JP2000503927A - インクジェットヘッドの保護 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 claims 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000984200 Homo sapiens Leukocyte immunoglobulin-like receptor subfamily A member 3 Proteins 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 102100025556 Leukocyte immunoglobulin-like receptor subfamily A member 3 Human genes 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000009089 cytolysis Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011263 electroactive material Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 235000011962 puddings Nutrition 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/1609—Production of print heads with piezoelectric elements of finger type, chamber walls consisting integrally of piezoelectric material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1632—Manufacturing processes machining
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1635—Manufacturing processes dividing the wafer into individual chips
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1643—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14379—Edge shooter
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】
不動態皮膜を化学的蒸着することにより流路のあるインクジェットプリントヘッド構成部材(100)の流路壁(210、220)を選択的に不動態化するのに際し、該構成部材を、その選択された領域をマスクするためのマスク手段(170)をもつ支持体(130)に、該構成部材内にある基準位置(175)と位置合わせで取り付け、そして流路壁のマスクされていない部分に不動態皮膜を被着させることを特徴とするインクジェットプリントヘッド構成部材の流路壁の選択保護方法。
Description
【発明の詳細な説明】
インクジェットヘッドの保護
技術分野
本発明は、不動態皮膜の化学的蒸着による流路のあるインクジェットプリント
ヘッド構成部材の流路壁の選択的不動態化(passivation)に関し、
そして他の態様では、構成部材の表面を真空処理する方法に一般に関する。
背景技術
真空における化学的蒸着による不動態層(例えば窒化珪素)の蒸着によって表
面を保護することは、例えばJ.Applied Physics 66、No
.6、2475−2480ページによって、当業者に周知である。その技術は、
半導体装置の製造に広く使用され、それが必要とされる領域への皮膜の制限は、
写真平板のマスキングの使用により達成される。図1(a)に示されるように、
マスキング材料1の層は、基材2の上の選択された位置に残り、以前の段階で紫
外線照射に曝されていなかった領域(3により示される)の溶解を伴う。全基材
は、次に4と指示される不動態皮膜に曝される。図1(b)は、被覆工程を伴う
基材2を示し、不動態層5は領域3上に被着され、一方マスキング材料上に被着
した任意の不動態層は、マスキング材料それ自体の除去により取り去られる。前
記のマスキング工程は、当業者に周知であり、そして平面上の珪素ウエハー上の
装置の製造に良く使用される。
流路のあるインクジェットプリントヘッドの不動態化は、一般的に、ヨーロッ
パ特許A第0364136号に論じられており、それは本明細書に参考として引
用される。図2(a)は、流路の縦軸に垂直にとられたこの文書に開示された種
類のプリントヘッドを通る断面であり、これらの装置は、矢印15により示され
るその厚さの方向に向かいさらに好適には鉛ジルコニウムチタネート(PZT)
