JP2001032097A - めっき装置とその置換析出防止方法 - Google Patents
めっき装置とその置換析出防止方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/34—Electroplating: Baths therefor from solutions of lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓｎ−Ｂｉめっきの他、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−
Ａｇ、Ｓｎ−Ｚｎ等のイオン化傾向の異なる２種類以上
の金属元素からなる合金めっきに好適なめっき装置を提
供する。 【解決手段】 めっき槽１内に設けられたアノード電極
２と、カソード電極となる被めっき物３と、めっき液４
からなり、イオン化傾向の異なる２種類以上の金属元素
からなる合金のめっき装置において、前記めっき槽１内
にカソード電極となるダミーカソード５を設け、前記被
めっき物３に電圧が印加されていない時、前記ダミーカ
ソード５に所定の電圧を印加せしめるように構成したこ
とを特徴とすることを特徴とする。
Ａｇ、Ｓｎ−Ｚｎ等のイオン化傾向の異なる２種類以上
の金属元素からなる合金めっきに好適なめっき装置を提
供する。 【解決手段】 めっき槽１内に設けられたアノード電極
２と、カソード電極となる被めっき物３と、めっき液４
からなり、イオン化傾向の異なる２種類以上の金属元素
からなる合金のめっき装置において、前記めっき槽１内
にカソード電極となるダミーカソード５を設け、前記被
めっき物３に電圧が印加されていない時、前記ダミーカ
ソード５に所定の電圧を印加せしめるように構成したこ
とを特徴とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、めっき装置とその
置換析出防止方法に関する。
置換析出防止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、めっき装置は、アノード（陽
極）と、カソード（陰極）と、めっき液とから構成され
る。アノードは、電解をかけるための電極であると同時
に、めっき金属の供給源であり、Ｓｎ−Ｐｂの合金板や
合金ボールをバスケットやバッグに入れたものを用い、
例えば、半導体のリードフレームを、前処理として表面
活性化し、このリードフレームをカソードとする。この
リードフレームを有機酸や添加剤からなるめっき液に浸
漬し、アノードとカソード間に電圧をかけることによ
り、ＳｎやＰｂイオン(共に陽イオン)が、アノードから
イオン化して、めっき液中に溶け出す。一方、カソード
では液中のＳｎイオンやＰｂイオンが電子を受け取るこ
とで、前記した被めっき物であるリードフレームの表面
に合金皮膜を形成する。そして、上記した装置では、以
下のような欠点があった。
極）と、カソード（陰極）と、めっき液とから構成され
る。アノードは、電解をかけるための電極であると同時
に、めっき金属の供給源であり、Ｓｎ−Ｐｂの合金板や
合金ボールをバスケットやバッグに入れたものを用い、
例えば、半導体のリードフレームを、前処理として表面
活性化し、このリードフレームをカソードとする。この
リードフレームを有機酸や添加剤からなるめっき液に浸
漬し、アノードとカソード間に電圧をかけることによ
り、ＳｎやＰｂイオン(共に陽イオン)が、アノードから
イオン化して、めっき液中に溶け出す。一方、カソード
では液中のＳｎイオンやＰｂイオンが電子を受け取るこ
とで、前記した被めっき物であるリードフレームの表面
に合金皮膜を形成する。そして、上記した装置では、以
下のような欠点があった。
【０００３】（１）Ｓｎ−Ｐｂ以外のＳｎ系合金めっき
では、イオン化傾向（金属元素固有の値）の差から置換
析出が発生し、めっき品質（ぬれ性／めっき密着性）を
低下させる。即ち、被めっき物をめっき液に投入する
際、被めっき物に所定の電圧が印加されていないから、
被めっき物の投入と同時に、被めっき物表面に特定の金
属元素が置換析出して膜を形成したり、或いは、めっき
皮膜の形成途中や形成後でも無電解状態になると、やは
り置換析出皮膜が形成される。これらは本来意図した合
金めっき皮膜と異なり、母材との密着性や、半田ぬれ性
を劣化させる。また、置換析出により液中の金属比率や
析出組成を安定させることが出来ないという問題もあ
る。めっき中、つまり、通電中は外部電位により金属イ
オンの動きを制御することが出来るが、製品やアノード
が液中に浸漬していて、且つ、無通電の場合に、置換析
出の発生が起きやすい。このように、被めっき物（製
品）やアノードに通電しない時間が存在すると、置換析
出の発生が起きやすいという欠点があった。特に、ラッ
ク式めっき装置では、ラック自重によるコンタクトのた
め、ラックが完全に下降しきってはじめて通電が開始さ
れるようになっているから、ラック式めっき装置では、
