｍであった。

【００７４】実施例１（図３）と比較例１（図４）を比
較すると、印加電圧−透過率曲線の急峻性に差があるこ
とが分かる。光学ヒステリシスの大きさは、印加電圧−
透過率曲線のヒステリシスが出現しやすい電圧（低電圧
領域）における急峻度（Ｖ９０／Ｖ１０）と負の相関が
あり、実施例１のように、２種類の印加電圧−透過率が
１画素中に混在して作用する様にすると、印加電圧−透
過率曲線の傾きがなだらかになり、光学ヒステリシスが
小さくなる。

【００７５】図６は、印加電圧−透過率曲線の急峻度γ
（Ｖ９０／Ｖ１０）と光学ヒステリシスの関係を調べた
ものである。セルは、表面エネルギーの大きい絶縁膜Ａ
Ｌ１０５１（日本合成ゴム（株）社製）にフッソ系界面
活性剤ＦＣ−４３０（３Ｍ社製）を０〜５ｗｔ％添加し
て作製した。

【００７６】図６を見ると、光学ヒステリシスの大きさ
は、急峻度（Ｖ９０／Ｖ１０）と負の相関があり、急峻
度が大きいほど光学ヒステリシスが小さくできることが
分かる。光学ヒステリシス＜１％を実現するためには、
γ≧２．０が必要である。しかし、絶縁膜の表面エネル
ギーを変化させるこの方式では、Ｖ１０がほぼ固定でＶ
９０が大きくなり、駆動電圧が上昇してしまうという欠
点がある。

【００７７】これに対し、Ｖ９０が一定で、Ｖ１０を下
げてγ≧２．０を実現するのが実施例１の方式である。

【００７８】図２に実施例１による光学ヒステリシスの
低下原理を示した。１画素の中に粒径すなわち駆動電圧
の異なる２種類の領域が存在し、それらの印加電圧−透
過率曲線を各々、ａ（粒径小）およびｂ（粒径大）と
し、各々のγは２．０より小さく、光学ヒステリシス
（各々、△Ｔａおよび△Ｔｂ）も１．６％程度の大きい
値をとるとする。ところが、画素全体として透過率を曲
線ｃとすると、曲線ｃの低電圧部では曲線ｂの効果で、
また曲線ｃの高電圧部では曲線ａの効果が現れ、曲線ｃ
は全体として、曲線ａと曲線ｂにちょうど挟まれたよう
な位置関係になる。

【００７９】また、ここで、注目すべきことは、曲線ｃ
のＶ９０は曲線ａのＶ９０とほぼ同様になるため、この
方式ではγを大きくしても駆動電圧が上昇しないことで
ある。

【００８０】このように、実施例１の発明によれば、Ｖ
９０を大きくしないで急峻度を大きくでき、γ≧２．０
を実現できることになる。

【００８１】また、図２において、γを大きくするため
には、１つの画素中の２つの領域の粒径の比（＝駆動電
圧比＝粒径の大きい方のＶ９０／粒径の小さい方のＶ９
０）を、ちいさくすればするほど、言い替えるならば曲
線ａと曲線ｂを離せば離すほど良いが、離しすぎても光
学ヒステリシス低減効果は飽和してしまう。また、駆動
電圧比が０．６より小さい領域では、曲線ｃ（画素全体
としての印加電圧−透過率曲線）に変曲点が現れてくる
のでこの電圧比領域は適さない。

【００８２】また、逆に駆動電圧比０．９より大きい
と、曲線ａと曲線ｂが接近してしまい、曲線ｃは１画素
の中に粒径の異なる２種類の領域が存在しない場合とほ
ぼ同じになり、γ増大効果が見られなかった。効果があ
るのは、駆動電圧比が０．６以上であり、０．９以下の
時である。また、好ましくは、駆動電圧比が０．７以上
であり、０．８５以下の時であった。

【００８３】（実施例２）図１０に本実施例による液晶
表示素子の製造方法を示す。

【００８４】実施例１と同様な方法で空セルを作製し、
実施例１と同様に液晶材料としてＴＬ−２１３（メルク
社製）８．５０ｇと重合性モノマーとして２−エチルヘ
キシルアクリレート（東京化成製）を０．８０ｇ、オリ
ゴマーとしてポリウレタンアクリレートを０．６０ｇ、
光重合開始剤としてダロキュア１１７３（チバガイギ
（株））を０．０５ｇそれぞれ加え、できあがった液晶
材料と高分子モノマーの混合組成物を、２５℃で十分撹
拌し均一な混合溶液を調製した。

