JP2001007526A - Multilayer buildup wiring board and its manufacture - Google Patents

Multilayer buildup wiring board and its manufacture

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JP2001007526A
JP2001007526A JP17251799A JP17251799A JP2001007526A JP 2001007526 A JP2001007526 A JP 2001007526A JP 17251799 A JP17251799 A JP 17251799A JP 17251799 A JP17251799 A JP 17251799A JP 2001007526 A JP2001007526 A JP 2001007526A
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JP
Japan
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interlayer resin
layer
wiring board
resin
multilayer build
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JP17251799A
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Japanese (ja)
Inventor
Naohiro Hirose
直宏 広瀬
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer buildup wiring board in which length of wiring can be shortened. SOLUTION: In this multilayer buildup wiring board, a via hole 160b piercing through a lower interlayer resin insulation layer 50 and an upper interlayer resin insulation layer 150 conducts electricity from solder bumps 76U and 76D in an upper layer of the interlayer resin insulation layer 150 to a conductor layer (conductor circuit) 34 formed on a core board 30. Further, a through hole 39 piercing through the core board 30 and the interlayer resin insulation layer 150 formed over the core board 30 connects a via hole (conductor layer) 160a over the interlayer resin insulation layer 50. As a result, length of wiring is shortened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、コア基板の両面
に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層
ビルドアップ配線板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer build-up wiring board in which interlayer resin insulation layers and conductor layers are alternately laminated on both surfaces of a core substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】多層ビルドアップ配線板は、例えば図1
0に示すようにスルーホール236及び導体回路234
を形成したコア基板230の上に、下層の層間樹脂絶縁
層250及び導体層258を形成し、更に、上層の層間
樹脂絶縁層350及び導体層358を配設し、該導体層
358及びバイアホール360に外部接続用の半田バン
プ376を配設してなる。そして、コア基板230上の
導体回路234と下層の導体層258とが、下層の層間
樹脂絶縁層250に形成されたバイアホール260で接
続され、下層の導体回路258と上層の導体回路358
とが、上層の層間樹脂絶縁層350に形成されたバイア
ホール360により構成されている。
2. Description of the Related Art A multilayer build-up wiring board is, for example, shown in FIG.
0, the through hole 236 and the conductor circuit 234
Are formed on the core substrate 230 on which the lower layer is formed, and a lower interlayer resin insulating layer 350 and a conductor layer 358 are further provided. The conductor layer 358 and the via hole are provided. 360 is provided with solder bumps 376 for external connection. The conductor circuit 234 on the core substrate 230 and the lower conductor layer 258 are connected by a via hole 260 formed in the lower interlayer resin insulation layer 250, and the lower conductor circuit 258 and the upper conductor circuit 358 are connected.
Are formed by via holes 360 formed in the upper interlayer resin insulation layer 350.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の多層ビルドアップ配線板においては、各層間樹脂絶
縁層にバイアホールを形成して、配線を取り回してい
た。このため、配線長が長くなり、多層ビルドアップ配
線板をICチップ載置用のパッケージ基板として用いた
場合には、信号の伝送速度が低下すると共に、多層ビル
ドアップ配線板内での発熱の原因となっていた。
However, in the conventional multi-layer build-up wiring board, via holes are formed in each interlayer resin insulation layer to route the wiring. For this reason, the wiring length becomes long, and when the multilayer build-up wiring board is used as a package substrate for mounting an IC chip, the signal transmission speed is reduced and the heat generation in the multilayer build-up wiring board is caused. Had become.

【0004】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、配線長を短縮できる
多層ビルドアップ配線板を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and an object of the present invention is to provide a multilayer build-up wiring board capable of shortening a wiring length.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積
層し、層間樹脂絶縁層の上下の導体層をバイアホールに
より接続してなる多層ビルドアップ配線板において、導
体層の下層の層間樹脂絶縁層と上層の層間樹脂絶縁層と
を貫通するバイアホールを形成したことを技術的特徴と
する。
In order to achieve the above-mentioned object, a first aspect of the present invention is to alternately laminate an interlayer resin insulation layer and a conductor layer, and connect the conductor layers above and below the interlayer resin insulation layer by via holes. A technical feature of the multilayer build-up wiring board according to the present invention is that a via hole penetrating through the interlayer resin insulating layer below the conductor layer and the interlayer resin insulating layer above is formed.

【0006】また、請求項2は、請求項1において、前
記多層ビルドアップ配線板は、コア基板を有しており、
少なくとも前記コア基板を貫通する貫通孔と前記下層及
び上層の層間樹脂絶縁層を貫通するバイアホールとが接
続されていることを技術的特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the multilayer build-up wiring board has a core substrate.
A technical feature is that at least a through hole penetrating the core substrate and a via hole penetrating the lower and upper interlayer resin insulating layers are connected.

【0007】請求項1、2の発明では、導体層の下層の
層間樹脂絶縁層と上層の層間樹脂絶縁層とを貫通するバ
イアホールにより、上下の導体層の導通を取るため、配
線長を短縮することができる。
According to the first and second aspects of the present invention, since the upper and lower conductor layers are electrically connected by the via holes penetrating the lower interlayer resin insulation layer and the upper interlayer resin insulation layer, the wiring length is reduced. can do.

【0008】また、請求項3は、コア基板の両面に層間
樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層し、層間樹脂絶縁層
の上下の導体層をバイアホールにより接続してなる多層
ビルドアップ配線板において、前記コア基板と、当該コ
ア基板上に形成された層間樹脂絶縁層とを貫通する貫通
孔により、当該コア基板上の層間樹脂絶縁層上の導体層
を接続させたことを技術的特徴とする。
A third aspect of the present invention is a multilayer build-up wiring in which interlayer resin insulation layers and conductor layers are alternately laminated on both surfaces of a core substrate, and the upper and lower conductor layers of the interlayer resin insulation layer are connected by via holes. In the board, a technical feature is that a conductor layer on the interlayer resin insulating layer on the core substrate is connected by a through hole penetrating the core substrate and the interlayer resin insulating layer formed on the core substrate. And

【0009】請求項3の発明では、コア基板と、当該コ
ア基板上に形成された層間樹脂絶縁層とを貫通する貫通
孔により、当該コア基板上の層間樹脂絶縁層上の導体層
を接続させるため、配線長を短縮することができる。
According to the third aspect of the present invention, the conductor layer on the interlayer resin insulating layer on the core substrate is connected by a through hole penetrating the core substrate and the interlayer resin insulating layer formed on the core substrate. Therefore, the wiring length can be reduced.

