JP2001024141A - 半導体装置用回路部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程を簡略化し、使用する材料を減らし
て製造コストの低減を可能にする。 【解決手段】 絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド
樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法に
よって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可
能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工
程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成
を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ
使用する材料を減らすことができるので、製造コストの
大幅な低減を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
して半導体装置を製造するために用いられる回路部材、
特に絶縁層をベースにしてリードが形成された半導体装
置用回路部材の製造方法とそれにより得られる半導体装
置用回路部材に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化及び小型化の
傾向から、それに用いられる半導体装置は、ＬＳＩのＡ
ＳＩＣに代表されるようにますます高集積化、高機能化
が進んでいる。高集積化、高機能化された半導体装置に
おいては、信号の高速処理のためにパッケージ内のイン
ダクタンスが無視できない状況となるので、そのインダ
クタンスの低減のために電源及びグランドの接続端子数
を多くし、実質的なインダクタンスを下げることで対応
してきた。このため、半導体の高集積化、高機能化は外
部端子（ｐｉｎ）の総数の増加を促すことになり、ます
ますの多ピン化が求められ、これに対応して先端のファ
インなＬ／Ｆ等やＢＧＡ、ＣＳＰに代表されるようなパ
ッケージが普及してきた。

【０００３】上記の如き技術分野でリードフレームの製
造方法として、特開平９−２４６４４５号公報に記載の
ものが知られている。具体的には、厚い層と薄い層とを
エッチングストップ層を介して積層した金属積層板を準
備し、その薄い層側に複数のリードを形成した後、金属
積層板のリード形成面側に該リードを覆う厚さの絶縁層
を少なくともリードを露出させる開口を有するように選
択的に形成し、さらに厚い層における複数のリードが形
成されたリード形成領域に当たる部分をエッチングスト
ップ層に対して浸食性の弱いエッチング液によって選択
的にエッチングし、リードをマスクとして少なくともエ
ッチングストップ層をエッチングして各リード間を互い
に電気的に分離独立させるものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べた製
造方法は、得られたリードフレームにおいて絶縁層とリ
ードとの半導体素子側の表面が面一になるので凹凸のな
い面を半導体素子の表面と接着させることができて十分
な接着力が得られるという利点や、リードの絶縁層から
はみ出した部分の先端を半導体素子側の端子とすること
によってその端子をボンディングするに当たってカット
する必要がなく作業時間を短縮できるという利点など、
多くの優れた面を有しているが、一方では以下に述べる
ような問題点もある。

【０００５】すなわち、特開平９−２４６４４５号公報
に開示された製造方法では、複数回の露光、現像工程が
あり、また十数μｍ程度のメッキを成長させるメッキ工
程を行うため、従来のエッチング法によるリードフレー
ムの製造方法と比較して格段に工程が長くなる。また、
選択的エッチングや選択的メッキのためにはパターン状
に保護層を設けることが必要であり、実際にはさらに工
程が長くなる。

【０００６】また、銅の上にポリイミドで絶縁層を形成
する場合、取扱い上の便利さとウェットエッチング加工
のしやすさの観点から、従来用いられているポリイミド
の前駆体であるポリアミック酸を使用することがある。
しかしながら、銅上でポリアミック酸を硬化（イミド
化）すると、ポリイミド中にＣｕが拡散し、ポリイミド
の熱分解温度、引っ張り強さの物性が低下し、所謂マイ
グレーションを生じることが問題となる。（例えば、
「１９９８電子情報通信学会論文誌Ｃ ＶＯＬ．Ｊ７１
−Ｃ Ｎｏ．１１」ｐ．１５１０参照）

