JP2001014602A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2001014602A JP2001014602A JP11186113A JP18611399A JP2001014602A JP 2001014602 A JP2001014602 A JP 2001014602A JP 11186113 A JP11186113 A JP 11186113A JP 18611399 A JP18611399 A JP 18611399A JP 2001014602 A JP2001014602 A JP 2001014602A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光磁気記録再生装置等に用いられる薄膜磁気
ヘッドのリード線がディスクの表面に接触してディスク
に傷を付けたりリード線が断線するなどの事故を防止す
ることができる。 【解決手段】 非磁性材料から成る基板１５上に薄膜コ
イル１４、中央磁極１２からなる磁気ヘッド素子１１が
配備されている。基板１５には、磁気ヘッド素子１１の
近傍に２本の溝部１７，１７が設けられ、その内面に導
電性薄膜によるボンディングパッド１３，１３が形成さ
れている。該ボンディングパッド１３，１３は薄膜コイ
ル１４の各端部と電気的に接合されており、溝部１７の
内壁斜面あるいは底面においてリード線１６，１６と接
合されている。
ヘッドのリード線がディスクの表面に接触してディスク
に傷を付けたりリード線が断線するなどの事故を防止す
ることができる。 【解決手段】 非磁性材料から成る基板１５上に薄膜コ
イル１４、中央磁極１２からなる磁気ヘッド素子１１が
配備されている。基板１５には、磁気ヘッド素子１１の
近傍に２本の溝部１７，１７が設けられ、その内面に導
電性薄膜によるボンディングパッド１３，１３が形成さ
れている。該ボンディングパッド１３，１３は薄膜コイ
ル１４の各端部と電気的に接合されており、溝部１７の
内壁斜面あるいは底面においてリード線１６，１６と接
合されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光磁気ディ
スク記録再生装置に用いられる薄膜磁気ヘッドに関する
ものである。
スク記録再生装置に用いられる薄膜磁気ヘッドに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図３（Ａ）（Ｂ）に従来の薄膜磁
気ヘッドの概略構成を示す。同図に示すように、磁気ヘ
ッド素子５１は、スパイラル型の磁界発生用の薄膜コイ
ル５４及び中央磁極５２によって構成され、リード線５
６によって記録電流が前記薄膜コイル５４に印加される
と、コイルの中心部に配置された中央磁極５２から基板
５５の上方に磁界が発生する。記録媒体である光磁気デ
ィスク５９において、前記磁界が印加されている状態
で、且つレーザ光によりキュリー点以上に温度上昇して
いる領域では磁化反転が生じ、情報が書き込まれる。
気ヘッドの概略構成を示す。同図に示すように、磁気ヘ
ッド素子５１は、スパイラル型の磁界発生用の薄膜コイ
ル５４及び中央磁極５２によって構成され、リード線５
６によって記録電流が前記薄膜コイル５４に印加される
と、コイルの中心部に配置された中央磁極５２から基板
５５の上方に磁界が発生する。記録媒体である光磁気デ
ィスク５９において、前記磁界が印加されている状態
で、且つレーザ光によりキュリー点以上に温度上昇して
いる領域では磁化反転が生じ、情報が書き込まれる。
【０００３】一般に、光磁気記録用の薄膜磁気ヘッド
は、磁界発生領域が数１００μｍオーダーと広く、ＨＤ
Ｄ（ハードディスクドライブ）用の薄膜磁気ヘッドと異
なり、前記磁気ヘッド素子５１は基板５５の上面（ディ
スク摺動面）に配置される。このため、薄膜磁気ヘッド
と後段回路とを接続するためのリード線５６を接合する
ボンディングペッド５３も基板５５の上面に配置され
る。
は、磁界発生領域が数１００μｍオーダーと広く、ＨＤ
Ｄ（ハードディスクドライブ）用の薄膜磁気ヘッドと異
なり、前記磁気ヘッド素子５１は基板５５の上面（ディ
スク摺動面）に配置される。このため、薄膜磁気ヘッド
と後段回路とを接続するためのリード線５６を接合する
ボンディングペッド５３も基板５５の上面に配置され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、上記の如き
構造の薄膜磁気ヘッドにおいては、リード線５６がディ
スク表面側に引き出されることとなり、リード線５６と
光磁気ディスク５９の接触による断線やディスク表面に
傷が付くなどの不具合が発生する恐れがある。
構造の薄膜磁気ヘッドにおいては、リード線５６がディ
スク表面側に引き出されることとなり、リード線５６と
光磁気ディスク５９の接触による断線やディスク表面に
