JP2001007456A

JP2001007456A - 配線回路基板

Info

Publication number: JP2001007456A
Application number: JP17169599A
Authority: JP
Inventors: Kiyomi Ninomiya; 清海二宮
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-06-17
Filing date: 1999-06-17
Publication date: 2001-01-12

Abstract

(57)【要約】【課題】配線を高密度化し、小型化、軽量化を可能に
した配線回路基板を得るる。【解決手段】プリント回路基板６０上に導電体層によ
って形成される配線には、信号回路、表示装置などの駆
動回路、電源回路、基準電位の接地回路など多数の回路
について、流す電流に対応して配線６１乃至６６の厚さ
を選択する。すなわち、配線の線幅は出来る限り狭く
し、夫々の回路に応じた厚さを選択して配線回路装置を
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は高密度配線を実現
する配線回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体特に、集積回路（ＬＳＩと略す）
の高集積化の進展は著しい。現在ＬＳＩは集積度２５６
Ｍビット、１Ｇビットなどの試作も終わり、さらに高集
積化が計画されており、集積度１５Ｇビットまで製造可
能と絶えない開発が続いている。

【０００３】このように集積度が向上することは、１Ｌ
ＳＩチップ当たりの電子回路数や回路構成素子数が著増
し、この回路数の増加は、各回路を構成するＬＳＩ、抵
抗、コンデンサ、コイルなどの機能素子数が一定の面積
内に著しく増加することを意味している。さらに、電子
回路の増加は限られた基板面積での電極ピン数の増加と
もなりピン間隔も狭小化する。電極パッド数も著増し、
実装精度が厳しく求められる。また電極パッド数の増加
は各パッド間の間隔も狭小化する。

【０００４】一方、この高集積度ＬＳＩチップのパッケ
ージング方法では実装精度が製造限界となり、最近はリ
ードフレームを利用しないはんだバンプ、はんだバンプ
（ボール）採用のＣＳＰ（ＣＨＩＰＳＩＺＥＰＡＣ
ＫＡＧＥ）技術が実用期に入り、’９９年中には量産開
始期になると予想されている。このＣＳＰには、ＬＧＡ
（ＬＡＴＥＲＡＬＧＲＩＤＡＲＲＥＹ）実装法、Ｂ
ＧＡ（ＢＡＬＬＧＲＩＤＡＲＲＥＹ）実装法などが
開発され、実用段階に入っている。

【０００５】他方、マルチメデイアの普及に伴い、信号
処理の高速化やどこでも利用できる携帯性の強い市場の
ニーズがあり、あらゆる機器に軽量、小型化、高信頼性
の電子機器が要求されている。このような半導体装置
（ＬＳＩ）製品条件は、電子機器の根底機構である配線
回路基板も基本的な見直しが要求される。この配線回路
基板は、これまでも多層化技術、細線化技術、はんだ付
け実装技術、これらの信頼性技術と限りなく開発を推進
してきている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パソコ
ン、この関連通信機器などにおいては、高信頼性を損な
わずさらに、携帯性、軽量化、小型化の強い市場からの
課題がある。さらに、高集積化により１個のＬＳＩ当た
りの機能素子数が多量になるため、低電圧化と相俟って
電流容量は増加傾向にある。従って、配線の断面積は小
さくすることができず増加傾向にあるという課題があ
る。このような素子が実装される配線回路基板も電流容
量が増加し、配線の線幅の増加傾向にあり、上記高密度
化、携帯性、軽量化、小型化の市場ニーズからは反対の
設計条件となり、配線回路基板の大型化がやむをえない
技術環境にある。市場ニーズとしては、たとえば、パソ
コンなどでは、配線基板の高密度化、小型化、低コス
ト、１ボード化などの要求がある。この発明は、上記
点に鑑みなされたもので、さらに配線を高密度化し、小
型化、軽量化を可能にしたした配線回路基板を提供する
ことを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明の配線回路基板
は、請求項１に記載されたように、絶縁基板と、この絶
縁基板に導電体パターンが設けられた配線回路と、この
配線回路に設けられた前記導電体の厚さが比較的薄い配
線回路部と、前記配線回路に設けられた前記導電体の厚
さが比較的厚い配線回路部とを具備してなることを特徴
としている。

