JP2011146409A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波電力の入力パワーに対して、プラズマ発生効率が良好で、エッチング速度が早く、スループットが高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理物（６）をプラズマ室（３３ｂ）にセットし、誘導結合コイル（４）を誘電板（３４）を隔ててプラズマ室（３３ｂ）に隣接して設け、誘導結合コイル（４）に高周波電力を印加してプラズマ室（３３ｂ）にプラズマを発生させて処理物（６）を処理する。コイル室（３３ａ）の内部はプラズマが発生しない放電限界圧力に減圧されており、誘電板（３４）の厚みを従来に比べて薄くでき、誘導結合コイル（４）で生成する電磁波の誘電板（３４）での減衰を低減して、プラズマ発生の効率を向上させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体および電子部品の製造などにおいて使用されているプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法に関するものである。

近年、電子機器の薄型化と共に、半導体装置の高密度実装化に対する要求が強くなっている。更に、微細加工技術の進歩による半導体装置の高集積化と合わせて、チップサイズパッケージ又はベアチップの半導体装置を直接に実装する、いわゆるチップ実装技術が提案されている。

例えば光学デバイスでは、光学デバイスの表面から光の信号の入出力が実行され、光学デバイスの裏面にはプリント基板からの電気信号用の端子が必要であるため、チップ実装の１種であるチップ積層をするために貫通電極を形成することが提案されている。

この貫通電極の製造方法は特許文献１などに記載されている。図８（ａ）に示すように表面がシリコン酸化膜２４で覆われた半導体基板２５に図８（ｇ）に示すように貫通電極２６を形成する場合には、次のように加工されている。

先ず図８（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２４に形成した孔２７から図８（ｃ）に示すように一方のシリコン酸化膜２４から他方のシリコン酸化膜２４に達する孔２８を、ドライエッチングなどで開ける。そして図８（ｄ）に示すように孔２８の孔壁にＣＶＤで絶縁膜２９を形成する。図８（ｅ）では、前記他方のシリコン酸化膜２４の上に金属薄膜３０，３１を形成する。図８（ｆ）では、孔２８の端部のシリコン酸化膜２４を除去する。図８（ｇ）では、孔２８にスパッタ、メッキなどで導電性物質を充填することによって貫通電極２６を形成している。

図８（ｃ）おける孔２８の形成には、開口部の加工精度、底部のパッド・酸化膜の低ダメージ、側壁の平滑性、スループットが重要であるため、ドライエッチングが用いられている。

図９にプラズマ処理装置によるドライエッチング装置を示す。
このドライエッチング装置では、真空容器１の上部に誘電板５を介して誘導結合コイル４が設置されている。エッチングしようとする処理基板６は、真空容器１の内部の電極７の上にセットされている。真空容器１の内部へガス導入配管１４からフッ素系ガスを導入しつつ、真空容器１の内部を圧力コントローラ１０とターボ分子ポンプ１１によって所定の圧力に制御している。この状態で誘導結合コイル４と電極７の間に、高周波電源２，９によって高周波電力を印加して、真空容器１の内部にプラズマを発生させ、処理基板６または処理基板６上の膜がエッチングされる。

高周波電源９は、真空容器１の内部のプラズマに存在しているイオンの引き込みのために電極７に高周波電力を印加している。３，８はマッチングボックスである。
前記フッ素系ガスはＳＦ_６とＯ_２の混合ガスである。ＳＦ_６流量１４００ｓｃｃｍ、Ｏ_２流量１００ｓｃｃｍのガスを、それぞれガス導入配管１４から真空容器１に流している。具体的には、ＳＦ_６の入ったボンベ１２ａがマスフローコントローラ１３ａを介してガス導入配管１４に接続されている。また、Ｏ_２の入ったボンベ１２ｂがマスフローコントローラ１３ｂを介してガス導入配管１４に接続されている。

誘導結合プラズマを発生させる高周波電源２から誘導結合コイル４に５０００Ｗの電力を印加している。誘電板５の厚みは４０ｍｍである。このときＳｉのエッチングレートは３０μｍ／分である。