であるピエゾ電気物質のシート14中に形成される流路12の列からなる。各流
路は、側壁16、底表面18及び頂部シート20により画成され、各側壁の表面
上に電極34を形成する。
本明細書に参考として引用されるヨーロッパ特許A第0277703号から例
えば知られているように、側壁16の相対する表面上に形成される電極34間の
電場の適用は、側壁のピエゾ電気物質をして剪断モードで偏向させ、それにより
流路と結合したノズルからインクの小滴の放出を生じさせる。
流路の縦軸に沿ってとられた断面図である図2(b)に示されるように、この
ノズル24は、各流路12の前端に位置し、後者は次に接続トラックを形成する
ためにベース及び壁が十分にメッキされる、深さがより浅い後尾の部分36から
なる。流路の電極の前部は、前記の作動電場を適用するが、一方電極の後尾の接
続トラック部分は、例えばワイヤ結合により、作動電圧供給手段(図示せず)に
接続される。ニッケル、ニクロム(ニッケル及びクロムの合金)及びアルミニウ
ムは、それらの高い伝導性及びワイヤ結合への適合性により、電極材料として特
に好適であることが示されている。
このプリントヘッドの流路壁上の電極の次の不導態化は、プリントヘッドの操
作中の流路に含まれるインクによる攻撃から電極を保護するのに必要である。ア
ルミニウムは、もし電極がインクと直接接触するならば起こるであろう電解及び
気泡形成又は腐食を阻止するための不動態化を特に要する。保護は、インクが水
性又はさもなければ電気伝導性である場合に特に望ましい。
不動態層の組成は、電子及び/又はイオン及び/又はインクバリヤとして働く
ように選ばれ、そして好ましくは一つの流路の側壁を下降し、流路のベースを越
え、他の流路の側壁を上り、さらにその壁の頂部を越えて隣接の流路に入り、そ
れによりインクがさもなければしみ出るすべての端のない連続的な保護層を生成
する。図2(a)及び(b)に示される「深い」流路、即ち少なくとも3:1の
縦横(高さ/幅)比を有する流路の不動態化に特に好適である化学的蒸着工程は
、本明細書において参考として引用されるWO95/07820号に開示されて
いる。
プリントヘッドの後尾の部分38の接続トラックが、トラックから駆動回路へ
の接続(一般にワイヤ結合)ができるために、不動態化がないようにしなければ
ならないことは、理解されるだろう。しかし、前記の写真平板マスキング技術は
、化学的蒸着により不動態層を被着することが、特に各流路(概して60−90
μmの幅及び20−25μmの深さを有する)の後尾の部分の壁及び底表面上の
マスキング材料の適用及び除去が複雑であり困難であることが分かっている状況
で使用することが難しいことが証明されているとき、従来使用されてきた。本出
願人に属し本明細書に参考として引用される、同時国際出願PCT/GB97/
01083号に開示されるプリントヘッドの構成に提案されているように、後尾
の部分38ばかりでなく流路の深い前部の部分36(概して60−90μmの幅
、概して300−400μmの深さ)の部分もマスクすることが望ましいとき、
これらの問題がさらに難しくなる。
発明の開示
本発明は、一つの目的として、従来の技術の不利を有することなく、しかもイ
ンクジェットプリントヘッド流路の不動態化皮膜の正確な構成を保証する深い流
路インクジェットプリントヘッドの流路の壁の選択的不動態化方法を有する。
従って、本発明は、第一の態様では、不動態皮膜を化学的蒸着することにより
流路のあるインクジェットプリントヘッド構成部材の流路壁を選択的に不動態化
する方法において、該構成部材を、その選択された領域をマスクするためのマス
ク手段をもつ支持体に、該構成部材内にある基準位置と位置合わせ(regis
tration)で取り付け、そして流路壁のマスクされていない部分に不動態
皮膜を被着させることからなる。
構成部材それ自体上に位置するのよりむしろ支持体に固定されたマスクにより
、構成部材に形成される流路の流路壁の或る部分を簡単であるが有効なやり方で
不動態化から保護することができる。その上、マスキングの正確さは、構成部材
を支持体に関しそれゆえマスクに関して正確に位置させ不動態化させる、支持体
上の位置合わせにより保証される。
有利には、マスキング手段は、支持体と一体化される。本発明者は、本発明に
よる化学的蒸着が一般にマスクの表面の加熱を生じさせ、この一体化した構造は
、表面から離れ支持体の残りの部分に移動する熱の流れを助け、それによりマス
クが不動態化される構成部材との整列からゆがむ傾向を低下する。
好ましくは、構成部材の第一の流路のある表面は、支持体と接して弾力的に保
持される。この特徴は、処理される構成部材が、珪素のような従来の材料により
達成できるのより低い寸法許容性を有する鉛ジルコニウムチタネート(PZT)
のような材料からなる場合、そして構成部材の厚さに顕著な変動が存在するかも
しれない場合に特に有用であることが分かった。この場合、構成部材の両表面上
の従来の締着は、構成部材の締着力及び歪みを変動させるだろう。支持体に対す
