JP2001019821A - ダイアタッチペースト及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
ダイアタッチペースト及びそれを用いた半導体装置Info
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Abstract
つつ、且つ非常に短時間でも硬化が可能なペーストを提
供する。 【解決手段】 (A)イソシアヌル酸エチレンオキサイ
ド変性ジアクリレート又はトリアクリレート、(B)モ
ノアクリレート及び/又はモノメタクリレート、(C)
リン酸基含有アクリレート及び/又はリン酸基含有メタ
クリレート、(D)脂環式エポキシ基を有するアルコキ
シシラン、(E)有機過酸化物及び/又はアゾ化合物、
(F)無機フィラー、(G)ポリカルボジイミド樹脂か
らなるダイアタッチペーストである。また、ダイアタッ
チペーストを用いて製作した半導体装置である。
Description
及び信頼性に優れた半導体接着用ペーストに関するもの
である。
一歩をたどっており、これに伴い製造コストの削減は重
要な課題となっている。半導体パッケージ組立の中でダ
イアタッチペーストで半導体とリードフレームを接着す
る工程が有るが、この工程に関しては時間短縮及び低温
硬化がキーポイントになっている。硬化の過程はバッチ
式オーブン法、インラインで硬化させる方法に大別され
るが、インラインで用いられる速硬化性ペーストを用い
た通常のダイマウントは、150℃から200℃で30
秒から60秒の間で行われる。しかし、より低温、短時
間硬化可能なペーストの開発が望まれている。
耐半田クラック性が重要であるが、ダイアタッチペース
トとしてはさらにシリコンチップとリードフレームとの
線膨張の差を緩和するために低応力性が重要である。ダ
イアタッチペーストのベースレジンはエポキシ樹脂、シ
アネート樹脂、ビスマレイミド樹脂系等が知られている
が、例えば30秒以内に硬化が可能であり、それぞれの
用途に適した特性(接着性、低応力性等)を維持する材
料は全く見いだされていなかった。又、特性を満足した
としても常温での粘度上昇が激しすぎ、使用に適さない
材料しかなかった。
アタッチペーストの特性を維持し、且つ非常に短時間で
も硬化が可能なダイアタッチペーストを見いだすべく鋭
意検討した結果完成させるに至ったものである。
(1)で示されるイソシアヌル酸エチレンオキサイド変
性ジアクリレート又はトリアクリレート、(B)一般式
(2)で示されるモノアクリレート及び/又はモノメタ
クリレート、(C)一般式(3)で示されるリン酸基含
有アクリレート及び/又は一般式(4)で示されるリン
酸基含有メタクリレート、(D)脂環式エポキシ基を有
するアルコキシシラン、(E)有機過酸化物及び/又は
アゾ化合物、(F)無機フィラー、(G)ポリカルボジ
イミド樹脂からなるダイアタッチペーストである。
(A)一般式(1)で示されるイソシアヌル酸エチレン
オキサイド変性ジアクリレート又はトリアクリレートと
該(B)一般式(2)で示されるモノアクリレート及び
/又はモノメタクリレートとの重量比が80/20から
20/80であるダイアタッチペーストである。また、
上記のダイアタッチペーストを用いて製作した半導体装
置である。
般式(1)で示されるイソシアヌル酸エチレンオキサイ
ド変性ジアクリレート又はトリアクリレートと一般式
(2)で示されるモノアクリレート及び/又はモノメタ
クリレートの重量比が80/20〜20/80である事
が好ましい。80/20より高いとペースト粘度が高す
ぎ塗布作業性が著しく悪くなる。一方、20/80より
小さいと接着性、耐熱性が悪くなる。
は粘度が高いため反応性希釈剤として(メタ)アクリル
基を一つ含むモノ(メタ)アクリレートを添加する。更
に本発明に使用されるモノ(メタ)アクリレートは式
(2)で示され、さらには置換基R2が脂環族及び/又
は芳香族基を含み、置換基R2中の全炭素数が10個以
上であることが重要である。この条件を満たす事により
希釈剤としての効果だけでなく、嵩高い置換基を有する
ため硬化中の収縮を押さえることができ、界面の接着信
頼性を高めることができる。脂環族、芳香族基を含まず
炭素数が10個以上の置換基の場合は硬化収縮に関して
は低減できるが脂肪族炭化水素の特性により接着性が低
下してしまうので好ましくない。
用可能である。
樹脂を混合して用いてもよい。上記アクリレート樹脂と
混合する場合の他のアクリレート樹脂としては、例えば
ヒドロキシアルキルアクリル酸、ポリアルキレングリコ
ールおよびジイソシアネートの反応により得られるウレ
タンアクリレート、ポリエステルアクリレート等があ
る。
は成分(A)及び成分(B)の総重量に対して、0.0
01≦(C+D)/(A+B)≦0.1であることが好
ましい。0.001を下回ると接着性に効果を示さず、
0.1より多いと硬化中のボイドにより接着性が低下す
る。
必須成分であり、一方が欠けても本発明を具現すること
はできない。その構成比は0.1≦C/D≦10である
ことが好ましい。0.1を下回るとアルコキシシランの
濃度が低くなり、接着界面への効果が低下する。また、
10を越えるとリン酸基濃度が高くなり必要以上に接着
界面に作用し接着性を低下させてしまう。
化物やアゾ化合物等がある。有機過酸化物は、急速加熱
