JP2000353865A - 配線基板の導体層形成工程の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 導体層形成工程における電気的不良の原因究
明が可能な配線基板の導体層形成工程の検査方法。 【解決手段】 テスト絶縁層１２，１３上に、断線テス
ト部２１Ａ，２２Ａ、チエックパッド２１Ｂ，２１Ｂ
２，２２Ｂ１，２２Ｂ２、小型化長径部２１Ｃ，２２
Ｃ、短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄ、並行小型化長尺部２
１Ｅ，２２Ｃを有する第１テスト配線層２１及び第２テ
スト配線層２２を含むテスト導体層２３を形成し、チエ
ッパッド間の導通を調べ、断線不良、短絡不良及び絶縁
不良の有無を検知する。電気的不良品及びその不良部位
を容易に発見することができるので、電気的不良の原因
究明やその対策の効果の評価が容易にでき、テストエッ
チングレジスト層を除去せずに残すことで、電気的不良
の原因をより容易に判別できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の導体層
を形成する導体層形成工程を検査する検査方法に関し、
特に、導体層に生じる電気的不良を容易に予測したり、
工程改善の効果を容易に確認することのできる配線基板
の導体層形成工程の検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、配線基板の導通検査は、一般
的には、次のようにして行われている。即ち、配線基板
に形成された接続パッドやハンダバンプ、あるいは配線
基板に立設された入出力端子としてのピンなどに、プロ
ーブピンを当接させる。そして、配線抵抗を測定した
り、プローブピン間の絶縁抵抗を測定することにより、
配線基板の配線層に生じた断線や短絡などの電気的不良
を検査する。つまり、配線基板を製造した後に、形成さ
れた入出力端子等を用いて、配線層の断線や配線層同士
の短絡などの電気的検査を行っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな検査方法では、プローブピンの接触が可能な入出力
端子が形成されるまで、従って一般には、配線基板が完
成あるいはほぼ完成した状態になるまで検査をすること
ができない。入出力端子以外の部分では、寸法が小さい
（幅が細い）などにより、プローブピンを当接させるこ
とが難しい上、プローブピンで配線層を傷つけてしま
い、却って不具合を生じる可能性があるからである。ま
た、配線基板の製造において、導体層形成工程で製造さ
れる導体層は、通常多数の配線層を含み、また、配線層
同士が電気的に複雑に繋がっていることが多く、各配線
層毎に検査するのは難しい。特に配線層と絶縁層とが順
に複数層積層された配線基板では、各導体層を製造する
度に、各導体層毎に導通検査をすることになるが、これ
は困難である。

【０００４】従って、配線基板の製造時に、導体層を形
成する工程で不具合が起こって配線層に電気的不良を生
じたとしても、引き続き配線基板を製造してほぼ完成し
た状態にしないと、その電気的不良を見つけ出すことが
できない。即ち、製造中に不具合が生じているにも拘わ
らず、ほぼ最後まで製造しなければならないので、付加
価値のついた状態で廃棄することとなり、無駄な作業が
増え、ひいては、配線基板のコストアップとなってい
る。

【０００５】さらに、上記の検査方法では、導体層を形
成する工程における電気的不具合の発生頻度を予測した
り、配線基板の電気的不良による歩留まりを予測した
り、あるいは、電気的不良の発生についての対策の効果
を比較検討する場合においても、配線基板をほぼ完成状
態まで製造してから検査する必要があるので、多大な労
力を要する。特に、電気的不良の発生率が低くなるほ
ど、生産した配線基板を大量に検査する必要があり、電
気的不良対策の効果を評価することが困難となる。

【０００６】また、上記の検査方法では、検査した配線
基板が、断線や短絡などの電気的不良を生じていること
が判っても、そのような電気的不良を生じた原因が何で
あるのか、あるいは、配線基板製造時のどの工程で電気
的不良を生じたかなどを特定することが極めて困難であ
る。従って、従来の配線基板の導通検査からは、電気的
な不良品を発見することができても、その原因まで特定
することは困難であるので、配線基板の製造時の歩留ま
りを向上させることが難しい。

【０００７】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、導体層形成工程における電気的不具合の発生
を容易に予測することができる、そして、その電気的不
良の原因究明が可能で、その対策の効果を容易に比較検
討することのできる配線基板の導体層形成工程の検査方
法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンの
エッチングレジスト層を形成し、露出した上記金属層を
エッチング除去し、上記エッチングレジスト層を除去し
て所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程を検
査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、
テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定テスト
パターンのテストエッチングレジスト層を形成し、露出
した上記テスト金属層をエッチング除去し、細く長い断
線テスト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を
形成するテスト導体層形成工程と、上記断線テスト部の
導通を調べ、上記断線テスト部での断線不良の有無を検
知する断線検知工程と、を備えることを特徴とする配線
基板の導体層形成工程の検査方法である。

【０００９】本発明では、金属層のエッチングにより配
線基板の導体層を形成する導体層形成工程と同様な手法
によってテスト導体層を形成し、このテスト導体層の断
線テスト部での断線不良の有無を検知して、検査する。
この検査方法では、テスト導体層形成工程において、テ
スト絶縁層上に、断線になり易くするため細く、断線の
可能性を増すため長い断線テスト部を有するテスト配線
層を含むテスト導体層を形成する。このため、この断線
テスト部では、各種の不具合によって容易に断線が生じ
るため、この断線テスト部について断線不良の有無を検
知することで容易に断線不良品を発見し、またその断線
部位を容易に発見することができる。

【００１０】特に、断線テスト部ではテスト導体層の導
体幅が細くされ、また、長くされているので、この断線
テスト部で断線不良が発生しやすくなる。つまり、断線
テスト部における断線の有無を検知することで、効率よ
く断線不良品を発見することができる。従って、断線不
良品を観察、分析等することで、断線不良の原因究明を
することができる。あるいは、断線の対策を施した場合
に、断線不良品の減少の程度を確認する際にも、その対
策の効果を容易に評価できる。特に、配線基板の導体形
成工程において形成する導体層のうち最も細い導体幅と
同程度あるいはこれよりも細い導体幅で、導体層のうち
最も長い導体長よりも長い断線テスト部を形成すれば、
配線基板の導体形成工程における断線不良の発生率より
も高い確率で断線不良を発生させることができる。この
ため、テスト導体層を少数形成するだけで、断線不良品
が現れるから、これを容易に発見しあるいは多数の断線
不良品を入手することができる。従って、断線不良の原
因究明が容易になる。また断線不良対策の効果を容易に
評価できる。特に、配線基板の導体形成工程における断
線不良の発生率が低い場合に、有用である。なお、断線
テスト部は、１つのテスト配線層内に１ヶ所に限定され
ることはなく、複数箇所形成されていても良い。

【００１１】さらに、本発明のテスト導体層形成工程で
は、通常はエッチング後に除去するテストエッチングレ
ジスト層を残しておくこともできる。テストエッチング
レジスト層を残しておくと、断線が生じたときに、その
断線部位にもテストエッチングレジスト層が残っている
か否かを視認等することで、断線の生じた原因を推定す
ることができる。即ち、断線部位でテスト導体層が切断
されているにも拘わらず、テストエッチングレジスト層
は連続している場合には、テストエッチングレジスト層
の浮きによって生じた可能性などが推定される。一方、
テストエッチングレジスト層も切断されている場合に
は、異物による露光不良やハンドリング時の接触による
テストエッチングレジスト層の欠損などによるテストエ
ッチングレジスト層のパターン不良によって生じた可能
性が推定される。

【００１２】さらに、上記の配線基板の導体層形成工程
の検査方法であって、前記断線テスト部は、長尺であり
ながら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パタ
ーンによりその配線パターン全体の占める面積が小型化
された小型化長尺部を備えることを特徴とする配線基板
の導体層形成工程の検査方法とすると良い。

【００１３】本発明では、断線テスト部が小型化長尺部
を備えるので、テスト配線層（断線テスト部）の占める
面積が小型化されていながらも、断線テスト部の長さは
長くできる。このため、小面積でも、テスト配線中に断
線不良の現れる確率が高く、断線不良の原因究明やその
対策の効果の評価が容易にできる。さらに、小型化長尺
部によって断線テスト部はその長さの割に占める面積が
小さくできるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をい
くつも並べて形成することも可能である。このようにす
ると、テスト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違い
による断線不良発生率の違いなども容易に測ることがで
き、断線の原因究明や、製品の歩留まり予測などに役立
てることができる。なお、小型化長尺部は、１つの断線
テスト部内に複数箇所形成されていても良い。

【００１４】また、他の解決手段は、絶縁層上に形成し
た金属層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形
成し、露出した上記金属層をエッチング除去し、上記エ
ッチングレジスト層を除去して所定パターンの導体層を
形成する導体層形成工程を検査する配線基板の導体層形
成工程の検査方法であって、テスト絶縁層上に形成した
テスト金属層上に所定テストパターンのテストエッチン
グレジスト層を形成し、露出した上記テスト金属層をエ
ッチング除去し、長い距離にわたって互いに小さい間隔
を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト配線層を含む
テスト導体層を形成するテスト導体層形成工程と、上記
短絡テスト部間の導通または絶縁抵抗を調べ、上記短絡
テスト部間の短絡不良または絶縁不良の有無を検知する
短絡等検知工程と、を備えることを特徴とする配線基板
の導体層形成工程の検査方法である。

【００１５】本発明では、金属層のエッチングにより導
体層を形成する導体層形成工程と同様な手法によってテ
スト導体層を形成し、このテスト導体層の短絡テスト部
間の短絡不良や絶縁不良（以下、併せて短絡等不良とも
いう）の有無を検知して、検査する。この検査方法で
は、テスト導体層形成工程において、短絡等を生じやす
くするためにテスト絶縁層上に長い距離にわたって互い
に小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト
配線層を含むテスト導体層を形成する。このため、この
短絡テスト部間では、各種の不具合によって、容易に短
絡等不良が生じるため、この短絡テスト部について短絡
等不良等を検知することで短絡等不良品及びその発生部
位を発見することができる。