【００８５】この均一混合溶液を２５℃で前記空セルの
空隙部１０３に封口部から真空注入し、その後、紫外線
硬化型封口樹脂であるロックタイト（日本ロックタイト
（株））により封口した。

【００８６】次に、前記液晶セルに、図１０のように、
ピッチ５０μｍ、パルス幅２５μｍのアルゴン・レーザ
ーを基板に均一に照射し、重合性モノマーを光重合開始
剤との反応により重合、相分離させた。

【００８７】次に、５０ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯によ
る紫外線を２５℃で６０秒照射し、未反応の重合性モノ
マーを光重合開始剤との反応により完全に重合、相分離
させた。なお、紫外線照射の際、液晶の分解を防ぐた
め、実施例１と同様に紫外線カットフィルターＵＶ−３
５（東芝硝子（株））を通過させた。また、このとき、
特に平行化した紫外線光源は使用していない。

【００８８】このようにして、実施例１と同様に図１の
ような１つの画素において、高分子マトリクス１５中に
粒径の異なる液晶滴１６が分散された高分子分散型液晶
が得られた。

【００８９】この高分子分散型液晶表示素子の印加電圧
による透過率変化を、実施例１と同様に輝度計で測定し
たところ、γ＝２．０であり、最大光学ヒステリシスは
０．９％であった。また、このときのＶ９０は約６．０
Ｖであり、実施例１とほぼ同じであった。

【００９０】（実施例３）図１１に本実施例による液晶
表示素子の製造方法を示す。

【００９１】実施例１と同様な方法で空セルを作製し、
実施例１と同様に液晶材料としてＴＬ−２１３（メルク
社製）８．５０ｇと重合性モノマーとして２−エチルヘ
キシルアクリレート（東京化成製）を０．８０ｇ、オリ
ゴマーとしてポリウレタンアクリレートを０．６０ｇ、
光重合開始剤としてダロキュア１１７３（チバガイギ
（株））を０．０５ｇそれぞれ加え、できあがった液晶
材料と高分子モノマーの混合組成物を、２５℃で十分撹
拌し均一な混合溶液を調製した。

【００９２】この均一混合溶液を２５℃で前記空セルの
空隙部１０３に封口部から真空注入し、その後、紫外線
硬化型封口樹脂であるロックタイト（日本ロックタイト
（株））により封口した。

【００９３】次に、前記液晶セルに、図１１のように、
画素ピッチ５０μｍの２倍のピッチ、すなわち、ライン
幅５０μｍ−スペース幅５０μｍの金属クロム１１４か
らなるストライプマスク１１３（石英基板）を介して、
アルゴン・レーザーを基板全面に均一に照射し、前記ス
トライプマスク１１３の開口部の重合性モノマーを光重
合開始剤との反応により重合、相分離させた。

【００９４】次に、前記ストライプマスク１１３を取り
外し、５０ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯による紫外線を２
５℃で６０秒照射し、金属クロム１１４の直下の重合性
モノマーを光重合開始剤との反応により重合、相分離さ
せた。なお、紫外線照射の際、液晶の分解を防ぐため、
紫外線カットフィルターＵＶ−３５（東芝硝子（株））
を通過させた。また、このとき、特に平行化した紫外線
光源は使用していない。

【００９５】このようにして、実施例１と同様に図１の
ような１つの画素において、高分子マトリクス１５中に
粒径の異なる液晶滴１６が分散された高分子分散型液晶
が得られた。

【００９６】この高分子分散型液晶表示素子の印加電圧
による透過率変化を、実施例１と同様に輝度計で測定し
たところ、γ＝２．０であり、最大光学ヒステリシスは
０．９％であった。また、このときのＶ９０は約６．０
Ｖであり、実施例１とほぼ同じであった。