傷が付くなどの不具合が発生する恐れがある。
【０００５】このような問題を解決するため、例えば特
開平２−２９４９０３号公報に開示されているように、
絶縁性部材を間に介した２つの導電部材によって基板を
形成し、夫々の導電部材の上面に薄膜コイルの各端部を
接合し、そしてリード線を導電部材の側部から引き出す
構造が知られているが、基板を積層基板で構成するため
に製造コストが高いという問題があった。
開平２−２９４９０３号公報に開示されているように、
絶縁性部材を間に介した２つの導電部材によって基板を
形成し、夫々の導電部材の上面に薄膜コイルの各端部を
接合し、そしてリード線を導電部材の側部から引き出す
構造が知られているが、基板を積層基板で構成するため
に製造コストが高いという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、基板上に磁界発生用の薄膜コイルを有する
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板上に形成された溝部
と、該溝部内に一部が埋設された前記薄膜コイルに信号
を印加するための導電線とを備えたことを特徴とする。
め本発明は、基板上に磁界発生用の薄膜コイルを有する
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板上に形成された溝部
と、該溝部内に一部が埋設された前記薄膜コイルに信号
を印加するための導電線とを備えたことを特徴とする。
【０００７】また本発明は、基板上に磁界発生用の薄膜
コイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板上に
形成された溝部と、該溝部内面に形成されると共に前記
薄膜コイルと電気的に接続された導電性薄膜から成る接
続部と、該接続部と電気的に接続されると共に前記溝部
内に一部が埋設されて成る導電線とを備えたことを特徴
とする。
コイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板上に
形成された溝部と、該溝部内面に形成されると共に前記
薄膜コイルと電気的に接続された導電性薄膜から成る接
続部と、該接続部と電気的に接続されると共に前記溝部
内に一部が埋設されて成る導電線とを備えたことを特徴
とする。
【０００８】また本発明は、基板上に磁界発生用の薄膜
コイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板の薄
膜コイルが在る面とは反対側の面に、前記薄膜コイルに
信号を印加するための導電線を備えたことを特徴とす
る。
コイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板の薄
膜コイルが在る面とは反対側の面に、前記薄膜コイルに
信号を印加するための導電線を備えたことを特徴とす
る。
【０００９】また本発明は、基板上に磁界発生用の薄膜
コイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板に形
成された貫通孔と、前記基板の薄膜コイルの存在しない
側の面に形成されると共に前記貫通孔を介して薄膜コイ
ルと電気的に接続された導電性薄膜から成る接続部と、
該接続部と電気的に接続されると共に、前記基板の薄膜
コイルが在る面とは反対側の面に設けられた導電線とを
備えたことを特徴とする。
コイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板に形
成された貫通孔と、前記基板の薄膜コイルの存在しない
側の面に形成されると共に前記貫通孔を介して薄膜コイ
ルと電気的に接続された導電性薄膜から成る接続部と、
該接続部と電気的に接続されると共に、前記基板の薄膜
コイルが在る面とは反対側の面に設けられた導電線とを
備えたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施例について詳述する。 ［実施例１］先ず、図１（Ａ）は、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの概観を示す斜視図、図１（Ｂ）本発明の薄膜磁気
ヘッドの要部（溝部）断面図、図１（Ｃ）は本発明の薄
膜磁気ヘッドの側断面図である。
実施例について詳述する。 ［実施例１］先ず、図１（Ａ）は、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの概観を示す斜視図、図１（Ｂ）本発明の薄膜磁気
ヘッドの要部（溝部）断面図、図１（Ｃ）は本発明の薄
膜磁気ヘッドの側断面図である。
【００１１】同図に示すように、１５は、幅（溝１７と
直行する方向）：約２ｍｍ，奥行（溝１７に沿う方
向）：約１．５ｍｍ，厚さ：約０．５ｍｍのチタン酸カ
ルシウム等の非磁性材料から成る基板、１１は前記基板
