JP2002321358A - インクジェットヘッド及びコンタクト電極の形成方法 - Google Patents
インクジェットヘッド及びコンタクト電極の形成方法Info
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- JP2002321358A JP2002321358A JP2001126420A JP2001126420A JP2002321358A JP 2002321358 A JP2002321358 A JP 2002321358A JP 2001126420 A JP2001126420 A JP 2001126420A JP 2001126420 A JP2001126420 A JP 2001126420A JP 2002321358 A JP2002321358 A JP 2002321358A
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- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/10—Finger type piezoelectric elements
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フレキシブル配線基板との接続歩留りを高め
るとともに、コンタクト電極部の寄生容量が小さいイン
クジェットヘッドを提供する。 【解決手段】 駆動回路側との接続電極をフォトリソ工
程で形成する場合に、コンタクト電極となるレジスト開
口部１２１を形成後、エッチング法により窪み１０８を
設ける。その後、低誘電率材層１０９，コンタクト電極
１０７を蒸着法で形成し，リフトオフ法によりレジスト
を剥離すると、窪み１０８部にコンタクト電極を整合性
良く形成することができる。
るとともに、コンタクト電極部の寄生容量が小さいイン
クジェットヘッドを提供する。 【解決手段】 駆動回路側との接続電極をフォトリソ工
程で形成する場合に、コンタクト電極となるレジスト開
口部１２１を形成後、エッチング法により窪み１０８を
設ける。その後、低誘電率材層１０９，コンタクト電極
１０７を蒸着法で形成し，リフトオフ法によりレジスト
を剥離すると、窪み１０８部にコンタクト電極を整合性
良く形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液滴を噴出させる
インクジェット装置に関するものである。
インクジェット装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】昨今、インクジェットヘッドの１方式と
して特開昭６３−２４７０５１号広報等に開示されてい
る剪断モード型のインクジェットヘッドが実用化に至
り、プリンターやファックスに搭載され広く一般家庭に
普及している。
して特開昭６３−２４７０５１号広報等に開示されてい
る剪断モード型のインクジェットヘッドが実用化に至
り、プリンターやファックスに搭載され広く一般家庭に
普及している。
【０００３】本方式のインクジェットヘッドの構造につ
いて簡単に説明する。図７に示すように、厚み方向に分
極された圧電体ウェハ１０１には複数の溝１０２が並設
され、各溝１０２は側壁１０３で分離されている。各溝
１０２の長手方向一端部は圧電体ウェハ１０１の一端面
まで延設されており、他端部は、尾部１０６に向かって
徐々に浅くなっている。なお、尾部１０６には浅溝１０
４が形成されている。また、各溝１０２内の両側壁１０
３の開口側表面には、長手方向に亘って駆動電界印加用
の電極１０５が形成されており、尾部１０６に延びる浅
溝１０４の溝内部表面には、コンタクト電極１０７が形
成されている。
いて簡単に説明する。図７に示すように、厚み方向に分
極された圧電体ウェハ１０１には複数の溝１０２が並設
され、各溝１０２は側壁１０３で分離されている。各溝
１０２の長手方向一端部は圧電体ウェハ１０１の一端面
まで延設されており、他端部は、尾部１０６に向かって
徐々に浅くなっている。なお、尾部１０６には浅溝１０
４が形成されている。また、各溝１０２内の両側壁１０
３の開口側表面には、長手方向に亘って駆動電界印加用
の電極１０５が形成されており、尾部１０６に延びる浅
溝１０４の溝内部表面には、コンタクト電極１０７が形
成されている。
