JP2000511506A - プロセスストリームから不純物水素を分離し選択的に除去する方法 - Google Patents

プロセスストリームから不純物水素を分離し選択的に除去する方法

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Abstract

(57)【要約】 水素を含有する生成物及び副生成物プロセスストリームから水素不純物を分離しそして除去する方法が開示される。分離と除去は、ある種のCd置換ゼオライトrho組成物が水素を含有するプロセスストリームと接触した場合に起こる。この方法の実施によって、水素を吸蔵したゼオライトrho組成物が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】 プロセスストリームから不純物水素を分離し選択的に除去する方法 発明の分野 本発明は、一般的に、水素含有プロセスストリーム(process stream)から不 純物水素を分離しそして除去することに関し、更に詳細には、Cd置換した(Cd -exchanged)ゼオライトrho組成物を用いてそのようなプロセスストリームか ら水素を選択的に除去することに関する。 発明の背景 ゼオライトはその液体及び気体をトラップに入れる能力を利用する多くの分野 において吸着剤として広く使用されている。一つの可能性のある応用分野は、ゼ オライトのガス貯蔵物質の開発である。更に、ゼオライトは、混合ストリームか らのガスの選択的分離の可能性を提供する。 ゼオライトは、骨格構造を有する結晶性アルミノケイ酸塩である。その骨格構 造は、分子次元のチャンネル(channels)と籠(cages)を含有している。カチ オン及び小さい分子は、骨格構造の面上に又は空孔、籠とも呼ばれるが、の内部 に存在することができる。ゼオライトrhoは、八面体プリズムによって互いに 連結しているアルファーケージ(alpha-cages)[立方八面体(cubo-octahedra)] の3次元網目、又は別の表現をすれば、アルファーケージの体心立方構造、を有 する典型的な例である。ゼオライトの空孔の選択的なブロッキングは、ゼオライ トをサイズの異なったカチオンとイオン交換させることによって達成することが でき、これによってゼオライトの吸着(sorption)特性を変更することができる。 種々の金属置換ゼオライトにおいて水素ガスを吸蔵(encapsulate)し ようとするいくつかの試みがなされてきた。例えば、YoonとHeo(J.P hys.Chem.,Vol.96,4997−5000頁、1992)は、C s2.5−ゼオライトAにおける10〜120気圧(1.01〜13.1MPa) の範囲の圧力、100〜350℃の範囲の温度での吸蔵について研究し、H2吸 蔵(encapsulation)の最大量871μmol/gを達成した。Weitkamp et al.(Proc.9th Intl.Zeolite Conf.,M ontreal 1992,Eds.Ballmoos et al.,But terworth−Heinemann Pub.,vol.2,11−119 頁)は、ゼオライト−rhoを含む種々の金属置換ゼオライトを使用した。しか しながら、彼らが吸蔵することができたH2の最大量は、ゼオライトNaAを使 用して300℃で10.0MPaで15分後に410μmol/gであった。彼 らはまた、同じ条件下でゼオライトH−rhoを用いた場合には、22.3μm ol/gのH2を吸蔵できたのみであった。 Efstathiouら(J.of Catalysts,vol.135, 135−146頁,1992)は、Cs、Ni及びEu置換ゼオライトAにおけ る1気圧(0.1MPa)、37〜300℃でのH2吸蔵を研究した。彼らはN aAを用い300℃でH2吸蔵の最大量3.50μmol/gを達成した。 Takaishiら(米国特許第4,466,812号)は、セリウム及び2 価の金属でイオン交換したNaゼオライトAで構成される水素吸蔵ゼオライト物 質を開示している。H2吸蔵は、300℃以下で97気圧(9.8MPa)の圧 力で行われた。Cdは2価の金属の一つとし て一般的に開示されているけれども、Cdを含有する組成物についての特定の実 施例は提供されていない。 先行技術に比較してより多くの量の水素をより低い圧力で吸蔵する能力のある ゼオライト組成物が求められている。更に、該ゼオライトを用いて水素を含有す るプロセスストリーム(process stream)から水素を分離しそして選択的に除去 する方法もまた求められている。