特許文献２では、エッチングガスとしてＳＦ_６ガスを用い、デポジションガスとしてＣ_４Ｆ_８ガスを用いて、エッチング工程とデポジション工程を数秒で繰り返しながら加工するエッチング方法でＳｉ基板のエッチングを行っている。また、エッチングレートを向上させるために、８００ｓｃｃｍのガス流量とコイルに印加する電力は５０００Ｗを印加しなければならない。

特許文献３では、スパッタ装置に１ターンの誘導結合用コイルを設置しているが、スパッタ粒子をイオン化するものとして使用しており、プラズマ高密度は必要ないものである。

特開２００９−１１１４３３号公報 特開２００８−１１３０４４号公報 特表２００５−５１００４５号公報

半導体前工程での加工寸法と貫通電極での加工寸法とを比べると、貫通電極での加工寸法の方が１０〜１００倍程度大きい。そのため、半導体前工程で使用されているドライエッチング、ＣＶＤ技術を、貫通電極で使用した場合には、加工時間がかかり、スループットが悪くなる難点がある。

通常、エッチングレート向上を行うときは誘導結合コイルにより高出力の高周波電力を印加している。しかしながら高出力の高周波電力の印加は、マッチングボックスおよび誘導結合コイルとアースの絶縁をとることが必要になり、プラズマ処理装置が複雑な構成になる。

ドライエッチング処理時にＳＦ_６流量を上げるとエッチングレートが早くなるが、ＳＦ_６の地球温暖化係数（GWP：Global Warming Potential）は、ＣＯ_２の地球温暖化係数の２３９００倍であり、削減が要望されている。現状ではスクラバー、フルオロカーボン除害用プラズマユニットで分解しているが、分解エネルギーが非常に高いため使用電力が増加する。

また、図９に示す従来のプラズマ処理装置では、誘導結合コイル４は真空容器１の外部に設置されており、誘電板５を介して高周波電力を印加し、プラズマを発生させている。このとき、誘導結合コイル４と真空容器１内のプラズマ発生箇所の距離が遠いため、誘導結合コイル４からの電磁波の減衰が大きい。そのため、誘導結合コイル４には高出力の高周波電力が必要である。

本発明では、このような従来の課題を解決するためのものであり、プラズマの発生効率が向上し、エッチングレートが向上したプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供することを目的としている。

本発明のプラズマ処理装置は、コイルに電力を印加して真空容器内のプラズマ室の被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記プラズマ室に隣接して設けられ前記コイルをその内部に有するコイル室と、前記コイル室と前記プラズマ室とを隔てる誘電板と、前記コイル室に接続されて前記コイル室の内部を排気する排気手段とを備えたことを特徴とする。

また、本発明のプラズマ処理方法は、コイルに電力を印加して真空容器内のプラズマ室の被処理物をプラズマ処理するに際し、前記コイルをその内部に有するコイル室を、前記プラズマ室との間を誘電板で隔てつつ前記プラズマ室に隣接して設け、前記コイル室の内部を放電限界圧力に制御しつつ前記被処理物をプラズマ処理することを特徴とする。

本発明のプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を用いることで、プラズマの発生効率が上がり、エッチングレートが向上させることができる。

本発明の実施の形態１のプラズマ処理装置の断面図 本実施の形態１で用いる誘導結合コイルの平面図 本実施の形態１で処理する処理基板の加工前後の断面図 本実施の形態１のコイル室の圧力と放電状態の実験結果説明図 本実施の形態１の別の形態の要部の構成図 本発明の実施の形態２のプラズマ処理装置の断面図 本実施の形態２の別の形態の要部の断面図 貫通電極の作成工程の断面図 従来のプラズマ処理装置の構成図

以下、本発明の各実施の形態を図に基づいて説明する。
なお、以下の説明において、同じ構成には同じ符号を付して、適宜、説明を省略する。
（実施の形態１）
図１〜図５は本発明の実施の形態１を示す。

図１は本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置を示す。
このプラズマ処理装置は、真空容器３３の庫内を、誘電板３４によってコイル室３３ａとプラズマ室３３ｂに分けている。エッチング対象である処理基板６（被処理物）は、前記誘導板３４に対向して設けられているプラズマ室３３ｂの電極７の上にセットされている。コイル室３３ａには、誘導結合コイル４が前記誘導板３４に対向して設けられている。２，９は高周波電源、３，８はマッチングボックスである。