【０００４】このような電極を形成するには、圧電体ウ
ェハ１０１の表面にドライフィルム等のレジストを被覆
して溝加工を行い、公知の斜め蒸着により電極形成した
後に不要部分をリフトオフ法で除去すればよい。
ェハ１０１の表面にドライフィルム等のレジストを被覆
して溝加工を行い、公知の斜め蒸着により電極形成した
後に不要部分をリフトオフ法で除去すればよい。
【０００５】次に、圧電体ウェハ１０１の溝１０２の上
方開口側には、カバープレート２０１が接着剤層（図示
せず）を介して積層されている。カバープレート２０１
には、各溝１０２の浅くなった他端部と連通するインク
室２１１と、このインク室２１１の底部から溝１０２と
反対側表面に貫通するインク供給口２１２が形成されて
いる。
方開口側には、カバープレート２０１が接着剤層（図示
せず）を介して積層されている。カバープレート２０１
には、各溝１０２の浅くなった他端部と連通するインク
室２１１と、このインク室２１１の底部から溝１０２と
反対側表面に貫通するインク供給口２１２が形成されて
いる。
【０００６】さらに、圧電体ウェハ１０１とカバープレ
ート２０１との接合体で溝１０２が開口している端面に
は、溝１０２に対応する位置にオリフィス３０２が形成
されたノズルプレート３０１が接着されている。
ート２０１との接合体で溝１０２が開口している端面に
は、溝１０２に対応する位置にオリフィス３０２が形成
されたノズルプレート３０１が接着されている。
【０００７】なお、圧電体ウェハ１０１の尾部１０６に
は駆動回路基板４０１と電気的接続を行なうためのコン
タクト電極１０７が浅溝１０４内に設けられており、図
８に示すように、異方性導電膜４０２を挟んでフレキシ
ブルプリント配線板４０３で駆動回路基板４０１に接続
されている。なお、コンタクト電極１０７と駆動回路基
板４０１との接続にはボンディングワイヤーを用いた
り、前記異方性導電膜４０２を用いずにバンプ付きフレ
キシブルプリント配線板を用いる場合もある。
は駆動回路基板４０１と電気的接続を行なうためのコン
タクト電極１０７が浅溝１０４内に設けられており、図
８に示すように、異方性導電膜４０２を挟んでフレキシ
ブルプリント配線板４０３で駆動回路基板４０１に接続
されている。なお、コンタクト電極１０７と駆動回路基
板４０１との接続にはボンディングワイヤーを用いた
り、前記異方性導電膜４０２を用いずにバンプ付きフレ
キシブルプリント配線板を用いる場合もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年、印字速度増大を
目的に吐出ノズル数の増加や大型化，ラインヘッド化が
要求されている他、印字品質の向上を目的にファインピ
ッチ化も進んでおり、インクジェットヘッドの実装工程
での歩留まり低下が課題となっている。
目的に吐出ノズル数の増加や大型化，ラインヘッド化が
要求されている他、印字品質の向上を目的にファインピ
ッチ化も進んでおり、インクジェットヘッドの実装工程
での歩留まり低下が課題となっている。
【０００９】その原因の一つとして、ポリイミド系フィ
ルムなどの有機物をベースとしたフレキシブルプリント
配線板（以下ＦＰＷＢと略記する）が挙げられる。そも
そもＦＰＷＢの仕上がり精度は悪く、さらに吸湿等で
０．数％の伸縮があるため長尺ものやファインピッチの
インクジェットヘッドの組み立てでは、実装時にＦＰＷ
Ｂの選別作業が不可欠である。
ルムなどの有機物をベースとしたフレキシブルプリント
配線板（以下ＦＰＷＢと略記する）が挙げられる。そも
そもＦＰＷＢの仕上がり精度は悪く、さらに吸湿等で
０．数％の伸縮があるため長尺ものやファインピッチの
インクジェットヘッドの組み立てでは、実装時にＦＰＷ
Ｂの選別作業が不可欠である。
【００１０】さらに、ＦＰＷＢの熱膨張率はチタン酸ジ
ルコン酸鉛に代表されるＰＺＴ系圧電体セラミックスの
数十倍も大きいため、ＦＰＷＢ圧着時の加熱・冷却で伸
縮が生じ接続ズレが発生する場合も多々ある。
ルコン酸鉛に代表されるＰＺＴ系圧電体セラミックスの
数十倍も大きいため、ＦＰＷＢ圧着時の加熱・冷却で伸
縮が生じ接続ズレが発生する場合も多々ある。
【００１１】そのため、従来例にも有るように、吐出用
の溝加工と同時に尾部にも浅溝加工を施し、その溝の内
部へコンタクト用の電極を形成していた。これは、ＦＰ
ＷＢにある凸状のコンタクト電極と凹状の浅溝とのハメ
