JP2001015660A - 高周波半導体パッケージ - Google Patents
高周波半導体パッケージInfo
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- JP2001015660A JP2001015660A JP11186572A JP18657299A JP2001015660A JP 2001015660 A JP2001015660 A JP 2001015660A JP 11186572 A JP11186572 A JP 11186572A JP 18657299 A JP18657299 A JP 18657299A JP 2001015660 A JP2001015660 A JP 2001015660A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒートシンクが放熱板のフランジ部でネジ締
めされている放熱板構造を持つ高周波半導体パッケージ
における熱放散性の均一な高周波半導体パッケージを提
供する。 【解決手段】 本発明の高周波半導体パッケージは、ヒ
ートシンクが放熱板のフランジ部でネジ締めされている
放熱板構造を持つ高周波半導体パッケージにおいて、放
熱板とヒートシンクの接触面に放熱板を貫通しないネジ
切り穴を配置し、ヒートシンク側から放熱板へネジ締め
手段を有することを特徴とする。
めされている放熱板構造を持つ高周波半導体パッケージ
における熱放散性の均一な高周波半導体パッケージを提
供する。 【解決手段】 本発明の高周波半導体パッケージは、ヒ
ートシンクが放熱板のフランジ部でネジ締めされている
放熱板構造を持つ高周波半導体パッケージにおいて、放
熱板とヒートシンクの接触面に放熱板を貫通しないネジ
切り穴を配置し、ヒートシンク側から放熱板へネジ締め
手段を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波半導体パッケ
ージに関し、特に放熱板構造を持つ高周波半導体パッケ
ージに関する。
ージに関し、特に放熱板構造を持つ高周波半導体パッケ
ージに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の動作時に半導体から発生する熱
を効率良く逃がして半導体の温度上昇を抑制するため
に、実働時には放熱効果に優れたヒートシンクに熱的接
触を取る技術が一般的に行われている。
を効率良く逃がして半導体の温度上昇を抑制するため
に、実働時には放熱効果に優れたヒートシンクに熱的接
触を取る技術が一般的に行われている。
【０００３】従来の技術について図３を用いて説明す
る。図３（ａ）は放熱板構造を持つ高周波半導体パッケ
ージの外観を示している。図３（ａ）に示すパッケージ
は片側１個または複数個のフランジ部ネジ止め穴２を通
したネジ７によりヒートシンク６と熱的接触が取られる
（図３（ｂ））。
る。図３（ａ）は放熱板構造を持つ高周波半導体パッケ
ージの外観を示している。図３（ａ）に示すパッケージ
は片側１個または複数個のフランジ部ネジ止め穴２を通
したネジ７によりヒートシンク６と熱的接触が取られる
（図３（ｂ））。
【０００４】また、特開平０４−１１６９５７号公報に
示されるようなパッケージ上面から貫通するネジ穴を有
し、パッケージ全体をヒートシンクに固定する技術が一
般に知られている。
示されるようなパッケージ上面から貫通するネジ穴を有
し、パッケージ全体をヒートシンクに固定する技術が一
般に知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３（ｃ）に
示すように、パッケージ放熱板１の湾曲や、フランジ部
ネジ止め穴２を通したネジ締め応力によるパッケージ放
熱板１の変形により、放熱板１とヒートシンク６との間
に隙間８が発生する恐れがある。隙間８が生じることに
より放熱板１とヒートシンク６の熱的接触性は低下し、
半導体の熱放散性が十分でなくなる問題点が指摘されて
いた。
示すように、パッケージ放熱板１の湾曲や、フランジ部
ネジ止め穴２を通したネジ締め応力によるパッケージ放
熱板１の変形により、放熱板１とヒートシンク６との間
に隙間８が発生する恐れがある。隙間８が生じることに
より放熱板１とヒートシンク６の熱的接触性は低下し、
半導体の熱放散性が十分でなくなる問題点が指摘されて
いた。
【０００６】さらに、しかし、特開平０４−１１６９５
７号公報に示されるような放熱板６の上にハーメチック
シール構造の回路搭載部分４を配置することは、ハーメ
チックシール構造の全面に回路搭載部分が配置されるた
めに、貫通するネジ穴を設置することが困難であった。