【００１６】特に、短絡テスト部間の間隔が小さくさ
れ、短絡テスト部が長く形成されているので、この短絡
テスト部で短絡不良や絶縁不良が発生しやすくなる。つ
まり、短絡テスト部における短絡等の有無を検知するこ
とで、効率よく短絡等不良品を発見することができる。
特に、配線基板の導体形成工程において形成する導体層
同士の間隔のうち、最も小さい導体間隔と同程度あるい
はこれよりも小さい間隔で、導体層同士の並行部分のう
ち最も長い距離のものよりも長い距離の短絡テスト部を
形成すれば、配線基板の導体形成工程における短絡等不
良の発生率よりも高い確率で短絡等不良を発生させるこ
とができる。このため、テスト導体層を少数形成するだ
けで、短絡等不良品が現れるから、これを容易に発見し
あるいは多数の短絡等不良品を入手することができる。
従って、短絡等不良の原因究明が容易になる。また短絡
等不良対策の効果を容易に評価できる。特に、配線基板
の導体形成工程における短絡等不良の発生率が低い場合
に有用である。なお、短絡テスト部は、１つのテスト配
線層内に複数箇所形成しても良い。

【００１７】さらに、本発明のテスト導体層形成工程で
は、通常はエッチング後に除去するテストエッチングレ
ジスト層を残しておくこともできる。テストエッチング
レジスト層を残しておくと、短絡不良や絶縁不良を生じ
たときに、それらの短絡等の発生部位にもテストエッチ
ングレジスト層が残っているか否かを視認等すること
で、短絡等の生じた原因を推定することができる場合が
ある。即ち、短絡等の発生部位でテスト導体層同士が接
続（ブリッジ）したり近接しているにも拘わらず、テス
トエッチングレジスト層同士はブリッジや近接等をして
いない場合には、異物によるエッチングの阻害の可能性
が推定される。一方、テストエッチングレジスト層同士
もブリッジや近接等をしている場合には、異物による露
光不良などによる、テストエッチングレジスト層のパタ
ーン不良によって生じた可能性を推定できることがあ
る。。

【００１８】さらに、上記の配線基板の導体層形成工程
の検査方法であって、前記短絡テスト部は、対となる前
記テスト配線層が互いに並行して延び、長尺でありなが
ら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パターン
によりその配線パターン全体の占める面積が小型化され
た並行小型化長尺部を備えることを特徴とする配線基板
の導体層形成工程の検査方法とすると良い。

【００１９】本発明では、短絡テスト部が並行小型化長
尺部を備えるので、テスト配線層の占める面積が小型化
されていながらも、短絡テスト部の長さは長くできる。
このため、小面積でも、テスト配線層中に短絡不良や絶
縁不良が現れる確率が高く、原因の究明やその対策の効
果の評価が容易にできる。さらに、小型化長尺部によっ
て短絡テスト部はその長さの割に占める面積が小さくで
きるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をいくつも並
べて形成することも可能である。このようにすると、テ
スト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違いによる短
絡等の不良発生率の違いなども容易に測ることができ、
短絡等の原因究明や、製品の歩留まり予測などに役立て
ることができる。なお、並行小型化長尺部は、１つの短
絡テスト部内に複数箇所形成されていても良い。

【００２０】さらに、上記の配線基板の導体層形成工程
の検査方法であって、上記短絡テスト部の導通を調べ、
上記短絡テスト部での断線不良の有無を検知する断線検
知工程を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成
工程の検査方法とすると良い。

【００２１】本発明では、短絡テスト部の導通をも調
べ、短絡テスト部での断線不良の有無をも検知する。つ
まり、短絡テスト部間についての短絡不良や絶縁不良の
有無を検知するとともに、これら短絡テスト部での断線
不良の有無も検知することで、断線不良及び短絡等不良
の両方についての電気的不良品を発見することができ
る。さらに、通常は除去するテストエッチングレジスト
層を残しておいた場合には、電気的不良が生じたとき
に、その不良（断線、短絡、絶縁不良）の生じた部位を
観察することで、不良の生じた原因を推定することがで
きる。

【００２２】あるいは、前記の配線基板の導体層形成工
程の検査方法であって、対となる前記テスト配線層の短
絡テスト部は、互いに噛み合う櫛歯状の配線パターンの
櫛歯状部をそれぞれ備えることを特徴とする配線基板の
導体層形成工程の検査方法とすると良い。

【００２３】本発明では、対となるテスト配線層の短絡
テスト部が櫛歯状部を備えるので、テスト配線層の占め
る面積が小型化されながらも、２つのテスト配線層間で
小さい間隔を保つ長さは長くとれる。このため、小面積
でも、テスト配線層間に短絡不良や絶縁不良の現れる確
率が高く、原因の究明やその対策の効果の評価が容易に
できる。さらに、櫛歯状部によって短絡テスト部はその
長さの割に占める面積が小さくできるため、テスト絶縁
層上にテスト導体層をいくつも並べて形成することも可
能である。このようにすると、テスト絶縁層上の四隅や
中央部などの位置の違いによる短絡等の不良発生率の違
いなども容易に測ることができ、短絡等の原因究明、製
品の歩留まり予測などに役立てることができる。なお、
櫛歯状部は、１つの短絡テスト部内に複数箇所形成され
ていても良い。

【００２４】また、上記いずれかの配線基板の導体層形
成工程の検査方法であって、前記エッチングレジスト層
は、感光性樹脂を露光現像により前記所定パターンに形
成したものであり、前記テストエッチングレジスト層
は、上記エッチングレジスト層と同じ感光タイプの感光
性樹脂を露光現像により前記所定テストパターンに形成
したことを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査
方法とするのが好ましい。

【００２５】本発明によれば、テストエッチングレジス
ト層はエッチングレジスト層と同じ感光タイプの感光性
樹脂、つまりエッチングレジスト層に用いた感光性樹脂
と同じネガ型あるいはポジ型の感光性樹脂を用いる。こ
のため、配線基板の導体層形成工程において、異物など
による感光性樹脂の露光不良に起因して発生する断線あ
るいは短絡等を、テスト導体層形成工程でも起こさせる
ことができるので、不具合の原因究明がより容易にな
る。

【００２６】また、他の解決手段は、絶縁層上に形成し
た金属層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成
し、露出した上記金属層上に電解メッキを施し、上記メ
ッキレジスト層を除去し、露出した上記金属層をエッチ
ング除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形
成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法
であって、テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に
所定パターンのテストメッキレジスト層を形成し、その
後、露出した上記テスト金属層上に電解メッキを施し、
上記テストメッキレジスト層を除去し、露出した上記テ
スト金属層をエッチング除去して、細く長い断線テスト
部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を形成する
テスト導体層形成工程と、上記断線テスト部の導通を調
べ、上記断線テスト部での断線不良の有無を検知する断
線検知工程と、を備えることを特徴とする配線基板の導
体層形成工程の検査方法である。

【００２７】本発明では、電解メッキを施し金属層をエ
ッチングすることにより配線基板の導体層を形成する導
体層形成工程と同様な手法によってテスト導体層を形成
し、このテスト導体層の断線テスト部での断線不良の有
無を検知して、検査する。この検査方法では、テスト導
体層形成工程において、テスト絶縁層上に、断線になり
易くするため細く、断線の可能性を増すため長い断線テ
スト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を形成
する。このため、この断線テスト部では、各種の不具合
によって容易に断線を生じるため、断線不良品及びその
断線部位を容易に発見することができる。

【００２８】特に、断線テスト部ではテスト導体層の細
さが細くされ、また、長くされているので、この断線テ
スト部で断線不良が発生しやすくなる。つまり、断線テ
スト部における断線の有無を検知することで、効率よく
断線不良品を発見することができる。従って、断線不良
品を観察、分析等することで、断線不良の原因究明をす
ることができる。あるいは、断線の対策を施した場合
に、断線不良品の減少の程度を確認する際にも、その対
策の効果を容易に評価できる。特に、配線基板の導体形
成工程において形成する導体層のうち最も細い導体幅と
同程度あるいはこれよりも細い導体幅で、導体層のうち
最も長い導体長よりも長い断線テスト部を形成すれば、
配線基板の導体形成工程における断線不良の発生率より
も高い確率で断線不良を発生させることができる。この
ため、テスト導体層を少数形成するだけで、断線不良品
が現れるから、これを容易に発見しあるいは多数の断線
不良品を入手することができる。従って、断線不良の原
因究明が容易になる。また断線不良対策の効果を容易に
評価できる。特に、配線基板の導体形成工程における断
線不良の発生率が低い場合に、有用である。なお、断線
テスト部は、１つのテスト配線層内に１ヶ所に限定され
ることはなく、複数箇所形成されていても良い。

【００２９】さらに、上記の配線基板の導体層形成工程
の検査方法であって、前記断線テスト部は、長尺であり
ながら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パタ
ーンによりその配線パターン全体の占める面積が小型化
された小型化長尺部を備えることを特徴とする配線基板
の導体層形成工程の検査方法とすると良い。

【００３０】本発明では、断線テスト部が小型化長尺部
を備えるので、テスト配線層（断線テスト部）の占める
面積が小型化されていながらも、断線テスト部の長さは
長くできる。このため、小面積でも、テスト配線中に断
線不良の現れる確率が高く、断線不良の原因究明やその
対策の効果の評価が容易にできる。さらに、小型化長尺
部によって断線テスト部はその長さの割に占める面積が
小さくできるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をい
くつも並べて形成することも可能である。このようにす
ると、テスト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違い
による不良発生率の違いなども容易に測ることができ、
断線の原因究明や製品歩留まりの予測などに役立てるこ
とができる。なお、小型化長尺部は、１つの断線テスト
部内に複数箇所形成されていても良い。

【００３１】また、他の解決手段は、絶縁層上に形成し
た金属層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成
し、露出した上記金属層上に電解メッキを施し、上記メ
ッキレジスト層を除去し、露出した上記金属層をエッチ
ング除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形
成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法
であって、テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に
所定パターンのテストメッキレジスト層を形成し、その
後、露出した上記テスト金属層上に電解メッキを施し、
上記テストメッキレジスト層を除去し、露出した上記テ
スト金属層をエッチング除去して、長い距離にわたって
互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテ
スト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体層
形成工程と、上記短絡テスト部間の導通または絶縁抵抗
を調べ、上記短絡テスト部間の短絡不良または絶縁不良
の有無を検知する短絡等検知工程と、を備えることを特
徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法である。

【００３２】本発明では、電解メッキを施し金属層をエ
ッチングすることにより配線基板の導体層を形成する導
体層形成工程と同様な手法によってテスト導体層を形成
し、このテスト導体層の短絡テスト部間の短絡不良や絶
縁不良の有無を検知して、検査する。この検査方法で
は、テスト導体層形成工程において、短絡等を生じやす
くするためにテスト絶縁層上に長い距離にわたって互い
に小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト
配線層を含むテスト導体層を形成する。このため、この
短絡テスト部間では、各種の不具合によって容易に短絡
等不良が生じるため、電短絡等不良品及びその発生部位
を発見することができる。