１５上に形成された薄膜磁気ヘッド素子であって、該薄
膜磁気ヘッド素子１１は、基板１５の上面に形成された
パーマロイ等の高透磁率材料から成る直径：約４００μ
ｍ，厚さ：約５０μｍの中央磁極１２と、該中央磁極１
２の周囲において、線幅：約１０μｍで、且つ各々１１
回ずつ巻回された、銅等の高導電率材料の薄膜から成る
２層構造の薄膜コイル１４とから構成されている。
直行する方向）：約２ｍｍ，奥行（溝１７に沿う方
向）：約１．５ｍｍ，厚さ：約０．５ｍｍのチタン酸カ
ルシウム等の非磁性材料から成る基板、１１は前記基板
１５上に形成された薄膜磁気ヘッド素子であって、該薄
膜磁気ヘッド素子１１は、基板１５の上面に形成された
パーマロイ等の高透磁率材料から成る直径：約４００μ
ｍ，厚さ：約５０μｍの中央磁極１２と、該中央磁極１
２の周囲において、線幅：約１０μｍで、且つ各々１１
回ずつ巻回された、銅等の高導電率材料の薄膜から成る
２層構造の薄膜コイル１４とから構成されている。
【００１２】尚、図示していないが、前記薄膜コイル１
４において、２層のコイルは、絶縁分離・保護のために
光硬化性樹脂の絶縁膜に覆われており、絶縁膜を含めた
薄膜コイル１４の厚さは約５μｍである。
４において、２層のコイルは、絶縁分離・保護のために
光硬化性樹脂の絶縁膜に覆われており、絶縁膜を含めた
薄膜コイル１４の厚さは約５μｍである。
【００１３】次に、１７，１７は、前記薄膜ヘッド素子
１１を挟むようにして、前記基板１５上に互いに平行に
設けられた、最大幅：約３００μｍ，深さ：約１００〜
１５０μｍ，側壁の傾斜角度：約４５度の溝部であり、
ダイシングマシン等により形成される。
１１を挟むようにして、前記基板１５上に互いに平行に
設けられた、最大幅：約３００μｍ，深さ：約１００〜
１５０μｍ，側壁の傾斜角度：約４５度の溝部であり、
ダイシングマシン等により形成される。
【００１４】また、１３，１３は、前記基板１５の溝部
１７，１７の内壁面を亘ると共に、図示した如く、基板
１５の上面まで延在した矩形状の、銅メッキ等によって
形成されたボンディングパッドであり、前記薄膜コイル
１４の端部と電気的に接合されている。ボンディングパ
ッド１３は、基板の上面に延びている部分の大きさは、
２００〜３００μｍ角の正方形である。
１７，１７の内壁面を亘ると共に、図示した如く、基板
１５の上面まで延在した矩形状の、銅メッキ等によって
形成されたボンディングパッドであり、前記薄膜コイル
１４の端部と電気的に接合されている。ボンディングパ
ッド１３は、基板の上面に延びている部分の大きさは、
２００〜３００μｍ角の正方形である。
【００１５】さらに、１６，１６は、各一端が前記ボン
ディングパッド１３，１３にそれぞれ超音波ボンディン
グマシン等によってボンディングされて電気的に接続さ
れると共に溝部１７内に収容され、そして前記基板１５
の一端から引き出された、直径：約５０μｍの銅線から
成るリード線である。図示していないが、該リード線１
６，１６は、前記各溝１７，１７内において、前記ボン
ディング後に基板１５の端部付近にて樹脂で固定され、
リード線１６，１６がディスク１９側へ垂れ下がらない
ように構成されている。そして、前記溝部１７，１７の
深さは、前記リード線の直径よりも深く、且つボンディ
ング部分の高さ寸法と同等か、それ以上の深さに設定さ
れている。 ［実施例２］図２（Ａ）（Ｂ）に、本発明の他の実施例
における薄膜磁気ヘッドの構造を示す。３５は幅：約２
ｍｍ，奥行：約１．５ｍｍ，厚さ：約１２５μｍのポリ
イミド樹脂フィルム等の非磁性材料から成る基板であ
り、厚さを除いては、前記第１の実施例における基板と
幅及び奥行は同寸法である。
ディングパッド１３，１３にそれぞれ超音波ボンディン
グマシン等によってボンディングされて電気的に接続さ
れると共に溝部１７内に収容され、そして前記基板１５
の一端から引き出された、直径：約５０μｍの銅線から
成るリード線である。図示していないが、該リード線１
６，１６は、前記各溝１７，１７内において、前記ボン
ディング後に基板１５の端部付近にて樹脂で固定され、
リード線１６，１６がディスク１９側へ垂れ下がらない
ように構成されている。そして、前記溝部１７，１７の
深さは、前記リード線の直径よりも深く、且つボンディ
ング部分の高さ寸法と同等か、それ以上の深さに設定さ
れている。 ［実施例２］図２（Ａ）（Ｂ）に、本発明の他の実施例
における薄膜磁気ヘッドの構造を示す。３５は幅：約２
ｍｍ，奥行：約１．５ｍｍ，厚さ：約１２５μｍのポリ
イミド樹脂フィルム等の非磁性材料から成る基板であ
り、厚さを除いては、前記第１の実施例における基板と
幅及び奥行は同寸法である。
【００１６】次に、３１は、前記基板３５上に形成され
た薄膜磁気ヘッド素子であり、第１の実施例と同様に、
基板３５の上面に形成されたパーマロイ等の高透磁率材