なお、この実施の形態では単一の真空容器３３の庫内の空間を、誘電板３４で隔ててコイル室３３ａとプラズマ室３３ｂに区画しているが、本発明の効果を奏するには、少なくとも、誘導結合コイル４を有するコイル室３３ａを、誘電板３４を隔てて前記プラズマ室３３ｂに隣接して設けられている必要がある。

誘導結合コイル４の形状は図２（ａ）または図２（ｂ）のような１ターンまたは複数ターンの一般的なものを用いるが、図２（ｃ）のような螺旋状の形状や、図２（ｄ）のような並列のコイルを並べた形状でもよい。

図１のコイル室３３ａは、真空ポンプとしてのターボ分子ポンプ１５（第１の排気手段）によって排気される。ボンベ１２ａ，１２ｂからマスフローコントローラ１３ａ，１３ｂを介して設定流量のプロセスガスをガス導入配管１４からプラズマ室３３ｂに流すと共に、真空ポンプとしてのターボ分子ポンプ１１（第２の排気手段）と圧力コントローラ１０によってプラズマ室３３ｂの内部圧力を設定圧力（４０Ｐａ）に制御する。これらの制御は、図示しない制御装置によって行われる。

誘導結合コイル４にはプラズマ室３３ｂの圧力が安定した後に、高周波電源２から高周波電力を印加し、マッチングボックス３によりインピーダンス整合させることによってプラズマ室３３ｂに高密度プラズマを発生させる。

高周波電源２の高周波電力の印加と同時またはその印加後に、高周波電源９から電極７に高周波電力を印加し、マッチングボックス８によってインピーダンス整合をさせ、処理基板６の方向にプラズマ中のイオンおよび電子を引き込み、処理基板６またはその上の膜をエッチングする。ここで、コイル室３３ａはターボ分子ポンプ１５の到達圧力（０．００１Ｐａ程度）であるため、コイル室３３ａではプラズマが発生しない。一方、プラズマ室３３ｂを設定圧力の４０Ｐａに制御しているため、プラズマ室３３ｂではプラズマ放電を容易に開始させることができる。

誘電板３４にはガラス、セラミックスなどを使用できる。誘電板３４の厚みは、自重を支えることおよびプラズマで発生する熱による破損を防止するために熱膨張係数・ヤング率がともに小さい石英が適当である。本実施の形態１では、処理基板６の大きさはφ８インチであり、誘電板３４の大きさはφ３００ｍｍのものを用いている。コイル室３３ａとプラズマ室３３ｂとの圧力差が４０Ｐａ程度であるため、誘電板３４としては自重に耐えるための厚みが必要なだけであり、石英の誘電板３４の厚みは１ｍｍとしている。

図８に示した従来のプラズマ処理装置における誘電板５の配置の場合には、大気圧の圧力に耐えることが必要であるため、石英の誘電板５の厚みとしては３５ｍｍ程度が必要であった。それに対して、本実施の形態１の配置では誘電板３４の厚みを薄くできるので、誘導結合コイル４とプラズマ室３３ｂの距離を近づけることができ、誘電板での電磁波のロスを低減でき、プラズマ密度の効率を上げることができる。

本実施の形態１のプラズマ処理装置による具体的な加工例を図３に示す。
図３（ａ）はドライエッチング加工前の断面図、図３（ｂ）はドライエッチング加工後の断面図を示す。

Ｓｉ基板１６上にはレジスト１７が塗布されている。レジスト１７を露光・現像し、ビア開口１８をパターニングする。本実施の形態１のプラズマ処理装置によってビア開口１８のＳｉをエッチング加工する。ドライエッチングを進め、図３（ｂ）のようにレジスト側とは反対の面のパッド１９とＳｉ基板１６との間にある層間絶縁膜２０まで孔２１が達したときエッチングを停止する。Ｓｉ基板厚２００μｍ、レジスト膜厚２０μｍ、ビア開口１８の開口加工寸法１００μｍとしている。層間絶縁膜２０の厚みは１０００ｎｍ、パッド１９の材質はアルミ１μｍおよびＴｉ３０ｎｍである。