コミ作用により、ＦＰＷＢの寸法ズレを緩和することが
できるためである。
の溝加工と同時に尾部にも浅溝加工を施し、その溝の内
部へコンタクト用の電極を形成していた。これは、ＦＰ
ＷＢにある凸状のコンタクト電極と凹状の浅溝とのハメ
コミ作用により、ＦＰＷＢの寸法ズレを緩和することが
できるためである。
【００１２】ところが、従来例のように機械加工で浅溝
を形成すると、圧電体ウェハ自体の反りや厚みムラ，加
工精度の問題で、同一ヘッド内でも±数十μｍにも及ぶ
深さバラツキが発生し、異方性導電膜やバンプを用いた
ＦＰＷＢ接続で接続不良が多発するという課題を有して
いた。
を形成すると、圧電体ウェハ自体の反りや厚みムラ，加
工精度の問題で、同一ヘッド内でも±数十μｍにも及ぶ
深さバラツキが発生し、異方性導電膜やバンプを用いた
ＦＰＷＢ接続で接続不良が多発するという課題を有して
いた。
【００１３】また、圧電体セラミックスは脆性材料であ
るため、機械加工された溝では切り欠き効果の影響で圧
着時に圧電体材料の欠け，割れが生じ、ＦＰＷＢの密着
強度の低下やノズル詰まりの原因となるパーティクルの
発生という課題も有していた。
るため、機械加工された溝では切り欠き効果の影響で圧
着時に圧電体材料の欠け，割れが生じ、ＦＰＷＢの密着
強度の低下やノズル詰まりの原因となるパーティクルの
発生という課題も有していた。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このように機械加工によ
り浅溝を精度良く加工するのは困難であるため、化学的
な手法により圧電体ウェハへこれらの浅溝を形成するこ
とにした。また、マスクとして使用しているドライフィ
ルムを利用してフォトリソグラフィー工程でコンタクト
電極パターンの開口部を形成し、エッチング後に吐出溝
入れおよび電極材料の蒸着，リフトオフを行なった。
り浅溝を精度良く加工するのは困難であるため、化学的
な手法により圧電体ウェハへこれらの浅溝を形成するこ
とにした。また、マスクとして使用しているドライフィ
ルムを利用してフォトリソグラフィー工程でコンタクト
電極パターンの開口部を形成し、エッチング後に吐出溝
入れおよび電極材料の蒸着，リフトオフを行なった。
【００１５】さらに、上述のエッチング処理後のコンタ
クト電極パターン開口部へＳｉＯ２等の低誘電率材料を
蒸着し、続いて電極材料の蒸着，リフトオフを行なって
も良い。
クト電極パターン開口部へＳｉＯ２等の低誘電率材料を
蒸着し、続いて電極材料の蒸着，リフトオフを行なって
も良い。
【００１６】（作用）湿式あるいは乾式によるエッチン
グ処理で窪みを形成するため、圧電体ウェハの反りや厚
みムラに影響されず極めて均一な深さに窪みを仕上げる
ことが可能となる。また、レジストとして作用するドラ
イフィルムでパターニングができるため、電極パターン
となる開口部下の圧電体をエッチング後、溝入れ加工，
電極蒸着，リフトオフ工程を行なうことで極めて整合性
良く窪みにコンタクト電極を形成することができる。
グ処理で窪みを形成するため、圧電体ウェハの反りや厚
みムラに影響されず極めて均一な深さに窪みを仕上げる
ことが可能となる。また、レジストとして作用するドラ
イフィルムでパターニングができるため、電極パターン
となる開口部下の圧電体をエッチング後、溝入れ加工，
電極蒸着，リフトオフ工程を行なうことで極めて整合性
良く窪みにコンタクト電極を形成することができる。
【００１７】さらに、切り欠き効果の少ない滑らかな表
面の窪みが形成されるため、ＦＰＷＢの圧着時の応力が
作用しても圧電体材料の割れ，欠けの発生が抑制され、
ノズル詰まりの原因となるパーティクルの付着や、ＦＰ
ＷＢの密着強度低下が防止される。
面の窪みが形成されるため、ＦＰＷＢの圧着時の応力が
作用しても圧電体材料の割れ，欠けの発生が抑制され、
ノズル詰まりの原因となるパーティクルの付着や、ＦＰ
ＷＢの密着強度低下が防止される。
【００１８】また、コンタクト電極直下に低誘電率材層
を設けたことで、寄生容量を低減し駆動回路への負荷低
減を実現した。
を設けたことで、寄生容量を低減し駆動回路への負荷低
減を実現した。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による実施例を詳細
に説明するが、本発明はこれに限定されるものでないこ