【0010】請求項4は、少なくとも(A)〜(C)の
工程を含むことを特徴とする多層ビルドアップ配線板の
製造方法にある: (A)下層の層間樹脂絶縁層上に形成された導体層上
に、上層の層間樹脂絶縁層を形成する工程、(B)前記
下層層間樹脂絶縁層及び前記上層層間樹脂絶縁層に、レ
ーザにより通孔を形成する工程、(C)前記通孔にバイ
アホールとなる導体層を形成する工程。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multilayer build-up wiring board comprising at least the steps (A) to (C): (A) formed on a lower interlayer resin insulating layer. Forming an upper interlayer resin insulation layer on the conductor layer; (B) forming a through hole by laser in the lower interlayer resin insulation layer and the upper interlayer resin insulation layer; and (C) forming a through hole in the through hole. Forming a conductor layer to be a via hole;

【0011】請求項4の発明では、下層層間樹脂絶縁層
及び上層層間樹脂絶縁層に、レーザにより通孔を形成
し、バイアホールとするため、複数の層間樹脂絶縁層を
貫くバイアホールの形成が可能となり、配線長を短縮す
ることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, a through hole is formed in the lower interlayer resin insulation layer and the upper interlayer resin insulation layer by a laser to form a via hole. It becomes possible and the wiring length can be shortened.

【0012】請求項5は、少なくとも(A)〜(C)の
工程を含むことを特徴とする多層ビルドアップ配線板の
製造方法にある; (A)導体層の形成されたコア基板上に、層間樹脂絶縁
層を形成する工程、(B)前記コア基板及び前記層間樹
脂絶縁層に、レーザにより貫通孔を形成する工程、
(C)前記貫通孔に導体層を形成する工程。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multilayer build-up wiring board, comprising at least the steps (A) to (C): (A) forming a conductive layer on a core substrate; Forming an interlayer resin insulation layer, (B) forming a through hole in the core substrate and the interlayer resin insulation layer by laser,
(C) forming a conductor layer in the through hole;

【0013】請求項5の発明では、コア基板及び層間樹
脂絶縁層に、炭酸、エキシマ、YAG、UVレーザによ
り貫通孔を形成し、導体層を形成するため、コア基板及
び層間樹脂絶縁層を貫く配線を設けることが可能とな
り、配線長を短縮することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, a through hole is formed in the core substrate and the interlayer resin insulating layer by using carbonic acid, excimer, YAG, and UV laser, and the conductor layer is formed. Wiring can be provided, and the wiring length can be reduced.

【0014】本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無
電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電
解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤
に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶
性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適
である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂
粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーから
なる粗化面を形成できる。
In the present invention, it is desirable to use an adhesive for electroless plating as the interlayer resin insulating layer. The most suitable adhesive for electroless plating is one in which heat-resistant resin particles soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or oxidizing agent. is there. By treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus-shaped anchor can be formed on the surface.

【0015】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1〜
0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μ
mを越え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles which have been particularly hardened include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, a heat-resistant powder resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm and an average particle size of 2 μm
m and a mixture with a heat-resistant resin powder having a mean particle size of 2 or less.
Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of a 10 μm heat-resistant resin powder, and an average particle diameter of 0.1 to
0.8μm heat resistant resin powder and average particle size 0.8μ
m, and a mixture with a heat-resistant resin powder of less than 2 μm,
It is desirable to use a heat-resistant resin powder having an average particle size of 0.1 to 1.0 μm. This is because they can form more complex anchors.

【0016】粗化面の深さは、Rmax=0.01〜2
0μmがよい。密着性を確保するためである。特にセミ
アディティブ法では、0.1〜5μmがよい。密着性を
確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
The depth of the roughened surface is Rmax = 0.01 to 2
0 μm is preferred. This is to ensure adhesion. Particularly, in the semi-additive method, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.

【0017】前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者につ
いては耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の
開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからであ
る。
The heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent is selected from a “resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” or a “resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin”. It is desirable to become. This is because the former has high heat resistance, and the latter can form an opening for a via hole by photolithography.

【0018】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。
As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. In the case of photosensitization, methacrylic acid, acrylic acid, or the like is reacted with a thermosetting group for acrylation. Particularly, acrylate of epoxy resin is most suitable. As the epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolak type and a cresol novolak type, and an alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene can be used.

【0019】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン(PES)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PP
E)、ポリエーテルイミド(PI)などを使用できる。
熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合
は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95
/5〜50/50がよい。耐熱性を損なうことなく、高
い靭性値を確保できるからである。
As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PP
E), polyetherimide (PI) and the like can be used.
The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is: thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95
/ 5 to 50/50 is preferred. This is because a high toughness value can be secured without impairing the heat resistance.

【0020】前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%、
望ましくは10〜40重量%がよい。耐熱性樹脂粒子
は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組
成の異なる2層により構成してもよい。
The mixing weight ratio of the heat-resistant resin particles is 5 to 50% by weight based on the solid content of the heat-resistant resin matrix.
Desirably, the content is 10 to 40% by weight. As the heat-resistant resin particles, amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin), epoxy resin and the like are preferable. The adhesive may be composed of two layers having different compositions.

【0021】なお、多層ビルドアップ配線板の表面に付
加するソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用
でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビス
フェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリ
レートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬
化させた樹脂を使用できる。
As the solder resist layer to be added to the surface of the multilayer build-up wiring board, various resins can be used. For example, bisphenol A epoxy resin, acrylate of bisphenol A epoxy resin, novolak epoxy resin, novolak A resin obtained by curing an acrylate of a type epoxy resin with an amine curing agent or an imidazole curing agent can be used.

【0022】一方、このようなソルダーレジスト層は、
剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じること
がある。このため、補強層を設けることでソルダーレジ
スト層の剥離を防止することもできる。
On the other hand, such a solder resist layer is
Since it is composed of a resin having a rigid skeleton, peeling may occur. Therefore, the provision of the reinforcing layer can also prevent the solder resist layer from peeling off.

【0023】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。
Here, as the acrylate of the novolak type epoxy resin, an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid or the like can be used.

【0024】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ )、
1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール(品
名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾール(品
名:2E4MZ )を用いることができる。
The above-mentioned imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. This is because a liquid can be uniformly mixed. As such a liquid imidazole curing agent,
1-benzyl-2-methylimidazole (product name: 1B2MZ),
1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (product name: 2E4MZ-CN) and 4-methyl-2-ethylimidazole (product name: 2E4MZ) can be used.

【0025】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して1〜10重量
%とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
The amount of the imidazole curing agent is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. The reason for this is that if the added amount is within this range, uniform mixing is easy.