る構成部材のただ一面の接合は、これらの問題を避ける。
構成部材の第一の流路のある表面に相対する構成部材の表面は、流体による熱
伝達を有利に行う。この直接的な移動は、ベース板及び組み合わされたヒートシ
ンク化合物及びパッドの挿入なしに、構成部材の温度のさらに正確なコントロー
ルを行う。
膜を、構成部材と流体との間にはさむことができる。この膜は熱伝達にほとん
ど抵抗しないが、それは、構成部材が多孔性であるか又は多孔性になる(例えば
クラッキングにより)とき、チェンバーの真空を維持する。その上、膜は、もし
支持体と完全に接合してないならば、支持体内に構成部材を保持するように支持
体に有利に結合して、さらに容易に取り扱うことのできるアセンブリを得る。
本発明の第二の態様は、膜が真空チェンバーの構成部材の第一の表面と相対す
る構成部材の第二の表面を加熱/冷却流体から分離し、熱伝達が膜をはさんで構
成部材と流体との間で生ずる、構成部材支持体を収容する真空チェンバーの構成
部材の第一の表面を真空処理する方法において、方法が構成部材の第一の表面が
支持体と隣接するように構成部材を支持体中に置く工程、支持体中に構成部材を
保持するように膜を支持体に結合する工程、及び支持体に位置した構成部材の第
一の表面を真空処理する段階からなる方法からなる。
処理されるべき構成部材の側面に隣接しそして支持体中に構成部材を保持する
ために膜が付着している支持体の構成は、構成部材が多孔性であるか又は多孔性
になる(例えばクラッキング)場合に、流体が真空チェンバー中に全くもれない
(それは処理に必要な真空を損なう)ことを確実にしつつ、流体により構成部材
の未処理の側面を冷却(又は加熱すら)する。さらに、膜によって支持体中に構
成部材を保持することにより、構成部材単独又は支持体中に緩く置かれている構
成部材よりさらに容易に取り扱うことのできるアセンブリが生成する。
上記の構成は、構成部材がウエハーの一部を形成するとき特に有利である。こ
れらのウエハー、とりわけピエゾ電気活性材料特に鉛ジルコニウムチタネート(
PZT)のウエハーを取り扱うのが難しい。
本発明のさらなる有利な態様は、請求の範囲、発明の詳細な説明及び図に示さ
れている。
本発明は、以下の図を参照して例によって記述されるだろう。
図面の簡単な説明
図3(a)は、本発明の第一の態様による装置の断面図である。
図3(b)は、図3(a)に相当する平面図である。
図3(c)は、図3(a)のAにおける拡大図である。
図4(a)は、本発明により製造されたブリントヘッドの流路に沿った断面図
である。
図4(b)は、図4(a)の線C−Cに沿ってとられたプリントヘッドの流路
壁の断面図である。
図5は、本発明の第二の態様の断面図である。
発明を実施するための最良の形態
図3(a)に関し、厚さの方向にポールされた(poled)PZTのウエハ
ー100が画かれている。ウエハーの上表面180は、なお多数の個々のプリン
トヘッドを以下に論じられる段階で流路についてウエハーをさいの目に切ること
により形成するために、WO95/18717号(本明細書に参考として引用さ
れる)に従って平行な流路の二三のセット210、220により形成される。電
極(図示せず)は、上記したように流路の壁上に形成される。
ウエハー100は、当業者に周知なように、銀付加シリコーンからなる熱伝導
性パッド120上に設けられ、そしてさらに二つの間に挟まれたヒートシンク化
合物(図示せず)の薄い層により熱伝導性(例えば炭素又は金属例えばアルミニ
ウム)板130上に設けられる。板130の大きさは、それが従来の真空処理装
置(環状の締着リング及びシーリング「O」リングは、それぞれ140及び15
0と指示される)に締着され、そして冷却流体(一般にチェンバー165に含ま
れるヘリウム)が160で示されるように板の裏を通るようなものである。
マスク170は、ウエハーの上表面180に隣接し、そしてマスクと板との間
の正確な位置合わせ従ってウエハー上に不動態層の正確な配置を確実に行う手段
により、板130に結合する。示されている例では、その手段は、板130から
突き出しそしてマスク170中のボア及びスロット(図示せず)により配置され
ている第一及び第二のだぼ175からなる。ボアの直径は、対応するだぼのそれ
と一致してマスクと板との間の正確な位置合わせを確実にし、一方第二のだぼが
配置されているスロットは不動態化工程中のマスクの熱膨脹のためである。
シリコーンパッド120は、ウエハーの下表面190をたわみやすく支持し、
ウエハーの厚さの変化を相殺し、そして不均一な締着力によるウエハーの歪みを
避ける。
マスクは、例えば炭素、ステンレス鋼及びアルミニウムを含む任意の真空と適
合可能な熱伝導性物質から作ることができる。図4aの例のマスクは、それがウ
エハーをカバーするとき、厚さ約2mmのアルミニウムからなる。
図3(b)では、参照番号250は、板130上に設けられた基準構成(示さ
れている例では金属だぼ)を示し、それによりウエハーは整合する。前記のWO