料から成る直径：約４００μｍ，厚さ：約５０μｍの中
央磁極３２と、該中央磁極３２の周囲において、線幅：
約１０μｍで、且つ各々１１回ずつ巻回された、銅等の
高導電率材料の薄膜から成る２層構造の薄膜コイル３４
とから構成されている。
た薄膜磁気ヘッド素子であり、第１の実施例と同様に、
基板３５の上面に形成されたパーマロイ等の高透磁率材
料から成る直径：約４００μｍ，厚さ：約５０μｍの中
央磁極３２と、該中央磁極３２の周囲において、線幅：
約１０μｍで、且つ各々１１回ずつ巻回された、銅等の
高導電率材料の薄膜から成る２層構造の薄膜コイル３４
とから構成されている。
【００１７】また、３８，３８は、前記基板３５上の磁
気ヘッド素子３１の近傍において、マイクロボール盤や
レーザ加工等により形成された直径：約３００μｍの貫
通孔である。
気ヘッド素子３１の近傍において、マイクロボール盤や
レーザ加工等により形成された直径：約３００μｍの貫
通孔である。
【００１８】また、３９，３９は、前記貫通孔３８，３
８のその内壁側に、銅メッキ等の高導電率材料で形成さ
れた厚さ：約１０μｍの導電牲薄膜層であり、これら導
電牲薄膜層３９，３９は、プリント基板のパイアホール
形成技術を適用して容易に形成することができる。尚、
前記貫通孔の直径（約３００μｍ）は、導電牲薄膜層３
９，３９を形成する前の寸法である。
８のその内壁側に、銅メッキ等の高導電率材料で形成さ
れた厚さ：約１０μｍの導電牲薄膜層であり、これら導
電牲薄膜層３９，３９は、プリント基板のパイアホール
形成技術を適用して容易に形成することができる。尚、
前記貫通孔の直径（約３００μｍ）は、導電牲薄膜層３
９，３９を形成する前の寸法である。
【００１９】３３は、前記基板３５の表面に銅メッキ等
によって形成された導電性パッドであり、前記導電性薄
膜層３９，３９と前記薄膜コイル３４の端部４０，４０
とを電気的に接続する。
によって形成された導電性パッドであり、前記導電性薄
膜層３９，３９と前記薄膜コイル３４の端部４０，４０
とを電気的に接続する。
【００２０】そして、３７は、前記基板３５の裏面にお
いて、銅メッキ等によって形成されたボンディングパッ
ドであり、前記導電性薄膜層３９と電気的に接続されて
いる。尚、図２（Ｂ）では片方しか図示されていない
が、基板３５の裏面において、各導電性薄膜層３９，３
９に対して電気的に接続するように設けられている。
いて、銅メッキ等によって形成されたボンディングパッ
ドであり、前記導電性薄膜層３９と電気的に接続されて
いる。尚、図２（Ｂ）では片方しか図示されていない
が、基板３５の裏面において、各導電性薄膜層３９，３
９に対して電気的に接続するように設けられている。
【００２１】前記導電性パッド３３，３３、薄膜コイル
３４の端部４０，４０、ボンディングパッド３７の寸法
は、約２００〜３００μｍ角の正方形である。
３４の端部４０，４０、ボンディングパッド３７の寸法
は、約２００〜３００μｍ角の正方形である。
【００２２】さらに３６，３６は、前記ボンディングパ
ッド３７に対して、超音波ボンディングマシン等により
ボンディングされた、直径：約５０μｍの銅線から成る
リード線であり、図２（Ｂ）に示すように、前記基板３
５の裏面から引き出され、ディスク表面との接触が防止
される位置に配備されている。即ち、基板３５の薄膜磁
気ヘッド素子１１の設けられた面がディスクの信号記録
再生面に面し、そして前記薄膜磁気ヘッド素子１１とは
反対側の面よりリード線１６，１６が導出されている。
ッド３７に対して、超音波ボンディングマシン等により
ボンディングされた、直径：約５０μｍの銅線から成る
リード線であり、図２（Ｂ）に示すように、前記基板３
５の裏面から引き出され、ディスク表面との接触が防止
される位置に配備されている。即ち、基板３５の薄膜磁
気ヘッド素子１１の設けられた面がディスクの信号記録
再生面に面し、そして前記薄膜磁気ヘッド素子１１とは
反対側の面よりリード線１６，１６が導出されている。
【００２３】この実施例では、リード線を収容するため
の溝を設ける必要がないので、最初の実施例に比べて、
基板を薄く出来るという利点がある。
の溝を設ける必要がないので、最初の実施例に比べて、
基板を薄く出来るという利点がある。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳述した如く本発明に依れば、薄
膜磁気ヘッドのリード線が基板に形成された溝部内に配
備されるため、リード線とディスクとの接触によるディ
スクの損傷やリード線の断線などの事故を防止すること
ができる。そして、その製造においても、基板に溝部を
設けて、該溝部内にボンディングパッドを形成し、ボン
ディングパッドとリード線をボンディングするといった
簡単な方法で良いため、製造コストを低く抑えることが
出来る。
膜磁気ヘッドのリード線が基板に形成された溝部内に配
