JP2001024143A - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
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- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
加えず高信頼性を維持し得る複合半導体装置を得る。 【解決手段】上方の制御回路基板8を絶縁樹脂ケース2
の棚受部14に係止させ、該回路基板8の切欠部17を
介して下方の放熱板3上に形成した導体パターン5とを
ボンディングワイヤ16にて電気的に接続する。
Description
ン上に形成された電気回路を制御する制御回路基板が、
絶縁樹脂ケース内に2段重ねで配置された構造の複合半
導体装置において、その製造工程の簡素化の実現と装置
自体の高信頼性を維持し得る複合半導体装置に関するも
のである。
図3を参照して説明する。図3において、1は複合半導
体装置全体を示すが、その説明に必要のない部分は図示
を省略してある。複合半導体装置1は、両端開口の絶縁
樹脂ケース2を有し、この絶縁樹脂ケース2の下端開口
部は放熱板3の外周に嵌合させてある。また、該放熱板
3上には絶縁基板4を介して所定の電気回路を構成する
導体パターン5が形成され、該導体パターン5上に半導
体チップ6、抵抗7等の電子部品が搭載・固着されてい
る。
御するための制御回路基板8が配置されている。該制御
回路基板8上には導体パターン9が形成され、該導体パ
ターン9上に半導体チップ、抵抗等の電子部品10が搭
載・固着され、所定の制御回路を構成している。
部の導体パターン5上の電気回路とは電気的に接続され
るが、かかる接続を次の構成によって行っている。すな
わち、前記導体パターン5上に導電性材料で形成した端
子11の一端を半田付けし、該端子11の上端を制御回
路基板8の設けた貫通孔12に挿通し、上面側の突出端
部を、制御回路を構成する導体パターン上に半田付けし
て、両者が電気的に接続されるようにしている。
は上記のように構成されているので、次のような解決す
べき課題があった。 (1)下方の電気回路と上方の制御回路とを電気的に接
続するために、端子11を用いており、該端子11の両
端部は半田付けより上下の導体パターン6,9にそれぞ
れ半田付けされが、この作業が煩雑かつ面倒である。 (2)上記の半田付け作業の際に導体パターン上の半導
体チップ等の電子部品に余分な熱ストレスを加えること
となり、装置自体の信頼性を維持する点で問題がある。
めになされたもので、作業工数を低減し、かつ、電子部
品に熱ストレスを加えず高信頼性を維持し得る複合半導
体装置を提供することを目的とするものである。
の絶縁樹脂ケースの下端開口部を放熱板の外周に嵌合さ
せ、該放熱板上には絶縁基板を介して所定の電気回路を
構成する導体パターンが形成され、該導体パターン上に
半導体チップ、抵抗等の電子部品が搭載・固着されると
共に、上記電気回路と電気的に接続される制御回路を備
えた制御回路基板が、上記絶縁ケース内の放熱板の上方
に配置された複合半導体装置において、前記絶縁樹脂ケ
ースの内側面に棚受部を設け、該棚受部に前記制御回路
基板の一端を係止させるようにしたことを特徴とするも
のである。
内に信号入出力端子をインサートモールドし、該信号入
出力端子の下端部は、前記棚受部に露出させ、この露出
した下端部と前記制御回路基板上の導体パターンとをボ
ンディングワイヤで接続すると共に、前記棚受部上に設
けた中継チップを介して前記制御回路基板の下部に位置
する放熱板上の電気回路とをボンディングワイヤにて接
続したことを特徴とするものである。
照して説明する。なお、図2は図1のA−A線に沿う断
面図である。これらの図において、複合半導体装置1の
絶縁樹脂ケース2には信号入出力端子13がインサート
モールドされている。
に板状の信号入出力端子13がインサートモールドさ
れ、その一端13aは上端から外部に突出し、その下端
13bは直角に折り曲げられ、前記絶縁樹脂ケース2の
内側面に設けた棚受部14上に露出させてある。
13b,13b間には、導電性材料からなる中継チップ
15設けられている。この中継チップ15には後述のボ
ンディングワイヤ16が接続される。
板8上には従来と同様に所定の導体パターン90が形成
され、この導体パターン90の端部90aと前記信号入
出力端子13の下端13bとがボンディングワイヤ16
により接続される。また、他の導体パターン91、92
の端部91a、92bと中継チップ15とがボンディン
グワイヤ16により接続される。
が形成され、該端部を棚受部14上に係止させた場合
に、該棚受部14の端部と切欠部17の端部との間に所
定の隙間18が形成されるようにしてある。
方に配置された放熱板3上の導体パターン5とがボンデ
ィングワイヤ16にて接続される。上記のようにして上
方に配置した制御回路基板8と下方に配置した電気回路