上記した問題の解決が望まれていた。
では、イオン化傾向（金属元素固有の値）の差から置換
析出が発生し、めっき品質（ぬれ性／めっき密着性）を
低下させる。即ち、被めっき物をめっき液に投入する
際、被めっき物に所定の電圧が印加されていないから、
被めっき物の投入と同時に、被めっき物表面に特定の金
属元素が置換析出して膜を形成したり、或いは、めっき
皮膜の形成途中や形成後でも無電解状態になると、やは
り置換析出皮膜が形成される。これらは本来意図した合
金めっき皮膜と異なり、母材との密着性や、半田ぬれ性
を劣化させる。また、置換析出により液中の金属比率や
析出組成を安定させることが出来ないという問題もあ
る。めっき中、つまり、通電中は外部電位により金属イ
オンの動きを制御することが出来るが、製品やアノード
が液中に浸漬していて、且つ、無通電の場合に、置換析
出の発生が起きやすい。このように、被めっき物（製
品）やアノードに通電しない時間が存在すると、置換析
出の発生が起きやすいという欠点があった。特に、ラッ
ク式めっき装置では、ラック自重によるコンタクトのた
め、ラックが完全に下降しきってはじめて通電が開始さ
れるようになっているから、ラック式めっき装置では、
上記した問題の解決が望まれていた。
【０００４】また、ラックレス方式のめっき装置でも、
トラブル等の原因で、通電が停止した場合、同様な問題
が生じていた。
トラブル等の原因で、通電が停止した場合、同様な問題
が生じていた。
【０００５】（２）従来の装置では、常時、アノードが
めっき液中に浸漬したままである。この為、アノードに
置換析出した場合、定期的に除去作業が必要になるが、
重いアノードを持ち上げて析出物を除去する作業は、作
業性が悪いだけでなく、危険であった。
めっき液中に浸漬したままである。この為、アノードに
置換析出した場合、定期的に除去作業が必要になるが、
重いアノードを持ち上げて析出物を除去する作業は、作
業性が悪いだけでなく、危険であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、Ｓｎ−Ｂｉめっき
の他、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｚｎ等のイオン
化傾向の異なる２種類以上の金属元素からなる合金めっ
きに好適な新規なめっき装置とその置換析出防止方法を
提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、Ｓｎ−Ｂｉめっき
の他、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｚｎ等のイオン
化傾向の異なる２種類以上の金属元素からなる合金めっ
きに好適な新規なめっき装置とその置換析出防止方法を
提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
【０００８】即ち、本発明に係わるめっき装置の第１態
様は、めっき槽内に設けられたアノード電極と、カソー
ド電極となる被めっき物と、めっき液からなり、イオン
化傾向の異なる２種類以上の金属元素からなる合金のめ
っき装置において、前記めっき槽内にカソード電極とな
るダミーカソードを設け、前記被めっき物に電圧が印加
されていない時、前記ダミーカソードに所定の電圧を印
加せしめるように構成したことを特徴とするものであ
り、叉、第２態様は、前記ダミーカソードは、前記アノ
ード電極と被めっき物との間に設けたことを特徴とする
ものであり、叉、第３態様は、前記ダミーカソードは、
前記アノード電極を挟んで前記被めっき物と反対側に設
けたことを特徴とするものであり、叉、第４態様は、前
記ダミーカソードには、前記被めっき物の電解時、電圧
を印加するように構成したことを特徴とするものであ
り、叉、第５態様は、前記ダミーカソードには、前記被
めっき物の電解時、電圧を印加しないように構成したこ
とを特徴とするものであり、叉、第６態様は、前記アノ
ード電極を、無電解時、前記めっき液から引上げるため
のアノード電極の引上げ手段を設けたことを特徴とする
ものであり、叉、第７態様は、予備槽を設け、無電解
時、前記めっき槽内のめっき液を前記予備槽に移すよう
に構成したことを特徴とするものである。
様は、めっき槽内に設けられたアノード電極と、カソー
ド電極となる被めっき物と、めっき液からなり、イオン
化傾向の異なる２種類以上の金属元素からなる合金のめ
っき装置において、前記めっき槽内にカソード電極とな
るダミーカソードを設け、前記被めっき物に電圧が印加
されていない時、前記ダミーカソードに所定の電圧を印
加せしめるように構成したことを特徴とするものであ
り、叉、第２態様は、前記ダミーカソードは、前記アノ
ード電極と被めっき物との間に設けたことを特徴とする
ものであり、叉、第３態様は、前記ダミーカソードは、
前記アノード電極を挟んで前記被めっき物と反対側に設
けたことを特徴とするものであり、叉、第４態様は、前
