JP2001007509A

JP2001007509A - はんだ除去装置

Info

Publication number: JP2001007509A
Application number: JP11180221A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kuroda; 武志黒田; Kaoru Katayama; 薫片山; Takeshi Takahashi; 高橋　　毅; Naoki Watanabe; 直樹渡辺
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-06-25
Filing date: 1999-06-25
Publication date: 2001-01-12
Anticipated expiration: 2019-06-25
Also published as: US6325270B1; JP3872232B2

Abstract

(57)【要約】【課題】スループットの向上したはんだ除去装置を提供
することにある。【解決手段】ＬＳＩ吸着ヘッド２２と銅板吸着ヘッド２
４は、同軸的に配置されている。ＬＳＩ吸着ヘッドによ
り、ＬＳＩ供給部１４からＬＳＩ１４ａを吸着し、銅板
吸着ヘッド２４により、銅板供給部１２から銅板１２ａ
を吸着し、Ｘ−Ｙステージ１０を移動して、加熱部１８
に移動する。ＬＳＩ１４ａに付着したはんだは、溶融す
ると銅板１２ａに付着して、はんだを除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ除去装置に
係り、特に、ＬＳＩ等の接続面に形成された接続用のは
んだを除去するに好適なはんだ除去装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】大型コンピュータ等で用いられる高密度
モジュールでは、多層配線基板の上に、複数のＬＳＩを
接続する際に、はんだボールを用いたボールグリッドア
レイ（ＢＧＡ）接続することにより、接続密度を向上さ
せるようにしている。しかしながら、例えば、２０ｍｍ
角のＬＳＩにおいては、接続に用いられるはんだボール
の個数は、約５０００個あり、多層配線基板とＬＳＩの
接続端子間の未接続による接続不良が発生する。このよ
うな接続不良が発生すると、一旦、ＬＳＩを多層配線基
板から外した上で、再接続するリペア作業が必要とな
る。この際、多層配線基板から外されたＬＳＩの接続面
には、はんだが付着しているため、このはんだは、はん
だ除去装置により除去し、改めてはんだボールを形成す
るようにしている。

【０００３】ここで、従来から用いられているはんだ除
去装置においては、ＬＳＩの接続面に付着しているはん
だを加熱し、溶融したはんだを、加熱した銅板に付着さ
せることにより、ＬＳＩに付着したはんだを除去するよ
うにしている。そのために、はんだ除去装置は、銅板を
加熱ステージに搬送するための銅板吸着ヘッドと、ＬＳ
Ｉを加熱された銅板の上に搬送するためのＬＳＩ吸着ヘ
ッドと、未使用の銅板や使用済みの銅板やＬＳＩや加熱
ステージをＸ−Ｙ方向に移動するＸ−Ｙステージを備え
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のはんだ除去装置
においては、銅板吸着ヘッドとＬＳＩ吸着ヘッドは、そ
れぞれ独立して離れた位置に備えられ、２つのヘッドが
それぞれ独立して上下動するとともに、Ｘ−Ｙステージ
がＸ−Ｙ方向に移動することにより、銅板の搬送やＬＳ
Ｉの搬送を行うようにしているため、ＬＳＩのはんだ除
去処理に時間を要し、スループットが低いという問題が
あった。

【０００５】本発明の目的は、スループットの向上した
はんだ除去装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１の部材を吸着する第１のヘッドと、
第２の部材を吸着する第２のヘッドを有し、上記第２の
ヘッドによって吸着した上記第２の部材を加熱部に移動
して加熱し、この第２の部材の上に、上記第１のヘッド
によって吸着した上記第１の部材を載置して、上記第１
の部材に付着したはんだを溶融した状態で第２の部材に
付着させることにより、第１の部材からはんだを除去す
るはんだ除去装置において、上記第１のヘッドと上記第
２のヘッドを同軸的に配置したものである。かかる構成
により、はんだ除去作業におけるヘッドの第１，第２の
部材の相対的な移動距離を短くして、作業に要する時間
を短縮でき、スループットを向上し得るものとなる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図１５を用いて、本
発明の一実施形態によるはんだ除去装置の構成及び動作
について説明する。最初に、図１を用いて、本実施形態
によるはんだ除去装置の全体構成について説明する。