本発明の他の目的及び利点は、以下に述べる本 発明の詳細な説明を参照することにより当業者に明らかになるであろう。 発明の概要 本発明は、水素を含有するプロセスストリームを、式: CdwM1xM2yM3zSiaAlb96 (式中、 M1、M2及びM3は、それぞれ、Li、Zn、Rb、Sr,H、NH4、 Ca、K、Na、Mg、Ba及びCsから成る群から選ばれ、 wは、約1〜約6であり、 x、y及びzは、それぞれ0〜6であり、 aは36〜48であり、そして bは0〜12、但し、a+b=48である) を有するCd置換ゼオライトrho組成物と接触させることを含んで成る、水素 を含有するプロセスストリームから水素を分離しそして除去する方法を提供する 。 好ましくは、式においてwは約5又は約6である。典型的には、x、y又はz の中少なくとも一つは0より大きく、そしてSi:Alモル比 は約3:1〜約5:1である。 驚くべきことに、そのCd置換ゼオライトrho組成物は、プロセスストリーム から水素を、1気圧のような低い圧力においてさえも、比較的大量(即ち、少な くとも150μmol水素/g)に分離し除去することができる。水素を含有す るプロセスストリームが、水素不純物を、約0.0001〜約15重量%含有し ていることが好ましい。そのようなストリームはまた、水素の他に、例えばHC l、HF、HBr、HI、Cl2、N2、CO、CO2、Ne、Ar、Kr、Xe 、He、NH3、CH4、空気及び水のような他のガスを含んでいてもよい。上に 定義したCd置換ゼオライトrho組成物の使用によって、他のガスが共存する 場合にも水素の選択的回収が可能である。 本明細書において使用される「水素」は、元素の水素(例えばガス状H2)及 び例えば重水素及びトリチウムを含むその同位元素を意味する。 好ましい態様についての詳細な説明 ゼオライトは、ゼオライトのマトリックス内部をかなり自由に移動することが できるイオン及び水分子によって占有されている空洞を囲む3次元の骨格構造を 特徴とする複合アルミノケイ酸塩として総称的に記述することができる。工業的 に有用なゼオライトにおいては、水分子は、ゼオライトの幾何学的条件を変更す ることなく、骨格構造から取り除くか又はその内部で置き換えることができる。 ゼオライトは、式:M2/nO−Al23・xSiO2・yH2O(式中、Mは原 子価nのカチオンであり、x≧2であり、そしてyは、ゼオライトの多孔度と水 和状態によって決まる数であり、一般的に2〜8である)によって一般的に表す ことができる。天然産のゼオライトでは、Mは、 原則的に、それらの大凡の地球化学的存在量を反映した比率でのNa、Ca、K 、Mg及びBaによって表される。カチオンMは構造体に緩やかに結合していて 、屡々、通常のイオン交換によって他のカチオンと全面的に又は部分的に置き換 えることができる。 ゼオライトの内部へのアクセスを制御している寸法は、空孔の開口部を形成し てぃる四面体によってだけでなく、空孔の中又はその近くにイオンが存在するか 存在しないかによっても決定される。例えば、ゼオライトAの場合には、8−リ ング開口部(8-ring opening)及び6−リング開口部の中又はその近くに位置す るNa+又はK+のような1価のイオンがアクセスを制限することができる。6− リング開口部の中又はその近くにのみ位置するCa2+のような2価のイオンがア クセスを増大させる。かくして、KA及びNaAは、それぞれ約0.3nm及び 0.4nmの有効空孔開口部を有しており。これに対して、CaAは約0.5n mの有効空孔開口部を有している。 本発明の方法において用いられるゼオライト種であるゼオライトrhoは、小 さい空孔を持つ合成ゼオライトである。ゼオライトrhoを表す式の1例は、ゼ オライトrhoはこれに限定されるものではないが、 (Na,Cs)12Al12Si3696・44H2O である。このゼオライトrhoの構造と合成は、 Robson ら“Synthesis and Crystal Struc ture of Zeolite Rho−−A new Zeolite R elated to Linde Type A”,Advances in Chemistry Series 121(American Chemic al Society 1973)、 及びRobson米国特許第3,904,738号に記載されている。ゼオライ トrhoの結晶構造はまた、例えば、米国特許第4,806,689号にも特徴 が記載されている。これら両方の文献の開示内容は、引用することによって本明 細書に組み込まれる。 