記ダミーカソードには、前記被めっき物の電解時、電圧
を印加するように構成したことを特徴とするものであ
り、叉、第５態様は、前記ダミーカソードには、前記被
めっき物の電解時、電圧を印加しないように構成したこ
とを特徴とするものであり、叉、第６態様は、前記アノ
ード電極を、無電解時、前記めっき液から引上げるため
のアノード電極の引上げ手段を設けたことを特徴とする
ものであり、叉、第７態様は、予備槽を設け、無電解
時、前記めっき槽内のめっき液を前記予備槽に移すよう
に構成したことを特徴とするものである。
【０００９】叉、本発明に係わるめっき装置の置換析出
防止方法の態様は、めっき槽内に設けられたアノード電
極と、カソード電極となる被めっき物と、めっき液から
なり、イオン化傾向の異なる２種類以上の金属元素から
なる合金のめっき装置の置換析出防止方法において、前
記めっき槽内に陰極となるダミーカソードを設け、前記
被めっき物に電圧が印加されていない時、前記ダミーカ
ソードに所定の電圧を印加することで、被めっき物の表
面への置換析出を防止せしめることを特徴とするもので
ある。
防止方法の態様は、めっき槽内に設けられたアノード電
極と、カソード電極となる被めっき物と、めっき液から
なり、イオン化傾向の異なる２種類以上の金属元素から
なる合金のめっき装置の置換析出防止方法において、前
記めっき槽内に陰極となるダミーカソードを設け、前記
被めっき物に電圧が印加されていない時、前記ダミーカ
ソードに所定の電圧を印加することで、被めっき物の表
面への置換析出を防止せしめることを特徴とするもので
ある。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係わるめっき装置は、め
っき槽内に設けられたアノード電極と、カソード電極と
なる被めっき物と、めっき液からなり、イオン化傾向の
異なる２種類以上の金属元素からなる合金のめっき装置
において、前記めっき槽内にカソード電極となるダミー
カソードを設け、前記被めっき物に電圧が印加されてい
ない時、前記ダミーカソードに所定の電圧を印加せしめ
るように構成したことを特徴とするものであり、又、前
記アノード電極を、無電解時、前記めっき液から引上げ
るためのアノード電極の引上げ手段を設けたことを特徴
とするものであり、又、予備槽を設け、無電解時、前記
めっき槽内のめっき液を前記予備槽に移すように構成し
たことを特徴とするものである。
っき槽内に設けられたアノード電極と、カソード電極と
なる被めっき物と、めっき液からなり、イオン化傾向の
異なる２種類以上の金属元素からなる合金のめっき装置
において、前記めっき槽内にカソード電極となるダミー
カソードを設け、前記被めっき物に電圧が印加されてい
ない時、前記ダミーカソードに所定の電圧を印加せしめ
るように構成したことを特徴とするものであり、又、前
記アノード電極を、無電解時、前記めっき液から引上げ
るためのアノード電極の引上げ手段を設けたことを特徴
とするものであり、又、予備槽を設け、無電解時、前記
めっき槽内のめっき液を前記予備槽に移すように構成し
たことを特徴とするものである。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明に係わるめっき装置とその置
換析出防止方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説
明する。
換析出防止方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説
明する。
【００１２】（第１の具体例）図１乃至図３は、本発明
に係わるめっき装置とその置換析出防止方法の第１の具
体例の構造を示す図であって、これらの図には、めっき
槽１内に設けられたアノード電極２と、カソード電極と
なる被めっき物３と、めっき液４からなり、イオン化傾
向の異なる２種類以上の金属元素からなる合金のめっき
装置において、前記めっき槽１内にカソード電極となる
ダミーカソード５を設け、前記被めっき物３に電圧が印
加されていない時、前記ダミーカソード５に所定の電圧
を印加せしめるように構成したことを特徴とするめっき
装置が示され、又、前記ダミーカソード５は、前記アノ
ード電極２と被めっき物３との間に設けたことを特徴と
するめっき装置が示され、又、前記ダミーカソード５に
は、前記被めっき物３の電解時、電圧を印加するように
構成したことを特徴とするめっき装置が示され、又、前
記ダミーカソード５には、前記被めっき物３の電解時、
電圧を印加しないように構成したことを特徴とするめっ
き装置が示され、更に、前記アノード電極２を、無電解
時、前記めっき液４から引上げるためのアノード電極の
引上げ手段１２を設けたことを特徴とするめっき装置が
示されている。
に係わるめっき装置とその置換析出防止方法の第１の具
体例の構造を示す図であって、これらの図には、めっき
槽１内に設けられたアノード電極２と、カソード電極と