【０００８】本実施形態によるはんだ除去装置は、Ｘ−
Ｙステージ１０と、ヘッド部２０と、制御部３０とから
構成されている。Ｘ−Ｙステージ１０は、銅板供給部１
２と、ＬＳＩ供給部１４と、銅板排出部１６と、加熱部
１８とを備えている。銅板供給部１２には、複数の新し
い銅板１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，…が載置されている。
ＬＳＩ供給部１４には、複数のＬＳＩ１４ａ，１４ｂ，
１４ｃ，１４ｄ，…が載置されている。ＬＳＩ供給部１
４に載置されるＬＳＩ１４ａ，…の個数は、図示の例で
は、２０個であるが、この個数に限るものではない。銅
板排出部１６には、ＬＳＩ１４ａ，…の接続面から除去
したはんだの付着した使用済みの銅板を載置する。加熱
部１８には、銅板１２ａ及びＬＳＩ１４ａが順次載置さ
れる。加熱部１８は、ＬＳＩ１４ａの接続面に付着した
はんだの融点以上に、銅板１２ａ及びＬＳＩ１４ａを加
熱し、はんだを溶融すると共に、溶融したはんだは、銅
板１２ａに付着する。はんだの除去されたＬＳＩ１４ａ
は、元のＬＳＩ供給部１４に戻され、はんだの付着した
銅板１２ａは、銅板排出部１６に排出される。Ｘ−Ｙス
テージ１０は、図示するＸ方向及びＹ方向に移動可能で
あり、ヘッド部２０の下の位置に、銅板供給部１２，Ｌ
ＳＩ供給部１４，銅板排出部１６，加熱部１８を、それ
ぞれ位置付けることができる。なお、ＬＳＩに用いられ
ているはんだの融点が、例えば、２３０℃の場合、加熱
部１８は、２５０℃程度まで、銅板１２ａ及びＬＳＩ１
４ａを加熱する。また、ＬＳＩの大きさが、２０ｍｍ角
の場合、銅板の大きさは、３５ｍｍ角のものを使用して
いる。

【０００９】ヘッド部２０は、ＬＳＩ吸着ヘッド２２
と、銅板吸着ヘッド２４とを備えている。ここで、本実
施形態において特徴的なことは、ＬＳＩ吸着ヘッド２２
と、銅板吸着ヘッド２４とは、同軸的に配置されている
ことである。即ち、ＬＳＩ吸着ヘッド２２及び銅板吸着
ヘッド２４は、それぞれ、Ｚ方向に往復動可能であり、
このとき、ＬＳＩ吸着ヘッド２２がＺ方向に移動する際
の移動軸中心と、銅板吸着ヘッド２４がＺ方向に移動す
る際の移動軸中心は、同軸に配置されている。また、換
言すると、ＬＳＩ吸着ヘッド２２は、銅板吸着ヘッド２
４の内側に配置されている。即ち、銅板吸着ヘッド２４
は、その先端に吸着部２４ａ，２４ｂを備えており、こ
の吸着部２４ａ，２４ｂを用いて、銅板供給部１２に載
置された複数の銅板１２ａ，…の内、最上部に載置され
た銅板１２ａを吸着する。一方、ＬＳＩ吸着ヘッド２２
も、その先端に、吸着部２２ａを備えており、この吸着
部２２ａを用いて、ＬＳＩ供給部１４に載置された複数
のＬＳＩ１４ａ，…を順次吸着する。ここで、銅板吸着
ヘッド２４の吸着部２４ａ，２４ｂに吸着される銅板の
投影面内に、ＬＳＩ吸着ヘッド２２が配置されている。
従って、ＬＳＩ吸着ヘッド２２によってＬＳＩを吸着し
た状態で、銅板吸着ヘッド２４により銅板を吸着するこ
とができる。なお、従来のはんだ除去装置においては、
ＬＳＩ吸着ヘッドと、銅板吸着ヘッドとは、全く独立し
て設けられていた。なお、ＬＳＩ吸着ヘッド２２は、そ
の内部にヒータを内臓しており、ＬＳＩを、例えば、１
５０℃まで加熱する。これは、加熱部１８の上に、銅板
及びＬＳＩを載置して加熱する際、その上からＬＳＩ吸
着ヘッド２２により押さえており、ＬＳＩ吸着ヘッド２
２が常温のままであると、加熱部１８の熱がＬＳＩ吸着
ヘッド２２から熱ヒケを起こし、はんだの温度が融点以
上まで高まらなくなることを防止するためである。