rhoゼオライトに存在するNa+及びCs+を種々の技術を用いて他のカチオ ン種と交換することができる。そのゼオライト中に存在し得るカチオン種の数は 、そのカチオン種の原子価に依存する。カチオンの全陽電荷は、存在するAlO2 - 単位の全陰電荷に等しくなければならない、言い換えれば、金属カチオンは、 存在する静電荷をバランスさせるような化学量論的な量で存在しなければならな い。 出願人らは、上記のCd置換ゼオライトrho組成物が、水素含有プロセスス トリーム(例えば、化学及び核工場において)からの水素の分離と選択的な除去 に使用できることを見出した。この使用は、水素を他のガスとの混合物から分離 し選択的に除去するための安価な方法、それは当技術分野において求められてい ることである、をもたらすであろう。 そのいくつかの有利な利用分野を具体的に示すのを助けるために、上記した分 離除去方法を用いられ得る工業的なプロセスの数例を以下に詳細に示す。典型的 には、除去は、水素を約0.0001〜約15重量%の濃度、この範囲は限界的 なものではないが、で含有するプロセス上の及び廃棄ラインのガス状のストリー ムから行われる。そのようなストリームは、水素以外に、例えば、HCl、HF 、HI、HBr、Cl2、N2、CO、CO2、Ne、Ar、Kr、Xe、He、 NH3、CH4、空気及び水のような他のガスを含み得ることが予想される。 ハロゲン化炭素の水素化脱塩素は、プロセス中で消費されたH2のモ ル当たり1モルのHClを生成する。H2は通常過剰に使用されるので、かなり の量のH2を含有するHClの副生成物ストリームが生成する可能性がある。こ の反応の例は、CFC−114aのようなハロゲン化炭素及びCFC−12/H CFC−22のようなハロゲン化炭素混合物の水素の存在下での熱水素化脱塩素 であり、この反応はそれぞれHFC−134a及びHFC−32のような高価値 製品を生成する。そのような熱水素化脱塩素プロセスの詳細は、例えば、米国特 許第5,208,397号、第5,300,713号、第5,364,992号 、第5,430,204号及び第5,446,219号に記載されている。 そのプロセスの副生成物は、H2を3000ppm(重量%)もの量で主要な 不純物として含有している無水のHCl(AHCl)である。AHClストリー ム中にH2が存在すると、オキシ塩素化のような他のプロセスにAHClを反応 原料として直接使用することが困難になる。AHClの価値が低下し、AHCl は、通常は水に接触/吸収させ、HCl水溶液に転化することによって処理しな ければならなぃ。HCl水溶液は、最終的に石灰又は苛性ソーダで中和しそれぞ れCaCl2又はNaClとして処理される。 副生成物のAHClは、塩化ビニルモノマー(VCM)、トルエンジイソシア ナート(TDI)のような塩素化された化合物の加工処理又は製造が係わる数多 くの他の製造プロセスから発生する。数ヶ所のTDI工場がHCl水溶液をCl2 とH2に転化するためのBayer−Hoechst−Uhde電気分解プロセ スを世界中で実施している。AHClは電気分解のために製造され、最初に水に 吸収されて希塩酸になる。この吸収プロセスは、それがN2、CO2等の不活性気 体がプロセスから 除去されるのを可能にするので、2重の目的を果たす。吸収系からの酸生成物は 電解槽に供給されそこでHClの一部が、反応: 2HClーーーーー→H2+Cl2 に従って酸ストリームから除去される。 電解槽に存在する希薄な酸は再濃縮のために吸着系に再循環される。 製品のガス、H2及びCl2は別々のストリームとして電解槽に存在し、洗浄系 に送られる。Cl2の処理(乾燥ガスのための)後の製品品質は、”Chlor ine and Hydrogen from Hydrochloric a cid by Electrolysis”(B&K XV 1000,1/8 7)”というHoechst−Uhdeのパンフレットに記載されているように 、約99.5容量%であり、約5000ppm(容量%)のH2不純物を含んで いる。 貴ガス、即ち、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、クリプトン(Kr)、 ネオン(Ne)、及びキセノン(Xe)は、不活性であり、水素が関与するプラ ズマ化学プロセスにおいてプラズマ発生ガス又はイオン化ガス及び/又はクェン チガスとして標準的に使用される。アルゴンが、入手が容易であり他の貴ガスに 比較してより安価であるために、最も広く使用される貴ガスである。