なる被めっき物３と、めっき液４からなり、イオン化傾
向の異なる２種類以上の金属元素からなる合金のめっき
装置において、前記めっき槽１内にカソード電極となる
ダミーカソード５を設け、前記被めっき物３に電圧が印
加されていない時、前記ダミーカソード５に所定の電圧
を印加せしめるように構成したことを特徴とするめっき
装置が示され、又、前記ダミーカソード５は、前記アノ
ード電極２と被めっき物３との間に設けたことを特徴と
するめっき装置が示され、又、前記ダミーカソード５に
は、前記被めっき物３の電解時、電圧を印加するように
構成したことを特徴とするめっき装置が示され、又、前
記ダミーカソード５には、前記被めっき物３の電解時、
電圧を印加しないように構成したことを特徴とするめっ
き装置が示され、更に、前記アノード電極２を、無電解
時、前記めっき液４から引上げるためのアノード電極の
引上げ手段１２を設けたことを特徴とするめっき装置が
示されている。
【００１３】なお、前記ダミーカソード５は、前記アノ
ード電極２を挟んで前記被めっき物３と反対側に設ける
ように構成してもよい。
ード電極２を挟んで前記被めっき物３と反対側に設ける
ように構成してもよい。
【００１４】また、上記したダミーカソード５の材質と
しては、使用するめっき液の酸に溶解しにくい導体であ
る必要がある。具体的には、ステンレスやＰｔ表面処理
のＣｕ板等を用いる。形状は棒状で、各アノードバッグ
に対応して配置する。
しては、使用するめっき液の酸に溶解しにくい導体であ
る必要がある。具体的には、ステンレスやＰｔ表面処理
のＣｕ板等を用いる。形状は棒状で、各アノードバッグ
に対応して配置する。
【００１５】以下に、第１の具体例を更に詳細に説明す
る。なお、以下の説明では、Ｓｎ−Ｂｉめっきの場合に
ついて説明する。
る。なお、以下の説明では、Ｓｎ−Ｂｉめっきの場合に
ついて説明する。
【００１６】Ｓｎ−Ｂｉめっきでは、めっき液中にＳｎ
イオンとＢｉイオンとが存在するが、イオン化傾向がＳ
ｎの方が大きなため、Ｂｉが置換析出する傾向がある。
イオンとＢｉイオンとが存在するが、イオン化傾向がＳ
ｎの方が大きなため、Ｂｉが置換析出する傾向がある。
【００１７】さて、めっき工程では、作業開始時又は終
了時、またはロット（作業単位）間で製品（被めっき
物）がめっき液中に存在しない時間ができる。また、前
後工程でのトラブルによって、製品がめっき液中に存在
しても、電圧をかけられない時間が発生する。この場
合、浴中のＢｉイオンが、アノード表面や、製品表面に
形成されためっき被膜のＳｎから電子を奪い、表面に置
換析出しようとする。この時、図１（ｂ）に示すよう
に、アノード２とダミーカソード５間に電源１１で所定
の電圧をかけることで、Ｂｉイオンの置換析出を抑制す
ることが出来る。
了時、またはロット（作業単位）間で製品（被めっき
物）がめっき液中に存在しない時間ができる。また、前
後工程でのトラブルによって、製品がめっき液中に存在
しても、電圧をかけられない時間が発生する。この場
合、浴中のＢｉイオンが、アノード表面や、製品表面に
形成されためっき被膜のＳｎから電子を奪い、表面に置
換析出しようとする。この時、図１（ｂ）に示すよう
に、アノード２とダミーカソード５間に電源１１で所定
の電圧をかけることで、Ｂｉイオンの置換析出を抑制す
ることが出来る。
【００１８】この場合、前記被めっき物３の電解開始前
に、図１（ｂ）のように、ダミーカソード５とアノード
２間に所定の電圧をかけ、前記被めっき物３の電解時
に、図１（ａ）のように、カソード３とアノード２間に
所定の電圧をかけて、被めっき物３へのめっきを行う。
に、図１（ｂ）のように、ダミーカソード５とアノード
２間に所定の電圧をかけ、前記被めっき物３の電解時
に、図１（ａ）のように、カソード３とアノード２間に
所定の電圧をかけて、被めっき物３へのめっきを行う。
【００１９】また、前記被めっき物３の電解開始前に、
図２（ｂ）のように、ダミーカソード５とアノード２間
に所定の電圧をかけ、前記被めっき物３の電解時に、図
２（ａ）のように、カソード３及びダミーカソード５と
アノード２間に所定の電圧をかけて、被めっき物３への
めっきを行うように構成してもよい。
図２（ｂ）のように、ダミーカソード５とアノード２間
に所定の電圧をかけ、前記被めっき物３の電解時に、図
２（ａ）のように、カソード３及びダミーカソード５と
アノード２間に所定の電圧をかけて、被めっき物３への
めっきを行うように構成してもよい。
【００２０】上記スイッチＳＷ１、ＳＷ２の制御は、シ
ーケンサ（図示していない）で、制御する。
ーケンサ（図示していない）で、制御する。
【００２１】前記したダミーカソード５に常に通電する
ことで、置換析出を抑制することが可能になったが、夜
間など長時間の稼働休止時間中も通電を続けることは、
コスト面や管理面等で問題となる。このため、一定時間
以上の不稼働時間では、図３に示すように、アノード２