【００３３】特に、短絡テスト部間の間隔が小さくさ
れ、短絡テスト部が長く形成されているので、この短絡
テスト部で短絡不良や絶縁不良が発生しやすくなる。つ
まり、短絡テスト部における短絡等の有無を検知するこ
とで、効率よく短絡等不良品を発見することができる。
特に、配線基板の導体形成工程において形成する導体層
同士の間隔のうち、最も小さい導体間隔と同程度あるい
はこれよりも小さい狭さで、導体層同士の並行部分のう
ち最も長い距離よりも長い短絡テスト部を形成すれば、
配線基板の導体形成工程における短絡等不良の発生率よ
りも高い確率で短絡等不良を発生させることができる。
このため、テスト導体層を少数形成するだけで、短絡等
不良品が現れるから、これを容易に発見しあるいは多数
の短絡等不良品を入手することができる。従って、短絡
等不良の原因究明が容易になる。また短絡等不良対策の
効果を容易に評価できる。特に、配線基板の導体形成工
程における短絡等不良の発生率が低い場合に有用であ
る。なお、短絡テスト部は、１つのテスト配線層内に複
数箇所形成しても良い。

【００３４】さらに、上記の配線基板の導体層形成工程
の検査方法であって、前記短絡テスト部は、対となる前
記テスト配線層が互いに並行して延び、長尺でありなが
ら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パターン
によりその配線パターン全体の占める面積が小型化され
た並行小型化長尺部を備えることを特徴とする配線基板
の導体層形成工程の検査方法とすると良い。

【００３５】本発明では、短絡テスト部が並行小型化長
尺部を備えるので、テスト配線層の占める面積が小型化
されていながらも、短絡テスト部の長さは長くできる。
このため、小面積でも、テスト配線層中に短絡不良や絶
縁不良が現れる確率が高く、原因の究明やその対策の効
果の評価が容易にできる。さらに、小型化長尺部によっ
て短絡テスト部はその長さの割に占める面積が小さくで
きるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をいくつも並
べて形成することも可能である。このようにすると、テ
スト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違いによる短
絡等の不良発生率の違いなども容易に測ることができ、
短絡等の原因究明や、製品の歩留まり予測などに役立て
ることができる。なお、並行小型化長尺部は、１つの短
絡テスト部内に複数箇所形成されていても良い。

【００３６】さらに、上記の配線基板の導体層形成工程
の検査方法であって、上記短絡テスト部の導通を調べ、
上記短絡テスト部での断線不良の有無を検知する断線検
知工程を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成
工程の検査方法とすると良い。

【００３７】本発明では、短絡テスト部の導通をも調
べ、短絡テスト部での断線不良の有無をも検知する。つ
まり、短絡テスト部間についての短絡不良や絶縁不良の
有無を検知するとともに、これら短絡テスト部での断線
不良の有無も検知することで、断線不良及び短絡不良等
の両方についての電気的不良品を発見することができ
る。

【００３８】あるいは、前記の配線基板の導体層形成工
程の検査方法であって、対となる前記テスト配線層の短
絡テスト部は、互いに噛み合う櫛歯状の配線パターンの
櫛歯状部をそれぞれ備えることを特徴とする配線基板の
導体層形成工程の検査方法とすると良い。

【００３９】本発明では、対となるテスト配線層の短絡
テスト部が櫛歯状部を備えるので、テスト配線層の占め
る面積が小型化されながらも、２つのテスト配線層間で
小さい間隔を保つ長さは長くとれる。このため、小面積
でも、テスト配線中に短絡不良や絶縁不良の不良の現れ
る確率が高く、原因の究明やその対策の効果の評価が容
易にできる。さらに、櫛歯状部によって短絡テスト部は
その長さの割に占める面積が小さくできるため、テスト
絶縁層上にテスト導体層をいくつも並べて形成すること
も可能である。このようにすると、テスト絶縁層上の四
隅や中央部などの位置の違いによる短絡等の不良発生率
の違いなども容易に測ることができ、短絡等の原因究
明、製品の歩留まり予測などに役立てることができる。
なお、櫛歯状部は、１つの短絡テスト部内に複数箇所形
成されていても良い。

【００４０】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明にか
かる第１の実施の形態を、図を参照しつつ説明する。本
実施形態の検査方法で検査される導体層形成工程にかか
る配線基板１００は、図１に示すように、３３０ｍｍ×
３３０ｍｍの略正方形板状で、多数個取り用大判形状の
配線基板である。即ち、この大判の配線基板１００は、
大別して、最終的に切断により個分けして製品（配線基
板）とする多数の製品部１０１（４０ｍｍ×４０ｍｍ）
と、製品部１０１同士を接続し、最終的には廃棄する接
続部１０２とからなる。本実施形態において、製品部１
０１は接続部１０２を介して縦横３ヶずつ（合計９ヶ）
並べられ、更に、この９ヶの群は接続部１０２を介して
縦横２群ずつ（合計４群）並べられているので、１つの
配線基板１００には、３６ヶ（＝９×４）の製品部１０
１が属している。この配線基板１００は、本実施形態の
検査方法で検査される導体層形成工程を含め、種々の工
程を経て、製品部１０１に回路配線その他が作り込ま
れ、大判で完成後、製品部１０１毎に切断し、ハンダリ
フローなど、更に必要な処理を施した後、図３に示す個
分けされた配線基板１１０となる。この配線基板１１０
は、その上面１１０Ａに、破線で示すＩＣチップＣＨと
の接続が可能なハンダバンプ１１１が多数形成され、下
面１１０Ｂには、破線で示すマザーボードＭＢの上面Ｍ
ＢＡに搭載可能なように、ハンダバンプ１１２が多数形
成されている。

【００４１】本実施形態の検査方法で検査される導体層
形成工程で形成される導体層１０３は、主として製品部
１０１に形成される。各製品部１０１に形成される導体
層１０３のパターンは、平面視において図２に示すよう
に、主として、中心付近から周縁に向かって略放射状に
延びる多数の配線層１０４を含むパターンである。な
お、図１ではこれらの記載は省略した。容易に理解でき
るように、この配線層１０４が途中で断線したり、隣り
合う配線層１０４同士で短絡したり、あるいは接近して
配線層１０４同士の間の絶縁抵抗が低下したりすると、
そのような不具合を含む配線基板１１０は正常に動作し
ない。従って、断線や短絡等の不具合のある配線基板１
１０を排除するため、配線基板１１０の完成後あるいは
完成直前に検査を行うが、多数の複雑な配線を検査する
のは容易でなく、検査費用もかかり、不良品の廃棄に伴
う損失も大きい。

【００４２】このため、各工程における検査や不具合原
因の追及が行われるが、例えば、図２に示す各配線層１
０３を検査するのも容易ではない。そこで本発明では、
以下に示すように、導体層１０３を形成するのと同様の
テスト導体層形成工程によってテスト配線基板にテスト
導体層を形成して、テスト導体層について検査を行う。
その結果から、導体層形成工程における各装置や材料が
所期の特性通り適正に作動運用しているかどうかなどを
評価し、あるいは次工程以降の製品（配線基板１００や
配線基板１１０など）の歩留まりを予測可能とする。こ
のため、例えば、１日の作業の開始前、終了後、途中、
あるいは、導体層形成工程に配線基板１００を投入する
前や後、間などに、定期的にテスト配線基板を投入し
て、検査を行うと良い。また、不具合対策の適否、効果
の大小等を評価することもできるので、各種の改善を行
った際に、検査を行うと良い。

【００４３】なお、図２に示す導体層１０３（配線層１
０４）は、以下のようにして形成する。即ち、配線基板
１００の表面には、予めエポキシ系樹脂からなる樹脂絶
縁層を形成しておき、その上に予め形成しておいた金属
層、具体的には銅層上に、ネガ型感光性樹脂からなるド
ライフィルムを貼り付け、露光現像して所定パターンの
エッチングレジスト層を形成する。その後、露出した銅
層をエッチングにより溶解除去して、導体層１０３を形
成し、更に不要となったエッチングレジスト層を除去し
て形成する。

【００４４】次に、本実施形態で製造されるテスト配線
基板１の平面図を図４に示す。このテスト配線基板１
は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるテストコア
基板１１の上下にエポキシ樹脂系のテスト樹脂絶縁層１
２，１３をそれぞれ形成したテスト基板１０（図６
（ａ）参照）からなり、上記した大判の配線基板１００
と同じく、３３０×３３０ｍｍの平面視略正方形板状で
ある。そして、テスト配線基板１は、上記した製品部１
０１（４０×４０ｍｍ）に対応する連結テスト領域３を
３６ヶ（＝４×９）備えている。この連結領域３には、
それぞれ２０×２０ｍｍの略正方形状のテスト領域２が
４つ連結した状態で含まれている。各連結テスト領域３
同士は、上記接続部１０２に対応する不要部５によって
接続されている。従って、このテスト配線基板１は、１
４４ヶ（＝４×９×４）のテスト領域２と不要部５によ
り構成されている。また、各テスト領域２には、後述す
るように、図５に示すパターンのテスト導体層２３が形
成される（図４では、図示を省略する）なお、本実施形
態では、テスト配線基板１の図示しない下面側にも、同
様にテスト領域と不要部が形成される。

【００４５】次に、このテスト配線基板１のテスト領域
２の平面図を図５に示す。各テスト領域２には、上記し
た配線基板１００の表面と同材質のエポキシ樹脂系から
なるテスト絶縁層１２上に、テスト導体層２３が形成さ
れている。このテスト導体層２３は、２つのテスト配線
層（第１テスト配線層２１、第２テスト配線層２２）を
含む。さらに、第１テスト配線層２１及び第２テスト配
線層２２は、上記配線層１０４（図２参照）とほぼ同じ
線幅（４５μｍ）の細くて長い断線テスト部２１Ａ，２
２Ａと、その両端に形成され、導通などの電気的特性測
定するためのプローブを当接可能な一対のチェックパッ
ド２１Ｂ１及び２１Ｂ２、２２Ｂ１及び２２Ｂ２（それ
ぞれ１×１ｍｍ）とをそれぞれ有する。さらに、図中、
一点鎖線で囲まれた領域２４では、この断線テスト部２
１Ａ，２２Ａがジグザグの配線パターンにされており、
断線テスト部２１Ａ，２２Ａはいずれも、この領域２４
で長さが長尺でありながら、ジグザグ状の配線パターン
によりその占める面積が領域２４内に収まるように小型
化された小型化長尺部２１Ｃ，２２Ｃとされている。