【０００７】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、製造工程
を簡略化し、使用する材料を減らして製造コストの低減
を可能にするとともに、さらにはマイグレーション問題
をも解決できる半導体装置用回路部材の製造方法を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体装置用回路部材の製造方法
は、少なくとも次の工程を行うことを特徴とする。 （１）金属基材を用意し、この金属基材にエッチングス
トップ層を先に形成し、続いてそのエッチングストップ
層の上にリード及び吊り部となる配線メッキ層を形成す
る工程。 （２）金属基材におけるリード形成面と反対側の面との
両面に可溶性でポジ型の感光性を有するポリイミドワニ
スを塗布して乾燥させ、両面にそれぞれ仮キュア状態の
感光性ポリイミド樹脂材料層を形成する工程。 （３）金属基材におけるリード形成面に形成した感光性
ポリイミド樹脂材料層をフォトリソグラフィー法により
パターニングして、リードの一部を露出させる開口を有
するように絶縁層を形成し、その絶縁層をマスクとして
メッキすることでリード表面に外部端子を形成する工
程。 （４）金属基材におけるリード形成面と反対側の面に形
成した感光性ポリイミド樹脂材料層をそのリード形成領
域に対応する部分を除くようにフォトリソグラフィー法
によりパターニングし、残った絶縁部分をマスクとして
金属基材を選択的にエッチングすることで外形リングと
なる部分よりも内側を除去する工程。 （５）エッチングストップ層をエッチングし、各リード
及び吊り部を独立させる工程。

【０００９】この製造方法において、上記ポジ型の感光
性を有するポリイミドワニスとして、ジアゾナフトキノ
ン或いはジアゾナフトキノン誘導体と溶剤可溶性ポリイ
ミド樹脂とを含むものを使用するのが好ましい。

【００１０】ポリアミック酸を絶縁層としてイミド化す
る場合、通常３００℃近い高温での熱処理を必要とする
ことが問題となっているが、これに対して、溶剤可溶性
ポリイミドを使用した場合には、溶剤成分を除去させる
のに必要な熱処理だけで絶縁層が形成できるため、工程
の低温下が可能となる。

【００１１】上記の製造方法によれば、絶縁層にポジ型
の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、従来の
製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング
工程時のレジストによるマスク形成を省略することがで
きる。また、ポリアミック酸をＣｕに塗布するのではな
く、可溶性のポリイミド樹脂材料をＮ−メチル−２−ピ
ロリドンのような極性溶媒に溶かした状態で塗布するた
め、Ｃｕを浸食する恐れがなく、ポリイミドの硬化処理
（熱処理）の際にＣｕの拡散を起こさず、ひいてはマイ
グレーションの問題を起こすこともない。

【００１２】上記の製造方法で得られる半導体装置用回
路部材は、絶縁層の半導体素子搭載側に複数のリードが
該リード表面と該絶縁層表面とが同一平面上に位置する
ように形成され、各リードの絶縁層からはみ出した部分
の先端が半導体素子の電極と接続される半導体素子側の
端子とされ、前記絶縁層における半導体素子搭載側と反
対側に各リードに対してそれを露出させる開口が形成さ
れ、当該開口にリードにおける半導体素子と反対側の端
子が形成されてなる半導体装置用回路部材であって、前
記絶縁層がポジ型の感光性を有するポリイミドワニスを
用いて形成されたものとなる。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１〜図３は本発明に係る半導体
装置用回路部材の製造方法を示す工程図であり、以下、
これらの図面を参照して本発明の実施の形態について説
明する。

【００１４】まず、図１（Ａ）に示すようにＣｕからな
る金属基材１０を用意する。この金属基材１０は強度の
点から例えば１２５μｍ以上の厚みのものが好ましい。
そして図１（Ｂ）〜図１（Ｅ）に示すように、この金属
基材１０の上に選択的にＮｉメッキからなるエッチング
ストップ層１２を先に形成し、続いてエッチングストッ
プ層１２の上にリード及び吊り部となる配線メッキ層１
３を積層する。

【００１５】具体的には、まず図１（Ｂ）に示すように
金属基材１０の上にレジスト１１を塗布し、マスクを介
しての露光とそれに続く現像により図１（Ｃ）に示す如
くリード及び吊り部を形成すべきパターンに製版した
後、図１（Ｄ）に示すように、パターニングされたレジ
スト１１をマスクとして２μｍ程度のＮｉメッキするこ
とによりエッチングストップ層１２を形成し、次に図１
（Ｅ）に示すように、配線メッキ層１３としてＡｕ／Ｎ
ｉ／Ｃｕをそれぞれ０．１／２．０／２５μｍの厚みで
形成する。メッキの総厚みはこれに限定されるものでは
なく、パッケージの形状に応じた選定が必要であるが、
例えば、レジスト１１の厚みが４０μｍの場合には、全
体で４０μｍ以下にし、メッキの総厚みがレジストの厚
みを越えないようにする必要がある。メッキ後、図１
（Ｆ）に示すようにレジスト１１を剥離してリード及び
吊り部を形成する。