95/18717号に説明されているように、ウエハー上のこれらの基準構成及
び対応する位置ぎめ(図示せず)は、ウエハーに流路を切り込むためのそれ以前
の製造工程で使用され、そしてウエハーに形成された流路を次の製造工程で正し
く位置させる。図3(b)に示された2個の基準だぼ250は、ウエハーの2個
の対応する位置ぎめと位置合わせし、それにより構成部材を二つの相互に垂直な
方向に支持体(従ってマスク)に関して正確に位置させることを理解するだろう
。
図3(b)では、例えば、流路210、220の二つのセットは、ウエハーに
形成されている。次の製造工程で、これらの流路のセットは、それぞれ線211
及び221に沿って切断されて、それぞれが図3bに示されている種類のプリン
トヘッドの4個の列を形成するだろう。プリントヘッドのそれぞれの列が、電極
メッキへの電気的接続を行うように不動態化されていないその後尾の部分42を
有するために、その端230のみならず中間240でもウエハーを正確にマスク
する必要がある。
流路に対するマスクの正確な位置ぎめが、一方ではマスク170と板130と
の間の位置合わせ手段250により助けられ、そして他方では板130と流路に
より形成されるウエハー130との間の位置合わせ手段250により助けられる
ことは理解されるだろう。
図3(c)は、図3(a)でAで示されるマスクと流路との詳細を示し、既に
述べたように、深い流路インクジェットプリントヘッドの流路の壁の不動態化は
、好ましくはWO95/07820号に記述された方法を使用して行われ、その
特徴は、その源からウエハーの表面への不動態分子の路は線状ではなく複数の分
散したものを含むことである。
この結果、マスクの端は、203で示される基体に対して直角ではない角度で
接近する分子の路を妨げるように、171で示されるように有利には角度がつけ
られる(概して60゜)。205で示されるマスクの下を進む不動態化剤(相対
する路204上にあるであろう)の量を最低にするために、マスク開口チェンバ
ー171の尖端がウエハーの表面に近い又はそれと接触して位置することが、ま
た有利である。この後者の問題は、もし必要ならば、概して流路の深さに等しい
量で、不動態層が終わるようにデザインされた流路の点202を越えて尖端17
3を延在させることによって、さらに相殺できる。
上記に加えて又はその代わりに、流路壁の部分は、前記の出願中のPCT出願
第PCT/GB97/01083号に従って電極の適用前に選択的に不動態化で
きる。図4(a)に画かれているように、このプリントヘッドは、一つの側面で
インク供給窓27に開かれている(そしてそれゆえ流路の「活性]長さLの一部
ではない)深い流路の部分(N)を有し、それは、流路の側壁のピエゾ電気物質
のそれより低い比誘電率を有する不動態化物質の層40が電極34と流路壁16
のピエゾ電気物質との間にはさまれている点で、図2(b)の従来の構造とは異
なる。
図4(b)から明らかなように、それは流路壁部分の断面図であるが、二つの
不動態層(静電容量C2)間に直列ではさまれたピエゾ電気物質(静電容量C1
)の得られる合計の静電容量は、一次近似で合計の静電容量は1/C合計=1/
C2+2/C1により与えられるため、壁単独のピエゾ電気物質のそれより小さ
いだろう。その結果、プリントヘッドの合計の容量性負荷は低下する。
図4(a)から分かるように、この技術は、また、流出領域Rにおけると同様
に、接続トラックの領域Cに適用できる。有効であるために、予備不動態層40
は電極及びインク入口に関して流路に正確に配置されねばならないことは理解さ
れるだろう。これは、本発明に従って適切なマスクの使用により達成できる。
図5は、本発明のさらなる態様を画いており、それは同じ参照番号を有する図
3(a)−(c)に関して既に論じられた特徴を有する。その上表面180中の
流路210、220のセットにより形成されたウエハー100は、マスキング端
230の少なくとも或るものにおいて、構造物300に隣接するその上表面18
0を有するマスク/支持体が一体化した構造物内のポケット310に存在する。
気体不浸透性膜320は、ウエハー100及び構造物300の後部に延在し、そ
れによりポケット310にウエハーを保持し、次に構造物の端に延在して従来の
真空処理装置(環状締着リング140からなる)の「O」リング150によりシ
ールし、それにより冷却気体から全支持体を隔離する。
次に、従来のやり方で締着した支持体の下にチェンバー165中の冷却(又は
加熱)気体160を循環することができ、図4a,bの装置のヒートシンク化合
物、シリコーンパッド及びアルミニウム板によって可能なのよりウエハー100
と冷却気体160との間の顕著に大きな熱伝達が、膜320を経て可能である。
本発明は、前記のWO95/07820号に従って無機不動態層によりピエゾ
電気物質中に形成される流路の壁を被覆するのに特に適している。この方法は、
物質の30%以下の減極が生じしかも200℃以下で流路を有するウエハーのバ
ルク温度を維持し、そして不動態化される流路のある壁の表面を被覆物質の均一