【0026】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させな
い。また、人体に対する有害性も少ない。
The composition before curing of the solder resist is as follows:
It is desirable to use a glycol ether-based solvent as the solvent. The solder resist layer using such a composition does not generate free acid and does not oxidize the copper pad surface. It is also less harmful to the human body.

【0027】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル(DMDG)およびトリエ
チレングリコールジメチルエーテル(DMTG)から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いる。これらの溶剤
は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾ
フェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることがで
きるからである。 CH O - (CH CH O) −CH(n=1〜
5) このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜70wt%がよい。
As such a glycol ether-based solvent, one having the following structural formula, particularly preferably at least one selected from diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) is used. This is because these solvents can completely dissolve benzophenone and Michler's ketone as reaction initiators by heating at about 30 to 50 ° C. CH 3 O-(CH 2 CH 2 O) n -CH 3 (n = 1~
5) The amount of the glycol ether solvent is preferably 10 to 70% by weight based on the total weight of the solder resist composition.

【0028】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアI907、光増感
剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。さらに、
ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加しても
よい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素
としてはフタロシアニングリーンを用いることが望まし
い。
In addition to the solder resist composition described above, various antifoaming agents and leveling agents, thermosetting resins for improving heat resistance and base resistance and imparting flexibility,
A photosensitive monomer or the like can be added to improve the resolution. For example, as the leveling agent, one made of a polymer of an acrylate ester is preferable. The initiator is preferably Irgacure I907 manufactured by Ciba-Geigy, and the photosensitizer is DETX-S manufactured by Nippon Kayaku. further,
A dye or pigment may be added to the solder resist composition. This is because the wiring pattern can be hidden. It is desirable to use phthalocyanine green as this dye.

【0029】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合(塗布性を重視する場合)には後
者がよい。
As the thermosetting resin as an additional component, a bisphenol type epoxy resin can be used. This bisphenol type epoxy resin includes a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin, and when importance is attached to base resistance, the former is required to reduce viscosity (when importance is attached to coating properties). The latter is better.

【0030】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、多価アクリル系モノマーと
して、日本化薬製のDPE−6A、共栄社化学製のR−
604を用いることができる。また、これらのソルダー
レジスト組成物は、25℃で0.5〜10Pa・s、よ
り望ましくは1〜10Pa・sがよい。ロールコータで
塗布しやすい粘度だからである。
As the photosensitive monomer as an additive component, a polyvalent acrylic monomer can be used.
This is because the polyacrylic monomer can improve the resolution. For example, Nippon Kayaku's DPE-6A and Kyoeisha Chemical's R-
604 can be used. Further, these solder resist compositions have a pressure of 0.5 to 10 Pa · s at 25 ° C., preferably 1 to 10 Pa · s. This is because the viscosity is easy to apply with a roll coater.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板及びその製造方法について図を参
照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板10の構成について、図8(Z)
及び図9を参照して説明する。図8(Z)は、ICチッ
プ搭載前の多層ビルドアップ配線板10の断面図を示
し、図9は、図8(Z)に示す多層ビルドアップ配線板
10にICチップ90を載置し、ドータボード94へ取
り付けた状態を示している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a multilayer build-up wiring board according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described with reference to the drawings. First, the configuration of the multilayer build-up wiring board 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 8 (Z) is a cross-sectional view of the multilayer build-up wiring board 10 before mounting the IC chip, and FIG. 9 shows an IC chip 90 mounted on the multilayer build-up wiring board 10 shown in FIG. 8 (Z). The state where it was attached to the daughter board 94 is shown.

【0032】図9に示すように多層ビルドアップ配線板
10では、コア基板30内にスルーホール36が形成さ
れ、該コア基板30の両面には導体回路34が形成され
ている。また、該コア基板30の上には、下層側層間樹
脂絶縁層50が配設され、下層側層間樹脂絶縁層50に
は、該下層側層間樹脂絶縁層50及びコア基板30を貫
く導通路39と、配線パターン58とが形成されてい
る。該下層層間樹脂絶縁層50の上には、上層層間樹脂
絶縁層150が配置され、層間樹脂絶縁層150には、
該層間樹脂絶縁層150を貫通するバイアホール160
a、当該上層層間樹脂絶縁層150及び下層層間樹脂絶
縁層50を貫通するバイアホール160b、配線パター
ン158が形成されている。
As shown in FIG. 9, in the multilayer build-up wiring board 10, through holes 36 are formed in the core substrate 30, and conductor circuits 34 are formed on both surfaces of the core substrate 30. A lower interlayer resin insulation layer (50) is provided on the core substrate (30). The lower interlayer resin insulation layer (50) has conductive paths (39) passing through the lower interlayer resin insulation layer (50) and the core substrate (30). And a wiring pattern 58 are formed. On the lower interlayer resin insulation layer 50, an upper interlayer resin insulation layer 150 is disposed.
Via hole 160 penetrating through interlayer resin insulation layer 150
a, a via hole 160b penetrating through the upper interlayer resin insulation layer 150 and the lower interlayer resin insulation layer 50, and a wiring pattern 158 are formed.

【0033】多層ビルドアップ配線板10の上面側に
は、ICチップ90のランド92へ接続するための半田
バンプ76Uが配設されている。半田バンプ76Uは、
バイアホール160bを介してスルーホール36へ、ま
た、バイアホール160aを介して貫通路39へ接続さ
れている。一方、下面側には、ドーターボード94のラ
ンド96に接続するための半田バンプ76Dが配設され
ている。該半田バンプ76Dは、バイアホール160b
を介してスルーホール36へ、また、バイアホール16
0aを介して貫通路39へ接続されている。
On the upper surface side of the multilayer build-up wiring board 10, solder bumps 76U for connection to the lands 92 of the IC chip 90 are provided. The solder bump 76U is
The via hole 160b is connected to the through-hole 36, and the via hole 160a is connected to the through-hole 39. On the other hand, a solder bump 76D for connection to the land 96 of the daughter board 94 is provided on the lower surface side. The solder bump 76D is connected to the via hole 160b.
Through hole 36 and via hole 16
Oa is connected to the through path 39.