【００１６】このようにリードをメッキで形成する際
に、半導体素子を囲む補強用リング又は補強用枠、さら
にはそれを支持するための吊り部を同時に形成する。吊
り部はリードと同じ層構成からなる。したがって、例え
ばＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕのメッキ層からなる。一方、補強用
リング又は補強用枠は今の段階では形成されていない
が、後の工程で吊り部を介して回路部材の主部の外側に
一体に形成されるものであり、基材単層、又は基材を含
みかつ例えばＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕのメッキ層が施されたも
のからなる。

【００１７】次に、図２（Ａ）に示すように、金属基材
１０のリード形成面と反対側の面との両面に可溶性のポ
ジ型の感光性を有するポリイミドワニスを塗布し、例え
ば９０℃で３０分間のプリベークを行って乾燥させ、両
面にそれぞれ仮キュア状態の感光性ポリイミド樹脂材料
層２０，３０を形成する。

【００１８】そして、金属基材１０におけるリード形成
面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層２０をマスク
を介して露光して現像することによりパターニングし、
図２（Ｂ）に示すようにリードの一部を露出させる開口
を有するように絶縁層２１を形成した後、図２（Ｃ）に
示すように、その絶縁層２１をマスクとしてリードの表
面に外部端子２２を形成する。この外部端子２２は例え
ばＮｉメッキと半田メッキ、若しくはＮｉメッキとＡｕ
メッキにより形成される。このメッキ工程では、絶縁層
２１に半田ボールを形成するための開口部が形成されて
おり、他の部分にはメッキが付かないためマスキングは
不要である。

【００１９】次いで、金属基材１０におけるリード形成
面と反対側の面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層
３０をマスクを介して露光して現像することによりパタ
ーニングし、図３（Ａ）に示すようにリード形成領域に
対応する部分を除いて絶縁部分３１を形成する。ここ
で、エッチングレジストとしては感光性ポリイミド樹脂
材料層３０を使用するため、改めてレジストを形成する
必要がない。

【００２０】続いて、図３（Ｂ）に示すように、その残
った絶縁部分３１をマスクとしてＣｕからなる金属基材
１０を選択的にエッチングして外形リングとなる部分よ
りも内側を除去する。このエッチングは、例えば有機ア
ルカリ系のエッチング液を用いて行う。なぜならば、こ
のエッチング液はＣｕを侵すがＮｉは侵さないので、リ
ード層の下地に設けたＮｉ層がエッチングストップ層と
しての役割を果たすことができるからである。これによ
り、各リード及び吊り部が独立し、ここではじめて互い
に電気的にショートした状態ではなくなる。

【００２１】次に、図３（Ｃ）に示すように、Ｎｉから
なるエッチングストップ層１２をエッチングする。ここ
ではＣｕを溶かさないＨＮＯ₃ ／Ｈ₂ ＳＯ₄ ／Ｈ₂ Ｏ₂
系のエッチング液を使用してＮｉ層を選択的に溶解す
る。このようにエッチングストップ層１２であるＮｉ層
を剥離することにより、Ａｕ層が表面に現れ、半導体素
子とのワイヤーボンディング、シングルポイントボンデ
ィング等の電気的接続が可能となる。

【００２２】さらに再度、絶縁層２１を露光現像するこ
とにより、前述までのプロセスにおいてメッキレジス
ト、エッチングレジストとして機能した樹脂を必要な形
状にパターニングする。これにより、図３（Ｄ）に示す
ように、半導体素子を搭載するＩＣ毎に絶縁層２１が分
割された形態となる。

【００２３】なお、上述の例では、リードはエッチング
ストップ層の上に選択的に形成したレジストをマスクと
してメッキ膜を成長させることにより形成したが、Ｃｕ
或いはＮｉからなる層を厚めに形成しておき、それを選
択エッチングによりパターニングして形成してもよい。

【００２４】上述のように、本発明では、金属基材の表
裏両面にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料層を仮キュ
ア状態で形成しておき、各面でのメッキ工程やエッチン
グ工程に際して、それらを複数回に渡ってフォトリソグ
ラフィー法によりパターニングするもので、ポジ型の感
光性樹脂の特性（光が照射された部分が現像によって選
択的に開口する）を生かした製造プロセスとなってい
る。

