JP2000515426A

JP2000515426A - ルテニウム触媒及び弱配位基質の不斉水素添加におけるその使用

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Publication number: JP2000515426A
Application number: JP10550174A
Authority: JP
Inventors: エイドブスダニエル; ピーエムヴァンヘッシェコーエンラード; ラウテンシュトラウホヴァレンティン
Original assignee: Firmenich SA
Current assignee: Firmenich SA
Priority date: 1997-05-20
Filing date: 1998-05-19
Publication date: 2000-11-21
Anticipated expiration: 2018-05-19
Also published as: EP0920354B1; DE69820205T2; WO1998052687A1; ES2212287T3; DE69820205D1; EP0920354A1; JP3478838B2

Abstract

(57)【要約】２座配位ホスフィンリガンドを有するルテニウム（ＩＩ）触媒が記載されており、この触媒は、好適なＲｕ（ＩＩ）錯体及び２座配位ジホスフィンリガンドの等モル量を、式ＨＸ［式中、Ｘは非−配位陰イオンである］の酸で処理することより成る方法によって得られ、前記の酸は、Ｒｕ（ＩＩ）錯体１モル当たり、１モル当量の比率で使用され、この処理は、非−配位又は弱配位媒体中で、酸素不含の雰囲気下で実施される。前記の触媒は、立体配置（＋）−（１Ｒ）−シスを有する、Hedione（登録商標）の有利な異性体、及び高度に立体障害された炭素−炭素二重結合を有する多くの他の基質の製造に有用である。

Description

【発明の詳細な説明】ルテニウム触媒及び弱配位基質の不斉水素添加におけるその使用本発明及び公知技術水準の分野本発明は、不斉水素添加の分野、特に、その弱い供与体能力及びその立体障害構造の結果として、これまで水素添加することが極めて困難又は不可能であった基質の不斉水素添加のための、新規のＲｕ（ＩＩ）キラル性触媒の使用に関する。過去に、多数のキラル性金属触媒が、多様な基質を不斉水素添加するために使用されてきた。本発明に関して、特に、式［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メチルアリル）₂］（ＣＯＤ＝シクロ−１，５−オクタジエン）のＲｕ（ＩＩ）錯体から得られる、Ｒｕ（ＩＩ）キラル性触媒の合成を精力的に研究した２調査グループの成果を引用することができる。従って、J.P.Genet及び共編者は、式［Ｒｕ（Ｐ^*−Ｐ^*）（２−メチルアリル）₂］［式中、Ｐ^*−Ｐ^*は、略記号、例えばＤＩＯＰ、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ、ＰＲＯＰＨＯＳ、ＢＤＰＰ、ＣＢＤ、ＮＯＲＰＨＯＳ、ＤＥＧＵＰＨＯＳ、ＢＰＰＭ、ＢＩＮＡＰ、Ｒ−ＤｕＰＨＯＳ（Ｒ＝メチル又はエチル）、ＢＩＰＨＥＭＰ又は更にＤＩＰＡＭＰ（例えば、J.P.Genet et a l.、Tetrahedron:Asymmetry 1991、2、43参照）で一般に公知の型のジホスフィン配位子を表わす］の触媒に関する研究を公表した。このような触媒は、例えばシクロオクタジエンをキラル性ホスフィンで代えるために、前記のＲｕ（ＩＩ）錯体を、好適なキレート化ジホスフィンと共に、溶剤、例えばヘキサン又はトルエン中で加熱することによって得られた。それらの著者は、次の研究（例えば、WO91/02588;J.P.Genet、Acros Organics Acta、1994、1、1-8;J.P.Genet et al.、Tetrahedron:Asymmetry、1994、5、66 5-690参照）で、同じ著者によれば、その構造が６配位型である金属の周囲の配位構造を安定化させることが可能な強力な配位溶剤中で、水性酸、例えばＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ又はＨＢＦ₄によるプロトン化を経るそのような触媒の変換を記載した。その場で製造され得るこの種の触媒は、プロトン性又は強い電子供与性溶剤（メタノール、エタノール又は他の溶剤とのそれらの混合物）中で、カルボニル基及び非環状のエチレン結合を有する基質の不斉水素添加のために有用であることが判明した。他の研究（例えば、F.Heiser et al.、Tetrahedron:Asymmetry、1991、2、51- 62;EP643052;EP398132;EP570674参照）は、様々な基質を水素添加するためのその場で製造された触媒の使用の報告をしており、この際、同じルテニウム錯体から出発するが、前記の錯体と好適なジホスフィンリガンドとの混合物を、もう１度、金属の配位構造を安定化させ得る電子供与溶剤中で、要するに、ＣＦ₃ＣＯＯＨで処理するという方法を続ける。これらの触媒、及び引用された参照文献に記載された同様の方法により得られる他の触媒は、それら自体、種々の基質、しばしば、Ｒｕ（ＩＩ）を配位することができる良好な電子供与基質の不斉水素添加において極めて有効であり、典型的には、プロトン性溶剤又はプロトン性及び非プロトン性溶剤の混合物と共に使用される。しかしながら、それらの触媒は、今までの方法条件下では、著しく立体障害されたエチレン結合、例えば４置換の二重結合（特に、それが環系の１部分である場合に）を有する基質の水素添加のために使用される場合には無効であることが判明した。公表された世界特許出願Ｎ°ＷＯ９７／１８８９４（１９９６年１１月２０日にファイルされた）中に、新規のＲｕ（ＩＩ）触媒を記載し、この特に立体障害型の基質を、不斉水素添加するためのその有効な使用を示している。特に、式：［式中、Ｒ¹は、直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、Ｒ²は、飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₈炭化水素基を表わす］のシクロペンテノン誘導体の水素添加が記載されており、その水素添加は、独創的方法によって得られた新規の触媒の本発明による発見までは不可能であった。前記の特許出願に記載された触媒は、等モル量の好適なＲｕ（ＩＩ）触媒、例えば［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］及びキレート化ジホスフィンを、式ＨＸ［式中、Ｘは非配位化陰イオンである］の酸で処理することよりなる方法によって得られ、前記の酸は、Ｒｕ（ＩＩ）錯体１モル当たり、２モル当量を越えない比率で使用され、その処理は、不活性雰囲気下で、非−配位又は弱配位媒体中で実施されている。そのような触媒により、基質（ＩＩ）は有効に水素添加され、特に、正確にシス−立体配置で、（＋）−ＩＲ−異性体中少なくとも６０％のエナンチオマーの過剰量を有する、その相応する飽和同族体を提供することができた。そのような触媒、及び不斉水素添加反応でのその使用により、以前は水素添加することが困難であった不飽和基質を、その飽和同族体へ単一工程で変換させるための卓越した重要性の進歩が得られた。更に、基質（ＩＩ）の変換でのそれらの使用は、特に、メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートの場合に重要であり、その不斉水素添加により、単一工程で、メチルジヒドロジャスモネート又はHedione（登録商標）（周知で広く使用される香料成分）（発売元：Firmenich SA、Geneva、Switzerland）の有利な光学活性異性体が得られた。実際に、４種の可能なHedione（登録商標）立体異性体のうちで、メチル（＋） −（ＩＲ）−シス−３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンタンアセテートは、香り特性、つまりジャスミンの香り（その香りの故に、Hedione（登録商標）は周知である）をその最良で発生させるために公知であり、一方で、この異性体の香りの強さも、他の異性体の香りに数段勝っている。従って、光学的に純粋の状態のメチル（＋）−（ＩＲ）−シス−３−オキソ−２−ペンチル−１− シクロペンタンアセテートの又はこの異性体を本質的に含有する異性体混合物の製造は、香料工業で極めて重要である。本発明の説明本発明の１つの目的は、好適なＲｕ（ＩＩ）錯体、キレート化ジホシフィン及び非−配位陰イオンを有する酸を接触させることを特徴とする方法によって得られるルテニウム触媒であり、前記のＲｕ（ＩＩ）錯体及びキレート化ジホスフィンは等モル量で存在し、接触は、非−配位化又は弱配位化媒体中で、酸素不含の雰囲気下で行なわれ、この際、非−配位陰イオンを含有する酸は、Ｒｕ（ＩＩ）錯体１モル当たり、約１モル当量の量で使用される。