な蒸気に曝すことを含み、蒸気は、その源から流路のある構成部材の表面への移
動中多くの分散を行う。
本発明の装置は、被着が生ずるウエハーの表面を遥かに低い温度(概して14
0℃よりむしろ40℃)に保持し、次により高い温度ではポールされない(de
poled)ピエゾ電気物質のさらに活性な種類特にPZTの種類の使用が可能
になる。別に、装置は、存在する温度のレベルを、より高温度の不動態化技術、
例えばより高いマイクロ波電力又はウエハーのRFバイアスの使用により維持さ
せる。
さらに、この装置は、マスクによる被着をさえぎる部分と被着に完全に曝され
る部分との間のウエハーの温度の変化を低下させるのを助け、冷却なしに、60
℃のオーダーの温度差は、30秒の程度でウエハーの隣接する部分間に形成され
、生ずる膨脹差は、ウエハーのクラッキングを導く。
膜320は、また、ウエハーのクラッキング又はウエハー物質が気体浸透性で
ある場合には、冷却気体が処理チェンバー中に逃れないことを確実にする。有利
には、膜は、一体化構造物300の後部に離脱可能に結合し、それによりたとえ
一体化構造物が真空処理装置から取り出されるときでも一体化構造物中のウエハ
ーを維持する。これは、特に脆いウエハーの取り扱いを助け、そして不動態化又
は化学的蒸着ばかりでなくすべての真空処理に適用可能な装置である。ポリマー
例えばポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリアミドから製造されそして50−1
00μmの厚さを有する膜は、特に、十分な強さ及び有利な熱伝達の特徴を有す
ることが証明されている。
膜320の代わりとして、真空に適合ししかも気体不浸透性の物質例えばポリ
イミドから製造される自己接着性テープを使用して、ウエハー100の周辺とポ
ケット310の端との間の隙間をシールする(図5において点線400により示
される)。この装置は、膜より熱伝達に対するやや低い抵抗をもたらし、そして
冷却気体の流れからウエハーの下表面を絶縁するようにさもなければ働く空気の
ポケットを捕捉することがなさそうであり、ホットスポットを生じさせる。テー
プは、また、とくにクラッキングをうけやすい領域でウエハーの下表面上に置く
ことができる。
第一の態様におけるように、一つの側面上のウエハー100の接合は、不均一
なウエハーの厚さに起因する不均一な締着力による、ウエハーの歪みを避ける。
図5のマスク170の中心の部分240は、また冷却流体160により下表面1
90に働く圧力に対してウエハー100の中心で或る程度の支持をもたらす。
図5によるマスク及び支持体の一体化した構造物は、さらに、マスクの表面か
ら支持体のベースへそして冷却気体への熱伝達を助ける。前の態様と同様に、基
準点は、それに対してウエハーが配置される構造物(示されている例ではこれら
はポケット310の端に設けられているだぼである)に設けられ、それによりウ
エハーと重なるマスクとの間の正確な配置を確実にする。
本発明は、例によってのみ記述されてきており、そして広範囲の変化が本発明
の範囲を離れることなくなされることを理解すべきである。
流路電極の高さは、例えば、最低の操作電圧よりむしろ最低の電力消費(静電
容量及び操作電圧の平方の積にほぼ比例する)に最適にされる。これは、前記の
ヨーロッパ特許A第0364136号に関する半分より、流路壁を三分の一下方
に延在する電極をもたらす。
頂部が開いた流路を閉じるトップシートは、概して、熱の整合を確実にするよ
うに流路が形成されるシートのそれに類似のピエゾ電気物質から製造されるだろ
う。ヨーロッパ特許A第0364136号は、シートが漂遊電場による歪みを避
けるためにポールされないことを示唆しているが、ポールされた物質の使用は、
実際のプリントヘッドの性能に顕著な作用を有することが見いだされておらず、
そして単一のタイプの(ポールされた)ピエゾ電気物質へのインベントリーを低
下させる利点を有する。
トップシートの組立後、個々の流路は、壁のそれぞれの側面上に位置する二つ
の電極間の静電容量を測定することによりテストできる。別に、壁の共鳴の挙動
は、ヨーロッパ特許A第0376606号に従って測定できる。両方の技術は、
壁を隔てている二つの電極の接続トラック上に接触し、測定を行い次に次の流路
に沿って割り出すプローブを有する装置により自動的に行うことができる。
流路ノズルが形成されるノズル板は、有利には、次のノズル形成法がうまく行
かなかったときノズル板を取り出すことができるように、ホットメルト接着剤を
使用して、WO95/11131号に従ってプリントヘッドに付着できる。好適
な接着剤は、使用されるインクのタイプに依存し、そしてParagon HM
240/12,HM260/12及びHM31/12;Borden HM61
7;3M 3748Q及び3764Q;Prodag 873、697、984
及びBostik HM5649を含むことができる。
ノズル板は、また、厚さが流路の列の中心で40−50μmから流路の列の端