をめっき液４から引上げ、水洗することによって、置換
析出を抑制することが可能になる。また、このような対
策を講じてもＢｉの置換析出を完全に抑えられない場
合、アノード２表面を擦る等の物理的な方法で、アノー
ド表面の析出被膜を除去することができるから、保守等
の作業が簡単になる。
ことで、置換析出を抑制することが可能になったが、夜
間など長時間の稼働休止時間中も通電を続けることは、
コスト面や管理面等で問題となる。このため、一定時間
以上の不稼働時間では、図３に示すように、アノード２
をめっき液４から引上げ、水洗することによって、置換
析出を抑制することが可能になる。また、このような対
策を講じてもＢｉの置換析出を完全に抑えられない場
合、アノード２表面を擦る等の物理的な方法で、アノー
ド表面の析出被膜を除去することができるから、保守等
の作業が簡単になる。
【００２２】なお、ラック式めっき装置の電解バリ取
り、電解研磨、めっき等の各電解処理槽では、浸漬前か
ら浸漬後まで常に電圧をかけ、製品が無電解の状態にな
ることを防ぐ。この時、浸漬面積の影響を受けない定電
圧制御が最適である。
り、電解研磨、めっき等の各電解処理槽では、浸漬前か
ら浸漬後まで常に電圧をかけ、製品が無電解の状態にな
ることを防ぐ。この時、浸漬面積の影響を受けない定電
圧制御が最適である。
【００２３】又、上記のように、ダミーカソード５を、
アノード電極２と被めっき物３との間に設け、更に、ダ
ミーカソード５を、被めっき物３の近傍に設けた場合、
置換析出対策と同時に電流逃がし（被めっき物３エッジ
部への過度の電流集中を防ぐ）の効果が得られる。
アノード電極２と被めっき物３との間に設け、更に、ダ
ミーカソード５を、被めっき物３の近傍に設けた場合、
置換析出対策と同時に電流逃がし（被めっき物３エッジ
部への過度の電流集中を防ぐ）の効果が得られる。
【００２４】また、ダミーカソード５は、アノード電極
２を挟んで被めっき物３と反対側に設けるように構成し
てもよい。このように構成すると、ダミーカソード５の
位置の自由度やサイズの自由度が向上する。また、製品
への影響を減らすことが出来る等の効果が得られる。
２を挟んで被めっき物３と反対側に設けるように構成し
てもよい。このように構成すると、ダミーカソード５の
位置の自由度やサイズの自由度が向上する。また、製品
への影響を減らすことが出来る等の効果が得られる。
【００２５】本発明は、上記したＳｎ−Ｂｉめっきの
他、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｚｎ等のイオン化
傾向の異なる２種類以上の金属元素からなる合金めっき
に好適である。
他、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｚｎ等のイオン化
傾向の異なる２種類以上の金属元素からなる合金めっき
に好適である。
【００２６】（第２の具体例）図４は、本発明に係わる
めっき装置の第２の具体例の構造を示す図であって、図
４には、予備槽１３を設け、無電解時、前記めっき槽１
内のめっき液４を前記予備槽１３に移すように構成した
ことを特徴とするめっき装置が示されている。
めっき装置の第２の具体例の構造を示す図であって、図
４には、予備槽１３を設け、無電解時、前記めっき槽１
内のめっき液４を前記予備槽１３に移すように構成した
ことを特徴とするめっき装置が示されている。
【００２７】図４において、Ｐ１は、めっき槽１内のめ
っき液を予備槽１３に移すため、めっき槽１と予備槽１
３とを連結するパイプ１４に設けたポンプ、Ｐ２は、予
備槽１３内のめっき液をめっき槽１に移すため、めっき
槽１と予備槽１３とを連結するパイプ１５に設けたポン
プである。
っき液を予備槽１３に移すため、めっき槽１と予備槽１
３とを連結するパイプ１４に設けたポンプ、Ｐ２は、予
備槽１３内のめっき液をめっき槽１に移すため、めっき
槽１と予備槽１３とを連結するパイプ１５に設けたポン
プである。
【００２８】このように構成することで、図３に示した
アノード電極２をめっき液４から引上げたのと同様な効
果を得ることが出来る。
アノード電極２をめっき液４から引上げたのと同様な効
果を得ることが出来る。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係わるめっき装置とその置換析
出防止方法は、上述のように構成したので、無電解時
の、被めっき物やアノード電極表面に析出する置換析出
を防止することができ、めっき品質を向上させることが
出来る。
出防止方法は、上述のように構成したので、無電解時
の、被めっき物やアノード電極表面に析出する置換析出
を防止することができ、めっき品質を向上させることが
出来る。
【図１】本発明に係わるめっき装置の第１の具体例の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】第１の具体例の他の構成を示す図である。