【００１０】制御部３０は、Ｘ−Ｙステージ１０のＸ方
向及びＹ方向の移動を制御し、また、ヘッド部２０のＬ
ＳＩ吸着ヘッド２２及び銅板吸着ヘッド２４のＺ方向の
移動を制御する。なお、制御部３０の具体的な制御内
容，即ち、本実施形態によるはんだ除去装置の動作につ
いては、図２以降を用いて詳述する。Ｘ−Ｙステージ１
０とヘッド部２０とは、窒素ガス等の不活性ガスが充填
されたガスパージチャンバー４０内に配置されており、
はんだ溶融時に、はんだが酸化する事を防止している。

【００１１】次に、図２〜図１５を用いて、本実施形態
によるはんだ除去装置の動作について説明する。最初
に、図２及び図３を用いて、初期状態について説明す
る。図２は、本実施形態によるはんだ除去装置における
ヘッド位置の初期状態を示す平面図であり、図３は、本
実施形態によるはんだ除去装置におけるヘッド状態の初
期状態を示す正面図である。なお、図１と同一符号は、
同一部分を示している。

【００１２】図２に示すように、初期状態においては、
ヘッド部２０は、Ｘ−Ｙステージ１０の右側の位置に位
置付けられてる。この初期位置を、（０，０）とする。
また、図３に示すように、初期状態においては、ヘッド
部２０のＬＳＩ吸着ヘッド２２及び銅板吸着ヘッド２４
は、共に、最上部に持ち上げられた状態となっている。
ＬＳＩ吸着ヘッド２２及び銅板吸着ヘッド２４は、共
に、図示の状態から下方向（Ｚ方向）に移動することが
できる。

【００１３】次に、図４及び図５を用いて、ＬＳＩ吸着
工程について説明する。図４に示すように、ＬＳＩ吸着
工程においては、制御部３０は、Ｘ−Ｙステージ１０
を、Ｘ方向に、例えば，距離ｘ１移動し、また、Ｙ方向
に、例えば，距離ｙ１移動して、ヘッド部２０を、ＬＳ
Ｉ供給部１４のＬＳＩ１４ａの上の、位置（ｘ１，ｙ
１）に位置付けられる。その後、図５（Ａ）に示すよう
に、制御部３０は、ヘッド部２０のＬＳＩ吸着ヘッド２
２を下降する。そして、図５（Ｂ）に示すように、ＬＳ
Ｉ吸着ヘッド２２の先端の吸着部がＬＳＩ１４ａに接触
すると、吸着部によって吸着する。次に、図５（Ｃ）に
示すように、ＬＳＩ吸着ヘッド２２は、ＬＳＩ１４ａを
吸着したまま、上昇して、元の最上部の位置に戻る。な
お、ＬＳＩの吸着状態において、ＬＳＩの接続面のはん
だが付着した面は、下方を向いている。なお、ＬＳＩ吸
着部１４には、図１に示したように、複数のＬＳＩ１４
ａ，１４ｂ，…が載置されているので、ＬＳＩ吸着工程
においてＬＳＩ１４ａのはんだ除去作業が終了すると、
次のＬＳＩ吸着工程においては、制御部３０は、ＬＳＩ
１４ｂの上にヘッド部２０を位置付ける。