【０００８】この発明の配線回路基板は、請求項２に記
載されたように、絶縁基板と、この絶縁基板に導電体パ
ターンが設けられた配線回路と、この配線回路に設けら
れた前記導電体の厚さが比較的薄く比較的低電流容量の
配線回路部と前記配線回路に設けられた前記導電体の厚
さが比較的厚く比較的高電流の配線回路部とを具備して
なることを特徴としている。

【０００９】この発明の配線回路基板は、請求項３に記
載されたように、内層配線層および表層配線層からなる
基板と、前記表層配線層に設けられた厚さが比較的厚い
導電体により配線された高電流の高電流回路と、前記表
層配線層に設けられた厚さが比較的薄い導電体により配
線された信号回路とを具備してなることを特徴としてい
る。

【００１０】この発明の配線回路基板は、請求項４に記
載されたように、内層配線層および表層配線層からなる
基板と、前記内層配線層に設けられた厚さが比較的厚い
導電体により配線された高電流の高電流回路と、前記内
層配線層に設けられた厚さが比較的薄い導電体により配
線された信号回路とを具備してなることを特徴としてい
る。

【００１１】この発明の配線回路基板は、請求項５に記
載されたように、多層膜からなる絶縁基板と、この絶縁
基板に多層膜の少なくとも２つの層面内に信号回路およ
び比較的高電流回路の導電体パターンが同一面内に設け
られた配線回路とを具備し前記高電流回路の前記導電体
の厚さを前記信号回路の導電体の厚さより厚い配線回路
で構成したことを特徴としている。

【００１２】この発明の配線回路基板は、請求項６に記
載されたように、請求項１または請求項２または請求項
３または請求項４記載の配線回路基板において、比較的
高電流回路は電源回路であることを特徴としている。

【００１３】この発明の配線回路基板は、請求項７に記
載されたように、請求項１または請求項２または請求項
３または請求項４記載の配線回路基板において、比較的
高電流回路は電流量の大きさによって導電体の厚さが異
なることを特徴としている。この発明の配線回路基板
は、請求項８に記載されたように、絶縁基板と、この絶
縁基板に設けられた厚さが比較的薄い導電体により配線
された信号回路と、前記絶縁基板に設けられた厚さが比
較的厚い導電体により配線された比較的高電流の高電流
回路とを具備し、前記比較的高電流の高電流回路を集合
して設けたことを特徴としている。

【００１４】この発明の配線回路基板は、請求項９に記
載されたように、絶縁基板と、この絶縁基板に設けられ
た厚さが比較的薄い導電体により配線された信号回路
と、前記絶縁基板に設けられた厚さが比較的厚い導電体
により配線された比較的高電流の高電流回路とを具備
し、前記信号回路および高電流回路の配線を線幅の長さ
より厚さの長さを長くしたことを特徴としている。

【００１５】この発明によれば、高密度配線を実現する
ことにより、配線回路基板を小型化でき、その小型化分
の軽量化ができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】この実施形態の特徴を説明する。
即ち、プリント回路基板上に導電体層によって形成され
る配線には、信号回路、ＣＰＵ、ゲートアレイ回路、表
示装置などの駆動回路、電源回路、基準電位の接地回路
など多数の回路について、流す電流に対応して配線の厚
さを選択する。すなわち、配線の線幅は出来る限り狭く
し、夫々の回路に応じた厚さを選択して高密度配線によ
る配線回路装置を構成するものである。