この加工例において、使用したガスはＳＦ_６が１４００ｓｃｃｍ、Ｏ_２が１００ｓｃｃｍであり、プラズマ室３３ｂの圧力４０Ｐａ、電極７に印加した高周波電力は５０Ｗであった。図８に示した従来のプラズマ処理装置の場合には、誘導結合コイル４に印加する高周波電力の周波数は１３．５６ＭＨｚ、電力量５０００Ｗであったが、この加工例では、誘導結合コイル４に印加する高周波電力は周波数１３．５６ＭＨｚ、電力量２０００Ｗとなった。この加工例でのＳｉエッチングレートは３０μｍ／ｍｉｎであり、図８に示した従来のプラズマ処理装置に対して、プラズマ発生効率が向上していることがわかった。

なお、本実施の形態１での厚み１ｍｍの石英の誘電板３４の場合は、プラズマ室３３ｂの圧力差が１００Ｐａ以下であれば、コイル室３３ａとプラズマ室３３ｂの圧力が異なっていてもよい。ただし、コイル室３３ａの圧力とプラズマ室３３ｂの圧力差が１００Ｐａ以上になった場合、誘電板３４が圧力差によって破損する可能性があるため、１００Ｐａの圧力差が発生したときには、プラズマ室３３ｂとコイル室３３ａの間のバイパスライン（図示せず）を開き、コイル室３３ａとプラズマ室３３ｂの圧力差を１００Ｐａ未満にする必要がある。バイパスラインは、誘導結合コイル４に高周波電力を印加しない状態で開く必要がある。

ここで、プラズマが発生しない圧力である放電限界圧力について考察する。発明者らの実験での確認によると、コイル室３３ａの圧力を上昇させているときは、図４のようにコイル室３３ａの圧力０．５Ｐａまではプラズマが発生しない（放電しない）ことがわかった。しかし、プラズマが一旦発生してしまうと、圧力を低下させてもプラズマが維持される。同じく発明者らの実験での確認によると、コイル室３３ａの圧力を減少させているときでも、図４のようにコイル室３３ａの圧力０．１Ｐａ以下では全くプラズマが発生しない（放電しない）ことがわかった。本実施の形態１では、ターボ分子ポンプ１５の到達圧力０．００１Ｐａ程度としているため、プラズマは発生しない。

さらに大きいφ３００ｍｍの処理基板６を誘導結合プラズマで加工する場合は、図８に示した従来のプラズマ処理装置の場合には、誘電板５の厚みが５０ｍｍとさらに厚くする必要があるが、本実施の形態１では、自重に耐える構造体である厚み２ｍｍの誘電板３４でよい。すなわち、本実施の形態１の誘電板３４の厚みは、誘電板３４が自重に耐える厚みでよく、真空容器３３や処理基板６の径に依存する。たとえば、径が小さいφ４インチ処理基板６の場合はφ１５０ｍｍ程度の径の誘電板３４でよく、そのとき誘電板３４の厚みは０．７ｍｍ以上となればよい。径がφ３００ｍｍの誘電板３４の場合は、自重に耐えるための厚みは１．５ｍｍ以上あればよい。

逆に誘導結合コイル４から交流磁界が発生し、交流磁界の強め合う位置が遠くなるほど、その強度が弱くなる。そのために、誘導結合コイル４とプラズマ発生位置をできる限り近づける必要がある。このとき交流磁界の強度を５０％以上にするためには、誘電板３４の厚みは１５ｍｍ以下が望ましい。

処理基板６と誘電板３４の距離は、プラズマ室３３ｂ内のプラズマ中のイオンが十分拡散する距離１０ｃｍ以上であればよいが、誘導結合コイル４の形状を図２（ａ）〜（ｄ）に示した何れかを使用することで交流磁界の強度分布・位置を変えることができる。このときに処理基板６と誘電板３４の距離は１０ｍｍまで近づけることができる。

また、本実施の形態１では誘電板３４が薄くなったため、図２（ｅ）のように電流の流れる向きを反転させるコイルなどを用いることが考えられ、コイルに囲まれている部分の磁界を局所的に強め、プラズマ発生箇所を制御できる。なお、誘導結合コイル４は真空中では断熱されているため、電流を流したときに温度が上がってしまい誘電板などを破損させる可能性がある。そのため、誘導結合コイル４のコイル内部を水などの冷媒で冷却する必要がある。

