JP2001033337A - 圧力センサを製造する方法 - Google Patents

圧力センサを製造する方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体圧力ピックアップを成形材料によって
取り囲む際に、型部分と組付け区分との間に発生した間
隙を通して成形材料が圧力供給部に、ひいては半導体チ
ップのダイヤフラムに達することを防止する。 【解決手段】 導体フレームの組付け区分１２を、ケー
シング３０の製造中に、射出成形型４０内においてクラ
ンプして保持するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサを製造
する方法であって、半導体圧力ピックアップを、特にリ
ードフレームのような導体フレームの組付け区分に装着
し、半導体圧力ピックアップを導体フレームのコンタク
ト区分と電気的に接続し、半導体圧力ピックアップを備
えた導体フレームを、射出成形型内に挿入し、１つの型
部分を、半導体圧力ピックアップの、組付け区分とは反
対側の面に、又は組付け区分の、半導体圧力ピックアッ
プとは反対側の面に接触させ、次いで半導体圧力ピック
アップを射出成形型内において、成形材料から成るケー
シングによって取り囲む形式の方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧力センサを製造するこのような方法
は、例えば「Advanced Microsystems for Automotiv Ap
plications '99, D. E. Ricken, W. Gessner, 第１２６
頁」に基づいて公知である。この公知の方法では、ベー
スに装着されていて圧力ダイヤフラムを備えている半導
体チップを有する半導体圧力ピックアップが、導体フレ
ーム、いわゆるリードフレームに装着されている。導体
フレームの平らな区分、いわゆるダイパッド（Diepad）
はこの場合、半導体圧力ピックアップの組付け区分とし
て働く。次いで半導体チップはボンディングワイヤを介
して導体フレームのコンタクト区分と接続される。次い
で「トランスファーモールディング」もしくは「トラン
スファー成形」という名前で公知の圧送成形法におい
て、半導体圧力ピックアップは、成形材料（Mold compo
und）から成るケーシング内に埋め込まれる。センサへ
の圧力供給はこの場合、半導体圧力ピックアップの上側
からか、又は、ベース及び組付け区分に設けられていて
半導体圧力ピックアップの下側面と接続された圧力通路
を通して行うことができる。この方法を実施する場合、
半導体圧力ピックアップを射出された成形材料によって
取り囲む際つまり半導体圧力ピックアップの射出被覆
（Umspritzen）の際には、ケーシング内における圧力供
給部を成形材料から解放しておくことに、注意が払われ
ねばならない。このことつまり圧力供給部の解放は、圧
力供給が半導体圧力ピックアップの、導体フレームとは
反対側の面から行われるか、又は導体フレームに向けら
れた側の面から行われるかに応じて、射出成形型内にお
いて半導体圧力ピックアップの上側面か又は組付け区分
に押し付けられる型部分によって、行われる。半導体圧
力ピックアップの射出被覆の後で、型部分は除去され、
これによって成形材料内に、圧力供給部として働く切欠
きが残される。
【０００３】上に述べた公知の方法における欠点として
は次のことが挙げられる。すなわち公知の方法では、導
体フレームの組付け区分が型部分の圧着時にずれること
があり、このような場合には型部分と組付け区分との間
に間隙が発生してしまう。このような場合、半導体圧力
ピックアップの射出被覆時に、前記間隙を通して成形材
料が圧力供給部に、ひいては半導体チップのダイヤフラ
ムに達することがあり、これによって圧力センサの機能
が損なわれてしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ゆえに本発明の課題
は、冒頭に述べた形式の方法を改良して、従来技術にお
ける欠点を排除すること、つまり型部分の圧着時におけ
る組付け区分のずれ、ひいては型部分と組付け区分との
間における不都合な間隙の発生を、確実に回避すること
ができる方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の方法では、導体フレームの組付け区分を、ケ
ーシングの製造中に、射出成形型内においてクランプし
て保持するようにした。
【０００６】
【発明の効果】請求項１記載の特徴を備えた本発明によ
る方法によって、公知の方法における欠点は回避され
る。このことは、組付け区分が射出成形型の内部におい
てクランプされることによって、達成される。組付け区
分はこの目的のために、半導体圧力ピックアップの装着
面から側部において外方に向かって延びる領域を有する
ことができ、この領域は簡単かつ確実な形式で射出成形
型においてクランプされることができる。組付け区分の
側部における増大は、製造方法のわずかな変更しか必要
としない。射出成形型において組付け区分をクランプす
ることによって、型部分が組付け区分に又は組付け区分
に装着された半導体圧力ピックアップに圧着される場合
に、組付け区分が逃げるもしくは変位することを、確実