【0034】本実施形態の多層ビルドアップ配線板10
においては、下層の層間樹脂絶縁層50と上層の層間樹
脂絶縁層150とを貫通するバイアホール160bによ
り、層間樹脂絶縁層150の上層の半田バンプ76U、
76Dと、コア基板30に形成された導体層(導体回
路)34との導通を取る。また、コア基板30と、当該
コア基板30上に形成された層間樹脂絶縁層150とを
貫通する貫通路39により、ICチップ側の層間樹脂絶
縁層50上のバイアホール(導体層)160aとドータ
ボード側のバイアホール160aとを接続させる。この
ため、配線長を短縮することができ、ICチップ90か
らドータボートへの信号伝送速度を向上させ、また、多
層ビルドアップ配線板内での発熱を低減させることがで
きる。
The multilayer build-up wiring board 10 of the present embodiment
In the above, via holes 160b penetrating through the lower interlayer resin insulation layer 50 and the upper interlayer resin insulation layer 150, the upper solder bumps 76U of the interlayer resin insulation layer 150,
The conduction between 76D and the conductor layer (conductor circuit) 34 formed on the core substrate 30 is established. Also, via holes (conductor layers) 160a on interlayer resin insulating layer 50 on the IC chip side and daughter board are formed by through paths 39 penetrating core substrate 30 and interlayer resin insulating layer 150 formed on core substrate 30. Side via hole 160a. Therefore, the wiring length can be shortened, the signal transmission speed from the IC chip 90 to the daughter boat can be improved, and the heat generation in the multilayer build-up wiring board can be reduced.

【0035】引き続き、上述した第1実施形態に係る多
層多層ビルドアップ配線板の製造方法について図を参照
して説明する。ここでは、第1実施形態の多層多層ビル
ドアップ配線板の製造方法に用いるA.無電解めっき用
接着剤、B.層間樹脂絶縁剤、C.樹脂充填剤、D.ソ
ルダーレジスト組成物の組成について説明する。
Next, a method of manufacturing the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. Here, A.E. used in the method for manufacturing a multilayer build-up wiring board of the first embodiment is described. Adhesive for electroless plating, B. Interlayer resin insulation, C.I. Resin filler, D.I. The composition of the solder resist composition will be described.

【0036】A.無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物(上層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15
重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、
NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
A. Raw material composition for preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for upper layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
35% by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 3.15% and a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) 3.15
Parts by weight, 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65)
3.6 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing.

【0037】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μmのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。
[Resin Composition] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd.)
After mixing 7.2 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was further added, followed by stirring and mixing with a bead mill.

【0038】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5重量
部を攪拌混合して得た。
[Curing Agent Composition] 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), and a photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight.

【0039】B.層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
(下層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重
量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、N
MP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
B. Raw material composition for preparing interlayer resin insulation agent (adhesive for lower layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
% Of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 35%, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Alonix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco), N
3.6 parts by weight of MP were obtained by stirring and mixing.

【0040】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 0.5μmのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。
[Resin composition] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd.)
After mixing 14.49 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP were further added,
It was obtained by stirring and mixing with a bead mill.

【0041】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP1.5 重量
部を攪拌混合して得た。
[Curing agent composition] 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight with stirring.

【0042】C.樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO球状粒子(アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅
パターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レ
ベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量
部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±
1℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
C. Raw material composition for resin filler preparation [Resin composition] 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), having an average particle diameter of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface SiO 2 spherical particles (Admatech, CRS
1101-CE, where the maximum particle size is 170 parts by weight of the inner layer copper pattern described below (15 μm or less) and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) by stirring and mixing. The viscosity of the mixture is 23 ±
It was obtained by adjusting to 45,000 to 49,000 cps at 1 ° C. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight.

【0043】D.ソルダーレジスト組成物 DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で
60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合はローター
No.3によった。
D. Solder resist composition 60% by weight of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in DMDG was sensitized with 50% of epoxy groups of acrylated oligomer (molecular weight 4000).
6.67 g, 15.0 g of 80 wt% bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 1.6 g, photosensitive acrylic monomer (Nippon Kayaku, R604) 3 g, polyvalent acrylic monomer (Kyoeisha Chemical, DPE6A) 1.5 g, dispersion defoamer (Sannopco) , S-65), and 2 g of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (Kanto Chemical) as a photosensitizer were added to the mixture. 2.0P at 25 ° C
A solder resist composition adjusted to a · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type).
Rotor No.4 for 60rpm, rotor for 6rpm
No.3.

【0044】引き続き、本発明の第1実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板の製造工程について図1乃至図8
を参照して説明する。この第1実施形態では、多層ビル
ドアップ配線板をセミアディティブ方により形成する。
Next, a manufacturing process of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. In the first embodiment, a multilayer build-up wiring board is formed by a semi-additive method.

【0045】(1)図1(A)に示すように厚さ1mmの
ガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリア
ジン)樹脂からなる基板30の両面に18μmの銅箔3
2がラミネートされている銅張積層板30Aを出発材料
とした。まず、この銅張積層板30Aをドリル削孔し、
無電解めっき処理を施してスルーホール36を形成し
(図1(B))、パターン状にエッチングすることによ
り導体回路34を配設することで、図1(C)に示すコ
ア基板30を形成する。
(1) As shown in FIG. 1A, an 18 μm copper foil 3 is formed on both sides of a substrate 30 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm.
2 was used as a starting material. First, the copper clad laminate 30A is drilled,
A through hole 36 is formed by performing an electroless plating process (FIG. 1B), and a conductor circuit 34 is provided by etching in a pattern to form the core substrate 30 shown in FIG. 1C. I do.

【0046】(2) 導体回路34およびスルーホール36
を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、酸化浴
(黒化浴)として、NaOH(10g/l),NaClO (40
g/l),NaPO(6g/l)、還元浴として、
NaOH(10g/l),NaBH(6g/l)を用いた酸化
−還元処理により、導体回路34およびスルーホール3
6の表面に粗化層38を設けた(図1(D)参照)。
(2) Conductor circuit 34 and through hole 36
After the substrate 30 on which is formed is washed with water and dried, NaOH (10 g / l), NaClO 2 (40
g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l), as a reducing bath,
The oxidation-reduction treatment using NaOH (10 g / l) and NaBH 4 (6 g / l) allows the conductor circuit 34 and the through-hole 3 to be formed.
6 was provided with a roughened layer 38 (see FIG. 1D).

【0047】(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。
(3) The raw material composition for preparing the resin filler C was mixed and kneaded to obtain a resin filler.

【0048】(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤40を、調
製後24時間以内に基板30の両面にロールコータを用い
て塗布することにより、導体回路34及び導体回路34
の間、及び、スルーホール36内に充填し、70℃,20分
間で乾燥させ、他方の面についても同様にして導体回路
34及び導体回路34の間、あるいはスルーホール36
内に樹脂充填剤40を充填し、70℃,20分間で加熱乾燥
させた(図2(E)参照)。
(4) By applying the resin filler 40 obtained in the above (3) to both surfaces of the substrate 30 using a roll coater within 24 hours after the preparation, the conductor circuit 34 and the conductor circuit 34
And the inside of the through hole 36 is dried at 70 ° C. for 20 minutes, and the other surface is similarly filled between the conductor circuits 34 and 34 or the through hole 36.
The inside was filled with a resin filler 40 and dried by heating at 70 ° C. for 20 minutes (see FIG. 2E).