備されるため、リード線とディスクとの接触によるディ
スクの損傷やリード線の断線などの事故を防止すること
ができる。そして、その製造においても、基板に溝部を
設けて、該溝部内にボンディングパッドを形成し、ボン
ディングパッドとリード線をボンディングするといった
簡単な方法で良いため、製造コストを低く抑えることが
出来る。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの構成を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の実施例における薄膜磁気ヘッドの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの構成を示す図である。
１１ 磁気ヘッド素子 １２ 中央磁極 １３ ボンディングパッド １４ 薄膜コイル １５ 基板 １６ リード線 １７ 溝部 １９ 光磁気ディスク ３１ 磁気ヘッド素子 ３２ 中央磁極 ３３ 導電性パッド ３４ 薄膜コイル ３５ 基板 ３６ リード線 ３７ ボンディングパッド ３８ 貫通孔 ３９ 導電性薄膜層 ４０ 端部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田沼 俊雄 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 高橋 誠一郎 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 AA03 CF03 CF08 5D091 AA10 CC18 CC24 HH20
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に磁界発生用の薄膜コイルを有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板上に形成された溝
部と、該溝部内に一部が埋設された前記薄膜コイルに信
号を印加するための導電線とを備えたことを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に磁界発生用の薄膜コイルを有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板上に形成された溝
部と、該溝部内面に形成されると共に前記薄膜コイルと
電気的に接続された導電性薄膜から成る接続部と、該接
続部と電気的に接続されると共に前記溝部内に一部が埋
設されて成る導電線とを備えたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項３】 基板上に磁界発生用の薄膜コイルを有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板の薄膜コイルが在
る面とは反対側の面に、前記薄膜コイルに信号を印加す
るための導電線を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 基板上に磁界発生用の薄膜コイルを有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板に形成された貫通
孔と、前記基板の薄膜コイルの存在しない側の面に形成
されると共に前記貫通孔を介して薄膜コイルと電気的に
接続された導電性薄膜から成る接続部と、該接続部と電
気的に接続されると共に、前記基板の薄膜コイルが在る
面とは反対側の面に設けられた導電線とを備えたことを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11186113A JP2001014602A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11186113A JP2001014602A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001014602A true JP2001014602A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16182599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11186113A Withdrawn JP2001014602A (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001014602A (ja) |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP11186113A patent/JP2001014602A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040210 |