ここで、“Ｒｕ（ＩＩ）錯体１モル当たり、酸約１モル当量”なる言及は、１とは著しく異なっていないで、有利に、０．９５〜１．１０、より有利には１．０〜１．１０の範囲内に含まれるこれらの２成分の間のモル比を表わす。前記の本発明の触媒は、特に基質（ＩＩ）の水素添加での使用の際に、驚異的に良好な結果を与えるが、請求項１２に記載したように、一般式：の基質の水素添加のためにも有利に使用することができる。本発明の水素添加法の有利な実施態様は、少なくとも３個置換されている点線によって示されている位置の１つに１個の炭素−炭素二重結合を有する、即ち、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴基のうちの１よりも多くない基が水素を表わす基質（ＩＩＩ）の水素添加に関する。本発明の触媒が、前記の有利な基質（ＩＩＩ）の立体障害よりも少ない立体障害のエチレン結合の水素添加において有効に使用され得ることは、後続の明細書から、当業者に明らかである。しかしながら、本発明の触媒は、後記で明らかなように、前記の有利な基質（ＩＩＩ）を、特にその中の二重結合が４置換されているその飽和同族体に単一工程で変換させる際に、最も有利に使用される。本発明の触媒は、不斉水素添加において、有効かつ一般的に使用でき、かつ、孤立の、又はエステル官能に対してα，β−又はβ，γ−位、ケトン又はアルデヒド官能に対してα，β−位の、アルコール官能に対してβ，γ−位においてさえ、２−、３−及び４置換の二重結合を容易に水素添加することができるが、エステル及びケトン基は、水素添加により全く影響を受けないことを実際に確認した。本発明の触媒は、本質的に、好適なＲｕ（ＩＩ）錯体、キレート化ジホスフィン及び非−配位陰イオンを含有する酸の反応生成物を含有し又はそれから成り、反応は非−配位又は弱配位媒体中で行なわれる。ここで、“好適なＲｕ（ＩＩ）錯体”とは、一般に公知でルテニウム触媒の製造で使用される任意のＲｕ（ＩＩ）錯体を意味し、そのうち、例えば、その中の金属がジエニル及びアルキル型リガンドによって囲まれ、従って、その金属が前記のリガンドの２個にσ−結合され、そのリガンドは更に、金属にπ−結合している少なくとも１個の結合を有し、他の２配位位置は同一の前記の２リガンドに、又は異なったリガンドにπ−結合している錯体を挙げることができる。若干のルテニウム化合物が、先行文献から公知であり、これらは前記の条件を満たすリガンドを含有し、かつ本発明の触媒の先駆物質として有利である。好適なルテニウム（ＩＩ）錯体として、特に、［（ジエン）Ｒｕ（アリル）₂］型の化合物（ここで、“ジエン”は、例えばＣＯＤ（シクロオクタ−１，５−ジエン）又はＮＢＤ（ノルボルナジエン）又は更に、ヘプタ−１，４−ジエンを表わし、かつ“アリル”は、ノルマルｎアリル又は２− メタリル基を表わす）の化合物を挙げることができる（例えば、J.P.Genet et a l.、引用参照文献;M.O.Albers et al.、Inorganic Synth.、1989、26、249;R．R ．Schrock et al.、J.Chem.Soc.Dalton Trans.、1974、951参照）。他の好適なルテニウム（ＩＩ）錯体は、［ビス（ペンタジエニル）Ｒｕ］型の化合物（ここで、“ペンタジエニル”は、ペンタジエニル、２，４−ジメチルペンタジエニル、２，３，４−トリメチルペンタジエニル、２，４−ジ（ｔ−ブチル）ペンタジエニル、又は更に２，４−ジメチル−１−オキサペンタジエニル基を表わす）を包含する（例えば、R.D.Ernst et al.、J.Organometallic Chem.、1991、402、1 7;L.Stahl et al.、Organometallic 983、2、1229;T.Schmidtetal.、J.Chem.Soc .Chem.Commun.、1991、1427;T.D.Newboundetal.、Organometallics、1990、9、2 962参照）。更に他の好適なＲｕ（ＩＩ）錯体には、［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］（ここで、ＣＯＴは、シクロオクタ−１，３，５−トリエンを表わす）、［ビス（２，４−シクロオクタジエニル）Ｒｕ］及び［ビス（２，４−シクロヘプタジエニル）Ｒｕ］（例えば、P.Pert ici et al.、J.Chem.Soc.Dalton Trans.、1980、1961;In organic Synthesis 19 83、22、176参照）及び［Ｒｕ（ＮＢＤ）（ＣＨＴ）］（ここで、ＮＢＤは、ノルボルナジエンであり、ＣＨＴは、シクロヘプタ−１，３，５−トリエンを表わす）（例えば、H.Nagashima et al.、J.Organometallic Chem.、1983、258、C15 参照）が包含される。本発明の触媒の有利な実施態様に続いて、Ｒｕ（ＩＩ）先駆物質として、次の式の化合物が使用される：［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］、ビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウム（例えば、L.Stahl et al.又はT.D.Newbound et al.、引用参照）、ビス（２，４−ジメチル−１−オキサペンタジエニル）ルテニウム錯体（例えば、T.Schmidt et al.、引用参照）、又は更に、［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］(P.Pertici et al.、引用参照）。［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］（その製造は、最初に、J.Powell et al.によって、J.Chem.Soc.、(A)、1968、159で報告された）（同様に、M.O.Albers et al.、Inorganic Synthesis 1989、26、2 49参照）、及び［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］は、実際的見地から極めて有利であることが判明した。本発明の触媒中のリガンドとして使用することができるキレート化ジホスフィンのうちで、有利な実施態様として、均一の不斉水素添加に有利な種類の触媒を得させることができる公知のキラル性ジホスフィン又はビス（ホスフィン）リガンドのうちから選択されるものを挙げることができる。特に、そのようなキラル性ジホスフィンには、Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ、Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ、ＢＩＮＡＰ、ＴｏＩＢＩＮＡＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＤＩＰＡＭＰ及びＣＨＩＲＡＰＨＯＳの略称で公知のものが包含され、次に、その構造を特にエナンチオマーの１つについて記載する（ここで、Ｐｈはフェニル基を表わす）：本発明のキラル性触媒中で使用可能である他のキラル性２座配位ホスフィンには、例えば、ＮＯＲＰＨＯＳの名称で公知のもの、又は更に、ＤｕＰＨＯＳ型リガンドの同族体、いわゆる“ＢＰＥ”が包含され、その構造を次にエナンチオマーの１つについて記載する。そのような全てのリガンドは市場で得られるか、又は文献に今までに報告された方法により製造することができる。本発明の触媒の製造のための他の特に有用なリガンドは、例えば本発明による触媒に好適な多数の触媒を明らかにしている欧州特許出願第５６４４０６号明細書及び第６４６５９０号明細書に記載されたキラル性ジホスフィンである。この際、これらの文書の内容は、それらが前記のキレート化ジホスフィンの定義及び製造に関するかぎり、参照によって包含される。欧州特許（ＥＰ）第５６４４０６号明細書、欧州特許（ＥＰ）第６１２７５８号明細書及び第６４６５９０号明細書に記載されたキレート化ジホスフィンのうち、一般式：［式中、Ｚは燐原子であり、Ｒ及びＲ’は各々独立して、直鎖又は分枝鎖のＣ₁ 〜Ｃ₄アルキル基、シクロヘキシル基、フェニル基又は１〜４個の炭素を有する１〜３個のアルキル基によって置換されたフェニル基であり、後者のアルキル基は部分的に又は全部が弗素化されていてよい］によるものを使用するのが有利である。この型のより有利なリガンドは、式：のもの、及びより有利に、（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳ（Ｒ＝シクロヘキシル、Ｒ’＝フェニル）又は（−）−ＪＯＳＩＰＨＯＳの略称で公知のもの又は更にその誘導体、例えば（Ｒ）−（Ｓ）−ＣＦ₃−ＪＯＳＩＰＨＯＳである。更に、本発明の触媒は、それがその構造においてキラル性及びアキラル性のキレート化ジホスフィンの両方を有する場合に、１００％に近いシス−立体選択性で、多くの基質、特に、式（ＩＩ）の基質の水素添加のための利点を有することが認められた。