【００２５】したがって、外部端子となる半田ボールを
メッキによって形成する場合においても、メッキが付か
ないように保護するためのポッティング樹脂、バッキン
グ材等を使用する必要はなく、絶縁層自身がそのレジス
トの役割をもたせるため、材料費の軽減、ひいては製造
コストの低減を図ることができる。

【００２６】さらに、裏面よりの選択エッチング工程に
おいて、従来の方法では、治具孔等のその他の部分をエ
ッチングしないようにネガ型ドライフィルムを製版する
必要があるが、本発明ではポジ型の絶縁層により保護す
るため、光が照射された部分のみ開口し、選択エッチン
グが可能となる。

【００２７】本発明で絶縁層の形成に用いるポリイミド
の合成に用いられる酸二無水物としては特に限定されな
いが、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（ジカルボキシ
ルフェニル）プロパン二無水物、４−４’−〔２，２，
２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリ
デン〕ビス（１，２−ベンゼンジカルボン酸無水物）
（６ＦＤＡ）、ビストリフルオロメチル化ピロメリット
酸、ビス（ジカルボキシルフェニル）スルホン二無水
物、ビス（ジカルボキシルフェニル）エーテル二無水
物、チオフェンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリッ
ト酸二無水物、ナフタレンテトラカルボ酸二無水物等の
芳香族酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物、ビシクロオクテンテトラカルボン酸、ビシクロ
（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，５，６−
テトラカルボン酸二無水物、５（２，５−ジオキソテト
ラヒドロフリル）３−メチル−３シクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸無水物等の脂肪族酸二無水物を挙げる
ことができる。これらは単独でもよいし２種以上混合し
てもよい。

【００２８】同じく、本発明で用いるポリイミドの合成
に用いられるジアミンとしては特に限定されないが、
２，４ジアミノトルエン、１，４ベンゼンジアミン、
１，３ベンゼンジアミン、６−メチル１，３−ベンゼン
ジアミン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−
１，１’−ビフェニル、４，４’−メチレンビス（ベン
ゼンアミン）、４，４’−オキシビス（ベンゼンアミ
ン）、３，４’−オキシビス（ベンゼンアミン）、３，
３’−カルボキニル（ベンゼンアミン）、４，４’−チ
オビス（ベンゼンアミン）、４，４’−スルホニル（ベ
ンゼンアミン）、３，３’−スルホニル（ベンゼンアミ
ン）、１−メチルエチレンジ４，４’−ビス（ベンゼン
アミン）、１−トリフルオロメチル２，２，２−トリフ
ルオロエチリジン４，４’−ビス（ベンゼンアミン）、
４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，５−ジアミノ
安息香酸、２，６−ジアミノピリジン、４，４’−ジア
ミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、
２，２ビス（４（４−アミノフェノキシ）フェニル）プ
ロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル）エチル、１，４−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１，３ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、９，９’−ビス（４−アミノフェニル）
フルオレン、ベンジジン−３，３−ジカルボン酸等を挙
げることができる。これらは単独でもよいし２種以上混
合してもよい。