プラズマ化 学プロセスにおいて、Arは回収され循環される。それは通常H2不純物を数千 ppm(重量%)の量で含有している。一例が米国特許第5,211,923号 :プラズマガスとしてArを用いる硫化水素廃棄物からの水素と硫黄の回収に記 載されている。Ar、H2、Sその他を含んでいる反応ガスは、約150〜45 0℃の範囲の温度、約0.5〜2.0気圧の範囲の圧力でプラズマ反応器を出る 。 シアン化水素(HCN)は、典型的には、Andrussow法及びDegu ssa法の2方法によって商業的に製造される。2方法の間の主要な違いは、A ndrussow法が空気の存在下で行われるのに対し、Degussa法が空 気の非存在下で行われることである。 Andrussow法によるHCNの合成は、次の総括反応によって記述する ことができる。 CH4+NH3+3/2O2→HCN+3H2O アンモニアとメタンの間の化学量論的な反応は、HCNとH2Oだけを生成す るけれども、多くの副反応によって、窒素、水素、一酸化炭素及び二酸化炭素等 の望ましくない副生成物が生成する。Andrussow法によって製造される 出口ガスの典型的な組成は、重量%で以下: HCN 7.6% CH4 0.3% NH3 0.6% CO 3.9% CO2 0.3% H2O 23.5% H2 13.3% N2 50.0% の特徴を持っている。 *Degussa法におけるHCNの製造のための主反応は、 CH4+NH3→HCN+3H2 である。主反応に加えて、アンモニアの部分的な分解もまた、次式: NH3→1/2N2+3/2H2 に従って起こる。アンモニアとメタンは、1:1モル比で、短い滞留時間で供給 される。メタンとアンモニアの転化率は、HCNの選択性が90モル%で、99 モル%より大きい。Deggusa法は空気の非存在下で行われるので、望まし くない廃棄物ガスの数はAndrussow法の場合より少ない。Deguss a法によって製造される出口ガスの典型的な組成は、重量%で以下: NH3 1.3% CO4 3.6% HCN 22.0% H2 71.2% N2 1.9% の特徴を持っている。 これらの、そしてその他のガス状のプロセスストリームにおいて、水素を含有 するプロセスストリームにおいて水素を他のガスから分離して選択的に除去する ために使用することができる一つの一般的な手順は、そのガスに、上述したCd 置換ゼオライトrho組成物の床の上を又はその床の中を、その組成物上での又 はその内部への水素の吸蔵を可能にし一方存在する他のガスの吸蔵を極小化する ような温度で、通過させることであろう。この温度は、一般的には少なくとも約 50℃でしかし500℃未満であり、好ましくは約100℃と約300℃の間で ある。しかしながら、室温(約20℃)を、対応する高い圧力と組み合わせて用 いることができることが期待されるし、そのことが理解さるべきである。 水素は、その後、Cd置換ゼオライトrho組成物をより高い温度に加熱する か、圧力を減少させることにより、組成物から脱離させること ができる。一般的には、この温度は、とりわけ吸蔵の温度に依存するけれども、 約100℃より高い温度である。 上記したように、水素の吸蔵が、先行技術において必要である高い圧力にする ことなく行うことができる。約900気圧から1気圧までに至る圧力が、吸蔵の ために都合よく使用することができる。次の段階で行われる、本発明に係わる組 成物からの調節された脱離は、基本的にシンプルであり、金属水素化物を用いた 場合のような高温を必要としない脱離工程によて行われる。上記したように、こ れは、水素を吸蔵したゼオライトrho組成物を少しより高い温度に加熱するこ と及び/又は圧力を低減することによって達成することができる。 ゼオライトrhoの表面への、又はゼオライトrhoの空孔(pore)、それはま たケージ(cage)又はチャンネル(channel)とも呼ばれるが、の中への、水素によ る浸透(penetration)、水素の包含(containment)又は水素の捕捉(entrapment)を 定義するために用いられる種々の用語を、吸蔵工程を記述するために使用するこ とができる。かくして、本明細書で用いられる「吸蔵(encapusulation)」又は「 吸蔵された(encapusulated)」という用語は、捕捉(entrapment)、オクルージョ ン(occlusion)、インビベイション(imbibation)、インターカレーション(interc alation)、パーソープション(persorption)、ソープション(sorption)、吸着(ad sorption)及び吸収(absorption)を包含する意味で、但しこれに限定はされない が、用いられる。 