従って、有用なアキラル性のリガンドには、例えば、次に記載するアキラル性又はラセミのフェロセニルジホスフィンが包含される：リガンドとして有用な他の２座配位のホスフィンを次に記載する：本発明に関して、更に、世界知的所有権機関（ＷＯ）第９６／２０２０２号明細書に報告された、式：の光学的活性のジホスフィン、同様に相応する異性体のラセミ混合物を引用することができる。この際、そのようなリガンドの製造に関する後者の含量は参照に包含される。一般に、金属を安定化させるために（しかしながら、その金属から、水素添加されるべき基質、特に、その不斉水素添加が今までは不可能でないにしても、周知のように困難であると判明している前記の基質（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）を配位するその能力を奪うことなく）、ジホスフィンを充分に電子豊富にさせることができる置換基を有する任意のキレート化ジホスフィンを、本発明の触媒中でリガンドとして使用することができる。また、一定の数のアルキル又はシクロアルキル型の置換基を有するジホスフィンは、それ自体、本発明の目的のために特に有用であることを示し、基質（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の水素添加のために極めて活性かつ有効である触媒を供給することも認められた。本発明の触媒を製造するための有利なリガンドは、その中の２個の燐原子が、置換されていてもよいアルキル、１，２−ベンゼニル、ビス（ナフタレニル）又は更に１，１’−フェロセニル型の基によって架橋されているジホスフィンリガンドであり、前記の燐原子は、更に同一又は異なっていてよい、アルキル、アリール又はアルキルアリール基又は更に脂環基から成っている、他の２個の置換基を有することが前記から明らかである。しかしながら、この際、本発明の触媒中で使用することができる全てのリガンドを徹底的に記載することは不可能であり、詳細には前記で引用されていない、又は前記の定義に含まれていない多くの他のキレート化ジホスフィンが、本発明の目的に有用であることがわかる。例は、有利な実施態様を説明するが、本発明の範囲はこれに限定されるとは解釈されるべきではなく、従って、当業者は、特別な努力をせずに、その一般的な知識を用いて、前記の目的を達成するためのリガンドを選択することができる。この趣意で、ここに記載した本発明により使用する場合に、同一の効果を達成することができる触媒を得ることができるようにさせる多くのリガンドを選択するインスピレーションを、当業者は、多くの先行文献、つまり、この明細書に引用された文献中に見いだすこともできる（即ち、基質（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）［（ＩＩ）については本質的にシス−立体選択性（９０％又はそれ以上）を有し、適用可能の場合、シス −エナンチオマーの１つで少なくとも６０％の過剰を与える］を水素添加する）。ＤｕＰＨＯＳ、ＢＩＮＡＰ、ＴｏｌＢＩＮＡＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ又はＪＯＳＩＰＨＯＳ型のジホスフィンリガンドを含有する本発明の触媒は、式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の基質の不斉水素添加のための触媒として特に有利である。後者の触媒のうち、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＪＯＳＩＰＨＯＳ又はＭｅ−ＤｕＰＨＯＳ型、及び有利には２つの後者の型のリガンドを含有する触媒は、それ自体、本発明により、特に有利な作用を有することを示し、従って有利である。（Ｒ，Ｒ）−（−）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ又は（−）−１，２−ビス（２，５−ジメチル−ホスホラノ）ベンゼン及び（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳ又は（Ｒ）- （Ｓ）−ＣＦ₃−ＪＯＳＩＰＨＯＳにより、本発明による選択した触媒を得ることができる。次に示すＬ１〜Ｌ１４型のリガンドは、市場で得られる化合物であるか、又は今迄に記載された方法に類似した方法で製造することができる。例えば、ＤｕＰＨＯＳ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ、ＢＩＮＡＰ、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ、ＤＩＰＡＭＰ及びＮＯＲＰＨＯＳ型のリガンドは、殆ど市販製品であり、いずれにせよ、これらは、文献、つまり、参照論文、例えば R.Noyori、Asymmetric Catalysisin Organic Synthesis、John Wiley&Sons、N.Y.(1994)、Chap.I.の著書、及びそのようなリガンドが最初に報告された、そこに引用された最初の参照文献に記載された方法により得ることができる。（Ｌ７）型のリガンドは、例えば米国特許（ＵＳ）第５１７１８９２号明細書に記載されたように製造することができる。（Ｌ８）及び（Ｌ’８）型のリガンドは、前記の引用参照文献に記載されたように製造することができ（即ち、A.Togni et al.、J.Amer.Chem.Soc.1994、116 、4062参照）、若干のそれは市場で得られる（例えば、Ｒ＝シクロヘキシル、Ｒ ’＝フェニル；発売元：STREMChemicals、Inc.）。（Ｌ９）、（Ｌ１０）又は（Ｌ１１）型のフェロセニルリガンドは、市場で得られない場合には、文献に報告された方法に類似した方法により（例えば、I.R. Butter et al.、Synth.React.Inorg.Met.Org.Chem.、1985、15、109;M.D.Rausch et al.、J.Oranometallic Chem.、1967、10、127;R.A.Brownetal.、Polyhedron 1992、20、2611;G.Herberich et al.、Chem.Ber.、1995、128、689参照）、フェロセンから出発して、次の反応式に従って製造することができる：（Ｌ１２）及び（Ｌ１３）リガンドは、全く一般的であり、多くは商品化されている。（Ｌ１３）型のうち、式中ｎ＝０の１種は、多様な公知方法により製造することができる（例えば、R.Appel et al.、Chem.Ber.、1975、108、1783及びそこに引用された参照文献；M.Baudler et al.、Chem.Ber.1972、105、3844;K.L ssleibet al.、Journal fuer Praktische Chemie、1969、311、4 63、参照）。本発明の触媒中で使用されるべき非−配位陰イオンは、多様な強酸から誘導することができ、例えばＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-及びＢ［３，５−（ＣＦ₃）₂Ｃ₆Ｈ₄］₄ ^-から成る群から選択される陰イオンを包含する。従って、この陰イオンがそれから誘導され得る好適な酸は、特に、式ＲＢＦ₄、ＲＰＦ₆、ＲＳｂＦ₆、ＲＡｓＦ₆及びＲＢ［３，５−（ＣＦ₃）₂Ｃ₆Ｈ₄］₄の酸を包含し、ここで、Ｒは水素又は（Ｃ₆Ｈ₅）₃Ｃ基を表わす。本発明の有利な１実施態様により、非−配位陰イオンは、式ＨＸの酸から誘導され、ここで、Ｘは陰イオンＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-又は更にＢ［３，５−（ＣＦ₃）₂Ｃ₆Ｈ₄］₄ ^-のうちから選択される。そのような酸は、典型的には、相応するエーテレート（etherates）の形で（例えば、ＨＢＦ₄．Ｒ₂Ｏ、Ｒ＝ＣＨ₃又はＣ₂Ｈ₅）、又は任意の他のオニウム型塩の形で（例えば、ホスホニウム）使用される。これらのエーテレートは商業的な製品であるか、又はそれらは相応する銀塩から、ＨＣｌとの反応によって製造することができる。後者の場合には、銀塩、例えばＡｇＢＦ₄、ＡｇＰＦ₆、ＡｇＳｂＦ₆又はＡｇＡｓＦ₆を、典型的には、ジアルキルエーテルを含有する溶剤、例えばジクロロメタン及びジエチルエーテルの混合物中で、ＨＣｌと反応させる。塩化銀は沈澱するので、酸のエーテレート溶液が得られ、その後に、これは、本発明により、ルテニウム錯体及びホスフィンリガンドとの反応に使用することができる。式中のＸが非−配位陰イオンを表わす、前記のＨＸ酸のうち、４弗化硼酸が有利であり、典型的には、ガラス又はプラスチックバイアル中で市場で入手可能であるような、そのエーテレートの形で使用される。必要な場合には、この製品は、酸の濃度がＲｕ錯体のモル量の約１モル当量であることを保証するために滴定される。本発明の触媒がそれによって得られる反応は、非−配位又は弱配位媒体中で、酸素不含の雰囲気下で起こる。ここで、“酸素不含の雰囲気”とは、その酸素濃度が２００ｐｐｍよりも低い、有利には５〜１０ｐｐｍである雰囲気を意味する。ここで、“非−配位又は弱配位媒体”とは、典型的には、非−配位又は弱配位溶剤を意味する。