【００４６】また、第１テスト配線層２１及び第２テス
ト配線層２２は、領域２４内において、互いに３５μｍ
の間隔保ち、不具合によって短絡が容易に生じるように
した短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄをも構成している。さ
らに、それら短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄは、２つのテ
スト配線層２１，２２が対となって互いに並行してジグ
ザグに延び、長尺でありながら、ジグザグ状の配線パタ
ーンによりそのパターン全体の占める面積が小型化され
て並行小型化長尺部２１Ｅ，２２Ｅともされている。こ
のように、本実施形態では、小型化長尺部２１Ｃ，２２
Ｃは、短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄであり、かつ、並行
小型化長尺部２１Ｅ，２２Ｅでもある。

【００４７】次に、配線基板の導体層形成工程の検査方
法について、図６〜図１１を参照しつつ説明する。本実
施形態において、検査対象である配線基板１００の導体
層形成工程は、上記したように、樹脂絶縁層上に形成し
た金属層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形
成し、露出した金属層をエッチング除去し、エッチング
レジスト層を除去して所定パターンの導体層１０３を形
成するものである。そこで、上記テスト配線基板１のテ
スト導体層２３も、以下に述べるように、同様に金属層
をエッチングすることにより形成する。

【００４８】まず、図６（ａ）に部分拡大断面図を示す
ように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるテスト
コア基板１１の上下にテスト絶縁層１２，１３が形成さ
れたテスト基板１０を用意する。この両面１０Ａ，１０
Ｂ上には、予め厚さ１５μｍの銅からなるテスト金属層
１４，１５をそれぞれ形成しておく。このテスト金属層
１４，１５は、テスト絶縁層１２，１３上に銅箔を積層
したり、テスト絶縁層１２，１３上に無電解メッキ及び
電解メッキを施すなど、公知の手法により形成する。な
お、実際の製品の配線基板１１０を製造するのと同様の
手法によってテスト金属層１４，１５を形成するのが好
ましい。

【００４９】次に、テスト導体層形成工程において、ま
ず図６（ｂ）に示すように、各テスト金属層１４，１５
の略全面に、アクリル系樹脂（水溶性アクリル）からな
るネガ型感光性のドライフィルムをそれぞれ貼り付け、
テストエッチングレジスト層１６，１７を形成する。こ
のドライフィルム（テストエッチングレジスト層１６，
１７）の材質は、検査対象の配線基板１００の導体層形
成工程で用いるものと同様のものであり、貼付条件や後
述する露光現像条件などの製造条件も製品の製造時と同
様にする。

【００５０】次に、図７（ａ）に示すように、貼り付け
たテストエッチングレジスト層１６，１７を、所定パタ
ーン（図５参照）に露光し、その後現像して、第１テス
ト配線層２１及び第２テスト配線層２２などに対応した
所定パターンのテストエッチングレジスト層１８，１９
をそれぞれ形成する。なお、本実施形態で用いたドライ
フィルムは、露光された部分が硬化するネガタイプであ
るので、露光部が、現像後、所定パターンのテストエッ
チングレジスト層１８，１９となる。

【００５１】次に、図７（ｂ）に示すように、所定パタ
ーンのテストエッチングレジスト層１８，１９から露出
したテスト金属層１４，１５上に、エッチング液を噴射
し、露出したテスト金属層１４，１５をエッチング除去
する。これにより、上面１０Ａ上に第１テスト配線層２
１及び第２テスト配線層２２を含むテスト導体層２３
が、また、下面１０Ｂにもテスト導体層２７が形成され
る。なお、検査対象の配線基板の導体層形成工程では、
導体層１０３を形成した後、エッチングレジスト層を剥
離して導体層１０３を露出させるが、本実施形態の検査
方法では、後述するように、不具合の原因が発見しやす
くなるため、エッチング後も、所定パターンのテストエ
ッチングレジスト層１８，１９をそのまま残しておく。

【００５２】次に、断線検知工程において、第１テスト
配線層２１の各チェックパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２上の
テストエッチングレジスト層１８を全部または一部除去
してから、チェックパッド２１Ｂ１等にプローブピンを
当接させて、チェックパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２間の導
通を調べ、断線テスト部２１Ａ及び小型化長尺部２１Ｃ
の断線不良の有無を検知する。また、第２テスト配線層
２２についても同様に、断線テスト部２２Ａ及び小型化
長尺部２２Ｃの断線不良の有無を検知する。さらに、短
絡等検知工程において、第１テスト配線層２１のチェッ
クパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２のいずれかと、第２テスト
配線層２２のチェックパッド２２Ｂ１，２２Ｂ２のいず
れか（例えば、２１Ｂ１と２２Ｂ１）に、それぞれプロ
ーブピンを当接させて、その間の導通や絶縁抵抗を調
べ、短絡テスト部２１Ｃ，２２Ｃ間（並行小型化長尺部
２１Ｄ，２２Ｄ間）の短絡不良や絶縁不良の有無を検知
する。なお、テストエッチングレジスト層１８を貫通す
るようにしてプローブピンをチェックパッド２１Ｂ１，
２１Ｂ２（２２Ｂ１，２２Ｂ２）に当接させても良い。

【００５３】このように、第１テスト配線層２１及び第
２テスト配線層２２は、それらの両端にそれぞれチェッ
クパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２，２２Ｂ１，２２Ｂ２が形
成されているので、容易ににプローブピンを当接させて
電気的な検査をすることができる。一つのテスト領域２
について上記の断線や短絡等の検査を行った後は、さら
に、このような検査を他のテスト領域２についても行
い、テスト配線基板１内の１４４ヶすべてのテスト領域
２について検査して、断線不良、短絡不良、絶縁不良の
有無を検知する。また、下面１０Ｂに形成したテスト導
体層２７についても同様にして、検査をする。

【００５４】このようにすると、検査対象である配線基
板の導体層形成工程そのものの歩留まりではないが、同
様な導体層形成工程によるテスト配線層２１，２２の歩
留まりが判る。従って、従来のように、配線基板をほぼ
完成した状態まで製造してから検査する必要がなく、導
体層形成工程毎に容易に歩留まりの高低の推定や評価が
できることになる。また、本実施形態では、テスト導体
層２３の形状を、図４、図５に示すテスト領域２に収ま
るような小型なものとしたので、データの集計方法によ
っては、テスト配線基板１のうち、例えば、四隅付近と
中央付近での不具合発生割合の違い、上面１０Ａ上のテ
スト導体層２３と下面１０Ｂ上のテスト導体層２７での
不具合発生率の違いなどを算出することもでき、これを
用いて不具合原因の探求も可能となる。さらに、テスト
配線基板１を用いているので、プローブピンによって製
品となる配線基板１００内の配線層の一部が傷付くな
ど、検査に伴う不具合を生じることもない。

【００５５】さらに、本実施形態の検査方法では、テス
ト導体層形成工程において、テスト絶縁層１２上に、テ
スト導体層２３、具体的には、細く長い断線テスト部２
１Ａ，２２Ａを有する第１テスト配線層２１及び第２テ
スト配線層２２を形成している。特に、この断線テスト
部２１Ａ，２２Ａは、製品部１０１の配線層１０４（図
２参照）と同等の細さで、そのいずれの長さよりも長い
小型化長尺部２１Ｃ，２２Ｃを備えている。このため、
各種の不具合があると、検査対象の配線基板１００の導
体層形成工程の場合に比して、遙かに高い確率でこれら
に断線が生じるので、テスト導体層２３を少量形成する
だけで断線不良品が現れる。従って、例えば、検査対象
である配線基板１００の導体層形成工程において、歩留
まりが十分高く、断線不良の生じる可能性が低い場合に
も、少数のテスト配線層２１，２２を検査することで、
断線不良が現れるので、多数の配線基板１１０（または
製品部１０１）を検査する必要がなく、導体層形成工程
の歩留まりを推定や評価することができる。

【００５６】また、本実施形態の検査方法では、テスト
導体層形成工程において、並行して延びる配線層１０４
の並行部分と同等の間隔（４０μｍ）で、そのいずれの
長さよりも長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ
短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄ（並行小型化長尺部２１
Ｅ，２２Ｅ）を有する第１テスト配線層２１及び第２テ
スト配線層２２を形成した。このため、この短絡テスト
部２１Ｄ，２２Ｄ間では、各種の不具合があると、配線
基板１００の導体層形成工程の場合に比して、短絡不良
や絶縁不良が遙かに高い確率で生じるので、テスト導体
層２３を少量形成するだけで断線不良品が現れる。従っ
て、例えば検査対象である配線基板１００の導体層形成
工程において、歩留まりが十分高く、短絡不良などの生
じる可能性が低い場合にも、少数のテスト配線層２１，
２２を検査することで、短絡不良や絶縁不良が現れるの
で、多数の配線基板１０１（または製品部１０１）を検
査する必要が無く、導体層形成工程の歩留まりを推定や
評価することができる。

【００５７】その上、上述の検査により、断線不良、短
絡不良または絶縁不良が発見された場合には、不良個所
を特定し観察することで、不具合の原因を探る手掛かり
をえることができる。まず、目視、あるいは通常の光学
顕微鏡や偏光顕微鏡などを用いてテストエッチングレジ
スト層１８，１９やテスト配線層２１，２２の状態を調
べ、断線不良、短絡不良または絶縁不良を生じた部位を
探し、その状態を観察する。

【００５８】なお、小型化長尺部２１Ｃ，２２Ｃでは、
第１，第２テスト配線層２１，２２が密集したパターン
にされているため、狭い領域２４を観察するだけで容易
に断線部位を発見できるので、この点でも都合がよい。
同様に、並行小型化長尺部２１Ｅ，２２Ｅでは、第１第
２テスト配線層２１，２２が密集したパターンにされて
いるため、狭い領域２４を観察するだけで容易に短絡部
位あるいは絶縁不良部位を発見できるので、この点でも
都合がよい。