上に定義されたCd置換ゼオライトrho組成物の、可能性のある用途の一例 は、再生し得る可能性のある燃料源である水素の貯蔵である。水素が車のエンジ ンその他の動力発生装置において燃料として有効に用 いられるためには、大量の水素ガスを貯蔵しそしてそれを一様な速度で容易に放 出することができる、安全で便利な貯蔵方法が開発される必要がある。上述した 組成物は、水素と接触させて置いた場合に、正にそのような貯蔵用途に非常に有 用なものとなる可能性がある。実施例 以下の吸蔵実施例全てにおいて、空容積が1.5mlのステンレススチール製 のミクロ反応器中で実験を行った。使用される、発明に係わるCd置換ゼオライ トrho粉末組成物を、直径約1mmのペレットに成形した。約30mgのペレ ットを、ゼオライト床のアスペクト比(軸長/直径)を最小にするように適切に 広げた。高純度水素を、所望の温度で所望の時間反応器に供給した。反応器の出 口ストリームを、圧力が入口ポンプと入口バルブによって注意深く維持されてい る質量分析計(NUCLIDE12−90−G)の入口に導入した。シグナル( この場合には水素)を電子増倍管によって測定し、データ収集システムによって 記録した。 別に示さなければ、下記の%はすべて重量%である。 実施例 1 Na/Cd/Cs−Rhoゼオライトの製造(w 5) 出発物質のNa/Cs−ゼオライトrhoを、米国特許第3,904,734 号に記載の手順を用いて製造した。E.I.du Pont de Nemou rs and Company,Wilminton,DEから市販されている Ludox LS−30 252mLを、4M NaAlO2OH70ml、N aOH11.2g及び50%CsOH19.6mLを含有する溶液に添加した。 混合物を外見上均一になるま で振とうし室温で5日間放置した。次いで混合物を100℃に7日間加熱した。 混合物を濾過し洗浄し乾燥した。得られた物質の分析値は、Na6.7Cs3.0Si36.3 Al11.796であった。全ての実施例において酸素含量の分析は行わず、O96 と仮定した。X線回折図形は、その物質がゼオライトrhoであることを示し た。 次いで、このゼオライトを、90℃で1時間、10%NaNO3溶液で6回イ オン交換した。得られた溶液を更に6回10%Cd(NO32溶液で90℃で1 時間イオン交換した。交換の間の固体と液体の分離は、遠心分離によって行った 。このようなイオン交換によって製造されたゼオライトrhoの最終的な形は、 誘導結合プラズマ分析(ICP)で定量して、式Na0.02Cs1.87Cd5.05Si36 Al1296であった。 水素の吸蔵前に、ゼオライトrho枠組みからの水分の完全な除去を確実にす るために試料を前処理した。真空ライン上で試料のガスを抜きそして同時に50 ℃づつ段階的に加熱した。各段階へ変更する毎に圧力を注意深く監視した。圧力 が最も低い可能な値で安定するまでは、温度の次の変更を行わなかった。この手 順を、最終温度400℃に到達するまで繰り返した。次いで、この温度で約3日 間0.005ミリトール(6.7x10-6Pa)の圧力で試料のガス抜きを行っ た後、不活性条件下で試料をミクロ反応器に移した。 実施例 2 Cd置換ゼオライトrhoへの水素の吸蔵 実施例1からの、前処理したCd置換ゼオライトrhoを、オンラインでアルゴ ン中で400℃に、水のシグナルが質量分析計(NUCLIDE12−90−G )において最小値に到達するまで、加熱した。シグ ナルが最小になったことを確認するために、不活性アルゴンガスをバイパスを通 して供給しそして水のシグナルを測定して反応器から来るストリームと比較した 。 高純度水素ストリームを、ゼオライト床上を通過させた。水素ガスを、50℃ 、100℃、125℃、150℃及び200℃で、1、2、4又は6時間にわた って吸蔵させた。ゼオライトrhoを、水素ストリームを流したままで室温まで 急速に冷却した。次いで室温でガスストリームをアルゴンに切り替え、弱く保持 された水素を除去するために15分間フラッシュした。アルゴンと水素の流速は それぞれ30cc/分であった。 次いでゼオライト試料を30℃から約400℃及び550℃まで、10℃/分 及び25℃/分の加熱速度を用いて加熱した。電子増倍管によって測定した電圧 を、0.5%H2/Ar混合物で検量線を作成して、濃度に変換した。