【００１７】次に、図１乃至図３を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。この配線パターンをプリン
ト回路基板の作成に適用した実施形態を説明する。配線
回路ユニットを構成するには、その電気回路結線図から
配線基板としての配線パターンを設計する。この実施形
態では配線結線図は省略している。配線の物理的構造を
主として説明する。図１（Ａ）は従来のプリント基板の
配線構造の構成を説明するための断面図である。（Ｂ）
図は、この発明のプリント基板の配線構造の構成を説明
するための断面図である。

【００１８】すなわち、従来の（Ａ）図では、高集積化
されて所要電力が増加するがこの高電流たとえば３Ａ乃
至１０Ａを流す当該配線１の線幅を、低電流の配線２た
とえば数ミリアンペアに比較して、太くして構成してい
る状態を示す図である。

【００１９】このように、高集積化される毎に線幅を太
くする手法では、高密度化されてコンパクトになるのと
は、反対の結果となる。パソコンなど装置として構成す
るには、回路基板３のサイズが大きくなるか、または、
基板３の枚数が増加するばかりである。

【００２０】そこで、（Ａ）図のように電流容量の大き
い配線（３Ａ乃至１０Ａ）の線幅を太くするのではな
く、（Ｂ）図のように、その分、配線４の厚さを厚く
し、選択的に線幅を狭くして、回路基板３の高密度配
線、回路基板の小型化、軽量化、延いては１ボード化を
可能とするものである。（Ａ）図に対して（Ｂ）図が小
型化された状態を図示したものである。

【００２１】即ち、回路基板３例えば絶縁体材料からな
るガラスエポキシ樹脂基板３上には、電気回路結線図か
らデザインされた導電体パターンが形成された配線２，
４が設けられている。配線２は上記電気回路結線図中、
信号回路のように比較的低電流の数ミリＡ程度の回路
で、たとえば従来通りの線幅の配線（さらに細くしても
よい。）でＣＰＵ（中央制御装置）やゲートアレイ回路
などが構成され、たとえば電源回路のように比較的大電
流（３Ａ乃至１０Ａ）を流す配線４は配線の線幅より厚
さを厚く構成して電流容量を満足させるように、構成し
たものである。必要に応じて線幅を狭くしてもよい。

【００２２】次に、（Ｂ）図の配線回路の形成法の実施
形態を説明する。図２は図３と共にこの発明の配線回路
基板の構成および製造プロセスを説明するためのプリン
ト（配線）回路基板の断面図である。すなわち、図２
（Ａ）に示すように絶縁体基板は配線基板として一般に
実用されているものでよく、セラミック基板、例えば、
ガラスエポキシ基板１１上には配線導体例えば銅膜１２
がスパッタ法により厚さたとえば１８μｍに成膜されて
いる。

【００２３】さらに、この銅層１２上にはレジスト層１
３が成膜たとえば液状レジスト材がスプレー法により塗
布されている。膜厚は、レジストの粘土、スプレー時間
を適宜選択することにより所望するレジスト膜の厚さを
得ることができる。この厚さは次の工程の銅膜１２のエ
ッチング工程でマスクとして作用するに必要な厚さが選
択される。

【００２４】次に、上記レジスト膜１３のマスク製造工
程を行う。まず、上記基板１１をステッパーに搬送して
露光工程を実行する。即ち、上記レジスト層１３を配線
のマスクパターンで露光１４を実行し、（Ｃ）図のよう
な露光パターンを形成する。露光されたレジスト層１３
の現像即ち選択エッチング例えば液相エッチングを実行
して（Ｄ）図ような配線回路形成のためのレジストマス
クによるパターン１５を形成する。

【００２５】このレジストマスク１５により上記銅膜１
２を選択的に除去たとえば液相エッチングを実行する。
続いて、銅膜１３上のマスク１５を除去して、（Ｅ）図
のような銅膜１３の配線パターン１６を形成する。この
実施形態では、配線回路を構成する配線層の厚さを流れ
る電流の大きさによって適宜選択することにある。この
実施形態では判りやすくするため膜厚を２値にした例に
ついての実施形態である。