【００９７】（実施例４）図８に本実施例による液晶表
示素子の製造方法を示す。

【００９８】対角７．５ｃｍ（３型）、ガラス基板厚
１．１ｍｍ、３２０×２４０ドットのプロジェクター用
アクティブマトリクス基板を中性洗剤に３０分浸した
後、流水で２０分洗浄し、１１０℃で１時間乾燥した。
また、対向基板として基板厚０．５ｍｍ、インジウム・
錫酸化膜からなる透明電極付き透明ガラス基板をアルカ
リ洗剤に３０分浸した後、同様に流水で２０分洗浄し、
１１０℃で１時間乾燥した。

【００９９】その後、両基板に紫外線を１０分照射し、
有機汚染物を分解した。

【０１００】次に、それらの基板の上に、絶縁膜ＪＡＬ
Ｓ−２１４（日本合成ゴム（株）社製）をスピンナー塗
布し、１８０℃、３０分間硬化させた。

【０１０１】これらの基板を１２μｍ径のプラスティッ
ク製のスペーサ（ミクロパール：積水ファイン（株））
を介して熱硬化型のシール材（ストラクトボンド：三井
東圧化学（株））により液晶注入口を設けて貼り合わ
せ、１５０℃で２時間加熱してシール材を完全硬化させ
て空セルを得た。

【０１０２】次に、実施例１と同様に液晶材料としてＴ
Ｌ−２１３（メルク社製）８．５０ｇと重合性モノマー
として２−エチルヘキシルアクリレート（東京化成製）
を０．８０ｇ、オリゴマーとしてポリウレタンアクリレ
ートを０．６０ｇ、光重合開始剤としてダロキュア１１
７３（チバガイギ（株））を０．０５ｇそれぞれ加え、
できあがった液晶材料と高分子モノマーの混合組成物
を、２５℃で十分撹拌し均一な混合溶液を調製した。

【０１０３】この均一混合溶液を２５℃で前記空セルの
空隙部に封口部から真空注入し、その後、紫外線硬化型
封口樹脂であるロックタイト（日本ロックタイト
（株））により封口した。

【０１０４】次に、前記液晶セルに、図８のように、画
素ピッチ１９０μｍと同じピッチ、すなわち、ライン幅
９５μｍ−スペース幅９５μｍの金属クロム８５ａ、８
５ｂからなるストライプマスク８４（石英基板）を介し
て、２００ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯による平行化紫外
線（半値幅５度）を２５℃で６０秒照射し、重合性モノ
マーを光重合開始剤との反応により重合、相分離させ
た。なお、紫外線照射の際、液晶の分解を防ぐため、紫
外線カットフィルターＵＶ−３５（東芝硝子（株））を
通過させた。

【０１０５】このようにして、実施例１と同様１つの画
素において、高分子マトリクス中に粒径の異なる液晶滴
が分散された高分子分散型液晶が得られた。ただし、液
晶滴の分布の境界は図１ほど明確ではなく、液晶滴が小
さい領域と大きい領域の間に中間的な粒径の領域が見ら
れた。

【０１０６】この高分子分散型液晶表示素子の印加電圧
による透過率変化を、実施例１と同様に輝度計で測定し
たところ、γ＝１．９５であり、最大光学ヒステリシス
は１．０％であった。また、このときのＶ９０は約６．
０Ｖであり、実施例１とほぼ同じであった。

【０１０７】（比較例２）対向基板として基板厚０．７
ｍｍにした以外は実施例４と全く同様な方法で、高分子
分散型液晶表示素子を作製した。

【０１０８】このようにして得られた高分子分散型液晶
の粒径を観察すると、１つの画素においては、粒径の差
は見られず、均一な径（約１．０μｍ）の液晶滴が分散
された高分子分散型液晶になっていた。

【０１０９】この高分子分散型液晶表示素子の印加電圧
による透過率変化を、実施例１と同様に輝度計で測定し
たところ、γ＝１．７であり、最大光学ヒステリシスは
１．６％であった。また、このときのＶ９０は約５．５
Ｖであった。

【０１１０】（実施例４）実施例４による液晶表示素子
の製造方法を、図８を用いて詳細に説明する。

【０１１１】図８の上に示したのは、平行化した高圧水
銀灯の光源の強度分布曲線である。

【０１１２】図８の下は、厚みｄの対向ガラス基板８１
とアクティブマトリクス基板８２とに挟持された間隙８
３に、液晶材料−重合性モノマーからなる均一混合溶液
を充填したものに、画素ピッチｐと同じピッチ、すなわ
ち、ライン幅ｐ／２−スペース幅ｐ／２μｍの金属クロ
ム８５ａ、８５ｂからなるストライプマスク８４（石英
基板）を接した図である（画素構造は省略してある）。