【００１４】次に、図６及び図７を用いて、銅板吸着工
程について説明する。図６に示すように、銅板吸着工程
においては、制御部３０は、Ｘ−Ｙステージ１０を、
Ｘ，Ｙ方向に移動して、ヘッド部２０を、銅板供給部１
２の上の位置（ｘ２，ｙ２）に位置付ける。このとき、
図５（Ｃ）において説明したように、ＬＳＩ吸着ヘッド
２２はＬＳＩ１４ａを吸着したままである。その後、図
７（Ａ）に示すように、制御部３０は、ヘッド部２０の
銅板吸着ヘッド２４を下降する。そして、図７（Ｂ）に
示すように、銅板吸着ヘッド２４の先端の吸着部が最上
部にある銅板１２ａに接触すると、吸着部によって吸着
する。次に、図７（Ｃ）に示すように、銅板吸着ヘッド
２４は、銅板１２ａを吸着したまま、上昇して、元の最
上部の位置に戻る。

【００１５】次に、図８及び図９を用いて、はんだ吸取
り工程について説明する。図８に示すように、はんだ吸
取り工程においては、制御部３０は、Ｘ−Ｙステージ１
０を、Ｘ，Ｙ方向に移動して、ヘッド部２０を、加熱部
１８の上の位置（ｘ３，ｙ３）に位置付ける。このと
き、図７（Ｃ）において説明したように、ＬＳＩ吸着ヘ
ッド２２はＬＳＩ１４ａを吸着しており、また、銅板吸
着ヘッド２４は銅板１２ａを吸着したままである。その
後、図９（Ａ）に示すように、制御部３０は、ヘッド部
２０の銅板吸着ヘッド２４を下降して、銅板１２ａを加
熱部１８の上に載せる。次に、図９（Ｂ）に示すよう
に、制御部３０は、ヘッド部２０のＬＳＩ吸着ヘッド２
２を下降して、ＬＳＩ１４ａを銅板１２ａの上に載せ
る。次に、図９（Ｃ）に示すように、銅板吸着ヘッド２
４は、銅板１２ａの吸着を解放してから、上昇して、元
の最上部の位置に戻る。

【００１６】加熱部１８は、はんだの融点以上に加熱さ
れるため、その熱が銅板１２ａを介してＬＳＩ１４ａの
接続面のはんだに伝達され、はんだが溶融する。このと
き、ＬＳＩ吸着ヘッド２２は、ＬＳＩ１４ａを銅板１２
ａに押しつけている。そして、ＬＳＩ吸着ヘッド２２
は、上述したように内部にヒータを有しており、例え
ば、１５０℃まで加熱することにより、ＬＳＩ吸着ヘッ
ド２２からの熱ヒケを防止している。なお、銅板吸着ヘ
ッド２４は、ヒータを内蔵していないため、図９（Ｃ）
に示したように、上部に移動しており、銅板１２ａとは
接触していないものである。このはんだ吸取り工程によ
り、ＬＳＩ１４ａの接続面に付着したはんだは、溶融し
て、銅板１２ａに付着し、ＬＳＩ１４ａからはんだを除
去できる。はんだの加熱時間は、約２０〜３０秒であ
る。

【００１７】次に、図１０及び図１１を用いて、吸取り
終了工程について説明する。図１０に示すように、吸取
り終了工程においては、Ｘ−Ｙステージ１０は移動せ
ず、図８において説明したと同じく、ヘッド部２０は、
加熱部１８の上の位置（ｘ３，ｙ３）に位置している。
はんだの溶融が終了すると、図１１（Ａ）に示すよう
に、制御部３０は、ヘッド部２０の銅板吸着ヘッド２４
を下降して、銅板１２ａを吸着する。次に、図１１
（Ｂ）に示すように、制御部３０は、ヘッド部２０のＬ
ＳＩ吸着ヘッド２２によってＬＳＩ１４ａを吸着したま
ま上昇する。次に、図１１（Ｃ）に示すように、銅板吸
着ヘッド２４は、銅板１２ａを吸着した状態で上昇し
て、元の最上部の位置に戻る。このとき、溶融したはん
だは、銅板１２ａに付着し、ＬＳＩ１４ａに付着してい
たはんだが、除去される。