試験(資料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温し
たときの分解開始温度)における分解温度が40℃から
140℃であることが好ましい。分解温度が40℃に満
たない場合は、常温における保存性が悪くなり、140
℃を越えると硬化時間が極端に長くなるためである。
ては、キュミルパーオキシネオデカネート、t−ブチル
パーオキシネオデカネート、1−シクロヘキシル−1−
メチルエチルパーオキシネオデカネート、1,1,3,
3−テトラメチルパーオキシネオデカネート、1,1,
3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘ
キサネート、ビス(4−ブチルシクロヘキシル)パーオ
キシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピ
ルモノカーボネート、1,1−ビス(t−ブチルパーオ
キシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−
ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ
3,5,5−トリメチルヘキサネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシ−2−エチルヘキサネート等がある。
アゾ化合物の例としては、2,2’−アゾビスイソブチ
ルニトリル、1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1
−フェニルエタン)等がある。
るいは硬化性をコントロールするため2種類以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
は、成分(A)+成分(B)の総重量に対して、0.1
重量%から5重量%であることが好ましい。5重量%よ
り多いとペーストのライフ(粘度経時変化)が大きく作
業性に問題が生じる。0.1重量%より少ないと硬化性
が著しく低下するので好ましくない。
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラー、窒化
アルミニウム、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の
絶縁フィラーが挙げられる。
ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純
物の含有量は10ppm以下であることが好ましい。ま
た、銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝状、球状等
が用いられる。必要とするペーストの粘度により、使用
する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は2〜10μ
m、最大粒径は50μm程度のものが好ましい。また、
比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いることも
でき、形状についても各種のものを便宜混合してもよ
い。
ィラーは平均粒径1〜20μmで最大粒径50μm以下
のものが好ましい。平均粒径が1μm未満だと粘度が高
くなり、20μmを越えると塗布または硬化時に樹脂分
が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。
また、最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで
ペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こすた
め好ましくない。更に、比較的粗いシリカフィラーと細
かいシリカフィラーを混合して用いることもでき、形状
についても各種のものを便宜混合してもよい。
イミド樹脂はイソシアネートの脱炭酸反応によって得ら
れる樹脂である。アクリル樹脂に配合することにより、
硬化物のガラス転移温度が上がり、耐熱性を向上させる
ことが出来る。また、ポリカルボジイミド樹脂中に含ま
れる極性基の働きで接着性も向上させることが出来る。
添加量は成分(A)+(B)の総重量に対して、1重量
%から30重量%であることが好ましい。1重量%より
少ないと耐熱性及び接着性向上の効果が乏しく、30重
量%より多いと硬化速度を低下させたり、粘度が高くな
りすぎて作業性を低下させるので好ましくない。
消泡剤、界面活性剤、エラストマー等の添加剤を用いる
ことができる。
えば予備混合して三本ロール等を用いてペーストを得て
真空下脱泡する。本発明のダイアタッチペーストを用い
て半導体素子をリードフレーム等に接着して半導体装置
を製作することができ、これらの半導体装置は従来の特
性を維持しているため信頼性が高くかつ生産性も高いた
め優れた半導体装置を得ることができる。半導体装置の
製造方法は従来の公知の方法を用いることができる。
酸エチレンオキサイド変性ジアクリレート(東亞合成
(株)・製、M−215)、下記の構造式で示されるモ
ノアクリレート、カップリング剤としてリン酸基含有メ
タクリレート(日本化薬(株)・製、PM−21)及び
脂環式エポキシアルコキシシラン(信越化学工業(株)
・製、KBM303)、重合開始剤として下記の有機過