【0049】(5) 前記(4) の処理を終えた基板30の片
面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、導体回路34の表面やスル
ーホール36のランド36a表面に樹脂充填剤40が残
らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨
による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよう
な一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った
(図2(F)参照)。次いで、100 ℃で1時間、120 ℃
で3時間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加熱処理
を行って樹脂充填剤40を硬化した。
(5) One surface of the substrate 30 after the processing of (4) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the conductor circuit 34 and the through holes 36. Polishing was performed so that the resin filler 40 did not remain on the surface of the land 36a, and then buffing was performed to remove scratches due to the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate (see FIG. 2F). Then at 120 ° C for 1 hour at 100 ° C
For 3 hours, at 150 ° C. for 1 hour, and at 180 ° C. for 7 hours to cure the resin filler 40.

【0050】このようにして、スルーホール36等に充
填された樹脂充填剤40の表層部および導体回路34上
面の粗化層38を除去して基板30両面を平滑化した上
で、樹脂充填剤40と導体回路34の側面とが粗化層3
8を介して強固に密着し、またスルーホール36の内壁
面と樹脂充填剤40とが粗化層38を介して強固に密着
した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填
剤40の表面と導体回路34の表面が同一平面となる。
In this way, the surface layer of the resin filler 40 filled in the through-holes 36 and the like and the roughened layer 38 on the upper surface of the conductor circuit 34 are removed to smooth both surfaces of the substrate 30, and then the resin filler 40 is removed. 40 and the side of the conductor circuit 34 are roughened layers 3
8, and a wiring board in which the inner wall surface of the through hole 36 and the resin filler 40 were firmly adhered through the roughened layer 38 was obtained. That is, by this step, the surface of the resin filler 40 and the surface of the conductor circuit 34 are flush with each other.

【0051】(6) 導体回路34を形成した基板30にア
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触
媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅3.2×
10−2mol/l、硫酸ニッケル3.9×10−3
ol/l、錯化剤5.4×10−2mol/l、次亜り
ん酸ナトリウム3.3×10−1mol/l、ホウ酸
5.0×10−1mol/l、界面活性剤(日信化学工
業製、サーフィール465)0.1g/l、PH=9か
らなる無電解めっき液に浸積し、浸漬1分後に、4秒当
たり1回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路
34及びスルーホール36のランド36aの表面にCu
−Ni−Pからなる針状合金の被覆層と粗化層42を設
けた(図2(G)参照)。
(6) The substrate 30 on which the conductor circuit 34 is formed is alkali-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to provide a Pd catalyst and activate the catalyst. After the conversion, copper sulfate 3.2 ×
10 −2 mol / l, nickel sulfate 3.9 × 10 −3 m
ol / l, complexing agent 5.4 × 10 −2 mol / l, sodium hypophosphite 3.3 × 10 −1 mol / l, boric acid 5.0 × 10 −1 mol / l, surfactant (Surfiel 465, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) Immersion in an electroless plating solution consisting of 0.1 g / l, PH = 9, 1 minute after immersion, vertical and horizontal vibrations once every 4 seconds Then, the surface of the land 36a of the conductor circuit 34 and the through hole 36 is
A coating layer of a needle-like alloy made of -Ni-P and a roughened layer 42 were provided (see FIG. 2G).

【0052】さらに、ホウフっ化スズ0.1mol/
l、チオ尿素1.0mol/l、温度35℃、PH=
1.2の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層42の
表面に厚さ0.3μmのSn層(図示せず)を設けた。
Further, tin borofluoride 0.1 mol /
1, thiourea 1.0 mol / l, temperature 35 ° C., PH =
A Cu—Sn substitution reaction was performed under the conditions of 1.2, and a 0.3 μm-thick Sn layer (not shown) was provided on the surface of the roughened layer 42.

【0053】(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して層間樹脂絶
縁剤(下層用)を得た。次いで、Aの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに
調整して無電解めっき用接着剤溶液(上層用)を得た。
(7) The raw material composition for preparing the interlayer resin insulating agent of B was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 1.5 Pa · s to obtain an interlayer resin insulating agent (for lower layer). Next, the raw material composition for preparing the adhesive for electroless plating of A was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 7 Pa · s to obtain an adhesive solution for electroless plating (for the upper layer).

【0054】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層用)4
4を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベー
ク)を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度7Pa・s
の感光性の接着剤溶液(上層用)46を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥(プリベーク)を行い、厚さ35μmの接着剤層
50αを形成した(図2(H)参照)。
(8) The interlayer resin insulating material (for lower layer) having a viscosity of 1.5 Pa · s obtained in the above (7) is applied on both surfaces of the substrate of the above (6).
4 was coated with a roll coater within 24 hours after preparation, left in a horizontal state for 20 minutes, dried at 60 ° C. for 30 minutes (prebaked), and then the viscosity of 7 Pa · obtained in the above (7) was obtained. s
Of the photosensitive adhesive solution (for upper layer) 46 is applied within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes.
Then, the adhesive layer 50α having a thickness of 35 μm was formed (see FIG. 2H).

【0055】(9) 前記(8) で接着剤層50αを形成した
基板30を、100 ℃で1時間、120 ℃で1時間、その後
150℃で3時間の加熱処理(ポストベーク)をすること
により、層間樹脂絶縁層(2層構造)50を形成した
後、炭酸ガスレーザ(三菱電機ML605GTL)を用
いて、30mJ、52×10-6秒のパルス条件で15シ
ョットの条件でレーザを照射して、直径130μmの貫
通孔37を設けた(図3(L))参照)。ここで、貫通
孔37には、スズめっき層(図示せず)を部分的に露出
させた。
(9) The substrate 30 on which the adhesive layer 50α is formed in the above (8) is placed at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and then
After performing a heat treatment (post-bake) at 150 ° C. for 3 hours to form an interlayer resin insulating layer (two-layer structure) 50, a carbon dioxide gas laser (Mitsubishi Electric ML605GTL) is used to obtain 30 mJ, 52 × 10 −6. Laser irradiation was performed under a pulse condition of 15 seconds under a condition of 15 shots to form a through-hole 37 having a diameter of 130 μm (see FIG. 3 (L)). Here, a tin plating layer (not shown) was partially exposed in the through hole 37.