【０１１３】これに、強度分布曲線における半値幅θの
略平行化した高圧水銀灯の紫外線を照射すると、液晶材
料−重合性モノマーからなる均一混合溶液を充填した間
隙８３に到達する紫外線は強度の点から、図８のよう
に、強度が強い領域（開口部の下）、中間の強度の領域
（金属クロムのエッジの下）および強度が弱い領域（金
属クロムの下）に分けられる。

【０１１４】高分子分散型液晶表示素子の液晶滴の粒径
は、紫外線の強度が大きいほど小さいので、上記のそれ
ぞれの領域に対して、粒径小、中および大の液晶滴が形
成される。本発明においては、光学ヒステリシスを低減
するため、１つの画素内において少なくとも２種類の透
過率−印加電圧特性の異なる領域を形成させるため、少
なくとも２種類の液晶滴の粒径（大および小）を１つの
画素内に作製しなくてはならない。しかし、対向基板の
厚みｄを大きくし、中間的な紫外線強度の領域（幅＝２
ｄ・ｔａｎθ）が広くなり、ついにはマスクのライン幅
（またはスペース幅）＝ｐ／２以上になると、必要な２
種類の液晶滴の粒径（大および小）の領域は消失し、ほ
ぼ１種類の粒径のみとなってしまう。

【０１１５】さて、Ｒ、Ｇ、Ｂ３板式プロジェクターの
ライトバルブとして使用する実用上最大の液晶パネルサ
イズは対角３インチ（＝７．５ｃｍ）、また、映像用と
して使用される液晶パネルの実用上最小のドット数は、
横３２０ドット、縦２４０ドットと考えると、実用上最
大の画素ピッチは、横６０（ｍｍ）／３２０＝０．１９
（ｍｍ）、すなわち１９０μｍである。

【０１１６】一方、略平行として十分な強度の紫外線を
出力できる紫外線照射装置（オーク製作所）の強度分布
の半値幅は最小θ＝５（度）である。この値より広がり
角度を小さくすると、平行度は良くなるが、１００〜２
００ｍＷ／ｃｍ²のような強度の大きい紫外線を得るこ
とは困難である。

【０１１７】１つの画素内において少なくとも２種類の
粒径の液晶滴が作製可能な最大のｄは、２ｄ・ｔａｎθ
＝ｐ／２の式に、θの限界である５度、ｐの限界である
１９０μｍを代入すると得られ、ｄ＝５４０μｍとな
る。すなわち、実施例４のｄ＝０．５ｍｍの対向基板で
は、１つの画素内において少なくとも２種類の粒径の液
晶滴が作製可能であるが、比較例２のｄ＝０．７ｍｍの
対向基板では、困難である。

【０１１８】（実施例５）実施例４と同様に、対角７．
５ｃｍ（３型）、ガラス基板厚１．１ｍｍ、３２０×２
４０ドットのプロジェクター用アクティブマトリクス基
板を中性洗剤に３０分浸した後、流水で２０分洗浄し、
１１０℃で１時間乾燥した。また、対向基板として基板
厚０．５ｍｍ、インジウム・錫酸化膜からなる透明電極
付き透明ガラス基板をアルカリ洗剤に３０分浸した後、
同様に流水で２０分洗浄し、１１０℃で１時間乾燥し
た。

【０１１９】その後、両基板に紫外線を１０分照射し、
有機汚染物を分解した。

【０１２０】次に、実施例４と同様に、それらの基板の
上に、絶縁膜ＪＡＬＳ−２１４（日本合成ゴム（株）社
製）をスピンナー塗布し、１８０℃、３０分間硬化させ
た。

【０１２１】これらの基板を１２μｍ径のプラスティッ
ク製のスペーサ（ミクロパール：積水ファイン（株））
を介して熱硬化型のシール材（ストラクトボンド：三井
東圧化学（株））により液晶注入口を設けて貼り合わ
せ、１５０℃で２時間加熱してシール材を完全硬化させ
て空セルを得た。