とは言うまでもない。なお、本発明は従来例のインクジ
ェットヘッドにおける尾部１０６に関わる発明であるの
で、分かりやすくするために、この部分を中心に図面を
用いて説明する。 （実施例１）図１ａに示すとおり、ＰＺＴからなる圧電
体ウェハ１０１にドライフィルム１２０をラミネート
後、所望の電極パターンを作製するためフォトリソグラ
フィー工程で開口部１２１を形成する。その後、塩酸・
硝酸の混酸等で湿式エッチングを行うと、図１ａ中記載
ののＡＡ’断面は図１ｂのように窪み１０８が形成され
る。混酸の配合比率や濃度に依存するが、常温でも１分
当たり５〜１０μｍのエッチングレートが得られる。本
実施例では最大深さ約１５μｍとなる条件に統一した。
なお、湿式エッチング法以外にも乾式（ドライ）エッチ
ング法や、イオンミリング法で加工しても構わない。
に説明するが、本発明はこれに限定されるものでないこ
とは言うまでもない。なお、本発明は従来例のインクジ
ェットヘッドにおける尾部１０６に関わる発明であるの
で、分かりやすくするために、この部分を中心に図面を
用いて説明する。 （実施例１）図１ａに示すとおり、ＰＺＴからなる圧電
体ウェハ１０１にドライフィルム１２０をラミネート
後、所望の電極パターンを作製するためフォトリソグラ
フィー工程で開口部１２１を形成する。その後、塩酸・
硝酸の混酸等で湿式エッチングを行うと、図１ａ中記載
ののＡＡ’断面は図１ｂのように窪み１０８が形成され
る。混酸の配合比率や濃度に依存するが、常温でも１分
当たり５〜１０μｍのエッチングレートが得られる。本
実施例では最大深さ約１５μｍとなる条件に統一した。
なお、湿式エッチング法以外にも乾式（ドライ）エッチ
ング法や、イオンミリング法で加工しても構わない。
【００２０】次に、ダイシングソーにより所定の位置へ
溝１０２を形成すると（従来例の図７に示される浅溝１
０４は加工しない）図１ｃの様になる。溝入れ加工が終
わった圧電体ウェハ１０１に超音波洗浄を施し切削粉や
ゴミを除去し、十分に乾燥させる。
溝１０２を形成すると（従来例の図７に示される浅溝１
０４は加工しない）図１ｃの様になる。溝入れ加工が終
わった圧電体ウェハ１０１に超音波洗浄を施し切削粉や
ゴミを除去し、十分に乾燥させる。
【００２１】ここで、公知の斜め蒸着法によりＡｌを２
回蒸着し、レジスト１２０を膨潤剥離すると、図１ｄの
様に側壁１０３上に電極１０５とコンタクト電極１０７
が形成される。図１ｄ中記載のコンタクト電極１０７上
ＢＢ’断面詳細図を図１ｅに示す。その後、従来例と同
様にカバープレート２０１を接着剤層（図示せず）を介
して接合し、溝１０２の開放端面へノズルプレート３０
１を接着すると図２に示すヘッドチップ１３０が完成す
る。
回蒸着し、レジスト１２０を膨潤剥離すると、図１ｄの
様に側壁１０３上に電極１０５とコンタクト電極１０７
が形成される。図１ｄ中記載のコンタクト電極１０７上
ＢＢ’断面詳細図を図１ｅに示す。その後、従来例と同
様にカバープレート２０１を接着剤層（図示せず）を介
して接合し、溝１０２の開放端面へノズルプレート３０
１を接着すると図２に示すヘッドチップ１３０が完成す
る。
【００２２】次いで、尾部１０６上に異方性導電膜テー
プ４０２を置き、コンタクト電極１０７とフレキシブル
配線基板４０３のパターンを合わせて圧着し、他端を駆
動回路基板４０１に接続してインクジェットヘッドが完
成する。 （実施例２）実施例２では、実施例１でのＡｌ蒸着工程
の実施前に、メタルマスク等でポンプとして作用する側
壁部分を覆い、膜厚約３００ｎｍのＳｉＯ２を公知の斜
め蒸着法により２回蒸着したこと以外は、実施例１と全
く同じ方法で行った。この場合のコンタクト電極上断面
図（図１ｅに相当）を図３に示す。 （実施例３）実施例３は、先ず窪みを形成してから実施
例２を実施したものである。実施例１と同様に圧電体ウ
ェハ１０１上にドライフィルム１２０をラミネートし、
コンタクト電極１０７を完全に覆うサイズのエッチング
専用開口部をフォトリソグラフィー手法により形成す
る。続いて、実施例１と同様に塩酸・硝酸の混酸により
湿式エッチングを行う。
プ４０２を置き、コンタクト電極１０７とフレキシブル
配線基板４０３のパターンを合わせて圧着し、他端を駆
動回路基板４０１に接続してインクジェットヘッドが完
成する。 （実施例２）実施例２では、実施例１でのＡｌ蒸着工程
の実施前に、メタルマスク等でポンプとして作用する側