これらの理由によりネジ止め穴２はフランジ部端にのみ
配置されていた。従つて、パッケージ形状が大きい場
合、もしくは横方向に長い場合はネジ止め穴２同士の物
理的距離が大きくなるために、パッケージ放熱板１の湾
曲や、フランジ部ネジ止め穴２を通したネジ締め応力に
よるパッケージ放熱板１の変形が大きくなり、放熱板１
とヒートシンク６との間に隙間８が発生しやすくなる問
題点が指摘されていた。
７号公報に示されるような放熱板６の上にハーメチック
シール構造の回路搭載部分４を配置することは、ハーメ
チックシール構造の全面に回路搭載部分が配置されるた
めに、貫通するネジ穴を設置することが困難であった。
これらの理由によりネジ止め穴２はフランジ部端にのみ
配置されていた。従つて、パッケージ形状が大きい場
合、もしくは横方向に長い場合はネジ止め穴２同士の物
理的距離が大きくなるために、パッケージ放熱板１の湾
曲や、フランジ部ネジ止め穴２を通したネジ締め応力に
よるパッケージ放熱板１の変形が大きくなり、放熱板１
とヒートシンク６との間に隙間８が発生しやすくなる問
題点が指摘されていた。
【０００７】本発明の目的はヒートシンクが放熱板のフ
ランジ部でネジ締めされている放熱板構造を持つ高周波
半導体パッケージにおける熱放散性の均一な高周波半導
体パッケージを提供することである。
ランジ部でネジ締めされている放熱板構造を持つ高周波
半導体パッケージにおける熱放散性の均一な高周波半導
体パッケージを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波半導体パ
ッケージは、ヒートシンクが放熱板のフランジ部でネジ
締めされている放熱板構造を持つ高周波半導体パッケー
ジにおいて、放熱板とヒートシンクの接触面に放熱板を
貫通しないネジ切り穴を配置し、ヒートシンク側から放
熱板へネジ締め手段を有することを特徴とする。
ッケージは、ヒートシンクが放熱板のフランジ部でネジ
締めされている放熱板構造を持つ高周波半導体パッケー
ジにおいて、放熱板とヒートシンクの接触面に放熱板を
貫通しないネジ切り穴を配置し、ヒートシンク側から放
熱板へネジ締め手段を有することを特徴とする。
【０００９】また、ネジ切り穴は、ヒートシンク側から
接触面方向の放熱板を貫通しない穴の内面にネジ切りし
たネジ切り穴であり、ヒートシンクが放熱板のフランジ
部でネジ締めされているネジ個数とネジ配置に応じて複
数個のネジ切り穴である。
接触面方向の放熱板を貫通しない穴の内面にネジ切りし
たネジ切り穴であり、ヒートシンクが放熱板のフランジ
部でネジ締めされているネジ個数とネジ配置に応じて複
数個のネジ切り穴である。
【００１０】また、ネジ切り穴は、細目ネジ山の場合、
少なくとも４個以上のネジ山を有し、並目ネジ山の場
合、少なくとも３．５個以上のネジ山を有する。
少なくとも４個以上のネジ山を有し、並目ネジ山の場
合、少なくとも３．５個以上のネジ山を有する。
【００１１】更に、ネジ切り穴は、ヒートシンクが放熱
板のフランジ部でネジ締めされているネジ径の少なくと
も１．５倍のネジ径を有する。
板のフランジ部でネジ締めされているネジ径の少なくと
も１．５倍のネジ径を有する。
【００１２】本発明の、放熱板裏面に貫通しないネジ切
り穴を用いることによりパッケージとヒートシンク間の
熱放散性は均一となり、熱的接触性が向上する。
り穴を用いることによりパッケージとヒートシンク間の
熱放散性は均一となり、熱的接触性が向上する。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実
施例の各構成要素を示す図、図２は本発明の他の実施例
の各構成要素を示す図である。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実
施例の各構成要素を示す図、図２は本発明の他の実施例
の各構成要素を示す図である。
【００１４】図１（ａ）は本発明の形態を示す高周波半
導体パッケージの全体図である。放熱板１に、フランジ
部ネジ止め穴２と、裏面ネジ切り穴３を有している。ま
た、放熱板１の上面にはハーメチックシール構造の回路
搭載部分４と、回路搭載部分と内部回路のインターフェ
イス用としてリード５がある。図１（ｂ）は本発明の実
施例における高周波半導体パッケージがヒートシンクに
装着された状態を示す断面図である。高周波半導体パッ
ケージは、ネジ７によりヒートシンク６に装着されてい
る。図１（ｃ）は、図１（ｂ）の高周波半導体パッケー
ジがヒートシンク６に装着されている部分の拡大図であ
る。
導体パッケージの全体図である。放熱板１に、フランジ