【００２６】配線層の厚さは当該配線を流れる電流によ
って選択する。即ち、電流の比較的大きい配線は厚さを
厚く形成し、電流の比較的小さい配線は厚さを薄く形成
することにより、配線による基板１の占有面積を小さく
し、以って基板１のサイズを小さくするものである。即
ち、基板１のサイズを小型化して軽量化するものであ
る。

【００２７】（Ｅ）図の配線パターン１６においては、
配線１７、１８、１９は信号回路を形成し、配線２０，
２１は信号回路１７、１８、１９に比較して電流の大き
い例えば電源回路であり、厚さを配線１７、１８、１９
より厚く選択して構成する設計である。この実施形態で
は線幅が配線１７、１８、１９に比較して広く形成して
いるが、これまでの設計より狭く形成されている。線幅
（径）は同一でも、狭くてもよい。許容される設計条件
で選択可能である。

【００２８】この条件には、小型化の程度、配線の接着
強度などの信頼性、製造し易さなどの量産性などから選
択される。

【００２９】この厚さの選択はさらに、たとえば次式に
よって選択できる。

【００３０】Ｉ＝Ｖ／Ｒ……………（１）Ｒ＝ρ×Ｌ／Ｓ………（２）上記式において、Ｉ：当該配線回路を流れる電流Ｖ：当該配線回路に発生する電圧Ｒ：当該配線回路の抵抗 ρ：当該配線回路の導体固有抵抗Ｌ：当該配線回路の長さＳ：当該配線回路の断面積上記（１）式から明らかなように、電圧が一定の場合、
電流を多く流すためには、当然のことながら、抵抗が出
来るだけ小さい配線材料を選択する。この材料として、
この実施形態では銅が選択されている。

【００３１】さらに、（２）式から電流を多く流すため
には、断面積を大きくすることにより、抵抗（Ｒ）を小
さくすることが可能である。所望する抵抗の断面積を得
るためにこの実施形態では、線幅を信号線よりやや大き
く選択し、必要な断面積を得るために、当該配線の厚さ
を厚くしている。従って、配線の線幅を総て同一にし
て、厚さをその分厚く選択してもよい。厚さを厚くした
分基板１のサイズが小さく構成できる。（Ｅ）図では、
各配線の線幅が同一の厚さである。

【００３２】次に配線を厚く形成するプロセスを説明す
る。即ち、配線２０、２１を信号回路を構成する配線１
７、１８、１９より厚く形成するプロセスの実施形態を
説明する。配線２０、２１を選択するために表面上にレ
ジスト層２２を成膜例えば、スプレー法で塗布する。こ
のレジスト層２２の厚さは、配線２０、２１を選択する
際のマスクとして利用できる厚さに選択する。次に、基
板１１をステッパーに搬送して配線２０、２１のマスク
パターンで露光プロセスを実行し、レジスト層２２に配
線２０、２１の感光域２３、２４を（Ｇ）図のように形
成する。

【００３３】次に、この感光域２３、２４を選択的に除
去例えば液相エッチングして、図３（Ａ）のように配線
２０、２１の表面を露出させることができる。この露出
表面にエッチング残留物や酸化膜が薄く残っている可能
性のある場合には、アッシング工程（フラッシュエッチ
ング）を実行することにより、きれいな銅膜２０、２１
の表面を得ることができる。