壁部分を覆い、膜厚約３００ｎｍのＳｉＯ２を公知の斜
め蒸着法により２回蒸着したこと以外は、実施例１と全
く同じ方法で行った。この場合のコンタクト電極上断面
図（図１ｅに相当）を図３に示す。 （実施例３）実施例３は、先ず窪みを形成してから実施
例２を実施したものである。実施例１と同様に圧電体ウ
ェハ１０１上にドライフィルム１２０をラミネートし、
コンタクト電極１０７を完全に覆うサイズのエッチング
専用開口部をフォトリソグラフィー手法により形成す
る。続いて、実施例１と同様に塩酸・硝酸の混酸により
湿式エッチングを行う。
【００２３】更に、完全にドライフィルム１２０を剥離
後、再度ドライフィルムをラミネートし、直前に形成し
た窪み１０８の内部にコンタクト電極１０７が形成でき
るようにフォトリソグラフィー工程により開口部１２１
を設けると、コンタクト電極上断面（図１ｂに相当）は
図４ａに図示する通りとなる。
後、再度ドライフィルムをラミネートし、直前に形成し
た窪み１０８の内部にコンタクト電極１０７が形成でき
るようにフォトリソグラフィー工程により開口部１２１
を設けると、コンタクト電極上断面（図１ｂに相当）は
図４ａに図示する通りとなる。
【００２４】以降の工程は実施例２と同様に実施した。
本実施例のコンタクト電極上断面図（図１ｅに相当）を
図４ｂに示した。 （比較例）比較例として、実施例１において、エッチン
グ工程を省略した場合のサンプルを作製した。図５にコ
ンタクト電極上断面図（図１ｅに相当）を示す。
本実施例のコンタクト電極上断面図（図１ｅに相当）を
図４ｂに示した。 （比較例）比較例として、実施例１において、エッチン
グ工程を省略した場合のサンプルを作製した。図５にコ
ンタクト電極上断面図（図１ｅに相当）を示す。
【００２５】以上の実施例および比較例の評価結果を図
６にまとめた。評価項目として、コンタクト電極の密着
性（テープ剥離試験），リフトオフ性（パターン形状）
確認，隣接溝間の静電容量測定，ＦＰＷＢのコンタクト
性（オープン，ショート）評価を実施した。なお、ヘッ
ドチップは５１２溝（ノズル）のものとし、各２０チッ
プずつの評価を行った。
６にまとめた。評価項目として、コンタクト電極の密着
性（テープ剥離試験），リフトオフ性（パターン形状）
確認，隣接溝間の静電容量測定，ＦＰＷＢのコンタクト
性（オープン，ショート）評価を実施した。なお、ヘッ
ドチップは５１２溝（ノズル）のものとし、各２０チッ
プずつの評価を行った。
【００２６】まず、電極の密着性にはエッチングの有無
で大きな差が発生した。実施例１〜３のエッチングを施
したサンプルでは剥離は全く発生しなかったのに対し、
比較例では約半数のヘッドチップでコンタクト電極の剥
離が観察された。これは、現像上がりの開口部面、即ち
圧電体表面にはレジストカス（スカム）が付着している
ためと推定される。実施例ではエッチングを行うこと
で、表層が除去されるため、密着性が改善されたものと
考えられる。
で大きな差が発生した。実施例１〜３のエッチングを施
したサンプルでは剥離は全く発生しなかったのに対し、
比較例では約半数のヘッドチップでコンタクト電極の剥
離が観察された。これは、現像上がりの開口部面、即ち
圧電体表面にはレジストカス（スカム）が付着している
ためと推定される。実施例ではエッチングを行うこと
で、表層が除去されるため、密着性が改善されたものと
考えられる。
【００２７】次に、リフトオフ性であるが、実施例１，
２では蒸着金属のバリ１３０や返り１３１が皆無なのに
対し、実施例３と比較例ではこれらの発生が多々確認さ
れた。これは、エッチング時に圧電体とドライフィルム
の界面が、開口部側よりミクロ的に侵されて浮きを生じ
ているため、斜め蒸着された電極金属が開口部壁面と分
断されているからである。そのため、コンタクト電極の
際（外周）の膜厚は連続的にその厚さが薄くなってお
り、バリや返りの発生が皆無でマスク精度のパターン形
状が得られる。
２では蒸着金属のバリ１３０や返り１３１が皆無なのに
対し、実施例３と比較例ではこれらの発生が多々確認さ
れた。これは、エッチング時に圧電体とドライフィルム
の界面が、開口部側よりミクロ的に侵されて浮きを生じ
ているため、斜め蒸着された電極金属が開口部壁面と分
断されているからである。そのため、コンタクト電極の
際（外周）の膜厚は連続的にその厚さが薄くなってお