【００５９】テスト配線層２１Ａ（２２Ａ）に断線不良
が生じた場合、断線部位２１Ｒの上にテストエッチング
レジスト層１８があるかどうかを観察する。まず、図８
（ａ）に示すように、断線部位２１Ｒ上にもテストエッ
チングレジスト層１８が正常に存在する場合、即ち、テ
ストエッチングレジスト層１８が所定の形状をなしてい
るにも拘わらず、その下のテスト配線層２１Ａでは、断
線部位２１Ｒでテスト配線層２１Ａが存在せず断線を生
じている場合がある。この場合には、図８（ｂ）（ｃ）
に示すように、テスト金属層１４上にテストエッチング
レジスト層１６（ドライフィルム）を貼り付けた際に、
テストエッチングレジスト層１８とテスト金属層１４と
の間に、異物ＦＭあるいは空気によるボイドＶが入り込
んだため、テストエッチングレジスト層１８がその近く
だけ浮き上がって浮き部分１８Ｒとなる。これによっ
て、エッチング液がテストエッチングレジスト層１８と
テスト金属層１４との間に浸み込み、テスト配線層２１
Ａの断線部位２１Ｒがエッチング除去されたものと考え
られる。

【００６０】これに対し、図９（ａ）に示すように、断
線部位２１Ｒではテストエッチングレジスト層１８も欠
損している場合がある。この場合には、テストエッチン
グレジスト層１６に所定パターンの露光をする際に、テ
ストエッチングレジスト層１６上に、異物ＦＭ２が付着
して無用な影ができ、本来、硬化し残存すべき部分が現
像により除去されてパターン不良を生じたと考えられ
る。あるいは、現像後エッチングまでのハンドリングに
おいて、治工具や他の基板などと接触したために、テス
トエッチングレジスト層１８の一部が欠損し、テスト配
線層２１Ａにも欠損部（断線部位２１Ｒ）が生じたと考
えられる。このように、テストエッチングレジスト層１
８を除去せずに残したため、断線不良の原因を推定する
ことができるので、不具合対策を検討することが容易に
なり、またその効果を容易に測ることができる。

【００６１】一方、短絡不良や絶縁不良の場合、即ち、
図１０（ａ）に示すように、テスト配線層２１Ａと２２
Ａとの間でテスト金属層１４の一部が溶け残り、短絡金
属層１４Ｓとなって両者間を短絡している場合には、具
体的には、次のような原因が挙げられる。第１は、図１
０（ｂ）に示すように、テストエッチングレジスト層１
８を形成後、エッチング前に異物ＦＭ３が、隣り合うテ
ストエッチングレジスト層１８間を跨ぐようにして載っ
た場合である。この場合、異物ＦＭ３がいわばエッチン
グガードの役割を果たし、この下のテスト金属層１３の
エッチング除去を阻害するため、短絡金属層１４Ｓとな
って残ると考えられる。第２は、図１０（ｃ）に示すよ
うに、テストエッチングレジスト層１６とテスト金属層
１４との間に異物ＦＭ４が入り、現像してテストエッチ
ングレジスト層１８を形成した状態で、２つのテストエ
ッチングレジスト層１８の間に異物ＦＭ４が位置する場
合である。この場合にも、異物ＦＭ４がいわばエッチン
グガードの役割を果たし、短絡金属層１４Ｓが残ると考
えられる。これらの場合、異物ＦＭ３あるいはＦＭ４が
残っている場合にはもちろん、これらが無くなった場合
にも、短絡金属層１４Ｓ付近のテストエッチングレジス
ト層１８の浮き上がりをチェックすることで、いずれに
よるものか識別が可能となる場合がある。

【００６２】このように、テスト導体層に電気的不良が
生じた場合に容易にその原因を究明することができるの
で、電気的不良対策を容易にすることができる。さら
に、電気的不良対策をした後は、再び、この導体層形成
工程の検査方法によって検査をすれば、その対策の効果
の評価を容易にすることができる。

【００６３】（変形形態１）次いで、上記実施形態１の
変形形態について説明する。上記実施形態１では、テス
トエッチングレジスト層として、ネガ型ドライフィルム
を用いた。しかし、検査対象である配線基板１００の導
体層形成工程で、ポジ型のドライフィルムを用いている
場合には、これと同タイプのドライフィルムを用いてテ
スト導体層を形成するのが好ましい。できるだけ配線基
板１００と同一の条件でテスト導体層を形成するためで
ある。そこで、本変形形態では、テストエッチングレジ
スト層として、露光された部分が溶解除去可能となるポ
ジ型ドライフィルムを用いる。従って、これに伴い、露
光時のマスクの遮光パターンもネガポジ反転したものに
変更する。

【００６４】このようなポジ型のテストエッチングレジ
スト層を用いても、上記実施形態１と同様に、テスト導
体層形成工程でテスト導体層を形成し、断線検知工程で
断線不良を、短絡等検知工程で短絡不良や絶縁不良の有
無を検知することができるので、詳細な説明は省略す
る。さらに、それらの不良を生じたときには、その不良
部位を容易に発見することもでき、また、その形態から
その原因を究明することもできる。但し、この不良部位
の形態と不良原因については、ネガ型レジストを用いた
実施形態１と、本変形形態とでは異なる部分があるの
で、以下に説明する。

【００６５】本変形形態において、断線不良が生じた場
合、上記実施形態１の場合とほぼ同様であるので、図
８、図９を用いて説明する。まず、断線部位２１Ｒ上に
ポジ型のテストエッチングレジスト層２１８が正常に存
在する場合（図８（ａ）参照）には、図８（ｂ）または
図８（ｃ）に示したように、テストエッチングレジスト
層２１８（ポジ型テストエッチングレジスト層２１６）
とテスト金属層１４との間に、異物ＦＭあるいはボイド
Ｖが入り込み、テストエッチングレジスト層２１８が浮
き上がったためと考えられる。これに対し、断線部位２
１Ｒでテストエッチングレジスト層２１８も欠損してい
る場合（図９（ａ）参照）には、現像後エッチングまで
のハンドリングにおいて、治工具や他の基板などと接触
したために、テストエッチングレジスト層２１８の一部
が欠損し、断線部位２１Ｒが生じたと考えられる。この
ように、本変形形態でも、テストエッチングレジスト層
２１８を除去せずに残したため、断線不良の原因を推定
することができので、不具合対策を検討することが容易
になり、またその効果を容易に測ることができる。

【００６６】一方、短絡不良や絶縁不良の場合には、図
１０を参照して説明したのと同様に、異物ＦＭ３，ＦＭ
４によって短絡金属層１４Ｓが残った場合の他、図１１
に示すように、露光前の異物の付着による露光不良が考
えられ、これも識別することができる。即ち、図１０
（ａ）に示すように、短絡金属層１４Ｓの上にポジ型の
テストエッチングレジスト層２１８が残っていない場合
には、実施形態１で説明したのと同様に、異物ＦＭ３あ
るいはＦＭ４がエッチングガードとして働き、短絡金属
層１４Ｓが溶け残ったものと考えられる（図１０（ｂ）
（ｃ）参照）。これに対し、図１１（ａ）に示すよう
に、短絡金属層１４Ｓ上にもポジ型の連結テストエッチ
ングレジスト層２１８Ｓが存在する場合には、図１１
（ｂ）に示すように、ポジ型のテストエッチングレジス
ト層２１６上に付着した異物ＦＭ５が露光時に影を生じ
させ、現像時に未露光の部分（２１８Ｓ）が溶解せずに
残り、連結テストエッチングレジスト層２１８Ｓ及び短
絡金属層１４Ｓとなったものと推定される。従って、異
物ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５が残っている場合にはもちろ
ん、これらが無くなった場合にも、短絡金属層１４Ｓ上
にテストエッチングレジスト層２１８が残っているか否
か、及び短絡金属層１４Ｓ付近のテストエッチングレジ
スト層２１８の浮き上がりをチェックすることで、いず
れによるものか識別が可能となる場合がある。

【００６７】このように、テスト導体層に電気的不良が
生じた場合に容易にその原因を究明することができるの
で、電気的不良対策を容易にすることができる。さら
に、電気的不良対策をした後は、再び、この導体層形成
工程の検査方法によって検査をすれば、その対策の効果
の評価を容易にすることができる。

【００６８】（実施形態２）次いで、実施形態２につい
て、図１２〜図１４を参照しつつ説明する。本実施形態
では、まず、検査される配線基板の導体層形成工程が上
記実施形態１と異なるため、テスト導体層形成工程も異
なる。また、テスト導体層形成工程で形成するテスト配
線層の形状も、上記実施形態１のテスト配線層（第１テ
スト配線層２１及び第２テスト配線層２２）と異なり、
渦巻き状（図１２参照）とされる。しかし、その他はほ
ぼ同様である。そこで、実施形態１と異なる部分を中心
に説明し、同様な部分の説明は省略または簡略化する。

【００６９】本実施形態の検査方法で検査される導体層
形成工程にかかる配線基板３００は、次述するように製
造方法が実施形態１と異なるものの、その形状は同様で
あり（図１参照）、１つの配線基板３００に３６ヶ（＝
９×４）の製品部３０１（４０×４０ｍｍ）及びこれを
接続する接続部３０２が含まれている。この配線基板３
００も、本実施形態の検査方法で検査される導体層形成
工程を含め、種々の工程を経て、製品部３０１に回路配
線その他が作り込まれ、大判で完成後、製品部３０１毎
に切断し、ハンダリフローなど、更に必要な処理を施し
た後、個分けされた配線基板３１０となる（図３参
照）。この配線基板３１０も実施形態１と同様、上面３
１０Ａに、ＩＣチップＣＨと接続可能なハンダバンプ３
１１が多数形成され、下面３１０Ｂには、マザーボード
ＭＢの上面ＭＢＡに搭載可能なハンダバンプ３１２が多
数形成される。

【００７０】なお、本実施形態の検査方法で検査される
導体層形成工程で形成される導体層も、実施形態１（図
２参照）とほぼ同様であり、導体層３０３は、主として
製品部３０１に形成される。各製品部３０１に形成され
る導体層３０３のパターンも、主として、中心付近から
周縁に向かって略放射状に延びる多数の配線層３０４を
含むパターンである。これらの配線層３０３をそれぞれ
検査するのは容易ではない。そこで、本実施形態でも、
導体層３０３を形成するのと同様のテスト導体層形成工
程によってテスト配線基板にテスト導体層を形成して、
テスト導体層について検査を行う。そしてその結果か
ら、導体層形成工程を評価し、あるいは次工程以降の製
品の歩留まりを予測可能とする。このため、例えば、１
日の作業の開始前、終了後、途中、あるいは、導体層形
成工程に配線基板３００を投入する前や後、間などに、
定期的にテスト配線基板を投入して、検査を行うと良
い。また、不具合対策の適否、効果の大小等を評価する
こともできるので、各種の改善を行った際に、検査を行
うと良い。

