JP2000357683A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000357683A5
JP2000357683A5 JP2000112601A JP2000112601A JP2000357683A5 JP 2000357683 A5 JP2000357683 A5 JP 2000357683A5 JP 2000112601 A JP2000112601 A JP 2000112601A JP 2000112601 A JP2000112601 A JP 2000112601A JP 2000357683 A5 JP2000357683 A5 JP 2000357683A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
plasma
introducing
vacuum
electromagnetic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000112601A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP3640204B2 (ja
JP2000357683A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2000112601A priority Critical patent/JP3640204B2/ja
Priority claimed from JP2000112601A external-priority patent/JP3640204B2/ja
Publication of JP2000357683A publication Critical patent/JP2000357683A/ja
Publication of JP2000357683A5 publication Critical patent/JP2000357683A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3640204B2 publication Critical patent/JP3640204B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2000112601A 1999-04-14 2000-04-13 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Expired - Fee Related JP3640204B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000112601A JP3640204B2 (ja) 1999-04-14 2000-04-13 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-106226 1999-04-14
JP10622699 1999-04-14
JP2000112601A JP3640204B2 (ja) 1999-04-14 2000-04-13 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000357683A JP2000357683A (ja) 2000-12-26
JP2000357683A5 true JP2000357683A5 (enExample) 2005-03-17
JP3640204B2 JP3640204B2 (ja) 2005-04-20

Family

ID=26446371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000112601A Expired - Fee Related JP3640204B2 (ja) 1999-04-14 2000-04-13 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3640204B2 (enExample)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3625197B2 (ja) * 2001-01-18 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置およびプラズマ生成方法
CN1293789C (zh) * 2001-01-18 2007-01-03 东京毅力科创株式会社 等离子体装置及等离子体生成方法
JP3893888B2 (ja) 2001-03-19 2007-03-14 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
KR20020080014A (ko) * 2001-04-10 2002-10-23 주식회사 에이티씨 플라즈마 처리 장치
JP3757159B2 (ja) * 2001-11-28 2006-03-22 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
WO2003065435A1 (fr) * 2002-02-01 2003-08-07 Tokyo Electron Limited Procede de gravure
EP1512164B1 (en) * 2002-05-23 2016-01-06 Lam Research Corporation Multi-part electrode for a semiconductor processing plasma reactor and method of replacing a portion of a mutli-part electrode
JP3723783B2 (ja) 2002-06-06 2005-12-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2012114156A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Ulvac Japan Ltd 圧電素子の製造方法
GB201021860D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for diamond synthesis
JP5728565B2 (ja) * 2013-12-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びこれに用いる遅波板
JP6846776B2 (ja) * 2016-11-30 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7374006B2 (ja) * 2020-01-30 2023-11-06 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3355926B2 (ja) * 1995-05-19 2002-12-09 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JPH1145876A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW469534B (en) Plasma processing method and apparatus
JP2000357683A5 (enExample)
WO2003049169A1 (fr) Procede de gravure au plasma et dispositif de gravure au plasma
TW201012311A (en) Plasma generating apparatus and plasma processing apparatus
JP2000323456A5 (enExample)
JP2019061849A5 (enExample)
TW430899B (en) Method of manufacturing cathode of plasma etching apparatus, and cathode manufactured thereby
JP2000353690A (ja) プラズマリアクタ装置
JP2004047695A5 (enExample)
JP4003305B2 (ja) プラズマ処理方法
JP2000200698A5 (enExample)
WO2008140012A1 (ja) ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
KR100262883B1 (ko) 플라즈마 크리닝 방법 및 플라즈마 처리장치
JPWO2008032627A1 (ja) ドライエッチング方法
JP2011138712A (ja) プラズマ発生源及びプラズマ発生装置並びに成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置
CN101289285A (zh) 等离子体加工装置
JP2001284333A5 (enExample)
JP2011146409A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2003068724A5 (enExample)
JPH10172793A (ja) プラズマ発生装置
JP4347986B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100946385B1 (ko) Ｉｃｐ 방식의 고밀도 반도체 몰드 금형 세정장치
JP2002043289A5 (enExample)
JP3363790B2 (ja) ドライエッチング装置
JPS6468484A (en) Method for polishing diamond film