に回避することができる。そしてこれによって、型部分
と組付け区分との間への成形材料の侵入又は、半導体圧
力ピックアップの上側面においてシールが行われる場合
には、型部分と半導体圧力ピックアップとの間への成形
材料の侵入を、有効に阻止することができる。本発明に
よる方法は、有利な形式で極めて簡単かつ安価に実施可
能であり、かつわずかな変更しか必要としない。
【０００７】本発明による方法のさらに別の有利な方法
は、請求項２以下に記載されている。
【０００８】本発明の特に有利な方法では、側部におい
て半導体圧力ピックアップの装着領域から延びている、
組付け区分の領域を、射出成形型の２つの型半部の間に
おいてクランプし、しかも両型半部を組付け区分の上側
面と下側面とに接触させるようにした。
【０００９】組付け区分において半導体圧力ピックアッ
プの下に圧力通路が形成されている場合には、組付け区
分の、半導体圧力ピックアップとは反対側の下側面全体
を、射出成形型の型部分によって覆うようにすると、圧
力通路を特に良好に覆うことができる。この場合、完全
に製造された圧力センサにおいて、組付け区分の、半導
体圧力ピックアップとは反対側の面は、成形材料によっ
て埋め込まれず、ケーシングの下側面において自由に接
近可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に図面を参照しながら本発明の
実施の形態を説明する。
【００１１】本発明による方法の第１実施例を、図１〜
図３を参照しながら説明する。図１には導体フレーム
（Leitungsgitter）１０、いわゆるリードフレーム（Le
adframe）が示されている。条片状の導体フレーム１０
は、例えば打抜き及び屈曲によって金属薄板条片から又
は他の形状において製造することが可能であり、条片の
長手方向において、同様に形成された複数の区分を有し
ており、これらの区分は、線Ｌ−Ｌに沿って個別化され
ることができる。このようにして有利な製造が可能であ
る。圧力センサの製造は、有利には自動化されたライン
製造において行われる。分割線Ｌ−Ｌの間における導体
フレームの各領域は、半導体圧力ピックアップ２を装着
するための各１つの平らな組付け区分１２を有してい
る。図２には、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図が示され
ている。半導体圧力ピックアップ２は例えばシリコンチ
ップのような半導体チップ３を有しており、この半導体
チップ３の下側面には凹設部６が設けられている。凹設
部６の上側の材料厚を減じられた、半導体チップ３の区
分は、変形可能なダイヤフラム５を形成している。半導
体チップ３は下側面２１で、例えばガラスベース又はプ
ラスチックベースのようなベース（Sockel）４に装着さ
れている。ベース４には、凹設部６と接続された切欠き
２５が設けられている。ベース４の下には、組付け区分
１２に別の切欠き２７が設けられており、この切欠き２
７は切欠き２５と整合している。組付け区分１２の切欠
き２７とベース４の切欠き２５と凹設部６とによって圧
力室が形成され、この圧力室を通して半導体チップ３の
ダイヤフラム５には圧力が負荷可能である。半導体チッ
プ３の上側はキャップ又はカバー２６によって覆われて
おり、この場合カバー２６の内側と半導体チップ３の上
側との間には、圧力測定のための基準室（Referenzrau
m）として働く中空室が形成される。半導体チップ３の
上側面には公知の形式で、図示されていない評価手段が
配置されており、これらの評価手段によってダイヤフラ
ム５の変形が検出可能である。評価手段は例えばダイヤ
フラムの領域における圧電抵抗素子であり、この圧電抵
抗素子を用いてダイヤフラム５における機械的な緊張が
検出可能である。導体フレーム１０の区分１２に半導体
圧力ピックアップ２を装着した後で、半導体チップ３は
ボンディングワイヤ１６を介して、導体フレーム１０の
コンタクト区分１１と電気的に接続される。次いでコン
タクト区分は、導体フレームの側部の横方向ウェブの切
断又は打抜きによって個別化されることができる。組付
け区分１２はいまや、ボンディングワイヤ１６の弾性的
な緊張力によって、コンタクト区分１１に対して運動さ
せられることができる。
【００１２】図１及び図２にさらに示されているよう
に、組付け区分１２の領域１３は、半導体圧力ピックア
ップ２の装着面を越えて延びていて、側部においてこの
半導体圧力ピックアップ２から突出している。突出して
いる領域１３は、射出成形型（Spritzwerkzeug）におい
て、組付け区分１２を固定するために働く。このために
圧力ピックアップ２を備えた導体フレーム１０は、図３
に示されているように射出成形型４０内に挿入される。
射出成形型４０は例えば上側部分４１と下側部分４２と
を備えた２つの部分から構成されている。図３から分か
るように、組付け区分の突出している領域１３は、射出
成形型の上側部分４１と下側部分４２との間にクランプ
され、その結果成形型内における組付け区分１２のポジ
ションは固定される。組付け区分１２の下側面１５に
は、成形型下側部分４２の１区分が接触し、この区分は
組付け区分１２の下側面１５全体ひいては圧力通路２７
をもカバーする。組付け区分１２が射出成形型内におい
てクランプされて支承されていることに基づいて、組付