【0056】なお、本実施形態では、コア基板30上の
導体回路34のない部位に貫通孔37を形成したが、導
体回路34の配設された部位に貫通孔を形成する際に
は、導体回路34の表面に黒化処理を施すことが望まし
い。これにより、レーザにて該導体回路34及びコア基
板30へ容易に貫通孔を形成できる。また、本実施形態
では、レーザとして炭酸ガスレーザを用いたが、エキシ
マ、YAG、UVレーザ等種々のレーザを用いることが
できる。
In the present embodiment, the through hole 37 is formed in the portion of the core substrate 30 where the conductor circuit 34 is not provided. However, when forming the through hole in the portion where the conductor circuit 34 is provided, It is desirable that the surface of the circuit 34 be subjected to a blackening treatment. Thereby, a through hole can be easily formed in the conductor circuit 34 and the core substrate 30 by the laser. In this embodiment, a carbon dioxide laser is used as a laser, but various lasers such as an excimer, a YAG, and a UV laser can be used.

【0057】(10)貫通孔37が形成された基板30を、
クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、
当該層間樹脂絶縁層50の表面を粗化し(図3(J)参
照)、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してか
ら水洗いした。
(10) The substrate 30 in which the through hole 37 is formed is
By immersing in chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulation layer 50,
The surface of the interlayer resin insulating layer 50 was roughened (see FIG. 3 (J)), and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water.

【0058】(11)前記(10)の行程で表面を粗化した基盤
30の表面に、パラジウム触媒(アトテック製)を付与
することにより、層間樹脂絶縁層50及び貫通孔37の
表面に触媒核を付ける。その後、以下に示す組成の無電
解銅めっき水溶液中に基板30を浸漬して、全体に厚さ
0.6μmの無電解めっき膜52を形成する(図3
(K)参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
(11) By applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate 30 whose surface has been roughened in the step (10), catalyst nuclei are added to the surfaces of the interlayer resin insulating layer 50 and the through holes 37. Attached. Thereafter, the substrate 30 is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form an electroless plating film 52 having a thickness of 0.6 μm as a whole (FIG. 3).
(K)). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C. 30 minutes at liquid temperature

【0059】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
52上に市販の感光性ドライフィルム(図示せず)を張
り付け、所定のパターンの描かれたマスク(図示せず)
を載置して、100 mJ/cmで露光した後、0.8 %炭酸
ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト
54を設けた(図3(L)参照)。
(12) A commercially available photosensitive dry film (not shown) is adhered on the electroless copper plating film 52 formed in the above (11), and a mask (not shown) on which a predetermined pattern is drawn.
Was placed and exposed at 100 mJ / cm 2 , and then developed with 0.8% sodium carbonate to provide a plating resist 54 having a thickness of 15 μm (see FIG. 3 (L)).

【0060】(13)ついで、無電解銅めっき膜52を介し
て電流を流すことで、レジスト非形成部分に以下の条件
で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜5
6を形成した(図4(M)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm 時間 30分 温度 室温
(13) Then, by passing an electric current through the electroless copper plating film 52, the portion where the resist is not formed is subjected to electrolytic copper plating under the following conditions, and the electrolytic copper plating film 5 having a thickness of 15 μm is formed.
6 was formed (see FIG. 4 (M)). [Electroplating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (captoside GL, manufactured by Atotech Japan) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature

【0061】(14)先ず、めっきレジスト54を5%KO
Hで剥離除去する。その後、めっきレジスト下の無電解
めっき膜52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング
処理(ライトエッチング)して溶解除去し、無電解銅め
っき膜52と電解銅めっき膜56からなる厚さ15μm
の配線パターン58及び貫通路39を形成した(図4
(N))。
(14) First, the plating resist 54 is made 5% KO
Remove with H. Thereafter, the electroless plating film 52 under the plating resist is dissolved (removed) by etching (light etching) with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a thickness of 15 μm including the electroless copper plating film 52 and the electrolytic copper plating film 56 is formed.
The wiring pattern 58 and the through path 39 of FIG.
(N)).

【0062】(15)(6) と同様の処理を行い、配線パター
ン58及び貫通路39の表面にCu-Ni-P からなる粗化面
62を形成し、さらにその表面にSn置換を行った(図5
(O)参照)。
(15) By performing the same processing as in (6), a roughened surface 62 made of Cu-Ni-P was formed on the surface of the wiring pattern 58 and the through-passage 39, and the surface was further substituted with Sn. (FIG. 5
(O)).

【0063】(16) 上記(8)と同様に、基板の両面へ層間
樹脂絶縁剤(下層用)44及び接着剤溶液(上層用)4
6を塗布し、水平状態で20分間放置してから、プリベー
ク、ポストベークすることにより、層間樹脂絶縁層(2
層構造)150を形成した(図4(P))。
(16) In the same manner as in (8) above, an interlayer resin insulating agent (for lower layer) 44 and an adhesive solution (for upper layer) 4
6 and left in a horizontal state for 20 minutes, followed by pre-baking and post-baking to obtain an interlayer resin insulating layer (2
A layer structure) 150 was formed (FIG. 4 (P)).

【0064】(17)その後、炭酸ガスレーザ(三菱電機
ML605GTL)を用いて、30mJ、52×10-6
秒のパルス条件で5ショットの条件でレーザを照射し
て、直径130μmの通孔148a、148bを設けた
(図5(Q)参照)。ここでは、上層の層間樹脂絶縁層
150の下に、導体パターン58が設けられている位置
には、当該層間樹脂絶縁層150を貫通する通孔148
aが穿設される。一方、層間樹脂絶縁層150の下に導
体パターン58が設けられていない位置には、コア基板
30の表面の導体回路34に至る、層間樹脂絶縁層15
0及び層間樹脂絶縁層50を貫通する通孔148bが穿
設される。
(17) Thereafter, a carbon dioxide laser (Mitsubishi Electric Corporation)
ML605GTL), 30 mJ, 52 × 10 -6
Laser irradiation was performed under the condition of five shots under pulse conditions of seconds, and through holes 148a and 148b having a diameter of 130 μm were provided (see FIG. 5 (Q)). Here, a through hole 148 penetrating through the interlayer resin insulating layer 150 is provided at a position where the conductive pattern 58 is provided below the upper interlayer resin insulating layer 150.
a is drilled. On the other hand, at a position where the conductor pattern 58 is not provided under the interlayer resin insulation layer 150, the interlayer resin insulation layer 15 extending to the conductor circuit 34 on the surface of the core substrate 30 is provided.
0 and a through hole 148b penetrating through the interlayer resin insulation layer 50.