部ネジ止め穴２と、裏面ネジ切り穴３を有している。ま
た、放熱板１の上面にはハーメチックシール構造の回路
搭載部分４と、回路搭載部分と内部回路のインターフェ
イス用としてリード５がある。図１（ｂ）は本発明の実
施例における高周波半導体パッケージがヒートシンクに
装着された状態を示す断面図である。高周波半導体パッ
ケージは、ネジ７によりヒートシンク６に装着されてい
る。図１（ｃ）は、図１（ｂ）の高周波半導体パッケー
ジがヒートシンク６に装着されている部分の拡大図であ
る。
【００１５】本発明の実施例について動作を以下に説明
する。図１（ｂ）に示すように高周波半導体パッケージ
は、ヒートシンク６に装着して使用される。この時、高
周波半導体パッケージは、片側１個または複数個のフラ
ンジ部ネジ止め穴２を通したネジ７と、ヒートシンク側
から裏面ネジ切り穴３に通したネジ７によりヒートシン
ク６と熱的接触が取られる。
する。図１（ｂ）に示すように高周波半導体パッケージ
は、ヒートシンク６に装着して使用される。この時、高
周波半導体パッケージは、片側１個または複数個のフラ
ンジ部ネジ止め穴２を通したネジ７と、ヒートシンク側
から裏面ネジ切り穴３に通したネジ７によりヒートシン
ク６と熱的接触が取られる。
【００１６】本発明の他の実施例について図２を用いて
説明する。ヒートシンク６が放熱板のフランジ部でネジ
締めされているネジ個数とネジ配置によって、放熱板１
へのネジ切り穴３の個数が決められる。ヒートシンク６
側から放熱板１へネジ締めを行うためのネジ切り穴３を
複数個設けることで様々な形状・大きさの放熱板を有す
る高周波半導体パッケージの放熱板とヒートシンク６の
放熱性を向上することが可能となる。図２（ａ）は高周
波半導体パッケージの放熱板中央部に２個配置した場合
である。また、図２（ｂ）は等間隔に３個配置した例で
ある。いずれの実施例においてもフランジ部とヒートシ
ンク６の熱的接触性を改善することが可能になり、半導
体の熱放散性を向上することが可能になる。
説明する。ヒートシンク６が放熱板のフランジ部でネジ
締めされているネジ個数とネジ配置によって、放熱板１
へのネジ切り穴３の個数が決められる。ヒートシンク６
側から放熱板１へネジ締めを行うためのネジ切り穴３を
複数個設けることで様々な形状・大きさの放熱板を有す
る高周波半導体パッケージの放熱板とヒートシンク６の
放熱性を向上することが可能となる。図２（ａ）は高周
波半導体パッケージの放熱板中央部に２個配置した場合
である。また、図２（ｂ）は等間隔に３個配置した例で
ある。いずれの実施例においてもフランジ部とヒートシ
ンク６の熱的接触性を改善することが可能になり、半導
体の熱放散性を向上することが可能になる。
【００１７】また、ネジ切り穴３は、細目ネジ山の場
合、少なくとも４個以上のネジ山があり、また、並目ネ
ジ山の場合、少なくとも３．５個以上のネジ山が有るよ
うにし、ネジ締めが確実に行われる。
合、少なくとも４個以上のネジ山があり、また、並目ネ
ジ山の場合、少なくとも３．５個以上のネジ山が有るよ
うにし、ネジ締めが確実に行われる。
【００１８】更に、ネジ切り穴３は、ヒートシンク６が
放熱板１のフランジ部でネジ締めされているネジ径の少
なくとも１．５倍のネジ径を有することがネジ締めを確
実に行う上で望ましい。
放熱板１のフランジ部でネジ締めされているネジ径の少
なくとも１．５倍のネジ径を有することがネジ締めを確
実に行う上で望ましい。
【００１９】本発明の、放熱板１の裏面に貫通しないネ
ジ切り穴３を用いることにより高周波半導体パッケージ
とヒートシンク間の熱放散性は均一となり、熱的接触性
が向上する。
ジ切り穴３を用いることにより高周波半導体パッケージ
とヒートシンク間の熱放散性は均一となり、熱的接触性
が向上する。
【００２０】
【発明の効果】本発明の実施例について効果を以下に説
明する。図１（ｃ）は、本発明の実施例についてヒート
シンク６に装着した状態の拡大図である。実施例の動作
の項で説明したように、高周波半導体パッケージはフラ
ンジ部ネジ止め穴２を通したネジ７と、ヒートシンク６
側から裏面ネジ切り穴３に通したネジ７によりパッケー
ジ放熱板１とヒートシンク６の熱的接触が得られる。こ
の時、ヒートシンク６側から裏面ネジ切り穴３に通した
ネジ７を用いることでネジをパッケージ放熱板１とヒー
トシンク６の隙間８は最小限に抑制できる。従って、半
導体から発生した熱はパッケージ放熱板１に伝導し、次
に最小の熱抵抗でヒートシンク６に伝導されるので、半
導体から発生した熱は非常に効率良く空気中まで放熱で
きるため、高周波半導体の温度上昇を抑制することが可
能になる。
明する。図１（ｃ）は、本発明の実施例についてヒート