け区分１２と成形型下側部分４２との間には、成形材料
の侵入する間隙が存在しない。次いで半導体圧力ピック
アップ２は成形材料から成るケーシング３０内に埋め込
まれる。このことは例えば、圧送成形（Transferforme
n）又はトランスファーモールディング（Transfer-Mold
ing）として公知の射出成形法によって、例えば熱硬化
樹脂（Duroplast）又は樹脂（Harz）のような成形材料
（Moldmasse）によって行われる。この方法では成形材
料は射出成形型の室内において液化され、次いで圧力下
で、閉鎖された型内に射出もしくは圧入され、この型内
において成形材料は硬化する。次に型部分は圧力センサ
から除去される。
【００１３】図４には完成した圧力センサ１が、図１の
Ｂ−Ｂ線に沿った横断面図で、つまり図３の断面図に対
して９０°ずらされた断面図で示されている。コンタク
ト区分１１はさらに接続脚の形で曲げられてもよい。
【００１４】図５には、本発明による方法によって製造
された圧力センサの別の実施例が横断面図で示されてい
る。この圧力センサ１では、半導体チップ２のダイヤフ
ラム５は、ケーシング３０内に形成された切欠き２８を
通して圧力負荷される。基準室はこの実施例では、ベー
ス４によって気密に閉鎖される凹設部６によって形成さ
れる。圧力センサの製造時に射出成形型上側部分の突出
部が、半導体チップ３のダイヤフラム５に押圧され、こ
れによってこのダイヤフラム５を覆う。図５においては
見えない領域１３で射出成形型においてクランプされた
組付け区分１２は、この場合下方に向かって偏位するこ
とはない。周囲の射出成形の終了後に、射出成形型は除
去される。切欠き２８の形状はこの場合射出成形型の突
出部によって規定される。図４に示された実施例とは異
なり、図５の実施例ではカバーは不要である。しかしな
がらこの場合、図４の実施例とは異なり、ダイヤフラム
５が射出成形型の押圧によって損傷されるかもしれない
という欠点がある。また図４の実施例とは異なり、図５
に示された実施例では、組付け区分１２の下側面は、図
示されていない領域１３を除いて同様に成形材料内に埋
め込まれている。組付け区分１２はこの実施例では、コ
ンタクト区分１１と同じ厚さを有しているが、これに対
して図４では組付け区分１２の厚さは増大されている。
高さの違いは、ベース４の厚さによって補償されること
ができる。さらにまた、例えば射出成形型の２つの細い
ウェブが組付け区分１２の互いに向かい合っている面１
４，１５に接触するような、方法の別の実施例も可能で
ある。
【００１５】本発明による方法によって、射出成形型と
導体フレームの組付け区分１２との間の領域（図４）、
もしくは射出成形型と半導体圧力ピックアップ２の上側
面との間の領域（図５）を、成形材料の侵入に対して確
実にシールすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体圧力センサが装着される複数の区分を備
えた導体フレームを示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った横断面図である。
【図３】図２に示された導体フレーム区分の、射出成形
型内における様子を示す図である。
【図４】完成した圧力センサを図１のＢ−Ｂ線に沿って
断面した横断面図である。
【図５】本発明による方法によって製造された圧力セン
サの別の実施例を示す横断面図である。
【符号の説明】
１ 圧力センサ、 ３ 半導体チップ、 ４ ベース、
５ ダイヤフラム、６ 凹設部、 １０ 導体フレー
ム、 １１ コンタクト区分、 １２ 組付け区分、
１３ 領域、 １４ 上側面、 １５ 下側面、 １６
ボンディングワイヤ、 ２５，２７，２８ 切欠き、
３０ ケーシング、 ４０ 射出成形型、 ４１ 上
側部分、 ４２ 下側部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アントン デーリング ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン シェ ーンブーフシュトラーセ 16 (72)発明者 ユルゲン ニーダー ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン パル メンヴェーク ３／２ (72)発明者 フリーダー ハーク ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン エミ ール−ロート−シュトラーセ 37

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧力センサを製造する方法であって、 半導体圧力ピックアップ（２）を、特にリードフレーム
    のような導体フレーム（１０）の組付け区分（１２）に
    装着し、 半導体圧力ピックアップ（２）を導体フレーム（１０）
    のコンタクト区分（１１）と電気的に接続し、 半導体圧力ピックアップ（２）を備えた導体フレーム
    を、射出成形型（４０）内に挿入し、 １つの型部分（４１）を、半導体圧力ピックアップ
    （２）の、組付け区分（１２）とは反対側の面に、又は
    組付け区分（１２）の、半導体圧力ピックアップ（２）