なお、ここではＳｉエッチング加工の事例を説明したが、Ｓｉエッチング以外の材料についても有効である。
また、図１ではコイル室３３ａをターボ分子ポンプ１５などの真空ポンプによって排気し、プラズマ室３３ｂをコイル室３３ａとは別の真空ポンプによって排気したが、これに代えて図５のようにする事も可能である。図５では、ターボ分子ポンプ１５を無くすと共に、コイル室３３ａの排気配管接続を圧力コントローラ１０とターボ分子ポンプ１１の間にしている。ただし、図５のような構成の場合は、コイル室３３ａの到達圧力が０．１Ｐａ以下になるように設計しなければならない。なお、コイル室３３ａの到達圧力が０．１Ｐａより大きくなるときは、図１のようにターボ分子ポンプ１５を取り付ける必要がある。

（実施の形態２）
図６は実施の形態２に係るプラズマ処理装置を示す。
図６の実施の形態２では、誘電板３４と誘導結合コイル４の間に、ファラデーシールド（静電シールド）２２が設けられている点が実施の形態１と異なる。その他は実施の形態１と同じである。ここではコイル室３３ａにおける誘電板３４の誘導結合コイル４の側の上に、導電性の銅などの金属板２２ａを配置してファラデーシールド２２を実現している。

誘導結合プラズマは、誘導結合コイル４のインダクタンスのため、誘導結合コイル４とマッチングボックス３の接続部Ｐの電圧が最も高い。そのため、前記接続部Ｐとプラズマ室３３ｂで発生しているプラズマ２３との容量結合が発生することによって、その容量結合の部分で誘電板３４が削られてしまう。

そこでこの実施の形態２では、誘導結合コイル４と誘電板３４の間にファラデーシールド２２を設置することで前記容量結合の成分を緩和し、プラズマ室３３ｂで発生しているプラズマ２３との容量結合をさせないようにして、誘電板３４の削れを抑制している。

なお、図６ではコイル室３３ａにおける誘電板３４の誘導結合コイル４の側の上に、金属板２２ａを配置してファラデーシールド２２を実現したが、誘電板３４の誘導結合コイル４の側の上に、導体を蒸着させてファラデーシールド２２を実現することもできる。

図７はファラデーシールド２２と誘電板３５の更に別の例を示す。
図７の誘電板３５は、図６の誘電板３４に代えて、第１，第２の誘電板３５ａ，３５ｂを貼り合わせて形成されている。ファラデーシールド２２は第１，第２の誘電板３５ａ，３５ｂの間に挟み込で構成されている。２つの誘電板３５ａ，３５ｂの厚みは、ファラデーシールド２２と誘導結合コイル４、およびファラデーシールド２２とプラズマの電気的絶縁を維持するために、誘導結合コイル４に近い誘電板３５ａの厚みをプラズマ２３に近い誘電板３５ｂより厚くすることが好ましい。

誘電板３５ａの厚みを誘電板３５ｂより厚くする必要がある理由について説明する。
誘導結合コイル４には高周波電力が印加されているため、マッチングボックス３の側の誘導結合コイル４は高周波電力の印加によって約１ｋＶの高電圧になっている。たとえば誘電板３５ａの材料が石英の場合、石英の絶縁破損の強さが２０〜４０ＭＶ／ｍであるため、誘導結合コイル４に１ｋＶの電圧が印加されたときの誘電板３５ａの厚みは５０μｍ以上でよいが、誘電板３５ａの表面のゴミがあったときに電界が集中する可能性がある。そのため、誘電板３５ｂの厚みは１ｍｍ程度が適当である。また、誘電板３５ａと誘電板３５ｂを合わせた厚みは、誘導結合コイル４で発生する交流磁界強度を落とさないように、実施の形態１で説明した誘電板３３の厚み０．７ｍｍ〜１５ｍｍであるほうが望ましい。

ファラデーシールド２２の厚みは電気抵抗による熱の発生を抑制するためにできる限り抵抗の低い材料を使う必要がある。具体的には、金属板２２ａとして厚み１ｍｍの銅板を用いた。