【図３】第１の具体例の別の構成を示す図である。
【図４】第２の具体例の構成を示す図である。
１ めっき槽 ２ アノード電極 ３ 被めっき物 ４ めっき液 ５ ダミーカソード １１ 電源 １２ アノード電極の引上げ手段 １４、１５ 連結パイプ ＳＷ１、ＳＷ２ スイッチ Ｐ１、Ｐ２ ポンプ
Claims (8)
- 【請求項１】 めっき槽内に設けられたアノード電極
と、カソード電極となる被めっき物と、めっき液からな
り、イオン化傾向の異なる２種類以上の金属元素からな
る合金のめっき装置において、 前記めっき槽内にカソード電極となるダミーカソードを
設け、前記被めっき物に電圧が印加されていない時、前
記ダミーカソードに所定の電圧を印加せしめるように構
成したことを特徴とするめっき装置。 - 【請求項２】 前記ダミーカソードは、前記アノード電
極と被めっき物との間に設けたことを特徴とする請求項
１記載のめっき装置。 - 【請求項３】 前記ダミーカソードは、前記アノード電
極を挟んで前記被めっき物と反対側に設けたことを特徴
とする請求項１記載のめっき装置。 - 【請求項４】 前記ダミーカソードには、前記被めっき
物の電解時、電圧を印加するように構成したことを特徴
とする請求項１乃至３の何れかに記載のめっき装置。 - 【請求項５】 前記ダミーカソードには、前記被めっき
物の電解時、電圧を印加しないように構成したことを特
徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のめっき装置。 - 【請求項６】 前記アノード電極を、無電解時、前記め
っき液から引上げるためのアノード電極の引上げ手段を
設けたことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載
のめっき装置。 - 【請求項７】 予備槽を設け、無電解時、前記めっき槽
内のめっき液を前記予備槽に移すように構成したことを
特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のめっき装
置。 - 【請求項８】 めっき槽内に設けられたアノード電極
と、カソード電極となる被めっき物と、めっき液からな
り、イオン化傾向の異なる２種類以上の金属元素からな
る合金のめっき装置の置換析出防止方法において、 前記めっき槽内に陰極となるダミーカソードを設け、前
記被めっき物に電圧が印加されていない時、前記ダミー
カソードに所定の電圧を印加することで、被めっき物の
表面への置換析出を防止せしめることを特徴とするめっ
き装置の置換析出防止方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20911499A JP3293598B2 (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | めっき装置とその置換析出防止方法 |
| KR10-2000-0042180A KR100386761B1 (ko) | 1999-07-23 | 2000-07-22 | 도금 장치와 그 치환 석출 방지 방법 |
| US09/624,335 US6391179B1 (en) | 1999-07-23 | 2000-07-24 | Plating apparatus and method of preventing substitute deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20911499A JP3293598B2 (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | めっき装置とその置換析出防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001032097A true JP2001032097A (ja) | 2001-02-06 |
| JP3293598B2 JP3293598B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=16567529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20911499A Expired - Fee Related JP3293598B2 (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | めっき装置とその置換析出防止方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6391179B1 (ja) |
| JP (1) | JP3293598B2 (ja) |