【００７１】なお、本実施形態の導体層３０３（配線層
３０４）は、以下のようにして形成する。即ち、配線基
板３００の表面には、予めエポキシ系樹脂からなる樹脂
絶縁層を形成しておき、その上に予め形成しておいた金
属層、具体的には銅層上に、ネガ型感光性樹脂からなる
ドライフィルムを貼り付け、露光現像して所定パターン
のメッキレジスト層を形成する。その後、露出した銅層
上に電解銅メッキ層を形成してその部分の厚さを増加さ
せる。さらに、メッキレジスト層を除去後、露出した銅
層をエッチングにより溶解除去して、銅層と電解銅メッ
キ層からなる導体層３０３を形成する。

【００７２】本実施形態で製造されるテスト配線基板１
（図４参照）も、実施形態１と同様であり、テスト配線
基板１は、テスト基板１０からなり、上記した大判の配
線基板３００と同形状である。テスト配線基板１は、製
品部３０１に対応する３６ヶの連結テスト領域３と不要
部５とを備え、この連結領域３には、それぞれ略正方形
状のテスト領域３２が４つ連結した状態で含まれるの
で、１つのテスト配線基板１には、１４４ヶのテスト領
域３２が含まれる。各テスト領域３２には、次述するよ
うに、図１２に示す渦巻き状パターンのテスト導体層３
３が形成される（図４では、図示を省略する）なお、本
実施形態でも、テスト配線基板１の図示しない下面側に
も、同様にテスト領域と不要部が形成される。

【００７３】次に、このテスト配線基板１のテスト領域
３２の平面図を図１２に示す。各テスト領域３２には、
上記した配線基板３００の表面と同材質のエポキシ樹脂
系からなるテスト絶縁層１２上に、テスト導体層３３が
形成されている。このテスト導体層３３は、２つのテス
ト配線層（第１テスト配線層３４、第２テスト配線層３
５）を含む。さらに、第１テスト配線層３４及び第２テ
スト配線層３５は、上記配線層３０４（図２参照）とほ
ぼ同じ線幅（４５μｍ）の細くて長い断線テスト部３４
Ａ，３５Ａと、その両端に形成され、導通などの電気的
特性測定するためのプローブを当接可能な一対のチェッ
クパッド３４Ｂ１及び３４Ｂ２、３５Ｂ１及び３５Ｂ２
（それぞれ１×１ｍｍ）とをそれぞれ有する。さらに、
図中、一点鎖線で囲まれた領域３６では、この断線テス
ト部３４Ａ，３５Ａが渦巻き状の配線パターンにされて
おり、いずれの断線テスト部３４Ａ，３５Ａも、この領
域３６で長さが長尺でありながら、渦巻き状の配線パタ
ーンによりその占める面積が領域３６内に収まるように
小型化された小型化長尺部３４Ｃ，３５Ｃとされてい
る。

【００７４】また、第１テスト配線層３４及び第２テス
ト配線層３５は、領域３６内において、互いに４０μｍ
の間隔保ち、不具合によって短絡が容易に生じるように
した短絡テスト部３４Ｄ，３５Ｄをも構成している。さ
らに、それら短絡テスト部３４Ｄ，３５Ｄは、２つのテ
スト配線層３４，３５が対となって互いに並行して渦巻
き状に延びる２重渦巻きパターンとされており、長尺で
ありながら、二重渦巻き状の配線パターンによりそのパ
ターン全体の占める面積が小型化されて並行小型化長尺
部３４Ｅ，３５Ｅともされている。このように、本実施
形態では、小型化長尺部３４Ｃ，３５Ｃは、短絡テスト
部３４Ｄ，３５Ｄであり、かつ、並行小型化長尺部３４
Ｅ，３５Ｅでもある。

【００７５】次に、配線基板の導体層形成工程の検査方
法について、図１３、図１４を参照しつつ説明する。本
実施形態において、検査対象である配線基板３００の導
体層形成工程は、上記したように、樹脂絶縁層上に形成
した金属層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成
し、露出した金属層上に電解メッキ層を形成し、メッキ
レジスト層を除去して露出した金属層をエッチングで除
去して、所定パターンの導体層３０３を形成するもので
ある。そこで、上記テスト配線基板１のテスト導体層３
３も、以下に述べるように、同様に金属層に電解メッキ
及びエッチングすることにより形成する。

【００７６】まず、図１３（ａ）に部分拡大断面図を示
すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるテス
トコア基板１１の上下にテスト絶縁層１２，１３が形成
されたテスト基板１０を用意する。この両面１０Ａ，１
０Ｂ上には、予め厚さ０．７μｍの銅からなるテスト金
属層４１，４２をそれぞれ形成しておく。このテスト金
属層４１，４２は、テスト絶縁層１２，１３上に銅箔を
積層したり、テスト絶縁層１２，１３上に無電解メッキ
を施すなど、公知の手法により形成する。このテスト金
属層４１，４２は、次述する電解メッキにおいて、共通
電極の役割を果たす。なお、実際の製品の配線基板３０
０（３１０）を製造するのと同様の手法によってテスト
金属層４１，４２を形成するのが好ましい。

【００７７】次に、テスト導体層形成工程において、ま
ず図１３（ｂ）に示すように、各テスト金属層４１，４
２の略全面に、ネガ型感光性のドライフィルムをそれぞ
れ貼り付け、テストメッキレジスト層４３，４４を形成
する。このドライフィルム（テストメッキレジスト層４
３，４４）の材質は、検査対象の配線基板３００の導体
層形成工程で用いるものと同様のものであり、貼付条件
や後述する露光現像条件などの製造条件も製品の製造時
と同様にする。

【００７８】次に、図１４（ａ）に示すように、貼り付
けたテストメッキレジスト層４３，４４を、所定パター
ン（図１２参照）に露光し、その後現像して、第１テス
ト配線層３４及び第２テスト配線層３５などに対応した
所定パターンの開口４５Ｐ，４６Ｐを有するテストメッ
キレジスト層４５，４６をそれぞれ形成する。なお、本
実施形態で用いたドライフィルムは、露光された部分が
硬化するネガタイプであるので、露光部が、現像後、所
定パターンのテストメッキレジスト層４５，４６とな
る。

【００７９】次に、図１４（ｂ）に示すように、所定パ
ターンのテストメッキレジスト層４５，４６を共通電極
として電解銅メッキを施し、開口４５Ｐ，４６Ｐ内のテ
スト金属層上に電解メッキ層４７，４８（厚さ１５μ
ｍ）をそれぞれ形成する。さらに、図１４（ｃ）に示す
ように、テストメッキレジスト層４５，４６を除去し、
露出したテスト金属層４１，４２をエッチング除去す
る。これにより、上面１０Ａ上に、テスト金属層４１Ｌ
及び電解メッキ層４７からなる第１テスト配線層３４及
び第２テスト配線層３５を含むテスト導体層３３が、ま
た、下面１０Ｂにもテスト導体層３９が形成される。

【００８０】次に、断線検知工程において、実施形態１
と同様に、第１テスト配線層３４の各チェックパッド３
４Ｂ１，３４Ｂ２にプローブピンを当接させて、チェッ
クパッド３４Ｂ１，３４Ｂ２間の導通を調べ、断線テス
ト部３４Ａ及び小型化長尺部３４Ｃの断線不良の有無を
検知する。また、第２テスト配線層３５についても同様
に、断線テスト部３５Ａ及び小型化長尺部３５Ｃの断線
不良の有無を検知する。なお、実施形態１と異なり、チ
ェックパッド３４Ｂ１等の上にはレジスト層は存在しな
い。さらに、短絡等検知工程においても実施形態１と同
様に、第１テスト配線層３４のチェックパッド３４Ｂ
１，３４Ｂ２のいずれかと、第２テスト配線層３５のチ
ェックパッド３５Ｂ１，３５Ｂ２のいずれか（例えば、
３４Ｂ１と３５Ｂ１）に、それぞれプローブピンを当接
させて、その間の導通や絶縁抵抗を調べ、短絡テスト部
３４Ｃ，３５Ｃ間（並行小型化長尺部３４Ｄ，３５Ｄ
間）の短絡不良や絶縁不良の有無を検知する。

【００８１】このように、第１テスト配線層３４及び第
２テスト配線層３５は、それらの両端にそれぞれチェッ
クパッド３４Ｂ１，３４Ｂ２，３５Ｂ１，３５Ｂ２が形
成されているので、容易ににプローブピンを当接させて
電気的な検査をすることができる。一つのテスト領域３
２について上記の断線や短絡等の検査を行った後は、さ
らに、このような検査を他のテスト領域３２についても
行い、テスト配線基板１内の１４４ヶすべてのテスト領
域３２について検査して、断線不良、短絡不良、絶縁不
良の有無を検知する。また、下面１０Ｂに形成したテス
ト導体層３７（第３テスト配線層３８，第４テスト配線
層３９）についても同様にして、検査をする。

【００８２】このようにすると、検査対象である配線基
板の導体層形成工程そのものの歩留まりではないが、同
様な導体層形成工程によるテスト配線層３４，３５、３
８，３９の歩留まりが判る。従って、従来のように、配
線基板３１０あるいは３００をほぼ完成した状態まで製
造してから検査する必要がなく、導体層形成工程毎に容
易に歩留まりの高低の推定や評価ができることになる。
また、本実施形態でも、テスト導体層３３の形状を、図
４及び図１２に示すテスト領域３２に収まるような小型
なものとしたので、データの集計方法によっては、テス
ト配線基板１のうち、例えば、四隅付近と中央付近での
不具合発生割合の違い、上面１０Ａ上のテスト導体層３
３と下面１０Ｂ上のテスト導体層３７での不具合発生率
の違いなどを算出することもでき、これを用いて不具合
原因の探求も可能となる。さらに、テスト配線基板１を
用いているので、プローブピンによって製品となる配線
基板１００内の配線層の一部が傷付くなど、検査に伴う
不具合を生じることもない。