【００３４】すなわち、次に成膜する銅膜と良好な電気
的接続を得ることができる。しかるのち、上記銅膜２
０、２１の露出表面上に導電体例えば第２の銅膜２５を
成膜たとえば電解メッキ法により（Ｂ）図のように形成
する。この銅膜２５の厚さは、この配線２０、２１の電
流容量から求められた断面積に相当する厚さが選択され
る。たとえば、所望する厚さ例えば２０μｍ乃至２５μ
ｍに、上記メッキプロセス時間を選択する。配線間隔
は、このメッキ層が形成される間隔が必要である。次
に、この銅膜２５を選択的に除去するためのマスクの形
成として、この銅膜２５上にレジスト層２６を成膜例え
ばスプレー法により塗布する。次に、基板１を、ステッ
パーに搬送し、配線２０、２１部を選択するためのマス
クパターンで露光を実行し、このレジスト層２６に感光
域２７を（Ｄ）図のように形成する。次に、この感光域
２７を（Ｅ）図のように選択的に除去例えば液相エッチ
ングする。残ったレジスト層２６をマスクとして銅膜２
５を選択的に除去たとえば液相エッチングする。続いて
レジスト層２２を除去例えば、液相エッチングして
（Ｆ）図に示すようなパターンを得る。このようにし
て、配線２０、２１の厚さが厚い配線を得ることができ
る。

【００３５】このエッチング工程で基板１の表面に僅か
にレジスト膜２２が残存する場合には、再び除去工程例
えばアッシング工程（フラッシュエッチング）を実行す
ることにより、マスクとして用いたレジスト層２６と共
に（Ｇ）図のように、きれいに除去できる。このように
して、同一面内に厚さの異なる配線を得ることができ
る。

【００３６】この実施形態では、２種類の厚さの配線に
ついて説明したが、３種類以上の厚さで構成すると、さ
らに基板１の面積を小さく構成できる。製法は図３のプ
ロセスを、さらに１回増加することにより達成できる。
さらにまた、信号回路を構成する配線１７、１８、１９
については、これまでの厚さで形成したが、この配線１
７、１８、１９についても厚く構成することにより、さ
らに高密度配線が可能となり、基板１１を小さくでき
る。

【００３７】上記実施形態では、単層の配線回路基板に
ついて説明したが、多層プリント基板に適用してもよ
い。図４は多層プリント基板の実施形態を説明するため
の断面図である。多層プリント基板は、内層配線と表層
配線からなる。１層毎に上記実施形態と同様なプロセス
で形成できる。図４は４層のプリント基板の実施形態
で、配線回路の線幅は、３種類の場合である。４層に跨
ってランドスルー３１、３２が設けられている。

【００３８】即ち、ガラスエポキシ樹脂基板３３上に
は、信号回路の配線用として線幅が最も狭い配線３４が
設けられている。さらに、同一面上には、上記ランドス
ルー３１に電気的に接続された上記配線３４と同一厚さ
のランド３５が設けられている。このランド３５の線
幅は上記配線３４の線幅より広く形成されている。さら
にまた、他方のランドスルー３２には、上記ランド３５
より厚さの厚いたとえば基板３３上に形成される銅膜の
厚さはたとえば１８μｍであり、さらにその上にスルー
ホール内壁面上に形成される電解メッキ層は２０μｍ乃
至２５μｍが形成され、このランド３６と結線される基
板３３上のランド３６の膜厚は３８μｍ乃至４２μｍで
ある。

【００３９】このランド３６の線幅はランド３５より広
く構成されたとえば電源の配線である。このようにして
第１層目のプリント回路が構成されている。この第１層
目上には、第２層目の絶縁体層３７が成膜されている。
この実施形態では、表層である。前記絶縁体層３７の表
面にも第１層目と同様に信号回路用配線３８、３９が夫
々設けられている。さらに、上記ランドスルー３１に
は、上記配線３８、３９同じ厚さで線幅は大きい信号回
路用ランド４０が設けられている。

【００４０】さらにまた、上記ランドスルー３２には、
比較的大電流を流すたとえば電源回路用ランド４１が設
けられている。このランド４１は、ランド４０と比較し
て厚さが同じで、線幅が広く形成されている。同じ厚さ
に構成したのは、第１層目のランド３６の線幅で構成で
きるため、第２層目３７のランド４１の厚さは、ランド
４０配線３８、３９と同一にして成膜工程数の減少化を
目的としている。このようにして第２層目（表層）のプ
リント回路基板が構成されている。勿論、表層配線のラ
ンド４１も線幅を狭くして厚さを厚く構成してもよい。