酸化物1、2及びアゾ化合物、ポリカルボジイミド樹脂
(日清紡(株)・製、カルボジライト10M−SP)、
更に無機フィラーとして平均粒径3μm、最大粒径20
μmのフレーク状銀粉、又は平均粒径5μm、最大粒径
20μmのシリカフィラーを表1のように配合し、3本
ロールを用いて混錬し、脱泡後ペーストを得た。得られ
たペーストを以下の方法により評価した。
mでの粘度を測定した。 ・保存性:25℃の恒温槽で72時間静置後の粘度を測
定した。粘度の上昇が初期の粘度の10%以下なら良
好、10%を越えると不良とした。 ・接着強度:ペーストを用いて、2×2mmのシリコン
チップを銅フレームにマウントし、180℃のオーブン
中で15分硬化した。硬化後プッシュプルゲージを用い
250℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 ・ボイド:リードフレームに10mm×10mmのガラ
スチップをマウントし、硬化後外観を目視でボイドをチ
ェックした。被着面積の15%以下のボイドならば良
好、15%を越えるものを不良とした。 ・WB処理時の剥離:リードフレームに6mm×15m
mのチップをマウントし、硬化後250℃にてワイヤー
ボンディング処理を行ない、ペレットの接着状態を観察
した。剥離が無ければ良好、剥離が観察されれば不良と
した。 ・反り:低応力性の評価として反りを測定した。厚み2
00ミクロンの銅フレームに6mm×15mm×0.3
mmのシリコンチップをペーストを用いて175℃15
秒でペースト厚みが20μmになるよう接着し、表面粗
さ計を用いて、長手方向のチップの変位を測定しその高
低差により反り量を測定した。 ・耐パッケージクラック性:スミコンEME−7320
(住友ベークライト(株)製)の封止材料を用い、下記
の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度85
%、168時間吸水処理した後、IRリフロー(240
℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラックの数
を測定し、耐パッケージクラック性の指標とした。 パッケージ:80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ:7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム:Cu 成形:175℃、2分間 ポストモールドキュア:175℃、4時間 全パッケージ数:12
分を配合し、実施例1と同様にペーストを得て、同様の
評価を行った。
ミルパーオキシネオデカネート(急速加熱試験における
分解温度:65℃) 有機過酸化物2:日本油脂(株)・製、t−ブチルパーオ
キシイソプロピルモノカーボネート(急速加熱試験にお
ける分解温度:108℃) アゾ化合物:和光純薬工業(株)・製、2,2’−アゾイ
ソブチルニトリル
された構造のイソシアヌルエチレンオキサイド変性ジア
クリレート又はトリアクリレートと嵩高い置換基を有す
るモノアクリレートの組み合わせにより速硬化性及び接
着性に優れ、更にポリカルボジイミド樹脂を添加するこ
とにより耐熱性及び接着性が向上し、その結果優れた耐
半田クラック性が発現されたペーストである。また、本
発明のダイアタッチペーストを用いて製作された半導体
装置は、従来の特性を維持しながら生産性の高い半導体
装置である。
Claims (3)
- 【請求項1】 (A)一般式(1)で示されるイソシア
ヌル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレート又はトリ
アクリレート、(B)一般式(2)で示されるモノアク
リレート及び/又はモノメタクリレート、(C)一般式
(3)で示されるリン酸基含有アクリレート及び/又は
一般式(4)で示されるリン酸基含有メタクリレート、
(D)脂環式エポキシ基を有するアルコキシシラン、
(E)有機過酸化物及び/又はアゾ化合物、(F)無機
フィラー、(G)ポリカルボジイミド樹脂からなること
を特徴とするダイアタッチペースト。 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 - 【請求項2】 該(A)一般式(1)で示されるイソシ
アヌル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレート又はト
リアクリレートと該(B)一般式(2)で示されるモノ
アクリレート及び/又はモノメタクリレートとの重量比
が80/20から20/80である請求項1記載のダイ
アタッチペースト。 - 【請求項3】 請求項1記載のダイアタッチペーストを
用いて製作した半導体装置。
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JP19036599A JP3871828B2 (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | ダイアタッチペースト及びそれを用いた半導体装置 |
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-
1999
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