【０１２２】次に、実施例１と同様に液晶材料としてＴ
Ｌ−２１３（メルク社製）８．５０ｇと重合性モノマー
として２−エチルヘキシルアクリレート（東京化成製）
を０．８０ｇ、オリゴマーとしてポリウレタンアクリレ
ートを０．６０ｇ、光重合開始剤としてダロキュア１１
７３（チバガイギ（株））を０．０５ｇそれぞれ加え、
できあがった液晶材料と高分子モノマーの混合組成物
を、２５℃で十分撹拌し均一な混合溶液を調製した。

【０１２３】この均一混合溶液を２５℃で前記空セルの
空隙部に封口部から真空注入し、その後、紫外線硬化型
封口樹脂であるロックタイト（日本ロックタイト
（株））により封口した。

【０１２４】次に、前記液晶セルに、２００ｍＷ／ｃｍ
²の高圧水銀灯による第１の紫外線を２５℃で６０秒照
射し、重合性モノマーを光重合開始剤との反応により重
合、相分離させた。なお、紫外線照射の際、液晶の分解
を防ぐため、紫外線カットフィルターＵＶ−３５（東芝
硝子（株））を通過させた。

【０１２５】次に、前記液晶セルに、画素ピッチ１９０
μｍと同じピッチ、すなわち、ライン幅９５μｍ−スペ
ース幅９５μｍの金属クロムからなるストライプマスク
（石英基板）を介して、２００ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀
灯による略平行化した第２の紫外線（半値幅５度）を２
５℃で２００秒照射した。

【０１２６】このようにして完成したセルは、高分子マ
トリクス中に粒径が揃った液晶滴が分散された高分子分
散型液晶が得られたが、第２の紫外線の照射された量に
より１つの画素内において２種類の透過率−印加電圧特
性の異なる領域を有した。

【０１２７】この高分子分散型液晶表示素子の印加電圧
による透過率変化を、実施例１と同様に輝度計で測定し
たところ、γ＝２．０であり、最大光学ヒステリシスは
０．９％であった。また、このときのＶ９０は約６．０
Ｖであり、実施例１とほぼ同じであった。

【０１２８】本実施例は、完成した高分子分散型液晶表
示素子の液晶材料の紫外線照射での微量な分解による液
晶−高分子界面の濡れ性変化（低電圧化）を利用したも
のである。しかし、第２の紫外線を５００秒以上照射す
ると、液晶分解によるセル内電流の増加、黄変など、特
性の劣化が見られた。

【０１２９】マスクピッチ、対向基板の厚みｄ、紫外線
光源の半値幅θの関係は、実施例４と全く同様である。

【０１３０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、最適の電
気光学特性を示す領域に、粒径の異なるか濡れ性が異な
る駆動電圧の低い領域を付加すれば良く、駆動電圧が上
昇することなく、光学ヒステリシスを低く抑えられ、コ
ントラストが高く、表示品質の優れた高分子分散型液晶
表示素子が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１による液晶表示素子の断面図