【００１８】次に、図１２及び図１３を用いて、銅板排
出工程について説明する。図１２に示すように、銅板排
出工程においては、制御部３０は、Ｘ−Ｙステージ１０
を、Ｘ，Ｙ方向に移動して、ヘッド部２０を、銅板排出
部１６の上の位置（ｘ４，ｙ４）に位置付ける。このと
き、図１１（Ｃ）において説明したように、ＬＳＩ吸着
ヘッド２２はＬＳＩ１４ａを吸着しており、また、銅板
吸着ヘッド２４は銅板１２ａを吸着したままである。そ
の後、図１３（Ａ）に示すように、制御部３０は、ヘッ
ド部２０の銅板吸着ヘッド２４を下降する。次に、図１
３（Ｂ）に示すように、制御部３０は、ヘッド部２０の
銅板吸着ヘッド２４による吸着を解放して、吸着してい
た銅板１２ａを、その下に位置する銅板排出部１６内に
落下させる。次に、図１３（Ｃ）に示すように、銅板吸
着ヘッド２４は、上昇して、元の最上部の位置に戻る。

【００１９】次に、図１４及び図１５を用いて、ＬＳＩ
排出工程について説明する。図１４に示すように、ＬＳ
Ｉ排出工程においては、制御部３０は、Ｘ−Ｙステージ
１０を、Ｘ，Ｙ方向に移動して、ヘッド部２０を、ＬＳ
Ｉ供給部１４の上の位置（ｘ１，ｙ１）に位置付ける。
この位置は、ＬＳＩ吸着工程において、ＬＳＩ１４ａを
吸着して、空いている位置である。その後、図１５
（Ａ）に示すように、制御部３０は、ヘッド部２０のＬ
ＳＩ吸着ヘッド２２を下降する。次に、図１５（Ｂ）に
示すように、制御部３０は、ヘッド部２０のＬＳＩ吸着
ヘッド２２による吸着を解放して、吸着していたＬＳＩ
１４ａを、その下に位置するＬＳＩ供給部１４内に落下
させる。次に、図１５（Ｃ）に示すように、ＬＳＩ吸着
ヘッド２２は、上昇して、元の最上部の位置に戻る。

【００２０】以上のようにして、図２〜図１５において
説明した工程により、ＬＳＩ１４ａの接続面に付着して
いたはんだは、銅板１２ａに付着することにより除去さ
れ、はんだの除去されたＬＳＩ１４ａは、ＬＳＩ供給部
１４の元の位置に収納され、また、はんだの付着した銅
板１２ａは、銅板排出部１６に排出される。以上の工程
が終了すると、Ｘ−Ｙステージ１０は、図２に示した初
期状態の位置に復帰する。なお、図１４に示した状態か
ら、図２に示す位置までＸ−Ｙステージ１０が移動し
て、次のＬＳＩ１４ｂのはんだ除去作業を行うこともで
きる。

【００２１】以上のように、本実施形態においては、Ｌ
ＳＩ吸着ヘッド２２と、銅板吸着ヘッド２４とは、同軸
的に配置されているので、はんだ除去作業におけるＸ−
Ｙステージ１０の移動量を少なくすることができ、はん
だ除去作業のスループットを向上できるものであり、そ
の点について、以下に具体的に説明する。図２に示した
初期状態から図４に示したＬＳＩ吸着工程において、Ｘ
−Ｙステージ１０は、位置（０，０）から位置（ｘ１，
ｙ１）まで移動する。従って、ヘッド部２０とＸ−Ｙス
テージ１０の相対的な移動量は、（ｘ１²＋ｙ１²）^1/2
である。なお、以下の説明においては、理解を容易にす
るため、Ｘ方向とＹ方向を独立に考え、位置（０，０）
から位置（ｘ１，ｙ１）まで移動量は、Ｘ方向に距離ｘ
１移動し、Ｙ方向に距離ｙ１移動するものとする。