【0065】(18)引き続き、上記(10)と同様に基板30
を、クロム酸に浸漬して当該層間樹脂絶縁層150の表
面を粗化し(図5(R)参照)、上記(11)と同様にし
て、全体に厚さ0.6μmの無電解めっき膜152を形
成する(図5(S)参照)。そして、上記 (12)と同様
に、厚さ15μmのめっきレジスト154を設けた後(図
6(T)参照)、上記 (13)と同様に、無電解銅めっき
膜152を介して電流を流すことで、厚さ15μmの電解
銅めっき膜156を形成した(図6(U)参照)。上記
(14)と同様に、めっきレジスト154を剥離除去した
後、めっきレジスト下の無電解めっき膜152をライト
エッチングして溶解除去し、無電解銅めっき膜152と
電解銅めっき膜156からなる厚さ15μmの配線パタ
ーン158及びバイアホール160a、160bを形成
した(図6(V))。その後、(15)と同様に配線パタ
ーン158及びバイアホール160a、160bに、粗
化層162を形成することで、多層ビルドアップ配線板
を完成する(図7(W)参照)。なお、この上層の配線
パターン及びバイアホールを形成する工程においては、
Sn置換は行わなかった。
(18) Then, as in the above (10), the substrate 30
Is immersed in chromic acid to roughen the surface of the interlayer resin insulation layer 150 (see FIG. 5 (R)), and the electroless plating film 152 having a thickness of 0.6 μm as a whole is obtained in the same manner as in the above (11). Is formed (see FIG. 5 (S)). Then, similarly to the above (12), after a plating resist 154 having a thickness of 15 μm is provided (see FIG. 6 (T)), a current flows through the electroless copper plating film 152 as in the above (13). Thus, an electrolytic copper plating film 156 having a thickness of 15 μm was formed (see FIG. 6 (U)). the above
Similarly to (14), after the plating resist 154 is peeled off and removed, the electroless plating film 152 under the plating resist is dissolved and removed by light etching, and the thickness of the electroless copper plating film 152 and the electrolytic copper plating film 156 is formed. A 15 μm wiring pattern 158 and via holes 160a and 160b were formed (FIG. 6 (V)). Thereafter, a roughened layer 162 is formed in the wiring pattern 158 and the via holes 160a and 160b in the same manner as in (15), thereby completing a multilayer build-up wiring board (see FIG. 7 (W)). In the step of forming the upper wiring pattern and the via hole,
No Sn substitution was performed.

【0066】(19)そして、上述した多層ビルドアップ配
線板にはんだバンプを形成する。前記(18)で得られた基
板30両面に、上記D.にて説明したソルダーレジスト
組成物70αを45μmの厚さで塗布する。次いで、70
℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パ
ターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのフォ
トマスクフィルム(図示せず)を密着させて載置し、10
00mJ/cmの紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そ
してさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で
1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、はんだパ
ッド部分(バイアホールとそのランド部分を含む)に開
口(開口径 200μm)71を有するソルダーレジスト層
(厚み20μm)70を形成する(図7(X)参照)。
(19) Then, solder bumps are formed on the multilayer build-up wiring board described above. On both surfaces of the substrate 30 obtained in the above (18), Is applied in a thickness of 45 μm. Then 70
After performing a drying process at 20 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask film (not shown) on which a circular pattern (mask pattern) is drawn is placed in close contact,
It is exposed to ultraviolet rays of 00 mJ / cm 2 and subjected to DMTG development processing. Further, heat treatment is performed at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and at 150 ° C. for 3 hours. A solder resist layer (thickness: 20 μm) 70 having a diameter (200 μm) 71 is formed (see FIG. 7 (X)).

【0067】(20)次に、塩化ニッケル2.31×10−1mo
l/l、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−1mol/
l、クエン酸ナトリウム1.85×10−1mol/l、から
なるpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に該基板3
0を20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッ
ケルめっき層72を形成した。さらに、その基板を、シ
アン化金カリウム4.1 ×10−2mol/l、塩化アンモ
ニウム1.87×10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.
16×10−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7×10
−1mol/lからなる無電解金めっき液に80℃の条件
で7分20秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.
03μmの金めっき層74を形成することで、バイアホー
ル160a、160bに半田パッド75を形成する(図
8(Y)参照)。その後、ソルダーレジスト層70の補
強層78を被覆する。
(20) Next, nickel chloride 2.31 × 10 -1 mo
1 / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 -1 mol /
1 and 1.85 × 10 −1 mol / l of sodium citrate, and the substrate 3 was placed in an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5.
0 was immersed for 20 minutes to form a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm in the opening 71. Further, the substrate was treated with potassium cyanide 4.1 × 10 −2 mol / l, ammonium chloride 1.87 × 10 −1 mol / l, sodium citrate 1.
16 × 10 −1 mol / l, sodium hypophosphite 1.7 × 10
Immersion in an electroless gold plating solution of -1 mol / l at 80 ° C. for 7 minutes and 20 seconds to form a film having a thickness of 0.2 mm on the nickel plating layer.
By forming a gold plating layer 74 of 03 μm, solder pads 75 are formed in the via holes 160a and 160b (see FIG. 8 (Y)). After that, the reinforcing layer 78 of the solder resist layer 70 is covered.

【0068】(21)そして、ソルダーレジスト層70の開
口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ(半田体)76U、76D
を形成し、多層ビルドアップ配線板10を完成した(図
8(Z)参照)。
(21) Then, solder paste is printed in the opening 71 of the solder resist layer 70 and reflowed at 200 ° C., so that the solder bumps (solder bodies) 76U, 76D
Was formed to complete the multilayer build-up wiring board 10 (see FIG. 8 (Z)).

【0069】完成した多層ビルドアップ配線板10の半
田バンプ76Uに、ICチップ90のパッド92が対応
するように載置し、リフローを行いICチップ90を搭
載する。その後、このICチップ90を搭載した多層ビ
ルドアップ配線板10を、ドータボード94側のバンプ
96に対応するように載置してリフローを行い、ドータ
ボード94へ取り付ける。(図9参照)。
The IC chip 90 is mounted on the solder bumps 76U of the completed multilayer build-up wiring board 10 such that the pads 92 of the IC chip 90 correspond to the solder bumps 76U and reflow is performed. After that, the multilayer build-up wiring board 10 on which the IC chip 90 is mounted is placed so as to correspond to the bumps 96 on the daughter board 94 side, reflowed, and attached to the daughter board 94. (See FIG. 9).