【図２】本発明の実施例１による液晶表示素子の動作原
理を示す図

【図３】本発明の実施例１による液晶表示素子の印加電
圧−透過率特性図

【図４】比較例１による液晶表示素子の印加電圧−透過
率特性図

【図５】光学ヒステリシスの説明図

【図６】光学ヒステリシス−急峻度特性図

【図７】本発明の実施例４による液晶表示素子の１画素
の断面図

【図８】本発明の実施例４によるマスクピッチ、対向基
板厚、光源広がりの関係を示す図

【図９】本発明の実施例１による液晶表示素子の製造方
法を示す図

【図１０】本発明の実施例２による液晶表示素子の製造
方法を示す図

【図１１】本発明の実施例３による液晶表示素子の製造
方法を示す図

【図１２】比較例１による液晶表示素子の断面図

【符号の説明】

１１ ガラス基板 １２ ガラス基板 １３ａ，１３ｂ 透明電極 １４ａ，１４ｂ 絶縁膜 １５ 高分子マトリクス １６ 液晶滴 ７１ ガラス基板 ７２ ガラス基板 ７３ａ，７３ｂ 透明電極 ７４ａ，７４ｂ 絶縁膜 ７６ 石英基板 ７７ 金属クロム ８１ ガラス基板 ８２ ガラス基板 ８３ 空隙部 ８４ 石英基板 ８５ａ，８５ｂ 金属クロム ９１ ガラス基板 ９２ ガラス基板 ９３ 石英基板 ９４ 金属クロム ９５ 空隙部 １０１ ガラス基板 １０２ ガラス基板 １０３ 空隙部 １１１ ガラス基板 １１２ ガラス基板 １１３ 石英基板 １１４ 金属クロム １１５ 空隙部 １２１ ガラス基板 １２２ ガラス基板 １２３ａ，１２３ｂ 透明電極 １２４ａ，１２４ｂ 絶縁膜 １２６ 高分子マトリクス １２７ 液晶滴

フロントページの続き (72)発明者 中尾 健次 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA10 FA16 FA18 FA22 GA02 GA10 GA17 HA02 HA06 HA08 JA04 KA01 KA29 KA30 MA02 MA11 MA16 2H089 HA04 JA04 KA08 LA06 LA19 NA24 QA15 RA04 RA18 SA18 TA02 TA07 TA09

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高分子中に液晶滴を分散させてなる高分
   子・液晶複合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画
   素内において少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性
   の異なる領域を有する液晶表示素子の製造方法であっ
   て、 パネル外部にあるマスクを通してレーザー光を照射する
   ことにより、相分離を行うことを特徴とする液晶表示素
   子の製造方法。
2. 【請求項２】 高分子中に液晶滴を分散させてなる高分
   子・液晶複合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画
   素内において少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性
   の異なる領域を有する液晶表示素子の製造方法であっ
   て、 画素ピッチと同じピッチで照射強度を変化させたレーザ
   ー光を照射することにより、相分離を行うことを特徴と
   する液晶表示素子の製造方法。
3. 【請求項３】 高分子中に液晶滴を分散させてなる高分
   子・液晶複合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画
   素内において少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性
   の異なる領域を有する液晶表示素子の製造方法であっ
   て、 外部に配置したマスクのピッチが画素ピッチの２倍のマ
   スクを通して紫外線を照射することにより、相分離を行
   うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
4. 【請求項４】 高分子中に液晶滴を分散させてなる高分
   子・液晶複合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画
   素内において少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性
   の異なる領域を有する液晶表示素子の製造方法であっ
   て、 紫外線照射側の基板の厚みｄが０．５ｍｍ以下であり、
   かつパネル外部にあるマスクを通して紫外線を照射する
   ことにより、相分離を行うことを特徴とする液晶表示素
   子の製造方法。
5. 【請求項５】 高分子中に液晶滴を分散させてなる高分
   子・液晶複合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画
   素内において少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性
   の異なる領域を有する液晶表示素子の製造方法であっ
   て、 紫外線照射側の基板の厚みをｄ、紫外線光源の強度が半
   減する角度をθ、マスクピッチをｐとするとき、（数
   １）を満たす条件で相分離を行うことを特徴とする液晶
   表示素子の製造方法。 【数１】
6. 【請求項６】 紫外線光源の強度が半減する角度θが１
   度以上であり、かつ紫外線照射側の基板の厚みｄが０．
   ５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の液
   晶表示素子の製造方法。
7. 【請求項７】 高分子中に液晶滴を分散させてなる高分
   子・液晶複合体が、一対の基板間に挟持され、１つの画
   素内において少なくとも２種類の透過率−印加電圧特性
   の異なる領域を有する液晶表示素子の製造方法であっ
   て、 第１の紫外線を照射して相分離を行う第１の紫外線照射
   工程と、パネル外部にあるマスクを通して第２の紫外線
   を照射する第２の紫外線照射工程と、を有することを特
   徴とする液晶表示素子の製造方法。
8. 【請求項８】 紫外線照射側の基板の厚みをｄ、第２の
   紫外線光源の強度が半減する角度をθ、マスクピッチを
   ｐとするとき、（数２）を満たす条件で第２の紫外線照
   射を行うことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示素
   子の製造方法。 【数２】
9. 【請求項９】 第２の紫外線光源の強度が半減する角度
   θが１度以上であり、かつ第２の紫外線照射側の基板の
   厚みｄが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項
   ８に記載の液晶表示素子の製造方法。