【００２２】次に、図４に示したＬＳＩ吸着工程から図
６に示した銅板吸着工程において、Ｘ−Ｙステージ１０
は、位置（ｘ１，ｙ１）から位置（ｘ２，ｙ２）まで移
動する。従って、ヘッド部２０とＸ−Ｙステージ１０の
相対的な移動量は、Ｘ方向に距離（ｘ２−ｘ１）であ
り、Ｙ方向に距離（ｙ２−ｙ１）である。なお、ここ
で、ｘ１，ｘ２，ｙ１，ｙ２の大小関係は、図２，図
４，図６に示した位置関係を基準として、ｘ２＞ｘ１と
し、ｙ２＞ｙ１とする。同様にして、図６に示した銅板
吸着工程から図８に示したはんだ吸取り工程におけるヘ
ッド部２０とＸ−Ｙステージ１０の相対的な移動量は、
Ｘ方向に距離（ｘ２−ｘ３）であり、Ｙ方向に距離（ｙ
２−ｙ３）である。なお、ここで、ｘ２，ｘ３，ｙ２，
ｙ３の大小関係は、図２，図６，図８に示した位置関係
を基準として、ｘ２＞ｘ３とし、ｙ２＞ｙ３とする。

【００２３】また、図１０に示した吸取り終了工程から
図１２に示した銅板排出工程におけるヘッド部２０とＸ
−Ｙステージ１０の相対的な移動量は、Ｘ方向に距離
（ｘ４−ｘ３）であり、Ｙ方向に距離（ｙ３−ｙ４）で
ある。なお、ここで、ｘ３，ｘ４，ｙ３，ｙ４の大小関
係は、図２，図８，図１２に示した位置関係を基準とし
て、ｘ４＞ｘ３とし、ｙ３＞ｙ４とする。さらに、図１
２に示した銅板排出工程から図１４に示したＬＳＩ排出
工程におけるヘッド部２０とＸ−Ｙステージ１０の相対
的な移動量は、Ｘ方向に距離（ｘ１−ｘ４）であり、Ｙ
方向に距離（ｙ４−ｙ１）である。なお、ここで、ｘ
１，ｘ４，ｙ１，ｙ４の大小関係は、図２，図１２，図
１４に示した位置関係を基準として、ｘ１＞ｘ４とし、
ｙ４＞ｙ１とする。

【００２４】最後に、図１４に示したＬＳＩ排出工程か
ら図２に示した初期状態におけるヘッド部２０とＸ−Ｙ
ステージ１０の相対的な移動量は、Ｘ方向に距離ｘ１で
あり、Ｙ方向に距離ｙ１である。以上の結果、Ｘ方向の
総移動距離は、２・ｘ１＋２・ｘ２−２・ｘ３であり、
Ｙ方向の総移動距離は、２・ｙ２−２・ｙ３となる。

【００２５】ここで、比較のため、銅板吸着ヘッドとＬ
ＳＩ吸着ヘッドが独立して配置されている従来のはんだ
除去装置における移動距離について説明する。ここで、
例えば、銅板吸着ヘッドの初期状態における位置を
（０，０）として、ＬＳＩ吸着ヘッドの初期状態におけ
る位置を（α０，０）とする。この位置は、例えば、図
２に示す状態において、Ｘ−Ｙステージ１０の右側に位
置するヘッド２０の位置を（０，０）とするとき、Ｘ−
Ｙステージ１０の左側に位置するものである。α０＞ｘ
１，ｘ２，ｘ３，ｘ４とする。