【００２９】使用されるポリイミドは、溶剤可溶性のポ
リイミドであれば特に限定されないが、下記のようなポ
リイミドが挙げられる。 （１）シロキサン骨格を含有することにより溶剤可溶化
したポリイミド：ビス（γ−アミノプロピル）ポリジメ
チルシロキサン、ビス（γ−アミノプロピル）ポリジフ
ェニルシロキサン、シルセスキオキサン等を使用して合
成したポリイミド等、架橋性シロキサンモノマー（例え
ば、ビニル基を有するジアミノシロキサン等）を使用し
て合成したポリイミド等。 （２）アルキル鎖を含有することにより溶剤可溶化した
ポリイミド：ポリプロピレングリコシキジアミン等を使
用して合成したポリイミド等。 （３）フッ素基を含有することにより溶剤可溶化したポ
リイミド：テトラフェニルフラン、ビストリフルオロメ
チル化ピロメリット酸、４，４’−〔２，２，２−トリ
フルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン〕ビ
ス（１，２−ベンゼンアミン）等を使用して合成したポ
リイミド等。 （４）嵩高い置換基・骨格を含有することにより溶剤可
溶化したポリイミド：テトラフェニルチオフェン、テト
ラフェニルピロール、テトラフェニルエチレン、トリフ
ェニルアミン、トリ（またはテトラ）フェニルテルフェ
ニル等の側鎖置換基を有する芳香族ジアミン、またはテ
トラカルボン酸を使用して合成したポリイミド等。 （５）主鎖中に折れ曲がり構造、或いは非平面構造を導
入することにより溶剤可溶化したポリイミド：ジフェニ
ルフルオレン、オルトフェニレン、ビフェニル−２，２
−ジイル、１，１−ビナフチル−２，２ジイル、を有す
るモノマー、例えば２，３−ジフェニルキノキサリ、
２，２−ビスフェノキシ−１，１−ビナフチルなどのジ
アミンや、ビシクロオクテンテトラカルボン酸、ビシク
ロ（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，５，６
−テトラカルボン酸二無水物等を使用して合成したポリ
イミド。 （６）極性溶媒と強い相互作用のある側鎖置換基を導入
することにより溶剤可溶化したポリイミド：水酸基、カ
ルボキシル基、アミノ基、スルホン酸基、ホスホン酸
基、チオール基、ニトロ基を有するモノマーを使用して
合成したポリイミドであり、例えば、ジアミノ安息請酵
酸を使用して合成したポリイミドや、水酸基をもつベン
ゾヒドロール構造のポリイミド等。 （７）アミド結合を有することにより溶剤可溶化したポ
リイミド。 （８）脂環式構造を有することにより溶剤可溶化したポ
リイミド：１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸ジ
無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビ
シクロ（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，
５，６−テトラカルボン酸ジ無水物、５（２，５−ジオ
キソテトラヒドロフリル）３−メチル−３−シクロヘキ
セン−１，２−ジカルボン酸無水物等の脂肪族酸ジ無水
物を使用して合成したポリイミド等。 （９）低分子量（分子量１万以下）の溶剤可溶化ポリイ
ミド：熱硬化性ポリイミドを必要に応じて使用すること
ができ、架橋するポリイミドには例えば、アセチレン
基、ビニル基、ビスマレイミド基、ナジック基等を有す
るモノマーで合成されたポリイミドを使用できる。 （１０）イソイミドを有することにより溶剤可溶化した
ポリイミド。 （１１）上記（１）〜（１０）の２つ以上の項目にある
ものを複合して合成したポリイミド。

【００３０】上記のようなポリイミドの感光性ワニスに
おける含有量は、使用するポリイミド、絶縁層パターン
の要求特性等を考慮して適宜設定することができ、例え
ば２〜４０の重量％の範囲で設定することができる。ま
た、本発明に使用する感光性ポリイミドワニスは、従来
から感光性材料に含有されるような公知の添加剤を含有
するものであってもよい。

【００３１】本発明で使用する可溶性でポジ型の感光性
を有するポリイミドワニスの一例をその製造方法ととも
に示すと次のようである。

【００３２】１リットル容量の三つ口セパラブルフラス
コにおけるトラップにステンレス製イカリ攪拌器、窒素
導入管及びストップコックを付け、そのトラップの上に
玉付き冷却管を付けた還流冷却器を取り付けてなる装置
を準備する。そして、三つ口セパラブルフラスコに原料
を入れ、窒素気流中を流しながら温度調整機の付いたシ
リコーン浴中に浸けて加熱する。具体的には、４，４’
−ヘキサフルオロイソプロピリデンビスフタル酸二無水
物１３２．８ｇ（３００ミリモル）、４，４’−ビス
（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニルスルホン６４．９
ｇ（１５０ミリモル）、３，５−ジアミノ安息香酸２
２．８ｇ（１５０ミリモル）、バレロラクトン４．５ｇ
（４５ミリモル）、ピリジン７．２ｇ（９０ミリモル）
を三つ口セパラブルフラスコに入れるとともに、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン８００ｇ、トルエン８０ｇを添加
したものを調合し、これを窒素を通しながら１８０ｒｐ
ｍで攪拌した後、シリコン浴中にて１８０℃、１８０ｒ
ｐｍの条件で加熱攪拌し、水−トルエン共沸物を系外に
除きながら２時間反応させた。反応終了後、メタノール
に再沈殿し、やや灰色がかったポリイミド粉末（Ａ）を
得た。この粉末を高速液体クロマトグラフィーにかけて
ポリスチレン換算の分子量を測定したところ、数平均分
子量Ｍｎ＝１４０００、重量平均分子量Ｍｗ＝２１００
０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５０であった。このようにして得
られたポリイミド粉末（Ａ）２０ｇと、ジナフトキン
（ＤＮＱ）化合物６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン８
０ｇに溶解し、ポジ型感光性ポリイミドワニスを得た。
このポジ型感光性ポリイミドワニスは露光量が１０００
ｍＪ／ｃｍ² で、現像液としては５％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液が使用される。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁層の形成にポジ型の感光性樹脂を使用することによ
って、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対
して複数回の製版を行うことが可能であり、例えば絶縁
層パターンによって得られた必要な部分にのみメッキを
施し、その後、２回目の製版で不必要な部分を削除して
所望の形状に整えることができ、従来ではレーザー加
工、又は保護フィルム等を使用することでしか可能では
なかった工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らす
ことができるので、製造コストの大幅な低減を図ること
ができる。