曲線の下 側の範囲を積分して、ゼオライトrhoによって吸蔵されそして脱着したH2の 合計量を得た。結果を下の表1に示す。 表1は、時間の増加が拡散の可能性を増加させること及び水素吸収を増大させ ることを示している。温度を高めることもまた水素吸収を増加させた。 実施例 3 Na/Cs/Cd−Rhoゼオライトの製造(w 6) 出発物質のNa/Cs−ゼオライトrhoを、実施例1に記載の手順を用いて 、但し、Na/Cs−ゼオライトrho16.6gを、10%NH4NO3溶液(1 6.6gNH4NO3/166mL H2O)と8回、1回につき90℃で1時間 、接触させて、製造した。得られたNH4−rhoゼオライト10gをNaNO3 溶液(10gNaNO3/100mL H2O)と8回、1回につき90℃で1時 間、接触させた。次いで、得られたNa−ゼオライトrho約10gをCd(N O32溶液(10gCd(NO32/100mL H2O)と8回接触させた。 得られたCd置換ゼオライトrho組成物は、IPCによって分析して、Na00 2 CS0.06Cd5.73Si36.46Al11.5496であった。 水素の吸蔵前に、ゼオライトrho枠組みからの水分の完全な除去を確実にす るために、試料を実施例1と同様に前処理した。 実施例 4 Cd置換ゼオライトrhoへの水素の吸蔵 実施例1で製造した前処理を受けたCd置換ゼオライトrhoを、ガスクロマ トグラフ用カラムに充填し、Heの流れの中で400℃で一晩加熱した。高純度 水素ストリームを、ゼオライト床上を通過させた。水素ガスを、200℃で1又 は2時間にわたって、実施例2と同様に、但し表2に示すようにより特定して、 吸蔵させた。 実施例 5 水素除去の模擬実験 実施例3の方法を用いて製造したCd置換ゼオライトrho(Na002CS0.0 6 Cd5.73Si36.46Al11.5496)をガスクロマトグラフ用カラムに充填し、 Heの流れの中で400℃で一晩加熱した。H2、HCl、N2、CH4及び空気 の高純度の試料を別々にヘリウムキャリアストリームを用いて30℃と300℃ の間の温度でHP5990ガスクロマトグラフ(GC)に注入した。カラム温度に伴 うピーク強度の変化が表3〜5に示してある。H2のピーク強度の減少は、H2の 吸蔵がHCl、N2又はCH4に対して選択的に起こっていることを示している。 表3〜5は、Cd置換ゼオライトrho組成物の、プロセスストリームから水 素を選択的に除去する潜在的な能力を示している。 前述の記載においては、本発明の特定の態様を記述してきたが、当業者は、発 明が、種々の変形や置き換えや配置変更を、発明の精神又はその本質的な特性か ら離れることなく受け入れることができることを、理解するであろう。発明の範 囲を示すものとしては、前述の明細書ではなく、添付した「請求の範囲」が参照 されるべきである。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成10年6月8日(1998.6.8) 【補正内容】 (式中、M1、M2及びM3は、それぞれ、Li、Zn、Rb、Sr、H、 NH4、Ca、K、Na、Mg、Ba及びCsから成る群から選ばれ、 wは、約1〜約6であり、 x、y及びzは、それぞれ0〜6であり、 aは、36〜48であり、そして bは、0を超え12迄であり、但し、a+b=48である) を有するCd置換ゼオライトrho組成物と接触させることを含んで成る、水素 を含有するプロセスストリームから水素を分離しそして除去する方法を提供する 。 好ましくは、式においてwは約5又は約6である。典型的には、x、y又はz の中一つは0より大きく、そしてSi:Alモル比は約3:1〜約5:1である 。 驚くべきことに、そのCd置換ゼオライトrho組成物は、プロセスストリー ムから水素を、1気圧のような低い圧力においてさえも、比較的大量(即ち、少 なくとも150μmol水素/g)に分離し除去することができる。水素を含有 するプロセスストリームが、水素不純物を、約0.0001〜約15重量%含有 していることが好ましい。そのようなストリームはまた、水素の他に、例えばH Cl、HF、HBr、HI、Cl2、N2、CO、CO2、Ne、Ar、Kr、X e、He、NH3、CH4、空気及び水のような他のガスを含んでいてもよい。上 に定義したCd置換ゼオライトrho組成物の使用によって、他のガスが共存す る場合にも水素の選択的回収が可能である。 本明細書において使用される「水素」は、元素の水素(例えばガス状 H2)及び例えば重水素及びトリチウムを含むその同位元素を意味する。 