好適な溶剤の例には、それらがルテニウムを強力に配位するための能力を持たない限り、エステル、ケトン、脂肪族、非環状又は環状炭化水素、塩素化炭化水素及びエーテルが包含される。詳細な例には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、エチルピバレート、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロピルアセテート、アセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン及びメチル−ｔ−ブチルエーテルが包含される。有利な実施態様により、ジクロロメタン又はそれと他の非−配位又は弱配位溶剤、特に前記のものとの混合物を使用する。Ｒｕ触媒の製法において慣用の、強配位又はプロトン性溶剤の使用により、前記の式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）の基質の水素添加のために不活性又は不適当である種類のものが得られたことに注目すべきである。非−配位又は弱配位媒体は、前記したような溶剤と式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）の基質との混合物、又は正に本質的に前記基質（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）から成ってもよい。従って、本発明の実施態様によれば、非−配位又は弱配位溶剤及び／又は点線によって示された位置の１つに二重結合を有する、式：［式中、ａ）ｎ＝０及びＹは水素、直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基又はＯＲ¹基を表わし、ここでＲ¹は直鎖又は分枝鎖の低級アルキル基を表わすか、又はｂ）ｎ＝１、ＸはＣＨ₂基を表わし、ＹはＯＲ¹基を表わし、ここでＲ¹はａ）で示したものであるか、又はｃ）ｎ＝１、Ｘは酸素原子を表わし、Ｙは直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、又はＸはＮＲ⁵基を表わし、ここでＲ⁵は低級アルキル基を表わし、Ｙは直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、Ｒ²は、水素又は炭化水素から誘導される飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁ 〜Ｃ₈基を表わし、Ｒ³及びＲ⁴は、独立して、各々水素又は炭化水素から誘導される飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₈基を表わすか又は一緒になって、エチレン結合の炭素原子も含有する５又は６員環を形成する］の基質の存在下に得られる触媒が提供される。本発明の有利な基質は、式中の記号Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴の１個よりも少ないものが水素を表わす、式（ＩＩＩ）の化合物である。ここで、低級アルキル基とは、直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を意味する。本発明の触媒が基質の存在で得られる場合には、前記触媒の有利な実施態様には、式：［式中、Ｒ¹は直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基であり、Ｒ²は飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₈炭化水素基を表わす］の、又は点線によって示された位置の１つに二重結合を有する、式：［式中、ａ）ｎ＝０及びＹはＯＲ¹基を表わし、Ｒ¹は直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、又はｂ）ｎ＝１及びＹは直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、かつＲ²は、飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₈炭化水素基を表わし、かつＲ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、各々水素又はＣ₁〜Ｃ₄低級アルキル基を表わす］の化合物で形成される基質の存在が包含される。これに関して、特に有利な触媒は、反応媒体中に存在する基質が、式（ＩＶ）［式中、ｎ＝０及びＹはＯＲ¹基を表わし、Ｒ¹はメチル又はエチル基を表わし、Ｒ²はメチル基を表わし、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は同じ又は異なり、各々水素又はメチル基を表わす］の化合物である触媒である。より有利な基質は、メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン− １−アセテート及びメチル２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１− カルボキシレートであり、これらは、簡単に明らかになるように、有用な香料成分、特にHedione（登録商標）の有利な異性体を得ることを可能にさせる。前記のように、反応がその中で行われる媒体は、前記の基質の１種と非−配位又は弱配位溶剤との混合物であってもよく、その場合には、溶剤は既に前記した溶剤の中から有利に選択され、もっと有利には、溶剤としてジクロロメタンを含有する。前記の本発明の触媒は、世界知的所有権機構（ＷＯ）第９７／１８８９４号明細書に記載された触媒を改善するために開発された非常に活性な種類である。実際に、前記の文書に記載された触媒は、ここで企図されるのと同じ型のエチレン結合及び基質の水素添加に極めて好適であるが、今や意外にも、ここに特許請求した触媒を用いて、より短い反応時間でも、より少ない触媒量で、これらの基質の完全な変換を得ることができることが判明した。前記の本発明の触媒のうちで、メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートの不斉水素添加のために特に有効な種類は、そのＲｕ（ＩＩ）錯体が、［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］であり、陰イオンＢＦ₄ ^- が、ＨＢＦ₄．エーテレートから誘導され、ここで、（Ｒ，Ｒ）−（−）−Ｍｅ −ＤｕＰＨＯＳ又は（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳが、ジクロロメタンを含有する媒体中で使用された（双方の場合とも、前記の基質の存在で）触媒であった。更に、本発明は、ルテニウム触媒の製法を実現し、この方法は、等モル量で存在する好適なＲｕ（ＩＩ）錯体及びキレート化ジホスフィン及び非−配位陰イオンから成る酸を、酸素不含の雰囲気下で、かつ非−配位又は弱配位媒体中で反応させ、この際、非−配位陰イオンから成る酸を、Ｒｕ（ＩＩ）錯体の１モル当たり約１モル当量の量で使用することを特徴とする。この方法のパラメーター、即ち、Ｒｕ（ＩＩ）錯体、キレート化ジホスフィン、非−配位陰イオン及び反応媒体の特性は、詳細に前記されている。本発明によれば、触媒の製造は、室温で又はより低い温度で実施することができる。より高い温度を使用することもでき、基質の水素添加における触媒の特性及びその有効性に影響しないように選択することができる。しかしながら、やはり、室温の適用が実際の観点から有利であることがわかる。前記のように、触媒は、酸素不含の不活性雰囲気下で、典型的にはアルゴン又は窒素下で製造される。この方法の有利な実施態様は、触媒に関して、前記の有利なパラメーターの使用、即ち光学的活性ジホスフィン、有利な陰イオン等の使用に相応する。特に、非−配位又は弱配位媒体及び少量の基質、特に基質（ＩＩ）又は（ＩＶ）を含有する媒体中での触媒の製造は、本発明の方法のきわめて有利な実施態様であるとわかる。このように製造された本発明による触媒は、ジホスフィンリガンドを有するＲｕ（ＩＩ）錯体と陰イオンがそれから誘導される酸との反応の結果である生成物の溶剤及び基質中の溶液として得られる。これらの触媒溶液は、そのままで、基質、つまり化合物（ＩＩ）及び（ＩＶ）の不斉水素添加のために使用することができる。これらの触媒溶液は、酸素不含の雰囲気下で保存することができ、数日間活性のままである。従って、本発明による触媒溶液はこのようにして得られ、本発明の触媒中で種々の濃度、例えば約０．０４〜０．０７Ｍ（触媒０．０４〜０．０７ミリモル／触媒溶液ｍｌ）、より有利には約０．０５５Ｍの濃度を有し、これは、特に、基質（ＩＩ）又は（ＩＶ）の水素添加のために極めて有利であることがわかった。本発明の有利な前駆触媒は、式： [Ｒｕ(Ｐ^*−Ｐ^*)(Ｈ)(トリエン)]⁺Ｘ^- （Ｖ） [式中、Ｐ^*−Ｐ^*は、場合によりキラル性のキレート化ビス（ホスフィン）リガンドを表わし、Ｘは、非−配位陰イオンを表わし、“トリエン”は、シクロヘプタ−１，３，５−トリエン、シクロオクタ−１，３，５−トリエン又は同様の種類を表わす］のものである。