シンク６に装着した状態の拡大図である。実施例の動作
の項で説明したように、高周波半導体パッケージはフラ
ンジ部ネジ止め穴２を通したネジ７と、ヒートシンク６
側から裏面ネジ切り穴３に通したネジ７によりパッケー
ジ放熱板１とヒートシンク６の熱的接触が得られる。こ
の時、ヒートシンク６側から裏面ネジ切り穴３に通した
ネジ７を用いることでネジをパッケージ放熱板１とヒー
トシンク６の隙間８は最小限に抑制できる。従って、半
導体から発生した熱はパッケージ放熱板１に伝導し、次
に最小の熱抵抗でヒートシンク６に伝導されるので、半
導体から発生した熱は非常に効率良く空気中まで放熱で
きるため、高周波半導体の温度上昇を抑制することが可
能になる。
【００２１】本発明によれば、放熱板裏面に貫通しない
ネジ切り穴を用いることによりパッケージとヒートシン
ク間の熱的接触性を向上させ、均一な熱放散性が得られ
ると言う効果がある。
ネジ切り穴を用いることによりパッケージとヒートシン
ク間の熱的接触性を向上させ、均一な熱放散性が得られ
ると言う効果がある。
【図１】本発明の一実施例の高周波半導体パッケージの
外観を示し、図１（ａ）は片側２個のフランジ部ネジ止
め穴と１個の裏面ネジ切り穴を持つ高周波半導体パッケ
ージの外観図、図１（ｂ）はネジによりヒートシンクと
熱的接触が取られた高周波半導体パッケージの断面図、
図１（ｃ）は接触部分の拡大断面図である。
外観を示し、図１（ａ）は片側２個のフランジ部ネジ止
め穴と１個の裏面ネジ切り穴を持つ高周波半導体パッケ
ージの外観図、図１（ｂ）はネジによりヒートシンクと
熱的接触が取られた高周波半導体パッケージの断面図、
図１（ｃ）は接触部分の拡大断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の高周波半導体パッケージ
の外観を示し、図２（ａ）は片側２個のフランジ部ネジ
止め穴と２個の裏面ネジ切り穴を持つ高周波半導体パッ
ケージの外観図、図２（ｂ）は片側１個のフランジ部ネ
ジ止め穴と３個の裏面ネジ切り穴を持つ高周波半導体パ
ッケージの外観図である。
の外観を示し、図２（ａ）は片側２個のフランジ部ネジ
止め穴と２個の裏面ネジ切り穴を持つ高周波半導体パッ
ケージの外観図、図２（ｂ）は片側１個のフランジ部ネ
ジ止め穴と３個の裏面ネジ切り穴を持つ高周波半導体パ
ッケージの外観図である。
【図３】従来の放熱板構造を持つ高周波半導体パッケー
ジの外観を示し、図３（ａ）は片側２個のフランジ部ネ
ジ止め穴を持つ高周波半導体パッケージの外観図、図３
（ｂ）はネジによりヒートシンクと熱的接触が取られた
高周波半導体パッケージの断面図、図３（ｃ）は接触部
分の拡大断面図である。
ジの外観を示し、図３（ａ）は片側２個のフランジ部ネ
ジ止め穴を持つ高周波半導体パッケージの外観図、図３
（ｂ）はネジによりヒートシンクと熱的接触が取られた
高周波半導体パッケージの断面図、図３（ｃ）は接触部
分の拡大断面図である。
１ 放熱板 ２ フランジ部ネジ止め穴 ３ 裏面ネジ切り穴 ４ 回路搭載部分 ５ リード ６ ヒートシンク ７ ネジ ８ 間隙
Claims (6)
- 【請求項１】 ヒートシンクが放熱板のフランジ部でネ
ジ締めされている放熱板構造を持つ高周波半導体パッケ
ージにおいて、 前記放熱板と前記ヒートシンクの接触面に放熱板を貫通
しないネジ切り穴を配置し、ヒートシンク側から放熱板
へネジ締め手段を有することを特徴とする高周波半導体
パッケージ。 - 【請求項２】 前記ネジ切り穴が、 前記ヒートシンク側から前記接触面方向の前記放熱板を
貫通しない穴の内面にネジ切りしたネジ切り穴である請
求項１記載の高周波半導体パッケージ。 - 【請求項３】 前記ネジ切り穴が、 前記ヒートシンクが前記放熱板のフランジ部でネジ締め
されているネジ個数とネジ配置に応じて複数個のネジ切
り穴である請求項１または２記載の高周波半導体パッケ
ージ。 - 【請求項４】 前記ネジ切り穴が、 細目ネジ山を有し、少なくとも４個以上のネジ山を有す
る請求項１乃至３の何れにか記載の高周波半導体パッケ
ージ。 - 【請求項５】 前記ネジ切り穴が、 並目ネジ山を有し、少なくとも３．５個以上のネジ山を
有する請求項１乃至３の何れにか記載の高周波半導体パ
ッケージ。 - 【請求項６】 前記ネジ切り穴が、 前記ヒートシンクが前記放熱板のフランジ部でネジ締め
されているネジ径の少なくとも１．５倍のネジ径を有す
るネジ切り穴である請求項１乃至５の何れにか記載の高