好ましい態様についての詳細な説明 ゼオライトは、ゼオライトのマトリックス内部をかなり自由に移動することが できるイオン及び水分子によって占有されている空洞を囲む3次元の骨格構造を 特徴とする複合アルミノケイ酸塩として総称的に記述することができる。工業的 に有用なゼオライトにおいては、水分子は、ゼオライトの幾何学的条件を変更す ることなく、骨格構造から取り除くか又はその内部で置き換えることができる。 ゼオライトは、式:M2/nO−Al23・xSiO2・yH2O(式中、Mは 請求の範囲 1. 水素を含有するプロセスストリームを、式: CdwM1xM2yM3zSiaAlb96 (式中、 M1、M2及びM3は、それぞれ、Li、Zn、Rb、Sr,H、Mg、B a、NH4、CA、K、Na及びCsから成る群から選ばれ、 wは、約1〜約6であり、 x、y及びzは、それぞれ0〜6であり、 aは36〜48であり、そして bは、0を超え12迄であり、但し、a+b=48である) を有するCd置換ゼオライトrho組成物と接触させることを含んで成る、水素 を含有するプロセスストリームから水素を分離しそして除去する方法。 2. wが約5又は約6である請求項1に記載の方法。 3. x、y又はzの中少なくとも1種がゼロより大きい請求項1に記載の方法 。 4. M1がCsであり、xが約2でありそしてwが約5である請求項1に記載 の方法。 5. wが約6であり、x、y及びzが全てゼロである請求項1に記載の方法。 6. Si:Alモル比が約3:1〜約5:1である請求項1に記載の方法。 7. 接触が、約1気圧と約900気圧の間の圧力と約50℃と約50 0℃の間の温度において起こる請求項1に記載の方法。 8. 接触が、約1気圧、約100〜300℃において起こる請求項7に記載の 方法。 9. プロセスストリームが、水素を、約0.0001〜約15重量%の濃度で 含有する請求項1に記載の方法。 10. 水素を含有するプロセスストリームが、また、HCl、HF、HBr、 HI、Cl2、N2、CO、CO2、Ne、Ar、Kr、Xe、He、NH3、CH4 、空気及び水から成る群から選ばれる少なくとも1種のガス状の成員をも含有 する請求項1に記載の方法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 水素を含有するプロセスストリームを、式: CdwM1xM2yM3zSiaAlb96 (式中、 M1、M2及びM3は、それぞれ、Li、Zn、Rb、Sr,H、Mg、B a、NH4、Ca、K、Na及びCsから成る群から選ばれ、 wは、約1〜約6であり、 x、y及びzは、それぞれ0〜6であり、 aは36〜48であり、そして bは0〜12、但し、a+b=48である) を有するCd置換ゼオライトrho組成物と接触させることを含んで成る、水素 を含有するプロセスストリームから水素を分離しそして除去する方法。 2. wが約5又は約6である請求項1に記載の方法。 3. x、y又はzの中少なくとも1種がゼロより大きい請求項1に記載の方法 。 4. M1がCsであり、xが約2でありそしてwが約5である請求項1に記載 の方法。 5. wが約6であり、x、y及びzが全てゼロである請求項1に記載の方法。 6. Si:Alモル比が約3:1〜約5:1である請求項1に記載の方法。 7. 接触が、約1気圧と約900気圧の間の圧力と約50℃と約50 0℃の間の温度において起こる請求項1に記載の方法。 8. 接触が、約1気圧、約100〜300℃において起こる請求項7に記載の 方法。 9. プロセスストリームが、水素を、約0.0001〜約15重量%の濃度で 含有する請求項1に記載の方法。 10. 水素を含有するプロセスストリームが、また、HCl、HF、HBr、 HI、Cl2、N2、CO、CO2、Ne、Ar、Kr、Xe、He、NH3、CH4 、空気及び水から成る群から選ばれる少なくとも1種のガス状の成員をも含有 する請求項1に記載の方法。 11. 水素を含有するプロセスストリームがハロゲン化炭素の水素化脱塩素か らもたらされる請求項1に記載の方法。 12. 水素を含有するプロセスストリームが塩素化された化合物の加工処理又 は製造からもたらされる請求項1に記載の方法。 13. 水素を含有するプロセスストリームが水素が関与するプラズマ化学プロ セスからもたらされる請求項1に記載の方法。 14. 水素を含有するプロセスストリームがHCNの製造からもたらされる請 求項1に記載の方法。
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