これらの最も有利な化合物は、先駆物質ルテニウム（ＩＩ）錯体中に、少なくとも１個のＣＯＤ分子の存在を必要とする。この触媒の有利な１実施態様によれば、ジホスフィンは、（Ｒ，Ｒ）−（−）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ又は（Ｒ） −（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳであり、陰イオンはＢＦ₄ ^-である。この触媒の他の実施態様は、前記から明らかであり、ジホスフィンリガンド及び陰イオンは任意に変えられ、前記で定義された意味を有し、かつ本発明の触媒の特例に関して、詳細に前記されている。更に、式（Ｖ）の触媒の有利な実施態様の製造を詳細に記載する。本発明のルテニウム触媒は、一般に炭素−炭素二重結合の、より有利には高度に立体障害されたそれの、任意に不斉の水素添加のために有用である。先行文献のルテニウム触媒の場合とは異なり、特に式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）の基質の水素添加に関して本触媒の活性は卓越している。本触媒は、９５％以上の、最高の場合には約９８％又はそれ以上のシス−立体選択性で、基質（ＩＩ）及び（ＩＶ）に相応する飽和化合物の製造を可能にする。キラル性キレート化ビス（ホスフィン）が、本発明の触媒の構造中に存在する場合には、前記の基質の不斉水素添加により、少なくとも６０％ｅｅ．、多くの場合には８５％ｅｅでエナンチオマーが得られる。従って、本発明の有利な実施態様によれば、式（ＩＩ）及び（ＩＶ）の化合物の水素添加から得られる化合物の製法も提供される。従って、本発明は、本質的にシス−立体配置の異性体の形の、式：［式中、Ｒ¹は、直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、Ｒ²は、飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₈炭化水素基を表わす］の化合物の製法にも関し、この方法は、式：［式中、Ｒ¹及びＲ²は、前記のものである］の基質を、前記のようなＲｕ触媒の存在下に、大気圧と５００バール（５×１０⁷Ｐａ）との間の水素圧で、水素添加することを特徴とする。本発明のもう１つの目的は、本質的にシス−立体配置の異性体の形の、式：［式中、点線及び記号ｎ、Ｙ、Ｒ²、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、式（ＩＶ）中に定義したものである］の化合物の製法であり、この方法は、前記定義のような式（ＩＶ）の基質を、本発明によるルテニウム触媒の存在下に、大気圧と５００バールとの間の水素圧で水素添加することを特徴とする。これらの２つの方法の有利な実施態様は、例えば、本質的にシス−立体配置の光学的活性異性体の形の、式（ＩＩ）及び（ＶＩ）の化合物を得るために、好適なキラル性キレート化ジホスフィンを含有する触媒の使用に依る。技術的に慣用であるように、基質は純粋な状態で、かつ無酸素で使用するのが有利である。水素添加反応は、前記のように定義されている非−配位又は弱配位溶剤中で実施することができる。従って、詳細な例には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、エチルピバレート、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロピルアセテート、アセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン及びメチル−ｔ−ブチルエーテル及びそれらの混合物が包含される。ジクロロメタンを含有する溶剤の使用が有利である。選択的に、反応がその中で行なわれる水素添加媒体は、本質的に基質から成るか、又は基質中に高濃縮されていてよい。本発明の水素添加法の有利な１実施態様によれば、触媒は、基質の水素添加前に、その場で、又は少量の基質の存在下で製造される。前記引用の全てのラセミ性又はキラル性のリガンドは、本質的にシス−立体配置の形の式（Ｉ）又は（ＶＩ）の化合物を製造することを可能にする触媒を製造するために使用することができるが、光学的に活性のキレート化ジホスフィンは、記載の化合物（Ｉ）又は（ＶＩ）の所望の光学的に活性なシス形を提供する。勿論、ラセミ性リガンドは、相応するエナンチオマーを得るために、例えばキラル性カラムを用いて分離することができる。本発明による水素添加法の特に有利な１実施態様によれば、メチル３−オキソ −２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートを、有利なシス−及び（＋）−シス−立体配置異性体の形のHedione（登録商標）を得るために、基質として使用する。［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］前駆物質から出発し、ＤｕＰＨＯＳ型及び特にＭｅ−ＤｕＰＨＯＳ型のリガンドを有する本発明による触媒は、ジクロロメタンの溶剤中で実施される、この基質の水素添加のために特に有用であることが判明した。この基質の水素添加のための他の有利な１条件は、炭化水素、例えばヘキサン、ヘプタン又はそれらの飽和環状同族体、及びより有利にはメチルｔ−ブチルエーテルより成る水素添加媒体中で、リガンドとしての［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］及び（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳより成る触媒の使用を包含する。本発明の水素添加法のこの後者の有利な実施態様は、８０％又はそれ以上の過剰のエナンチオマーを有する（＋）−シス−Hedione（登録商標）を得ることを可能にする。更に他の有利な実施態様は、［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］及び（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＰＨＯＳの使用に依る。水素添加は、約大気圧〜５００バール（５×１０⁷Ｐａ）の圧力で実施することができる。２０バール、より有利には５０〜２００バール又はより高い圧力値であっても全く有利である。反応は５０〜６０℃までの温度、又は１００℃であっても行なわれ得る。有利に、室温で又はより低い温度であっても可能である。例えば、−１０℃まで下がった温度、又はより低い温度であっても、良好な結果を得ることができることが判明した。これらの触媒が典型的に使用され得るモル濃度は、基質に対して、４モル％まで増加することができるが、本発明の水素添加法の有利な実施態様は、約０．０１〜１％のモル濃度、より有利には０．０１〜０．５モル％で触媒を使用することより成る。卓越した結果は、系統的に、基質に対して、０．０２〜０．１％の濃度、より有利には０．０２５〜０．０５モル％で得ることができた。更に、基質がその中に濃縮される溶剤を使用することが有利であることも判明しており、最良の結果は、水素添加媒体中の基質の濃度が、この媒体の容量に対して、約０．４〜１．５モルである場合に得られた。反応混合物を水素添加するために、反応混合物を常法で、後記の例中で記載するように、水素下に加圧する。基質に対して、約０．０５モル％の濃度で使用される本発明の触媒を用いて、基質の完全な変換は、２４時間よりも少ない時間で、最良の場合には６時間で又はより少ない時間で得ることができた。ここで、本発明を次の実施例につき更に詳細に記載し、例中の温度は℃で示し、略字は文献中で慣用のものである。これらの実施例は、本発明の特別で最良の実施態様を説明しており、その多くの変形が前記から容易に解釈され得る。即ち、世界知的所有権機構（ＷＯ）第９７／１８８９４号明細書に教示され、この明細書の先の頁に同様に詳細に記載された製造パラメーターの様々な組合せから得られた触媒の多くの例において、Ｒｕ（ＩＩ）錯体１モル当たり、非−配位陰イオンから成る酸約１モル当量を使用することにより、強化された新規の触媒が提供される。従って、ここで、この世界知的所有権機構（ＷＯ）第９７／１８８９４号明細書の内容には、参照文献によりＲｕ（ＩＩ）錯体先駆物質、ジホスフィンリガンド、非−配位陰イオン及びそれらの前駆物質及び非−配位又は弱配位溶剤の特性を変えることによって得ることのできる多くの触媒の特例を与えることまで包含される。この明細書を通じて挙げられているリガンドの各エナンチオマー、例えば（Ｓ，Ｓ）−（＋）−ＭｅＤｕＰＨＯＳ又は（Ｓ）−（Ｒ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳの使用により、前記の化合物（Ｉ）及び（ＶＩ）の相応するエナンチオマーを得ることができることが認められる。後記の例中で、“グローブボックス(glovebox)”なる記載は、Ａｒ又は窒素下でのグローブボックスを意味し、その酸素濃度は１０ｐｐｍである。