【００２６】全体的な処理工程，即ち、Ｘ−Ｙステージ
の移動の動きは、次のようになる。最初に、位置（０，
０）にあった銅板吸着ヘッドが、位置（ｘ２，ｙ２）に
位置するように、Ｘ−Ｙステージが移動して、銅板吸着
ヘッドを用いて、銅板吸着部から新しい銅板を吸着し、
次に、位置（ｘ３、ｙ３）に移動して、加熱部に銅板を
載置する。このとき、移動量は、Ｘ方向に距離ｘ２＋
（ｘ２−ｘ３）であり、Ｙ方向に距離ｙ２＋（ｙ２−ｙ
３）である。

【００２７】次に、ＬＳＩ吸着ヘッドが、位置（ｘ１，
ｙ１）に位置するように、Ｘ−Ｙステージが移動して、
ＬＳＩ吸着ヘッドを用いて、ＬＳＩ吸着部から新しいＬ
ＳＩを吸着し、次に、位置（ｘ３、ｙ３）に移動して、
加熱部の銅板の上にＬＳＩを載置する。銅板吸着ヘッド
が位置（ｘ３，ｙ３）にあるとき、ＬＳＩ吸着ヘッド
は、銅板吸着ヘッドから距離α０だけ離れた位置にある
ので、ＬＳＩ吸着ヘッドの初期位置は（（ｘ３＋α
０），０）であるので、移動量は、Ｘ方向に距離（（ｘ
３＋α０）−ｘ１）＋（ｘ３−ｘ１）であり、Ｙ方向に
距離（ｙ１−ｙ３）＋（ｙ１−ｙ３）である。次に、Ｌ
ＳＩ吸着ヘッドが、位置（ｘ１，ｙ１）に位置するよう
に、Ｘ−Ｙステージが移動して、ＬＳＩ吸着ヘッドを用
いて、はんだの除去されたＬＳＩをＬＳＩ吸着部に戻
す。このときのＸ−Ｙステージの移動量は、Ｘ方向に距
離（ｘ３−ｘ１）であり、Ｙ方向に距離（ｙ１−ｙ３）
である。

【００２８】次に、銅板吸着ヘッドが、位置（ｘ３，ｙ
３）に位置するようにして、銅板吸着ヘッドを用いて、
はんだの付着した銅板を吸着して、位置（ｘ４，ｙ４）
の銅板排出部に移動し、銅板を排出し、次に、位置（α
０，０）まで銅板吸着ヘッドが戻る。ＬＳｉ吸着ヘッド
が位置（ｘ１，ｙ１）にあるとき、銅板吸着ヘッドは、
ＬＳＩ吸着ヘッドから距離α０だけ離れた位置にあるの
で、銅板吸着ヘッドは、位置（（ｘ１＋α０），ｙ１）
にあるので、移動量は、Ｘ方向に距離（（ｘ１＋α０）
−ｘ３）＋（ｘ３−ｘ４）＋（α０−ｘ４）であり、Ｙ
方向に距離（ｙ１−ｙ３）＋（ｙ４−ｙ３）＋ｙ４であ
る。以上の結果、Ｘ方向の総移動距離は、−２・ｘ１＋
２・ｘ２＋３・α０＋２・ｘ３であり、Ｙ方向の総移動
距離は、４・ｙ１＋２・ｙ２−６・ｙ３＋２・ｙ４とな
る。

【００２９】従って、従来のはんだ除去装置において
は、本実施形態におけるはんだ除去装置に比べて、Ｘ方
向に、４（ｘ３−ｘ１）＋３α０だけ多く移動し、Ｙ方
向に、４（ｙ１−ｙ３）＋２・ｙ４だけ多く移動する。
ここで、ｘ３＞ｘ１であり、ｙ１＞ｙ３であるので、Ｘ
方向及びＹ方向のいずれも正の数値となり、従来のはん
だ除去装置の方がＸ−Ｙステージの移動距離が長いこと
になる。従って、本実施形態においては、１個のＬＳＩ
からはんだを除去するのに要する時間を、従来よりも短
縮でき、はんだ除去作業のスループットを短縮すること
ができる。なお、従来のはんだ除去装置においては、１
個のＬＳＩのはんだ除去に約３分を要したものを、約２
分まで短縮することができる。また、銅板吸着ヘッドと
ＬＳＩ吸着ヘッドが同軸的に配置されている本実施形態
におけるはんだ除去装置においては、ヘッド部の設置ス
ペースが従来の約半分となるので、ヘッド部とＸ−Ｙス
テージを収容するガスパージチャンバーを小型化するこ
とができるので、チャンバー内を窒素ガス雰囲気にする
のに要する時間を短くすることができる。