【００４１】このような第１層目、第２層目と全く同一
の構成の第３層目４２、第４層目４３のプリント回路基
板が一体に構成されて４層構造のプリント回路基板が構
成されている。第３層目４２、および第４層目４３のプ
リント基板は第１、２層目のプリント基板と同一である
から、同一番号を付与して詳細な説明を省略する。この
ように表裏対象に構成することにより、回路基板の反る
のを防止できる。

【００４２】上記実施形態は配線の厚さが２種類の場合
について説明したが、この実施形態も多種類でもよい。
次に３種類の厚さの実施形態について説明する。すなわ
ち、絶縁体基板たとえばセラミック樹脂基板５１上には
信号回路の最小電流を流す配線５２、５３が形成されて
いる。

【００４３】さらに、信号回路の内比較的大きな電流た
とえば、表示系の液晶駆動回路系を構成する配線５４、
５５が設けられている。この配線５４、５５は、線幅が
配線５２、５３、と同一で、、厚さは厚く構成されてい
る。さらに、上記基板１には、線幅が配線５４，５５よ
り広く、厚さはさらに厚くした配線５６、５７が設けら
れて、配線回路装置が構成されている。このように配線
の厚さを３種類以上多種類にしてもよい。

【００４４】さらにまた、図５においては、配線５６、
５７の線幅についてのみ線幅を広く構成したが、図６の
ように、基板６０上に形成される配線６１、６２、６
３、６４、６５、６６について総て同じ線幅にし、高さ
のみ変えて配線回路を構成してもよい。上記実施形態で
は、信号回路用配線については従来通り、線幅に比較し
て厚さを小さくした場合について、説明したが、逆に信
号回路用配線のみ、線幅をさらに狭くし、厚さを高くし
てもよい。ランドの厚さの限界は、線幅を細く高くし過
ぎた場合には、強度で限界が決まる。

【００４５】さらにまた、流す電流容量が大きく配線の
厚さが厚い電源回路のように配線の厚いランドのみ集合
させ、、配線回路装置の周縁部たとえば図７に示すよう
にコーナ部６７に集合するように配置すると回路基板
１、５１、６０の小型化に、さらに有効的に寄与する。

【００４６】さらにまた、図８に示すように、配線基板
７０上に形成される総ての配線７１の配線幅について可
能な範囲で狭くし、厚さのみを選択することにより、電
流容量対策してもよい。上記可能な範囲とは、配線が実
用状態で剥離したり、次工程の処理例えば成膜工程の形
成膜への影響の無い条件であれば何れでもよい。すなわ
ち配線幅方向の長さより、配線の厚さ方向の長さを長く
した状態でもよい。この実施形態では最高の密度で配線
パターンを構成でき、配線基板を最も小型化できる効果
を得ることができる。

【００４７】ランドの厚さの限界は、線幅を細く高くし
過ぎた場合には、強度で限界が決まる。さらに、線間の
間隔が狭く、厚さが厚いと、トレンチエッチングに限界
が発生する。この場合には、厚いランドを形成する際
の、積層回数を増加することにより、改善できるが限界
が発生する。一例を示すと、７０μｍ乃至１００μｍで
ある。配線の厚さを電流値によって選択するが、異なる
厚さとは、製造誤差など考慮して、１０μｍ以上の差が
目安である。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
さらに配線を高密度化でき、小型化できるため、その
分、軽量化した配線回路基板を得ることができる。

【００４９】したがって、さらに、パソコン、携帯電話
など通信機器などの移動性に大きく貢献できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の配線回路装置の一実施形態を説明す
るための配線回路の断面図である。