プラズマ室３３ｂと誘導結合コイル４の距離が大きくなりプラズマ室３３ｂのプラズマ発生効率を落とさないようにするために、金属板２２ａは２ｍｍ以下が望ましい。また、高周波の表皮効果以上の厚みがあれば、金属板の電気抵抗は変化しないため、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を使用する場合は、銅板の金属板２２ａであれば１８μｍ以上厚みがあればよい。

図７ではファラデーシールド２２には銅板を使用したが、誘電板３５ｂ上に導体を蒸着させて、これを第１，第２の誘電板３５ａ，３５ｂの間に挟み込んで構成することもできる。具体的には、誘電板３５ｂの上に２０μｍの厚さに銅を蒸着させて構成する。

本実施の形態２では、ファラデーシールド２２または金属板２２ａの材料は銅としたが、条件次第で、金、銀、アルミなどの金属とすることもできる。
また、何れの場合もファラデーシールド２２はアースに対してフローティング電位になるが、積極的にファラデーシールド２２をアースと接続しても良い。

本発明は半導体基板のエッチングや各種の電子部品等の電極の表面加工の作業効率の改善に寄与する。

３３ 真空容器
３３ａ コイル室
３３ｂ プラズマ室
２，９ 高周波電源
３，８ マッチングボックス
４ 誘導結合コイル
３４ 誘電板
３５ａ，３５ｂ 第１，第２の誘電板
６ 処理基板
７ 電極
１０ 圧力コントローラ
１１ ターボ分子ポンプ
１２ ボンベ
１３ マスフローコントローラ
１４ ガス導入配管
１５ ターボ分子ポンプ
２２ ファラデーシールド
２２ａ 金属板
２３ プラズマ
Ｐ 誘導結合コイル４とマッチングボックス３の接続部

Claims (12)

1. コイルに電力を印加して真空容器内のプラズマ室の被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、
   前記プラズマ室に隣接して設けられ前記コイルをその内部に有するコイル室と、
   前記コイル室と前記プラズマ室とを隔てる誘電板と、
   前記コイル室に接続されて前記コイル室の内部を排気する排気手段と
   を備えたプラズマ処理装置。
2. 前記コイル室の内部を０．１Ｐａ以下に制御する制御装置を
   備えた請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 前記誘電板の厚みが、０．７ｍｍ以上１５ｍｍ以下である
   請求項１または請求項２記載のプラズマ処理装置。
4. 前記プラズマ室の圧力を制御する第１のポンプと、
   前記コイル室の圧力を制御する第２のポンプと
   を備えた請求項１から請求項３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
5. 前記プラズマ室の圧力をコントロールバルブを介して制御する第１のポンプを備え、
   前記コントロールバルブと前記第１のポンプとの接続点に前記コイル室を接続して圧力を制御するように構成した
   請求項１から請求項３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記真空容器内において、前記誘電板と前記コイルの間にファラデーシールドを設けた
   請求項１から請求項５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
7. 前記誘電板は、ファラデーシールドをその間に挟む第１，第２の誘電板で構成された
   請求項１から請求項５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
8. 前記コイルの側の第１の誘電板の厚みが、前記プラズマ室側の第２の誘電板よりも厚い
   請求項７記載のプラズマ処理装置。
9. コイルに電力を印加して真空容器内のプラズマ室の被処理物をプラズマ処理するに際し、
   前記コイルをその内部に有するコイル室を、前記プラズマ室との間を誘電板で隔てつつ前記プラズマ室に隣接して設け、
   前記コイル室の内部を放電限界圧力に制御しつつ前記被処理物をプラズマ処理する
   プラズマ処理方法。
10. 前記コイル室の内部を０．１Ｐａ以下に制御する
    請求項９記載のプラズマ処理方法。
11. 前記真空容器内の前記誘電板と前記コイルの間にファラデーシールドを設ける
    請求項９または請求項１０記載のプラズマ処理方法。
12. 前記誘電板を、ファラデーシールドをその間に挟む第１，第２の誘電板で構成する
    請求項９から請求項１１のいずれかに記載のプラズマ処理方法。

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