例１［Ｒｕ（Ｒ，Ｒ）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ）（Ｈ）（ＣＯＴ）］（ＢＦ₄）の製造グローブボックス中で、５０ｍｌ入りのフラスコ中に、［（ＣＯＤ）Ｄｕ（メタリル）₂］（発売元：Acros Organics)２６０．７ｍｇ（０．８１６ミリモル）及びメチルアセテート１０．８ｍｌを装入した。別の１０ｍｌ入りバイアルに、（Ｒ，Ｒ）−（−）−ＭｅＤｕＰＨＯＳ（発売元：STREM Chemicals）２５０ｍｇ（０．８１６ミリモル）、ＣＨ₂Ｃｌ₂５ｍｌ及び８１％ＨＢＦ₄．エーテレート１３７μｌ（ＨＢＦ₄０．８１６ミリモル）を装入した。次いで、この１０ｍｌ入りバイアルの内容物を、５０ｍｌ入りフラスコ中に含まれる撹拌混合物中に注入し、更に、この混合物を１２時間撹拌した。［Ｒｕ（Ｒ，Ｒ）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ）（Ｈ）（ＣＯＴ）］＋（ＢＦ₄）−から成る黄色沈殿を濾過によって集め（１８０ｍｇ、０．２９９ミリモル、収率：３７％）、これを分光分析法により広汎に分析した。この結晶性生成物の構造を分光分析によって明白に確立された。得られたデータは次のようであった（¹Ｈ及び¹³ＣＮＭＲは、トリメチルシランに対して確立した；ＣＩ＝化学的イオン化）¹ ＨＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ７．５８（ｍ，４Ｈ）；６．５７（ｔ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）；６３０（ｄｄ，Ｊ₁＝６．４Ｈｚ，Ｊ₂＝８．９Ｈｚ，１Ｈ）；５．６２（ｍ，２Ｈ）；５．３７（ｑ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）；５，２６（ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）；２．７１（ｍ，２Ｈ）；２．５５−２．１５（ｍ，５Ｈ）；１．３３（ｄｄ，Ｊ₁＝６．９Ｈｚ，Ｊ₂＝１７．２Ｈｚ，３Ｈ）；１．３０（ｍ，１Ｈ）；１．１３（ｄｄ，Ｊ₁＝６．９Ｈｚ，Ｊ₂＝１７．２Ｈｚ，３Ｈ）；０．９３（ｄｄ，Ｊ₁＝６．９Ｈｚ，Ｊ₂＝１７．２Ｈｚ，３Ｈ）；０．７０（ｄｄ，Ｊ₁＝６．９Ｈｚ，Ｊ₂＝１７．２Ｈｚ，３Ｈ）；−９９４（ｔ，Ｊ＝２９Ｈｚ，１Ｈ）。¹³ Ｃ（¹Ｈ）ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ１４１．２（ｍ，Ｃ）１４１．０（ｍ，Ｃ），１３２．０（ｄ，Ｊ_PC＝１４Ｈｚ，ＣＨ），１３１．５（ｄ，Ｊ_PC＝１４Ｈｚ，ＣＨ）１３１．３（ｓ，ＣＨ），１３１．０（ｓ，ＣＨ），１０２．３（ｓ，ＣＨ），１０１．２（ｓ，ＣＨ），９９．２（ｓ，ＣＨ），９６．２（ｓ，ＣＨ）９４．３（ｓ，ＣＨ），９４．３（ｓ，ＣＨ），４４．５（ｄ，Ｊ_PC＝３８Ｈｚ，ＣＨ），４４．４（ｄ，Ｊ_PC＝１４Ｈｚ，ＣＨ），４０．９（ｄ，Ｊ_PC＝３２Ｈｚ，ＣＨ），４０．１（ｄ，Ｊ_PC＝２４Ｈｚ，ＣＨ），３７．５（ｓ，ＣＨ₂），３７４（ｓ，ＣＨ₂），３６．４（ｓ，ＣＨ₂），３５．９（ｓ，ＣＨ₂），３４．８（ｓ，ＣＨ₂），３２．０（ｓ，ＣＨ₂ ），１８．３（ｓ，ＣＨ₃），１６．２（ｄ，Ｊ_PC＝６．０Ｈｚ，ＣＨ₃），１４．４（ｓ，ＣＨ₃），１２．６（ｓ，ＣＨ₃）；¹⁹ ＦＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ１０．５（Ｃ₆Ｆ₆に対して）；³¹ ＰＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ８７．５（ｄ，Ｊ_PP＝２０．０Ｈｚ），８４．９（ｄ，Ｊ_PP＝２０．０Ｈｚ）（８５％水性Ｈ₃ＰＯ₄に対して）；ＭＳ（Ｃｌ）５１５，３３９，２８７，２３１，２０９，１９３，１８０。また、この化合物の同定を、質量分析法、¹Ｈ、¹³Ｃ、¹⁹Ｆ、³¹ＰＮＭＲ分光分析法、ＤＥＰＴ及び¹Ｈ−¹Ｈ、¹Ｈ−¹³Ｃ相関によって確認した。質量分析により、５１５ｍ／ｅでのこの化合物の陽イオン部分に関する分子イオンが得られる。¹⁹ＦＮＭＲスペクトルは、１種類の存在を示すＢＦ₄ ^-部分に関する単一共鳴を示す。³¹ＰＮＭＲスペクトルは、非当量の燐原子を有する１個のＤｕＰＨＯＳリガンドを含有する１種類と一致する２本の二重線を示す。¹ＨＮＭＲスペクトルは、−９．９４ｐｐｍで２個の燐原子に結合したルテニウムへの水素化物結合の存在を明らかに示している。更に、シクロオクタトリエンリガンド上のＣＨプロトンに関する６つの共鳴がある（これも又、¹Ｈ−¹³Ｃ相関によって立証された）。¹³Ｃ（¹Ｈ）及びＤＥＰＴ実験もこの構造と一致する。このリガンドのアルケニル性を示す１０３及び９４ｐｐｍの間のシクロオクタトリエンリガンドに関する６つの共鳴がある。ＣＯＴリガンド上のメチレン基が選定され、それは３５．９及び３２．０である。更に、残りの全¹³Ｃ共鳴は、ルテニウムに付帯した単一のＤｕＰＨＯＳリガンドと一致する。最後に、前記の前駆触媒の構造をＸ線分析によって同様に確かめた。ＨＢＦ₄中の市販のＨＢＦ₄．エーテレートの濃度を、その使用前に、次の方法により慎重に監視することができた。グローブボックス中で、１０ｍｌ入りガラス製バイアルに、（Ｐｈ）₂ＰＣＨ₂ ＣＨ₂Ｐ（Ｐｈ₂）(発売元：STREM Chemicals)２０．０ｍｇ（０．０５０ミリモル）及びＣＨ₂Ｃｌ₂５００μｌを装入した。この溶液に、約０．１Ｍ溶液のＨＢＦ₄．エーテレート／ＣＨ₂Ｃｌ₂５００μｌを添加した。この溶液をＮＭＲ管中に置き、封鎖し、−７０℃でＮＭＲプローブ中に置いた。³¹ｐ−プロトン結合スペクトルを集め、積分した。遊離の（Ｐｈ）₂ＰＣＨ₂ＣＨ₂Ｐ（Ｐｈ₂）の積分と、プロトン化ジホスフィンの共鳴との比較によって、ＨＢＦ₄．エーテレート／ＣＨ₂Ｃｌ₂の滴定量に関する真の値を得た。出発ルテニウム錯体として、［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］を用いて、同様に、表題化合物が得られた。例２メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートの水素添加グローブボックス中で、１０ｍｌ入りガラス製バイアル中に、［（ＣＯＤ）Ｒｕ（メタリル）₂］１５．５ｍｇ（０．０４８５ミリモル）、（Ｒ，Ｒ）−Ｍｅ −ＤｕＰＨＯＳ）１４．９ｍｇ（０．０４８５ミリモル）及びメチル３−オキソ −２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテート２５０μｌ（１．０８ミリモル）を入れた。この懸濁液に、滴定したＣＨ₂Ｃｌ₂中のＨＢＦ₄．エーテレート（０．０４９ミリモル）の０．０８１Ｍ溶液０．６３０ｍｌを撹拌しながら加えた。この濃縮溶液を１．５時間撹拌し、その後にメチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテート２１．５ｇ（９５．９ミリモル）及びＣＨ₂Ｃｌ₂１１．５ｍｌを加えた。得られた黄色溶液を、７５ｍｌオートクレーブ中に置き、水素でフラッシングして水素圧９０バールに加圧した。８時間後に、溶液を空気に曝し、触媒を分離するために、シリカゲルカラムを通過させた。これにより、次の異性体比率を有する所望のHe dione（登録商標）生成物９９％を得た：シス／トランス＝９８／２；（＋）− シス／（−）−シス＝８２．４／１７．６、６４．８％ｅｅ。前記で製造したように、本発明の触媒は、反応媒体中に、メチル３−オキソ− ２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートに対して、０．０５モル％で存在した。同様の手順によるが、メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン −１−アセテートだけを添加すると、次の異性体比率を有する所望のHedione（登録商標）生成物９９％が得られた：シス／トランス＝９８／２；（＋）−シス／（−）−シス＝８３．４／１６．６、６６．８％ｅｅ。例３例１に記載した触媒を使用する、メチル３−オキソ−イー２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートの水素添加グローブボックス中で、１０ｍｌ入りガラス製バイアル中に、［（Ｒ，Ｒ）− Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ）Ｒｕ（Ｈ）（シクロオクタトリエン）］ＢＦ₄１５．０ｍｇ（０．０２５０ミリモル）、ＣＨ₂Ｃｌ₂５．６２ｍｌ及びメチル３−オキソ− ２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテート１１．２３ｇ（５０．０ミリモル）を入れた。得られた黄色溶液を、７５ｍｌ入りオートクレーブ中に置き、水素でフラッシングし、水素圧９０バールに加圧した。