    とは反対側の面（１５）に接触させ、 次いで半導体圧力ピックアップ（２）を射出成形型（４
    ０）内において、成形材料から成るケーシング（３０）
    によって取り囲む形式の方法において、 導体フレームの組付け区分（１２）を、ケーシング（３
    ０）の製造中に、射出成形型（４０）内においてクラン
    プして保持することを特徴とする、圧力センサを製造す
    る方法。
  2. 【請求項２】 側部において半導体圧力ピックアップ
    （２）の装着領域から延びている、組付け区分（１２）
    の領域（１３）を、射出成形型（４０）の２つの型半部
    （４１，４２）の間においてクランプする、請求項１記
    載の方法。
  3. 【請求項３】 両型半部（４１，４２）を組付け区分
    （１２）の上側面（１４）と下側面（１５）とに接触さ
    せる、請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 組付け区分（１２）において半導体圧力
    ピックアップ（２）の下に形成された圧力通路（２７）
    を、型部分（４２）によって覆う、請求項１から３まで
    のいずれか１項記載の方法。
  5. 【請求項５】 組付け区分（１２）の、半導体圧力ピッ
    クアップ（２）とは反対側の下側面（１５）全体を、射
    出成形型の型部分（４２）によって覆う、請求項４記載
    の方法。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の方法によって製造された
    圧力センサであって、導体フレーム（１０）の組付け区
    分（１２）の突出している領域（１３）が、成形材料内
    に埋め込まれておらず、圧力センサ（１）のケーシング
    （３０）から側方に延びていることを特徴とする圧力セ
    ンサ。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011102811A (ja) * 2003-08-29 2011-05-26 Fuji Electric Systems Co Ltd 圧力センサ装置
JP2012058243A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 General Electric Co <Ge> 両面センサパッケージとして使用される装置
KR101247744B1 (ko) 2011-04-28 2013-03-26 (주)에스팩솔루션 몰딩형 반도체 압력센서모듈 제조방법
JP2013217928A (ja) * 2007-09-28 2013-10-24 Volcano Corp 深堀り反応性イオンエッチングで製造されたセンサを組み入れた血管内圧力装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4090939B2 (ja) * 2002-05-29 2008-05-28 ニッタ株式会社 静電容量式センサおよびその製造方法
US7005734B2 (en) * 2003-05-05 2006-02-28 Ixys Corporation Double-sided cooling isolated packaged power semiconductor device
DE102004003413A1 (de) * 2004-01-23 2005-08-11 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Verpacken von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
US7482193B2 (en) * 2004-12-20 2009-01-27 Honeywell International Inc. Injection-molded package for MEMS inertial sensor
JP4961972B2 (ja) * 2006-03-09 2012-06-27 Ｊｎｃ株式会社 絶縁層形成用組成物および絶縁膜
CN101799344B (zh) * 2010-04-21 2014-07-09 无锡莱顿电子有限公司 硅压力传感器的封装结构
DE102015226642A1 (de) 2015-12-23 2017-06-29 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Erfassung eines Drucks eines fluiden Mediums

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3706840A (en) * 1971-05-10 1972-12-19 Intersil Inc Semiconductor device packaging
US4665754A (en) * 1985-04-08 1987-05-19 Honeywell Inc. Pressure transducer
US5270262A (en) * 1991-02-28 1993-12-14 National Semiconductor Corporation O-ring package