周波半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657299A JP3348781B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 高周波半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657299A JP3348781B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 高周波半導体パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015660A true JP2001015660A (ja) | 2001-01-19 |
| JP3348781B2 JP3348781B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=16190893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18657299A Expired - Fee Related JP3348781B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 高周波半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3348781B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332466A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| US7502398B2 (en) | 2006-11-02 | 2009-03-10 | Coherent, Inc. | Thermally tuned diode-laser bar package |
| JP2020505773A (ja) * | 2017-01-23 | 2020-02-20 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 凹形湾曲部を備えた底部プレートを有する半導体モジュール |
| CN111836461A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-10-27 | 方炜 | 一种散热型线路板及其制备方法 |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP18657299A patent/JP3348781B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332466A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP4594166B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2010-12-08 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| US7502398B2 (en) | 2006-11-02 | 2009-03-10 | Coherent, Inc. | Thermally tuned diode-laser bar package |
| JP2020505773A (ja) * | 2017-01-23 | 2020-02-20 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 凹形湾曲部を備えた底部プレートを有する半導体モジュール |
| US11201098B2 (en) | 2017-01-23 | 2021-12-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor module having a base plate with a concave curvature |
| CN111836461A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-10-27 | 方炜 | 一种散热型线路板及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3348781B2 (ja) | 2002-11-20 |
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|---|---|---|---|
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