６時間後に、溶液を空気に曝し、触媒の分離のために、シリカゲルカラムを通過させた。これにより、次の異性体比率を有する所望のHedione（登録商標）生成物９９％が得られた：シス／トランス＝９８／２；（＋）−シス／（−）−シス＝８２．３／１７．７、６４．６％ｅｅ。前記の方法で、触媒７．５ｍｇ（０．０１２５ミリモル）を使用すると、３３時間の反応の後に、収率９８％で、前記と同様の特性を有する最終生成物が得られた。比較例１メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートの水素添加例２に記載した方法と同様に行うが、世界知的所有権機構（ＷＯ）第９７／１８８９４号明細書に記載された方法により、即ち、ジクロロメタン又はそれと他の溶剤との混合物（表を参照）中で、［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］及びジホスフィンリガンド等モル量、［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］１モル当たり２モル当量の量のＨＢＦ₄．エーテレートを使用して（後記の表を参照）製造した触媒の存在下に操作して、エチル３−オキソ −２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートを、後記の表に詳説したような様々な条件下で水素添加して、表に示したような様々な生成物の形のHedi one（登録商標）を得た。水素添加媒体中の基質のモル濃度は、希釈作用を避けるために、常に殆ど同一であった。この表から、世界知的所有権機構（ＷＯ）第９７／１８８９４号明細書に記載した方法で、（Ｒ，Ｒ）−ＭｅＤｕＰＨＯＳ）を含有する触媒を０．３％以下のモル濃度で使用する場合には、基質の完全な変換を得るために、はるかに長い反応時間が必要であるが、本発明の相応する触媒を用いる場合には、触媒を基質に対して０．０５モル％で使用する場合でさえも、変換は６時間で完了し得ることが明白である。比較例２メチル２，６，６−トリメチル−１−シクロヘキセン−１−カルボキシレートの水素添加世界知的所有権機構（ＷＯ）第９７／１８８９４号明細書及び比較例１に記載したように操作して、後記の表に示したような様々なリガンドを含有する触媒を使用して、前記の基質を、１００バール（１０⁷Ｐａ）に近い圧力及び室温で水素添加した。全試験において、［（ＣＯＤ）Ｒｕ（メタリル）₂］１モル当たり、ＨＢＦ₄．エーテレート２モル当量を使用し、こうして得た触媒を、基質に対して２モル％濃度で使用した。変換率及び得られたメチル（１Ｓ，２Ｓ）−２，２，６−トリメチル−１−シクロヘキセン−１−カルボキシレートの異性体特性を後記の第ＩＩ表に示す：例４メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートの水素添加ＣＨ₂Ｃｌ₂（５．０ｍｌ）中の［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］（３０．１ｍｇ）０．０９５ミリモル）の冷却溶液に、ＨＢＦ₄（１２．０μｌ）０．０８７ｍｍｌ）のジエチルエーテル溶液（５４％重量）を撹拌下で滴加した。次いで、ＣＨ₂Ｃｌ₂（５．０ｍｌ）中の（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳ（５６．４ｍｇ、０．０９５ミリモル）を加え、溶液を６時間撹拌し、次いで室温にまで温めた。次いで、メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテート（基質に対する触媒：０．０５％）をメチルｔ−ブチルエーテル中で加え（ｖ／ｖ＝１：１）、水素添加を通常の条件（９０バール）下で実施した。８．５時間後に、比率シス／トランス＝９９／１及び（＋）−シス／（−）シス＝８８／１２を有する所望の生成物が得られた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者コーエンラードピーエムヴァンヘッシェアメリカ合衆国 07920 ニュージャージーバスキングリッジアレクサンドリアウェイ 236 (72)発明者ヴァレンティンラウテンシュトラウホスイス国ＣＨ―1233 ベルネクスシュマンドソール 69

Claims

【特許請求の範囲】 1. 好適なＲｕ（ＩＩ）錯体、キレート化ジホスフィン及び非−配位陰イオンを有する酸の反応生成物からなる触媒において、前記のＲｕ（ＩＩ）錯体及びキレート化ジホスフィンは等モル量で存在し、反応は、非−配位又は弱配位媒体中で、酸素不含の雰囲気下で行なわれ、非−配位陰イオンを有する酸は、Ｒｕ（ＩＩ）錯体１モル当たり、約１モル当量の量で使用されているルテニウム触媒。 2. 本質的に前記の反応生成物を有する、請求項１に記載の触媒。 3. キレート化ジホスフィンは、キラル性ジホスフィンリガンドである、請求項１又は２に記載の触媒。 4. Ｒｕ（ＩＩ）錯体は、［（ジエン）Ｒｕ（アリル）₂］又は［ビス（ペンタジエニル）Ｒｕ］型のＲｕ（ＩＩ）化合物の群から選択されている、請求項３に記載の触媒。 5. ルテニウム錯体は、［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］又は［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］である、請求項３に記載の触媒。 6. キレート化ジホスフィンは、Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ、Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ、ＢＩＮＡＰ、ＴｏｌＢＩＮＡＰ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ及びＪＯＳＩＰＨＯＳの略称で公知のキラル性リガンドから成る群から選択されている、請求項２から５までのいずれか１項に記載の触媒。 7. ２座配位のホスフィンリガンドは、Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ、ＳＫＥＷＰＨＯＳ及びＪＯＳＩＰＨＯＳの略称で公知のキラル性ジホスフィンの群から選択されている、請求項６に記載の触媒。 8. リガンドは、（Ｒ，Ｒ）−（−）−ＭｅＤｕＰＨＯＳ、（Ｒ）−（Ｓ）− ＪＯＳＩＰＨＯＳ又は（Ｒ）−（Ｓ）−ＣＦ₃−ＪＯＳＩＰＨＯＳ、有利に（Ｒ，Ｒ）−（−）−ＭｅＤｕＰＨＯＳ又は（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳである、請求項７に記載の触媒。 9. 非−配位陰イオンは、式ＨＸ［式中、Ｘは、ＢＦ₄ ^-、Ｂ［３，５−（ＣＦ₃）₂Ｃ₆Ｈ₄］₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-及びＡｓＦ₆ ^-から成る群から選択されている］の酸から誘導されている、請求項１から８までのいずれか１項に記載の触媒。 10．非−配位陰イオンは、有利にＨＢＦ₄．エーテレートから誘導されたＢＦ₄ ^- である、請求項９に記載の触媒。 11．弱配位媒体は、ジクロロメタン、ジクロロエタン、エチルピバレート、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロピルアセテート、アセトン、２− ブタノン、３−ペンタノン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン及びメチルｔ−ブチルエーテル及びそれらの混合物から成る群から選択される溶剤である、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の触媒。 12．非−配位又は弱配位媒体は、非−配位又は弱配位有機溶剤及び／又は点線によって示される位置の１つに二重結合を有する、式：［式中、ａ）ｎ＝０及びＹは水素、直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基又はＯＲ¹を表わし、Ｒ¹は、直鎖又は分枝鎖の低級アルキル基を表わすか、又はｂ）ｎ＝１、ＸはＣＨ₂基を表わし、ＹはＯＲ¹基を表わし、ここで、Ｒ¹はａ）で示したものであるか、又はｃ）ｎ＝１、Ｘは酸素原子を表わし、Ｙは直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、又はＸはＮＲ⁵基を表わし、Ｒ⁵は低級アルキル基を表わし、かつＹは直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、かつＲ²は、水素又は炭化水素から誘導される飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁ 〜Ｃ₈基を表わし、Ｒ³及びＲ⁴は、独立して、各々水素又は炭化水素から誘導される飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁ 〜Ｃ₈基を表わすか、又は一緒になって、エチレン結合の炭素原子をも含有する５又は６−員環を形成する］の基質から構成されている、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の触媒。 