【００３０】なお、上述した説明では、ヘッド部はＺ方
向に移動し、Ｘ−ＹステージをＸ方向及びＹ方向に移動
するようにしているが、ヘッド部自体を、Ｘ，Ｙ，Ｚの
３軸方向に移動可能にすることもできる。また、ＬＳＩ
の接続面に付着したはんだを除去するものとして説明し
たが、基板等に付着したはんだ除去にも用いることがで
きるものである。はんだを付着させるための板材として
は、銅板以外も用いることができるものである。

【００３１】

【発明の効果】本発明によれば、はんだ除去装置におけ
るスループットを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置の全
体構成を示す斜視図である。

【図２】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置にお
けるヘッド位置の初期状態を示す平面図である。

【図３】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置にお
けるヘッド状態の初期状態を示す正面図である。

【図４】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置にお
けるヘッド位置のＬＳＩ吸着工程を示す平面図である。

【図５】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置にお
けるヘッド状態のＬＳＩ吸着工程を示す正面図である。

【図６】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置にお
けるヘッド位置の銅板吸着工程を示す平面図である。

【図７】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置にお
けるヘッド状態の銅板吸着工程を示す正面図である。

【図８】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置にお
けるヘッド位置のはんだ吸取り工程を示す平面図であ
る。

【図９】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置にお
けるヘッド状態のはんだ吸取り工程を示す正面図であ
る。

【図１０】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置に
おけるヘッド位置の吸取り終了工程を示す平面図であ
る。

【図１１】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置に
おけるヘッド状態の吸取り終了工程を示す正面図であ
る。

【図１２】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置に
おけるヘッド位置の銅板排出工程を示す平面図である。

【図１３】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置に
おけるヘッド状態の銅板排出工程を示す正面図である。

【図１４】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置に
おけるヘッド位置のＬＳＩ排出工程を示す平面図であ
る。

【図１５】本発明の一実施形態によるはんだ除去装置に
おけるヘッド状態のＬＳＩ排出工程を示す正面図であ
る。

【符号の説明】

１０…Ｘ−Ｙステージ１２…銅板供給部１２ａ，１２ｂ…銅板１４…ＬＳＩ供給部１４ａ，１４ｂ…ＬＳＩ１６…銅板排出部１８…加熱部２０…ヘッド部２２…ＬＳＩ吸着部２４…銅板吸着部３０…制御部４０…ガスパージチャンバ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高橋毅神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所エンタープライズサーバ事業部内 (72)発明者渡辺直樹神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所エンタープライズサーバ事業部内Ｆターム(参考） 5E319 CD58 GG15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の部材を吸着する第１のヘッドと、第
２の部材を吸着する第２のヘッドを有し、上記第２のヘ
ッドによって吸着した上記第２の部材を加熱部に移動し
て加熱し、この第２の部材の上に、上記第１のヘッドに
よって吸着した上記第１の部材を載置して、上記第１の
部材に付着したはんだを溶融した状態で第２の部材に付
着させることにより、第１の部材からはんだを除去する
はんだ除去装置において、上記第１のヘッドと上記第２のヘッドを同軸的に配置し
たことを特徴とするはんだ除去装置。
【請求項２】請求項１記載のはんだ除去装置において、上記第２のヘッドの内側に、上記第１のヘッドを配置し
たことを特徴とするはんだ除去装置。