【００３４】また、可溶性ポリイミドをＮ−メチルピロ
リドン等の有機溶媒に溶かし、それをＣｕ上に塗布して
熱処理することにより、従来より懸念されているＣｕの
アミック酸への拡散を防き、マイグレーション問題を解
決できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置用回路部材の製造方法
の最初の部分を示す工程図である。

【図２】図１に続く工程図である。

【図３】図２に続く工程図である。

【符号の説明】

１０ 金属基材 １１ レジスト １２ エッチングストップ層 １３ 配線メッキ層 ２０ 感光性ポリイミド樹脂材料層 ２１ 絶縁層 ２２ 外部端子 ３０ 感光性ポリイミド樹脂材料層 ３１ 絶縁部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅田 和夫 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H097 BA06 FA02 LA10 4J043 PB03 PB04 PB05 PC015 PC135 PC145 QB15 QB26 QB31 RA35 SA03 SA06 SA42 SA43 SA44 SA62 SA71 SA82 SA83 SA87 SB01 SB02 TA22 TA47 TA52 TA53 TA67 TA75 TA76 TA79 TB01 TB02 UA012 UA032 UA082 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA221 UA231 UA262 UA361 UA632 UA662 UA672 UA712 UA762 UB011 UB022 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB151 UB152 UB221 UB281 UB301 UB302 UB351 UB401 UB402 VA011 VA021 VA031 VA041 VA051 VA061 VA062 VA071 VA081 VA101 ZB22 ZB50 5F067 AA10 AB04 AB07 BC00 BC07 CC01 CC07 DA00 DA16 DC02 DC11 DC12

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも次の工程を行うことを特徴と
   する半導体装置用回路部材の製造方法。 （１）金属基材を用意し、この金属基材にエッチングス
   トップ層を先に形成し、続いてそのエッチングストップ
   層の上にリード及び吊り部となる配線メッキ層を形成す
   る工程。 （２）金属基材におけるリード形成面と反対側の面との
   両面に可溶性でポジ型の感光性を有するポリイミドワニ
   スを塗布して乾燥させ、両面にそれぞれ仮キュア状態の
   感光性ポリイミド樹脂材料層を形成する工程。 （３）金属基材におけるリード形成面に形成した感光性
   ポリイミド樹脂材料層をフォトリソグラフィー法により
   パターニングして、リードの一部を露出させる開口を有
   するように絶縁層を形成し、その絶縁層をマスクとして
   メッキすることでリード表面に外部端子を形成する工
   程。 （４）金属基材におけるリード形成面と反対側の面に形
   成した感光性ポリイミド樹脂材料層をそのリード形成領
   域に対応する部分を除くようにフォトリソグラフィー法
   によりパターニングし、残った絶縁部分をマスクとして
   金属基材を選択的にエッチングすることで外形リングと
   なる部分よりも内側を除去する工程。 （５）エッチングストップ層をエッチングし、各リード
   及び吊り部を独立させる工程。
2. 【請求項２】 ポジ型の感光性を有するポリイミドワニ
   スとして、ジアゾナフトキノン或いはジアゾナフトキノ
   ン誘導体と溶剤可溶性ポリイミド樹脂とを含むものを使
   用した請求項１に記載の半導体装置用回路部材の製造方
   法。