り、バリや返りの発生が皆無でマスク精度のパターン形
状が得られる。
【００２８】隣接溝間の静電容量値であるが、同一パタ
ーンとなる実施例１のＳｉＯ２無しサンプルと、ＳｉＯ
２有りの実施例２を比較すると、４０％近い容量低減が
確認され、その効果が実証された。圧電体壁のうちポン
プとして作用する部分以外は、可能な限り電極下に低誘
電率材料層を設けた方がよい。
ーンとなる実施例１のＳｉＯ２無しサンプルと、ＳｉＯ
２有りの実施例２を比較すると、４０％近い容量低減が
確認され、その効果が実証された。圧電体壁のうちポン
プとして作用する部分以外は、可能な限り電極下に低誘
電率材料層を設けた方がよい。
【００２９】最後にＦＰＷＢとのコンタクト性である
が、ＦＰＥＢを経由して隣接溝間の静電容量測定を行う
事で評価した。比較例でのみ６チップにオープンが観察
されたが、５個が圧着時の位置滑り（平行ズレ）が原因
で、１個はＦＰＷＢの伸び（ピッチズレ）が原因であっ
た。このように、何れの実施例でもコンタクト部が窪み
になっている事がＰＦＷＢとの接続歩留り改善に絶大な
効果が有る事が確認された。
が、ＦＰＥＢを経由して隣接溝間の静電容量測定を行う
事で評価した。比較例でのみ６チップにオープンが観察
されたが、５個が圧着時の位置滑り（平行ズレ）が原因
で、１個はＦＰＷＢの伸び（ピッチズレ）が原因であっ
た。このように、何れの実施例でもコンタクト部が窪み
になっている事がＰＦＷＢとの接続歩留り改善に絶大な
効果が有る事が確認された。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によりコン
タクト電極を深さの揃った窪み上に形成することで、Ｆ
ＰＷＢの電極（凸部）との噛み合わせ効果が得られ、歩
留まり良く駆動回路基板と接合することが可能となっ
た。また、溝の延長線上に限定されず、尾部の任意の場
所にコンタクト電極を形成することも可能になった。
タクト電極を深さの揃った窪み上に形成することで、Ｆ
ＰＷＢの電極（凸部）との噛み合わせ効果が得られ、歩
留まり良く駆動回路基板と接合することが可能となっ
た。また、溝の延長線上に限定されず、尾部の任意の場
所にコンタクト電極を形成することも可能になった。
【００３１】さらに、工数は増えるが、湿式エッチング
処理では多数の圧電体ウェハをバッチ処理できるため、
枚葉処理である浅溝加工が省略されるので、生産性が大
幅に改善される。
処理では多数の圧電体ウェハをバッチ処理できるため、
枚葉処理である浅溝加工が省略されるので、生産性が大
幅に改善される。
【００３２】その他、エッチングによる凹み部は滑らか
な面で構成されるため、浅溝の切り欠き効果による強度
低下の心配が少なくヘッド自体の破壊強度改善にも効果
が期待される。
な面で構成されるため、浅溝の切り欠き効果による強度
低下の心配が少なくヘッド自体の破壊強度改善にも効果
が期待される。
【００３３】また、コンタクト電極の下にも低誘電率材
層を形成する事で、寄生容量を大幅に低減できる。
層を形成する事で、寄生容量を大幅に低減できる。
【図１】本発明の実施例１の工程説明図である。
【図２】本発明の実施例１の組立図である。
【図３】本発明の実施例２のコンタクト電極部の断面図
である。
である。
【図４】本発明の実施例３のコンタクト電極部の断面図
である。
である。
【図５】比較例のコンタクト電極部の断面図である。
【図６】本発明の実施例および比較例の評価一覧であ
る。
る。
【図７】従来例の工程説明図である。
【図８】従来例の組立図である。
１０１ 圧電体ウェハ １０２ 溝 １０３ 隔壁 １０４ 浅溝 １０５ 電極 １０６ 尾部 １０７ コンタクト電極 １０８ 窪み １０９ 低誘電率材層 １２０ ドライフィルム １２１ 開口部 １３０ 電極のバリ １３１ 電極の返り ２０１ カバープレート ２１１ インク室 ２１２ インク供給口 ３０１ ノズルプレート ３０２ オリフィス ４０１ 駆動用回路基板 ４０２ 異方性導電膜 ４０３ フレキシブルプリント配線板（ＦＰＷＢ）
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電体に電界を加えてインク滴を吐出さ
せるインクジェットヘッドにおいて、前記ヘッド表面に
設けられた駆動回路側との電気的接続を担うコンタクト
電極の一部または全部がフォトリソグラフィー技術を用