【0070】なお、本実施形態では、層間樹脂絶縁層を
片面に2層形成した多層ビルドアップ配線板において、
2層を貫くバイアホール160bを形成したが、片面3
層以上の層間樹脂絶縁層を備える多層ビルドアップ配線
板において、2又は3以上の層間樹脂絶縁層を貫くよう
にバイアホールを形成することができる。また、上記実
施形態では、コア基板とコア基板直上の層間樹脂絶縁層
を1層貫く多層ビルドアップ配線板を例示したが、コア
基板と共に任意数の層間樹脂絶縁層に貫通路を形成し得
ることは言うまでもない。
In the present embodiment, in a multilayer build-up wiring board having two interlayer resin insulating layers formed on one side,
A via hole 160b penetrating the two layers was formed.
In a multilayer build-up wiring board having at least two interlayer resin insulation layers, via holes can be formed so as to penetrate two or more interlayer resin insulation layers. Further, in the above-described embodiment, the multilayer build-up wiring board in which the core substrate and the interlayer resin insulating layer immediately above the core substrate are pierced by one layer is exemplified. However, a through-path can be formed in any number of interlayer resin insulating layers together with the core substrate. Needless to say.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(A)、図1(B)、図1(C)、図1
(D)は、本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。
1 (A), 1 (B), 1 (C), 1
(D) is a manufacturing process diagram of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図2】図2(E)、図2(F)、図2(G)、図2
(H)は、本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。
FIG. 2 (E), FIG. 2 (F), FIG. 2 (G), FIG.
(H) is a manufacturing process diagram of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】図3(I)、図3(J)、図3(K)、図3
(L)は、本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。
FIG. 3 (I), FIG. 3 (J), FIG. 3 (K), FIG.
(L) is a manufacturing process diagram of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】図4(M)、図4(N)、図4(O)、図4
(P)は、本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。
FIGS. 4 (M), 4 (N), 4 (O), 4
(P) is a manufacturing process diagram of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図5】図5(Q)、図5(R)、図5(S)は、本発
明の第1実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造
工程図である。
FIGS. 5 (Q), 5 (R), and 5 (S) are manufacturing process diagrams of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】図6(T)、図6(U)、図6(V)は、本発
明の第1実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面
図である。
FIGS. 6 (T), 6 (U), and 6 (V) are cross-sectional views of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図7】図7(W)、図7(X)は、本発明の第1実施
形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
FIGS. 7 (W) and 7 (X) are cross-sectional views of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図8】図8(Y)、図8(Z)は、本発明の第1実施
形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
FIGS. 8 (Y) and 8 (Z) are cross-sectional views of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第1実施形態に係る多層ビルドアップ
配線板の断面図である。
FIG. 9 is a sectional view of the multilayer build-up wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図10】従来技術に係る多層ビルドアップ配線板の断
面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a multilayer build-up wiring board according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 コア基板 36 バイアホール 37 貫通孔 39 貫通路 50 層間樹脂絶縁層 58 配線パターン(導体層) 148a、148b 通孔 150 層間樹脂絶縁層 158 配線パターン(導体層) 160a、160b バイアホール(導体層) Reference Signs List 30 core substrate 36 via hole 37 through hole 39 through path 50 interlayer resin insulating layer 58 wiring pattern (conductor layer) 148a, 148b through hole 150 interlayer resin insulating layer 158 wiring pattern (conductor layer) 160a, 160b via hole (conductor layer)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層
し、層間樹脂絶縁層の上下の導体層をバイアホールによ
り接続してなる多層ビルドアップ配線板において、 導体層の下層の層間樹脂絶縁層と上層の層間樹脂絶縁層
とを貫通するバイアホールを形成したことを特徴とする
多層ビルドアップ配線板。
1. A multilayer build-up wiring board in which interlayer resin insulation layers and conductor layers are alternately laminated, and upper and lower conductor layers of the interlayer resin insulation layer are connected by via holes. A multilayer build-up wiring board, wherein a via hole penetrating an insulating layer and an upper interlayer resin insulating layer is formed.
【請求項2】 前記多層ビルドアップ配線板は、コア基
板を有しており、少なくとも前記コア基板を貫通する貫
通孔と前記下層及び上層の層間樹脂絶縁層を貫通するバ
イアホールとが接続されていることを特徴とする請求項
1に記載の多層ビルドアップ配線板。
2. The multilayer build-up wiring board has a core substrate, and at least a through hole penetrating the core substrate is connected to a via hole penetrating the lower and upper interlayer resin insulation layers. The multilayer build-up wiring board according to claim 1, wherein
【請求項3】 コア基板の両面に層間樹脂絶縁層と導体
層とを交互に積層し、層間樹脂絶縁層の上下の導体層を
バイアホールにより接続してなる多層ビルドアップ配線
板において、 前記コア基板と、当該コア基板上に形成された層間樹脂
絶縁層とを貫通する貫通孔により、当該コア基板上の層
間樹脂絶縁層上の導体層を接続させたことを特徴とする
多層ビルドアップ配線板。
3. A multilayer build-up wiring board in which interlayer resin insulation layers and conductor layers are alternately laminated on both surfaces of a core substrate, and upper and lower conductor layers of the interlayer resin insulation layer are connected by via holes. A multilayer build-up wiring board, wherein a conductor layer on an interlayer resin insulating layer on the core substrate is connected by a through hole penetrating the substrate and an interlayer resin insulating layer formed on the core substrate. .
【請求項4】 少なくとも(A)〜(C)の工程を含む
ことを特徴とする多層ビルドアップ配線板の製造方法: (A)下層の層間樹脂絶縁層上に形成された導体層上
に、上層の層間樹脂絶縁層を形成する工程、(B)前記
下層層間樹脂絶縁層及び前記上層層間樹脂絶縁層に、レ
ーザにより通孔を形成する工程、(C)前記通孔にバイ
アホールとなる導体層を形成する工程。
4. A method for manufacturing a multilayer build-up wiring board, comprising at least steps (A) to (C): (A) forming a conductive layer on a lower interlayer resin insulating layer; Forming an upper interlayer resin insulation layer, (B) forming a through hole in the lower interlayer resin insulation layer and the upper interlayer resin insulation layer with a laser, and (C) forming a via hole in the through hole. Forming a layer;
【請求項5】 少なくとも(A)〜(C)の工程を含む
ことを特徴とする多層ビルドアップ配線板の製造方法: (A)導体層の形成されたコア基板上に、層間樹脂絶縁
層を形成する工程、(B)前記コア基板及び前記層間樹
脂絶縁層に、レーザにより貫通孔を形成する工程、
(C)前記貫通孔に導体層を形成する工程。
5. A method for manufacturing a multilayer build-up wiring board, comprising at least steps (A) to (C): (A) forming an interlayer resin insulating layer on a core substrate on which a conductor layer is formed; Forming; (B) forming a through-hole by laser in the core substrate and the interlayer resin insulating layer;
(C) forming a conductor layer in the through hole;
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