| KR (1) | KR100386761B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003014426A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-20 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Procede de production de particules electro-conductrices |
| JP2009293088A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Nec Electronics Corp | 電気めっき装置、及び電気めっき方法 |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR100877923B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2009-01-12 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 전해 구리 도금법 |
| US9404194B2 (en) | 2010-12-01 | 2016-08-02 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating apparatus and process for wafer level packaging |
| US9534308B2 (en) | 2012-06-05 | 2017-01-03 | Novellus Systems, Inc. | Protecting anodes from passivation in alloy plating systems |
| CN111653799B (zh) * | 2020-07-16 | 2022-03-15 | 盐城工学院 | 一种锡基碱性液流电池锡负极的预处理方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4613388A (en) * | 1982-09-17 | 1986-09-23 | Rockwell International Corporation | Superplastic alloys formed by electrodeposition |
| US5908540A (en) * | 1997-08-07 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Copper anode assembly for stabilizing organic additives in electroplating of copper |
-
1999
- 1999-07-23 JP JP20911499A patent/JP3293598B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-22 KR KR10-2000-0042180A patent/KR100386761B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-07-24 US US09/624,335 patent/US6391179B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003014426A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-20 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Procede de production de particules electro-conductrices |
| US7045050B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-05-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method for producing electroconductive particles |
| JP2009293088A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Nec Electronics Corp | 電気めっき装置、及び電気めっき方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010015412A (ko) | 2001-02-26 |
| KR100386761B1 (ko) | 2003-06-09 |
| US6391179B1 (en) | 2002-05-21 |
| JP3293598B2 (ja) | 2002-06-17 |
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