US5859471A (en) * 1992-11-17 1999-01-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads
KR970002295B1 (ko) * 1993-02-23 1997-02-27 미쯔비시 덴끼 가부시끼가이샤 성형방법
FR2705781B1 (fr) * 1993-05-25 1995-08-25 Schlumberger Services Petrol Capteur de pression à membrane comportant un système de protection anti-choc, et gradiomanomètre incorporant un tel capteur.
US5465626A (en) * 1994-04-04 1995-11-14 Motorola, Inc. Pressure sensor with stress isolation platform hermetically sealed to protect sensor die
US6254815B1 (en) * 1994-07-29 2001-07-03 Motorola, Inc. Molded packaging method for a sensing die having a pressure sensing diaphragm
US5891751A (en) * 1995-06-02 1999-04-06 Kulite Semiconductor Products, Inc . Hermetically sealed transducers and methods for producing the same
US5744084A (en) * 1995-07-24 1998-04-28 Lsi Logic Corporation Method of improving molding of an overmolded package body on a substrate
US5600071A (en) * 1995-09-05 1997-02-04 Motorola, Inc. Vertically integrated sensor structure and method
JP2765652B2 (ja) * 1995-10-25 1998-06-18 ノーリツ鋼機株式会社 感光材料整列装置
US5954842A (en) * 1996-01-26 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Lead finger clamp assembly
US5852870A (en) * 1996-04-24 1998-12-29 Amkor Technology, Inc. Method of making grid array assembly
KR100244580B1 (ko) * 1997-06-24 2000-02-15 윤종용 금속 범프를 갖는 회로 기판의 제조 방법 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지의 제조 방법
JP3846094B2 (ja) * 1998-03-17 2006-11-15 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US6092281A (en) * 1998-08-28 2000-07-25 Amkor Technology, Inc. Electromagnetic interference shield driver and method
US6211462B1 (en) * 1998-11-05 2001-04-03 Texas Instruments Incorporated Low inductance power package for integrated circuits
TW463346B (en) * 1999-05-04 2001-11-11 Sitron Prec Co Ltd Dual-leadframe package structure and its manufacturing method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011102811A (ja) * 2003-08-29 2011-05-26 Fuji Electric Systems Co Ltd 圧力センサ装置
JP2013217928A (ja) * 2007-09-28 2013-10-24 Volcano Corp 深堀り反応性イオンエッチングで製造されたセンサを組み入れた血管内圧力装置
JP2012058243A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 General Electric Co <Ge> 両面センサパッケージとして使用される装置
KR101247744B1 (ko) 2011-04-28 2013-03-26 (주)에스팩솔루션 몰딩형 반도체 압력센서모듈 제조방법

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