【００８３】さらに、本実施形態の検査方法でも、テス
ト導体層形成工程において、テスト基板１０（テスト絶
縁層１２）の上面１０Ａ上に、細く長い断線テスト部３
４Ａ，３５Ａを有する第１テスト配線層３４及び第２テ
スト配線層３５を形成している。特に、この断線テスト
部３４Ａ，３５Ａは、製品部３０１の配線層３０４（図
２参照）と同等の細さ（導体幅）で、そのいずれの長さ
よりも長い小型化長尺部３４Ｃ，３５Ｃを備えている。
このため、各種の不具合があると、検査対象の配線基板
３００の導体層形成工程の場合に比して、遙かに高い確
率でこれらに断線が生じるので、テスト導体層３３を少
量形成するだけで断線不良品が現れる。従って、配線基
板３００の導体層形成工程において、断線不良の生じる
可能性が低い場合にも、少数のテスト配線層３４，３５
を検査することで、断線不良が現れるので、多数の配線
基板３１０（または製品部３０１）を検査する必要がな
く、導体層形成工程の歩留まりの推定や評価をすること
ができる。

【００８４】また、本実施形態の検査方法でも、テスト
導体層形成工程において、並行して延びる配線層３０４
の並行部分と同等の間隔（４０μｍ）で、そのいずれの
長さよりも長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ
短絡テスト部３４Ｄ，３５Ｄ（並行小型化長尺部３４
Ｅ，３５Ｅ）を有する第１テスト配線層３４及び第２テ
スト配線層３５を形成した。このため、この短絡テスト
部３４Ｄ，３５Ｄ間では、各種の不具合があると、配線
基板３００の導体層形成工程の場合に比して、短絡不良
や絶縁不良が遙かに高い確率で生じるので、テスト導体
層３３を少量形成するだけで断線不良品が現れる。従っ
て、検査対象である配線基板３００の導体層形成工程に
おいて、短絡不良などの生じる可能性が低い場合にも、
少数のテスト配線層３４，３５を検査することで、短絡
不良や絶縁不良が現れるので、多数の配線基板３０１
（製品部３０１）を検査する必要が無く、導体層形成工
程の歩留まりを推定や評価することができる。但し、本
実施形態では、実施形態１と異なり、テストメッキレジ
スト４５，４６を残したままにしておくことができな
い。

【００８５】（変形形態２）次いで、上記実施形態２の
変形形態について説明する。上記実施形態２では、テス
トメッキレジスト層として、ネガ型ドライフィルムを用
いた。しかし、検査対象である配線基板３００の導体層
形成工程で、ポジ型のドライフィルムを用いている場合
には、これと同タイプのドライフィルムを用いてテスト
導体層を形成するのが好ましい。できるだけ配線基板３
００と同一の条件でテスト導体層を形成するためであ
る。そこで、本変形形態では、テストメッキレジスト層
として、露光された部分が溶解除去可能となるポジ型ド
ライフィルムを用いる。従って、これに伴い、露光時の
マスクの遮光パターンもネガポジ反転したものに変更す
る。

【００８６】このようなポジ型のテストメッキレジスト
層を用いても、テスト導体層形成工程でテスト導体層を
形成し、断線検知工程で断線不良を、短絡等検知工程で
短絡不良や絶縁不良の有無を検知することができるが、
上記実施形態２と同様であるので、詳細な説明は省略す
る。

【００８７】（変形形態３）上記実施形態１，２及び変
形形態１，２では、いずれも図５あるいは図１２に示さ
れるように、テスト配線層２１，２２，３４，３５など
の断線の有無の他、テスト配線層２１と２２，３４と３
５との間の短絡や絶縁不良が判別できるように、２つの
テスト配線層２１，２２あるいは３４，３５を備えてい
るものを示した。しかし、断線不良のみを検知できれば
良い場合には、例えば、図１５に示すジグザグ状パター
ンのテスト導体層を形成しても良い。即ち、テスト領域
２内に、１本の断線テスト部５１Ａ及びその両端にチェ
ックパッド５１Ｂ１，５１Ｂ２を備えるテスト配線層５
１を形成するようにしても良い。このテスト配線層５１
では、一点鎖線で示す領域５２では、断線テスト部５１
Ａがジグザグ状の配線パターンにされ、この領域５２で
長さが長尺でありながら、ジグザグ状の配線パターンに
よりその占める面積が領域５２内に収まるように小型化
された小型化長尺部５１Ｃとされている。このため、断
線不良が発生し易くなり、このテスト導体層５１の断線
不良による歩留まりを用いて、実際の配線基板１００の
導体層形成工程の歩留まりを推定したり、各種の改善の
効果を測定することができる。特に、小型化長尺部５１
Ｃを有するので、テスト配線基板１（配線基板１００）
の場所による歩留まりの違いなどを算出することもでき
る。また、断線不良個所を探すのに、ほとんどの場合、
小さな領域５２内、つまり小型化長尺部５１Ｃを観察す
れば足りるので、断線不良個所を容易に発見することも
できる。なお、上記形状は、上記実施形態１に示すテス
ト導体層形成工程の他、変形形態１、実施形態２、変形
形態２など、いずれのテスト導体層形成工程においても
適用することができる。

【００８８】（変形形態４）その他、図１６に示す渦巻
き状パターンのテスト導体層を形成しても良い。即ち、
テスト領域２内に、１本の断線テスト部６１Ａ及びその
両端にチェックパッド６１Ｂ１，６１Ｂ２を備えるテス
ト配線層６１を形成するようにしても良い。このテスト
配線層６１でも、一点鎖線で示す領域６２では、断線テ
スト部６１Ａが渦巻き状の配線パターンにされ、この領
域６２で長さが長尺でありながら、渦巻き状の配線パタ
ーンによりその占める面積が領域６２内に収まるように
小型化された小型化長尺部６１Ｃとされている。このた
め、本変形形態でも、断線不良が発生し易くなり、この
テスト導体層６１の断線不良による歩留まりを用いて、
実際の配線基板１００の導体層形成工程の歩留まりを推
定したり、その原因究明あるいは各種の改善の効果を測
定することができる。特に、小型化長尺部６１Ｃを有す
るので、テスト配線基板１（配線基板１００）の場所に
よる歩留まりの違いなどを算出することもできる。ま
た、断線不良個所を探すのに、ほとんどの場合、小さな
領域６２内を観察すれば足りるので、断線不良個所を容
易に発見することもできる。なお、上記形状も、上記実
施形態１に示すテスト導体層形成工程の他、変形形態
１、実施形態２、変形形態２など、いずれのテスト導体
層形成工程においても適用することができる。

【００８９】（変形形態５）一方、短絡不良や絶縁不良
のみを検知できれば良い場合には、例えば、図１７に示
すように対となるテスト配線層が互いにかみ合う櫛歯状
パターンとされたテスト導体層を形成しても良い。即
ち、テスト領域２内に形成した２つのテスト配線層７
１，７２は、小さな間隔を開けて互いにかみ合う櫛歯状
に形成された櫛歯状部７１Ａ，７２Ａの他、チェックパ
ッド７１Ｂ，７２Ｂ、及び櫛歯状部７１Ａ，７２Ａとチ
ェックパッド７１Ｂ，７２Ｂとを結ぶ連結部７１Ｃ，７
２Ｃを備える。この櫛歯上部７１Ａ，７２Ａによって、
テスト配線層７１，７２の占める面積が小型化されなが
らも、２つのテスト配線層間で小さい間隔を保つ長さは
長くとれる。このため、小面積でも、テスト配線層７
１，７２（櫛歯状部７１Ａ，８２Ａ）間に短絡不良や絶
縁不良の現れる確率が高くなり、その原因の究明やその
対策の効果の評価が容易にできる。また、このテスト配
線層７１，７２の短絡等不良による歩留まりを用いて、
実際の配線基板１００の導体層形成工程の歩留まりを推
定することもできる。特に、櫛歯状部７１Ａ，７２Ａを
有するので、テスト配線基板１（配線基板１００）の場
所による歩留まりの違いなどを算出することもできる。
また、短絡等不良個所を探すのに、ほとんどの場合、小
さな領域７３内、つまり櫛歯状部７１Ａ，７２Ａ間を観
察すれば足りるので、短絡等不良個所を容易に発見する
こともできる。

【００９０】以上において、本発明を各実施形態及び変
形形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。例
えば、上記各実施形態１，２等では、製品の配線基板１
００の配線層１０４の幅と同じ細さの断線テスト部２１
Ａ等を形成しているが、断線テスト部２１Ａ等の幅は適
宜変更することができる。その際、断線テスト部の幅を
小さくすると、断線不良がより発生しやすくなるので、
テスト導体層を少量形成するだけで、断線不良品が現れ
るので好適である。

【００９１】また、上記実施形態等では、感光性樹脂を
予め半硬化状態にしたドライフィルムを用いて、テスト
エッチングレジスト層１６，１７、あるいはテストメッ
キレジスト層４３，４４を形成したが、ワニス状の感光
性樹脂を塗布・乾燥させて各レジスト層としても良い。
さらに、レジスト層としてネガ型あるいはポジ型の感光
性樹脂を用いたが、非感光性樹脂をスクリーン印刷法な
どによって所定パターンに塗布してレジスト層としても
良い。また、上記実施形態等では、いずれも、チェック
パッドをテスト配線層の端部に設けたが、これに限ら
ず、例えば、断線テスト部の途中部分にチェックパッド
を設けることもできる。

【００９２】また、上記実施形態等では、テスト導体層
形成工程によって、テスト基板の両面にテスト導体層を
形成したが、片面のみに形成しても良いことが明らかで
ある。また、上記実施形態等では、テスト基板１０とし
て、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるテストコア
基板１１の上下に、エポキシ樹脂系のテスト絶縁層１
２，１３をそれぞれ形成したものを用いたが、検査対象
である配線基板の導体層形成工程とできるだけ同一の条
件となるように、材質や処理等を考慮すればよい。ま
た、配線基板の導体層形成工程に先だって、導体層の下
地となる絶縁層に、例えば、粗化処理などぼ表面処理な
どを施す場合には、テスト基板のテスト絶縁層の表面に
も同様の処理を行っておくのが好ましい。また、上記実
施形態１，２、変形形態１，２においては、２つのテス
ト配線層２１，２２、及び３４，３５を形成したが、３
つ以上のテスト配線層を形成し、これら相互間の短絡や
絶縁不良の有無を測るようにしても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係り、検査される導体層形成工程
で導体層を形成した配線基板（途中工程品、大判）の平
面図である。