13．適応可能な場合には、基質は、式：［式中、Ｒ¹は、直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、Ｒ²は、飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₈炭化水素基を表わす］の化合物である、請求項１２に記載の触媒。 14．適応可能な場合には、基質は、点線によって示される位置の１つに二重結合を有する、式：［式中、ａ）ｎ＝０及びＹはＯＲ¹を表わし、ここで、Ｒ¹は直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わすか、又はｂ）ｎ＝１、及びＹは直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、かつＲ²は、飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₈ 炭化水素基を表わし、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は各々水素又は低級アルキル基を表わす］の化合物である、請求項１２に記載の触媒。 15．基質は、メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートである、請求項１３に記載の触媒。 16．基質は、式（ＩＶ）［式中、ｎ＝０であり、ＹはＯＲ¹を表わし、ここで、Ｒ¹はメチル又はエチル基を表わし、Ｒ²はメチルであり、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸は同じ又は異なり、各々水素又はメチル基を表わす］の化合物である、請求項１４に記載の触媒。 17．溶剤は、ジクロロメタン、ジクロロエタン、エチルピバレート、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロピルアセテート、アセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン及びメチルｔ−ブチルエーテル及びそれらの混合物から成る群から選択されている、請求項１２から１６までのいずれか１項に記載の触媒。 18．溶剤はジクロロメタン及び少量の基質を含有する、請求項１７に記載の触媒。 19．非−配位又は弱配位媒体は、メチルアセテートから成る、請求項１１又は１２に記載の触媒。 20．Ｒｕ（ＩＩ）錯体は、［（ＣＯＤ）Ｒｕ（２−メタリル）₂］又は［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］であり、キレート化ジホスフィンは、（Ｒ，Ｒ）−（−）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳであり、酸は、ＨＢＦ₄．エーテレートであり、非−配位又は弱配位媒体は、ジクロロメタン及び／又はメチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン− １−アセテートから成る、請求項１３に記載の触媒。 21．Ｒｕ（ＩＩ）錯体は、［Ｒｕ（ＣＯＤ）（ＣＯＴ）］であり、キレート化ジホスフィンは、（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳであり、酸は、ＨＢＦ₄．エーテレートであり、非−配位又は弱配位媒体は、メチルｔ−ブチルエーテル及び／又はメチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートから成る、請求項１３に記載の触媒。 22．式： [Ｒｕ(Ｐ^*−Ｐ^*)(Ｈ)(トリエン)]⁺Ｘ^- （Ｖ） [式中、Ｐ^*−Ｐ^*は、キレート化キラル性ジホスフィンを表わし、Ｘは非−配位陰イオンを表わし、“トリエン”は、シクロヘプタ−１，３，５−トリエン又はシクロオクタ−１，３，５−トリエンを表わす］のルテニウム触媒。 23．ビス（ホスフィン）リガンドは、（Ｒ，Ｒ）−（−）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ又は（Ｒ）−（Ｓ）−ＪＯＳＩＰＨＯＳである、請求項２２に記載の触媒。 24．陰イオンは、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-又はＡｓＦ₆ ^-であり、有利にＢＦ₄ ^- である、請求項２２又は２３に記載の触媒。 25．等モル量で存在するＲｕ（ＩＩ）錯体及びキレート化ジホスフィン及び非 −配位陰イオンから成る酸を、酸素不含の雰囲気下で、かつ非−配位又は弱配位媒体中で反応させ、この際、非−配位陰イオンを、Ｒｕ（ＩＩ）錯体１モル当たり、約１モル当量の量で使用する、ルテニウム触媒の製法。 26．非−配位又は弱配位媒体は、請求項１３に記載した式（ＩＩ）の基質又は請求項１４に記載した式（ＩＶ）の基質から成る、請求項２５に記載の方法。 27．炭素−炭素二重結合の水素添加のための、請求項１から２４までのいずれか１項に記載のルテニウム触媒の使用。 28．請求項１２に定義された式（ＩＩＩ）の基質が水素添加されている、請求項２７に記載の使用。 29．本質的にシス−立体配置の異性体の形の、式：［式中、Ｒ¹は、直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を表わし、Ｒ²は、飽和又は不飽和の直鎖又は分枝鎖のＣ₁〜Ｃ₈炭化水素基を表わす］の化合物を製造するために、式：［式中、Ｒ¹及びＲ²は、前記のものである］の基質を、請求項１から２４までのいずれか１項に記載のＲｕ触媒の存在下に、大気圧と５００バールとの間の水素圧で水素添加することを特徴とする式Ｉの化合物を製造する方法。 30．本質的にシス−立体配置の異性体の形の、式：［式中、点線及び記号ｎ、Ｙ、Ｒ²、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は式（ＩＶ）に示したものである］の化合物を製造するために、請求項１４に定義された式（ＩＶ）の基質を、請求項１から３０までのいずれか１項に記載のルテニウム触媒の存在下に、大気圧と５００バールとの間の水素圧で水素添加することを特徴とする式VIの化合物を製造する方法。 31．本質的にシス−立体配置の立体異性体の形の、各々式（Ｉ）、（ＶＩ）の化合物を得るために、請求項１又は２に記載の触媒を使用する、請求項２９又は３０に記載の方法。 32．本質的に光学的活性の異性体の形の、各々式（Ｉ）、（ＶＩ）の化合物を得るために、請求項３に記載の触媒を使用する、請求項２９又は３０に記載の方法。 33．水素添加を、非−配位又は弱配位溶剤中で、反応条件下で実施する、請求項２９から３２までのいずれか１項に記載の方法。 34．ルテニウム触媒を、その場で、基質の存在又は不存在下で形成させる、請求項２９から３３までのいずれか１項に記載の方法。 35．水素添加を、ジクロロメタン、ジクロロエタン、エチルピバレート、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロピルアセテート、アセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン及びメチルｔ−ブチルエーテル及びそれらの混合物から成る群から選択される溶剤中で実施する、請求項３３又は３４に記載の方法。 36．溶剤はジクロロメタンであり、又はそれを含有し、請求項２０に定義した触媒を使用する、請求項３５に記載の方法。 37．請求項２１に記載の触媒を使用し、溶剤はヘプタン、シクロヘプタン又はメチルｔ−ブチルエーテルであるか又はそれらを含有する、請求項３５に記載の方法。 38．水素添加を、請求項２２から２４までのいずれか１項に記載の触媒を含有する媒体中で実施する、請求項２９から３５までのいずれか１項に記載の方法。 39．触媒を、基質に対して、０．０１〜１モル％、有利に０．０１〜０．５モル％、より有利には０．０２〜０．１モル％の濃度で使用する、請求項２９から３８までのいずれか１項に記載の方法。 40．水素添加を受ける基質は、メチル３−オキソ−２−ペンチル−１−シクロペンテン−１−アセテートである、請求項２９から３２までのいずれかｌ項に記載の方法。 41．水素添加を、請求項２２から２４までのいずれか１項に記載の触媒を含有する媒体中で実施する、請求項４０に記載の方法。 42．請求項４０又は４１に記載の方法から得られる生成物。 43．好適なＲｕ（ＩＩ）錯体、キレート化ジホスフィン及び非−配位陰イオンを含有する酸を接触させることによる方法で、前記のＲｕ（ＩＩ）錯体及びキレート化ジホスフィンが等モル量で存在し、接触は非−配位又は弱配位媒体中で、酸素不含の雰囲気下で行なわれ、この際、非−配位陰イオンを含有する酸を、Ｒｕ（ＩＩ）錯体１モル当たり、約１モル当量の量で使用する方法によって得られるルテニウム触媒。