【図２】図１の配線回路の製造工程を説明するための一
部切欠断面図である。

【図３】図２に続く配線回路の製造工程を説明するため
の一部切欠断面図である。断面図である。

【図４】図１、図２の配線回路装置他の実施形態を説明
するための一部切欠断面図である。

【図５】図１の配線回路装置他の実施形態を説明するた
めのの一部を拡大して示す一部切欠断面図である。

【図６】図５の他の実施形態を説明するための一部切欠
き断面図である。

【図７】図６の他の実施形態を説明するための平面図で
ある。

【図８】図６の他の実施形態を説明するための平面図で
ある。

【符号の説明】

１，２，４、１７、１８、１９、２０、２１、３４、３
９、５２、５３、５４、５５，５６，５７，６１，６
２，６３，６４，６５，６６……配線３、１１、３３、４２、４３、５１、６０……基板１２、２５……銅膜２２、２６……レジスト層１４……露光領域１５……レジストマスク１６……配線パターン２３、２４，２７、……感光域３１、３２……ランドスルー３５，３６，４０，４１……ランド３７……絶縁体層６７……コーナ部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板と、この絶縁基板に導電体パターンが設けられた配線回路
と、この配線回路に設けられた前記導電体の厚さが比較的薄
い配線回路部と、前記配線回路に設けられた前記導電体の厚さが比較的厚
い配線回路部とを具備してなることを特徴する配線回路
基板。
【請求項２】絶縁基板と、この絶縁基板に導電体パターンが設けられた配線回路
と、この配線回路に設けられた前記導電体の厚さが比較的薄
く比較的低電流容量の配線回路部と、前記配線回路に設けられた前記導電体の厚さが比較的厚
く比較的高電流の配線回路部とを具備してなることを特
徴する配線回路基板。
【請求項３】内層配線層および表層配線層からなる基
板と、前記表層配線層に設けられた厚さが比較的厚い導電体に
より配線された高電流の高電流回路と、前記表層配線層に設けられた厚さが比較的薄い導電体に
より配線された信号回路とを具備してなることを特徴す
る配線回路基板。
【請求項４】内層配線層および表層配線層からなる基
板と、前記内層配線層に設けられた厚さが比較的厚い導電体に
より配線された高電流の高電流回路と、前記内層配線層に設けられた厚さが比較的薄い導電体に
より配線された信号回路とを具備してなることを特徴す
る配線回路基板。
【請求項５】多層膜からなる絶縁基板と、この絶縁基板に多層膜の少なくとも２つの層面内に信号
回路および比較的高電流回路の導電体パターンが同一面
内に設けられた配線回路とを具備し前記高電流回路の前
記導電体の厚さを前記信号回路の導電体の厚さより厚い
配線回路で構成したことを特徴する配線回路基板。
【請求項６】請求項１または請求項２または請求項３
または請求項４記載の配線回路基板において、比較的高
電流回路は電源回路であることを特徴する配線回路基
板。
【請求項７】請求項１または請求項２または請求項３
または請求項４記載の配線回路基板において、比較的高
電流回路は電流量の大きさによって導電体の厚さが異な
ることを特徴とする配線回路基板。
【請求項８】絶縁基板と、この絶縁基板に設けられた厚さが比較的薄い導電体によ
り配線された信号回路と、前記絶縁基板に設けられた厚さが比較的厚い導電体によ
り配線された比較的高電流の高電流回路とを具備し、前記比較的高電流の高電流回路を集合して設けたことを
特徴とする配線回路基板。
【請求項９】絶縁基板と、この絶縁基板に設けられた厚さが比較的薄い導電体によ
り配線された信号回路と、前記絶縁基板に設けられた厚さが比較的厚い導電体によ
り配線された比較的高電流の高電流回路とを具備し、前記信号回路および高電流回路の配線を線幅の長さより
厚さの長さを長くしたことを特徴とする配線回路基板。