いて形成されており、かつ、エッチングで施された窪み
上に設けられていることを特徴とするインクジェットヘ
ッド。 - 【請求項２】 エッチングで施された前記窪み上の一部
ないし全部に低誘電率材料層を形成後、前記コンタクト
電極が積層されていることを特徴とする請求項１に記載
のインクジェットヘッド。 - 【請求項３】 圧電体に電界を加えてインク滴を吐出さ
せるインクジェットヘッドに設けられ、駆動回路側との
電気的接続を担うコンタクト電極の形成方法であって、 前記圧電体の表面にエッチング処理により複数の窪みを
形成する工程と、 前記窪み上に、蒸着により電極を形成する工程とを有す
ることを特徴とするコンタクト電極の形成方法。 - 【請求項４】 圧電体に電界を加えてインク滴を吐出さ
せるインクジェットヘッドに設けられ、駆動回路側との
電気的接続を担うコンタクト電極の形成方法であって、 前記圧電体の表面にエッチング処理により複数の窪みを
形成する工程と、前記窪み上に、低誘電率材料層を形成
する工程と、 前記低誘電率材料層の上に、電極を形成する工程とを有
することを特徴とするコンタクト電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001126420A JP2002321358A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | インクジェットヘッド及びコンタクト電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001126420A JP2002321358A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | インクジェットヘッド及びコンタクト電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002321358A true JP2002321358A (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=18975463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001126420A Pending JP2002321358A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | インクジェットヘッド及びコンタクト電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002321358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7741850B2 (en) | 2004-07-12 | 2010-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric potential measuring apparatus, and image forming apparatus |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05201001A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-08-10 | Xerox Corp | インクジェットプリントヘッド |
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| JP2000211136A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-02 | Samsung Electro Mech Co Ltd | マイクロアクチュエ―タおよびその製造方法 |
| JP2000334943A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Seiko Epson Corp | インクジェット記録装置 |
-
2001
- 2001-04-24 JP JP2001126420A patent/JP2002321358A/ja active Pending
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