とが接続される。
入出力端子13から入力された信号は、その下端13b
からボンディングワイヤ16を介して制御回路基板8上
の導体パターンの端部90a→90→91→91a→ボ
ンディングワイヤ16→中継チップ15→ボンディング
ワイヤ16→下側導体パターン端部5a→下側導体パタ
ーン5→下側導体端部5b→中継チップ15→上側制御
回路基板8上の導体パターン端部92a→導体パターン
92→導体パターン93→導体パターン端部93a→ボ
ンディングワイヤ16→マイナス(-)信号入出力端子
13の経路で流れ、全体として閉回路を構成することと
なる。なお、従来の複合半導体装置1と同一部分には同
一符号付してその詳しい説明は省略する。
御回路基板を絶縁樹脂ケースの棚受部に係止させ、該回
路基板の切欠部を介して下方の電気回路とボンディング
ワイヤにて電気的に接続するようにしたので、従来の支
柱兼用の端子が不要となる。また、上下導体パターンと
の半田付け作業が不要となり、工数の削減と電子部品に
余分な熱ストレスを与えることがなくなり、装置自体の
信頼性を向上させることができる。
ある。
Claims (2)
- 【請求項1】両端開口の絶縁樹脂ケースの下端開口部を
放熱板の外周に嵌合させ、該放熱板上には絶縁基板を介
して所定の電気回路を構成する導体パターンが形成さ
れ、該導体パターン上に半導体チップ、抵抗等の電子部
品が搭載・固着されると共に、上記電気回路と電気的に
接続される制御回路を備えた制御回路基板が、上記絶縁
ケース内の放熱板の上方に配置された複合半導体装置に
おいて、 前記絶縁樹脂ケースの内側面に棚受部を設け、該棚受部
に前記制御回路基板の一端を係止させるようにしたこと
を特徴とする複合半導体装置。 - 【請求項2】前記絶縁樹脂ケースの側壁内に信号入出力
端子をインサートモールドし、該信号入出力端子の下端
部は、前記棚受部に露出させ、この露出した下端部と前
記制御回路基板上の導体パターンとをボンディングワイ
ヤで接続すると共に、前記棚受部上に設けた中継チップ
を介して前記制御回路基板の下部に位置する放熱板上の
電気回路とをボンディングワイヤにて接続したことを特
徴とする請求項1に記載の複合半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19721799A JP4114902B2 (ja) | 1999-07-12 | 1999-07-12 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19721799A JP4114902B2 (ja) | 1999-07-12 | 1999-07-12 | 複合半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001024143A true JP2001024143A (ja) | 2001-01-26 |
JP4114902B2 JP4114902B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=16370792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19721799A Expired - Lifetime JP4114902B2 (ja) | 1999-07-12 | 1999-07-12 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4114902B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047615A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置及び電力変換装置 |
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-
1999
- 1999-07-12 JP JP19721799A patent/JP4114902B2/ja not_active Expired - Lifetime
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CN107210291B (zh) * | 2015-01-30 | 2019-07-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
JP2017152472A (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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JP4114902B2 (ja) | 2008-07-09 |
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