で1−20μmに変化するように、付着前に例えばアブレーションにより成形で
きる。これは、より厚い接着剤の層を流路の列の端で形成させ、ノズル板を特に
流路の列の方向に、剪断及びはがれ応力にさらに抵抗させる。
ノズルの形成は、有利には、WO93/15911号に記載された技術を使用
してノズル板の付着後に実施される。WO96/08375号により、保護テー
プは、感圧接着剤例えばDatac P7085、swift K9250及び
DPAC 4427を使用してノズル板の非湿潤被覆に適用できる。
本明細書(請求の範囲を含む)に開示された及び/又は図に示されたそれぞれ
の特徴は、他の開示された及び/又は画かれた特徴とは無関係に本発明に含まれ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L
U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF
,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,
SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S
D,SZ,UG,ZW),UA(AM,AZ,BY,KG
,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AT
,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,
CH,CN,CU,CZ,DE,DK,EE,ES,F
I,GB,GE,GH,HU,ID,IL,IS,JP
,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,
LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,M
W,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD
,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,
TT,UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZW
(72)発明者 リー,アンドリュー
イギリス国ケンブリッジシャー シービー
4 4ティエス コッテンハム ランプト
ン ロード 80
(72)発明者 スピークマン,スチュアート
イギリス国エセックス シーエム3 3エ
ルダブリュー チェルムスフォード リト
ル ワルサム チャペル ドライブ 7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.不動態皮膜を化学的蒸着することにより流路のあるインクジェットプリント ヘッド構成部材の流路壁を選択的に不動態化するのに際し、該構成部材を、その 選択された領域をマスクするためのマスク手段をもつ支持体に、該構成部材内に ある基準位置と位置合わせで取り付け、そして流路壁のマスクされていない部分 に不動態皮膜を沈着させることを特徴とするインクジェットプリントヘッド構成 部材の流路壁の選択保護方法。 2.マスキング手段が、支持体上の固定した位置に保持される請求項1の方法。 3.マスキング手段が、支持体と一体化している請求項2の方法。 4.構成部材が、支持体上の基準位置と位置合わせで少なくとも一つの基準面を 有し、該構成部材の流路が少なくとも一つの基準面と位置合わせで形成される請 求項1−3の何れか一つの項の方法。 5.構成部材が、二つの相互に垂直な方向に、支持体との構成部材の位置合わせ を行うように二つの基準面を有する請求項4の方法。 6.構成部材の第一の流路のある表面が、支持体と隣接して保持される請求項1 −5の何れか一つの項の方法。 7.第一の流路のある表面が、支持体と隣接して弾力的に保持される請求項6の 方法。 8.構成部材の第一の流路のある表面が、該マスキング手段のマスキングの端と 隣接して保持される請求項6又は7の方法。 9.構成部材の第一の流路のある表面と相対する構成部材の表面が、流体による 熱伝達を行う請求項1−8の何れか一つの項の方法。 10.流体が構成部材と直接接触する請求項9の方法。 11.膜が構成部材と流体との間にはさまれる請求項9の方法。 12.膜が流体から構成部材を隔てている請求項11の方法。 13.膜が支持体に付着している請求項11又は12の方法。 14.膜が流体から支持体を隔てている請求項13の方法。 15.膜が支持体と隣接して構成部材を保持するように働く請求項6による請求 項13の方法。 16.該マスキング手段のマスキングの端が、構成部材の第一の流路のある表面 から離れて面するマスキング手段のその側面の端の上に面取りをしている請求項 1−5の何れか一つの項の方法。 17.、該マスキング手段のマスキングの端が、構成部材の第一の流路のある表 面と実質的に接触している請求項1−5の何れか一つの項の方法。 