【図２】形成された導体層の平面形状を示す平面図であ
る。

【図３】完成後に個分けされた配線基板の説明図であ
る。

【図４】実施形態１に係るテスト配線基板の平面図であ
る。

【図５】実施形態１に係るテスト配線基板のテスト領域
に形成するテスト導体層（テスト配線層）の平面形状を
示す平面図である。

【図６】実施形態１に係るテスト導体層を形成するテス
ト導体層形成工程のうち、（ａ）は両面銅張り板、
（ｂ）はこの両面銅張り板の上下面にテストエッチング
レジスト層を形成した状態を示す部分拡大断面図であ
る。

【図７】実施形態１に係るテスト導体層を形成するテス
ト導体層形成工程のうち、（ａ）は所定パターンのテス
トエッチングレジスト層を形成した状態を示し、（ｂ）
はテストエッチングレジスト層を残しながら、テスト配
線層を形成した状態を示す部分断面斜視図である。

【図８】実施形態１に係り、（ａ）はテストエッチング
レジスト層は繋がっていながらもテスト配線層に断線を
生じた状態を示す部分断面斜視図であり、（ｂ）はテス
トエッチングレジスト層の下に異物が挟まった状態、
（ｃ）はテストエッチングレジスト層の下に気泡が入っ
た状態を示す部分拡大断面図である。

【図９】実施形態１に係り、（ａ）はテストエッチング
レジスト層及びテスト配線層のいずれも断線した状態を
示す部分拡大断面図であり、（ｂ）はテストエッチング
レジスト層上に異物が付着して露光不良を生じる様子を
示す説明図である。

【図１０】実施形態１に係り、（ａ）はテストエッチン
グレジスト層同士は繋がっていないもののテスト配線層
間に短絡を生じた状態を示す部分断面斜視図であり、
（ｂ）はテストエッチングレジスト層の上及び層間に異
物が付着した状態、（ｃ）は金属層とテストエッチング
レジスト層との間に異物が付着した状態を示す部分拡大
断面図である。

【図１１】変形形態１に係り、（ａ）はテストエッチン
グレジスト層同士が繋がってテスト配線層間に短絡を生
じた状態を示す部分断面斜視図であり、（ｂ）はテスト
エッチングレジスト層上に異物が付着して露光不良を生
じる様子を示す説明図である。

【図１２】実施形態２に係るテスト配線基板のテスト領
域に形成するテスト導体層（テスト配線層）の平面形状
を示す平面図である。

【図１３】実施形態２に係るテスト導体層を形成するテ
スト導体層形成工程のうち、（ａ）は両面に銅層を形成
したテスト基板本体を示し、（ｂ）はこの銅層にテスト
メッキレジスト層を形成した状態を示す部分拡大断面図
である。

【図１４】実施形態２に係るテスト導体層を形成するテ
スト導体層形成工程のうち、（ａ）は所定パターンのテ
ストメッキレジスト層を形成した状態（ｂ）は電解メッ
キ層を形成した状態、（ｃ）はエッチングしてテスト配
線層を形成した状態を示す部分断面斜視図である。

【図１５】変形形態３にかかるテスト導体層（テスト配
線層）の平面形状を示す平面図である。

【図１６】変形形態４にかかるテスト導体層（テスト配
線層）の平面形状を示す平面図である。

【図１７】変形形態５にかかるテスト導体層（テスト配
線層）の平面形状を示す平面図である。

【符号の説明】

１００，３００ 配線基板 １０１，３０１ 製品部 １０２，３０２ 接続部 １０３，３０３ 導体層 １０４，３０４ 配線層 １１０，３１０ 配線基板 １ テスト配線基板 ２，３２ テスト領域 ５ 不要部 １０ テスト基板 １１ テストコア基板 １２，１３ テスト絶縁層 １４，１５ 銅層（テスト金属層） １６，１７ テストエッチングレジスト
層 １８，１９，２１８ 所定パターンのテストエッ
チングレジスト層 ２１，３４ 第１テスト配線層 ２１Ａ，３４Ａ （第１テスト配線層の）断
線テスト部 ２１Ｂ，３４Ｂ （第１テスト配線層の）チ
ェックパッド ２１Ｃ，３４Ｃ （第１テスト配線層の）小
型化長尺部 ２１Ｄ，３４Ｄ （第１テスト配線層の）短
絡テスト部 ２１Ｅ，３４Ｅ （第１テスト配線層の）並
行小型化長尺部 ２２，３５ 第２テスト配線層 ２２Ａ，３５Ａ （第２テスト配線層の）断
線テスト部 ２２Ｂ，３５Ｂ （第２テスト配線層の）チ
ェックパッド ２２Ｃ，３５Ｃ （第２テスト配線層の）小
型化長尺部 ２２Ｄ，３５Ｄ （第２テスト配線層の）短
絡テスト部 ２２Ｅ，３５Ｅ （第２テスト配線層の）並
行小型化長尺部 ２３，３３ テスト導体層 ４１，４２ テスト金属層 ４３，４４ テストメッキレジスト層 ４４，４５ 所定パターンのテストメッ
キレジスト層 ４４Ｐ，４５Ｐ 開口 ４７，４８ 電解メッキ層 ５１，６１，７１，７２ テスト配線層 ７１Ａ，７２Ａ 櫛歯状部

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Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁層上に形成した金属層上に所定パター
   ンのエッチングレジスト層を形成し、露出した上記金属
   層をエッチング除去し、上記エッチングレジスト層を除
   去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程
   を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であっ
   て、 テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定テスト
   パターンのテストエッチングレジスト層を形成し、露出
   した上記テスト金属層をエッチング除去し、細く長い断
   線テスト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を
   形成するテスト導体層形成工程と、 上記断線テスト部の導通を調べ、上記断線テスト部での
   断線不良の有無を検知する断線検知工程と、を備えるこ
   とを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板の導体層形成工
   程の検査方法であって、 前記断線テスト部は、長尺でありながら、蛇行状、ジグ
   ザグ状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パ
   ターン全体の占める面積が小型化された小型化長尺部を
   備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検
   査方法。
3. 【請求項３】絶縁層上に形成した金属層上に所定パター
   ンのエッチングレジスト層を形成し、露出した上記金属
   層をエッチング除去し、上記エッチングレジスト層を除
   去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程
   を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であっ
   て、 テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定テスト
   パターンのテストエッチングレジスト層を形成し、露出
   した上記テスト金属層をエッチング除去し、長い距離に
   わたって互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する
   複数のテスト配線層を含むテスト導体層を形成するテス
   ト導体層形成工程と、 上記短絡テスト部間の導通または絶縁抵抗を調べ、上記
   短絡テスト部間の短絡不良または絶縁不良の有無を検知
   する短絡等検知工程と、を備えることを特徴とする配線
   基板の導体層形成工程の検査方法。
4. 【請求項４】請求項３に記載の配線基板の導体層形成工
   程の検査方法であって、 前記短絡テスト部は、対となる前記テスト配線層が互い
   に並行して延び、長尺でありながら、蛇行状、ジグザグ
   状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パター
   ン全体の占める面積が小型化された並行小型化長尺部を
   備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検
   査方法。
5. 【請求項５】請求項４に記載の配線基板の導体層形成工
   程の検査方法であって、 上記短絡テスト部の導通を調べ、上記短絡テスト部での
   断線不良の有無を検知する断線検知工程を備えることを
   特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
6. 【請求項６】請求項３に記載の配線基板の導体層形成工
   程の検査方法であって、 対となる前記テスト配線層の短絡テスト部は、互いに噛
   み合う櫛歯状の配線パターンの櫛歯状部をそれぞれ備え
   ることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方
   法。
7. 【請求項７】絶縁層上に形成した金属層上に所定パター
   ンのメッキレジスト層を形成し、露出した上記金属層上
   に電解メッキを施し、上記メッキレジスト層を除去し、
   露出した上記金属層をエッチング除去して所定パターン
   の導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板
   の導体層形成工程の検査方法であって、 テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定パター
   ンのテストメッキレジスト層を形成し、その後、露出し
   た上記テスト金属層上に電解メッキを施し、上記テスト
   メッキレジスト層を除去し、露出した上記テスト金属層
   をエッチング除去して、細く長い断線テスト部を有する
   テスト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体
   層形成工程と、 上記断線テスト部の導通を調べ、上記断線テスト部での
   断線不良の有無を検知する断線検知工程と、を備えるこ
   とを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
8. 【請求項８】請求項７に記載の配線基板の導体層形成工
   程の検査方法であって、 前記断線テスト部は、長尺でありながら、蛇行状、ジグ
   ザグ状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パ
   ターン全体の占める面積が小型化された小型化長尺部を
   備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検
   査方法。
9. 【請求項９】絶縁層上に形成した金属層上に所定パター
   ンのメッキレジスト層を形成し、露出した上記金属層上
   に電解メッキを施し、上記メッキレジスト層を除去し、
   露出した上記金属層をエッチング除去して所定パターン
   の導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板
   の導体層形成工程の検査方法であって、 テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定パター
   ンのテストメッキレジスト層を形成し、その後、露出し
   た上記テスト金属層上に電解メッキを施し、上記テスト
   メッキレジスト層を除去し、露出した上記テスト金属層
   をエッチング除去して、長い距離にわたって互いに小さ
   い間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト配線層
   を含むテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程
   と、 上記短絡テスト部間の導通または絶縁抵抗を調べ、上記
   短絡テスト部間の短絡不良または絶縁不良の有無を検知
   する短絡等検知工程と、を備えることを特徴とする配線
   基板の導体層形成工程の検査方法。
10. 【請求項１０】請求項９に記載の配線基板の導体層形成
    工程の検査方法であって、 前記短絡テスト部は、対となる前記テスト配線層が互い
    に並行して延び、長尺でありながら、蛇行状、ジグザグ
    状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パター
    ン全体の占める面積が小型化された並行小型化長尺部を
    備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検
    査方法。
11. 【請求項１１】請求項１０に記載の配線基板の導体層形
    成工程の検査方法であって、 上記短絡テスト部の導通を調べ、上記短絡テスト部での
    断線不良の有無を検知する断線検知工程を備えることを
    特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
12. 【請求項１２】請求項９に記載の配線基板の導体層形成
    工程の検査方法であって、 対となる前記テスト配線層の短絡テスト部は、互いに噛
    み合う櫛歯状の配線パターンの櫛歯状部をそれぞれ備え
    ることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方
    法。