18.マスキング手段が複数の開口を有する請求項1−5の何れか一つの項の方 法。 19.該支持体が、不動態被覆の被着前に真空チェンバーに置かれる請求項1− 5の何れか一つの項の方法。 20.該支持体が該真空チェンバーに締着される請求項19の方法。 21.構成部材がウエハーの形をとる請求項20の方法。 22.複数の構成部材が、ウエハーに含まれ、そのそれぞれの表面が同時に真空 処理される請求項21の方法。 23.前記の流路のあるインクジェットプリントヘッド構成部材の流路が、60 −90μmの範囲の幅を有する請求項1−22の何れか一つの項の方法。 24.流路が20μmより深い深さを有する請求項23の方法。 25.流路が300μmより深い深さを有する請求項24の方法。 26.膜が前記の第一の表面と相対する構成部材の第二の表面を熱伝達流体から 分離し、熱伝達は膜をはさんで構成部材と流体との間に生ずる、構成部材支持体 を収容する真空チェンバー中の構成部材の第一の表面を真空処理する方法であっ て、方法が、構成部材の第一の表面が支持体と隣接するように支持体中に構成部 材を置く工程、支持体中に構成部材を維持するように支持体に膜を付着させる工 程、そして構成部材の第一の表面を真空処理する工程からなる方法。 27.構成部材がウエハーの形をとる請求項26の方法。 28.複数の構成部材が、ウエハーに含まれ、そのそれぞれの表面が同時に真空 処理される請求項27の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9622177.5A GB9622177D0 (en) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | Passivation of ink jet print heads |
GB9622177.5 | 1996-10-24 | ||
PCT/GB1997/002878 WO1998017477A1 (en) | 1996-10-24 | 1997-10-17 | Passivation of ink-jet printheads |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002045596A Division JP3808786B2 (ja) | 1996-10-24 | 2002-02-22 | 真空処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000503927A true JP2000503927A (ja) | 2000-04-04 |
JP3314359B2 JP3314359B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=10801905
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51910198A Expired - Fee Related JP3314359B2 (ja) | 1996-10-24 | 1997-10-17 | インクジェットヘッドの保護 |
JP2002045596A Expired - Fee Related JP3808786B2 (ja) | 1996-10-24 | 2002-02-22 | 真空処理方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002045596A Expired - Fee Related JP3808786B2 (ja) | 1996-10-24 | 2002-02-22 | 真空処理方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6232135B1 (ja) |
EP (2) | EP1138498B1 (ja) |
JP (2) | JP3314359B2 (ja) |
KR (2) | KR100566577B1 (ja) |
CN (1) | CN1230304C (ja) |
AU (1) | AU4633797A (ja) |
BR (1) | BR9712371A (ja) |
CA (1) | CA2268320C (ja) |
DE (2) | DE69710922T2 (ja) |
GB (1) | GB9622177D0 (ja) |
WO (1) | WO1998017477A1 (ja) |
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- 1997-10-17 DE DE69710922T patent/DE69710922T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-17 EP EP01115744A patent/EP1138498B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-17 BR BR9712371-4A patent/BR9712371A/pt not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 KR KR1019997003250A patent/KR100566577B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 DE DE69735648T patent/DE69735648T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-17 JP JP51910198A patent/JP3314359B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-17 CA CA002268320A patent/CA2268320C/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-17 CN CNB97180933XA patent/CN1230304C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-17 WO PCT/GB1997/002878 patent/WO1998017477A1/en active IP Right Grant
- 1997-10-17 KR KR1020057009360A patent/KR100701508B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 EP EP97945027A patent/EP0951394B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-17 AU AU46337/97A patent/AU4633797A/en not_active Abandoned
-
1999
- 1999-04-19 US US09/294,732 patent/US6232135B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-13 US US09/804,846 patent/US6399402B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2002-02-22 JP JP2002045596A patent/JP3808786B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
DE69735648D1 (de) | 2006-05-18 |
DE69710922D1 (de) | 2002-04-11 |
US6399402B2 (en) | 2002-06-04 |
KR100701508B1 (ko) | 2007-03-29 |
DE69710922T2 (de) | 2002-10-10 |
EP1138498A1 (en) | 2001-10-04 |
JP3314359B2 (ja) | 2002-08-12 |
AU4633797A (en) | 1998-05-15 |
KR20050070144A (ko) | 2005-07-05 |
BR9712371A (pt) | 2000-01-25 |
US20010018223A1 (en) | 2001-08-30 |
CN1241968A (zh) | 2000-01-19 |
EP0951394A1 (en) | 1999-10-27 |
EP1138498B1 (en) | 2006-04-05 |
DE69735648T2 (de) | 2007-04-26 |
KR100566577B1 (ko) | 2006-03-31 |
US6232135B1 (en) | 2001-05-15 |
CN1230304C (zh) | 2005-12-07 |
JP2002294455A (ja) | 2002-10-09 |
CA2268320C (en) | 2006-12-19 |
JP3808786B2 (ja) | 2006-08-16 |
KR20000049157A (ko) | 2000-07-25 |
WO1998017477A1 (en) | 1998-04-30 |
CA2268320A1 (en) | 1998-04-30 |
EP0951394B1 (en) | 2002-03-06 |
GB9622177D0 (en) | 1996-12-18 |
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Legal Events
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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