JP2000353440A - 高臨界温度（ＨＴｃ）超伝導ストランドとその製造方法 - Google Patents
高臨界温度（ＨＴｃ）超伝導ストランドとその製造方法Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 改善された機械的耐性とともに、超伝導相の
最適な合成と増大した電流密度Ｊｅを得ることができ
る、高臨界温度超伝導マルチフィラメントストランドの
製造法を提供する。 【解決手段】 マルチフィラメントビレット１２の作製
の際には、横断面において、断片１１の層の集合が、中
細型集合体６の一般的形状を有することができるよう
に、層ごとに断片１１の数が適合され、この中細型集合
体６の頚部７は、積重ねの中央平面４内にほぼ含まれ、
さらに合成の熱処理に先立つ前記マルチフィラメントビ
レット１２の機械的処理の際には、積重ねの中央平面４
に対して垂直な方向１３で圧延力が加えられ、圧延され
たビレットの縁１４の少なくとも１つが積重ねの中央平
面４に対して垂直にカットされ、適合性銀合金２のマト
リクス１５が露出される。
最適な合成と増大した電流密度Ｊｅを得ることができ
る、高臨界温度超伝導マルチフィラメントストランドの
製造法を提供する。 【解決手段】 マルチフィラメントビレット１２の作製
の際には、横断面において、断片１１の層の集合が、中
細型集合体６の一般的形状を有することができるよう
に、層ごとに断片１１の数が適合され、この中細型集合
体６の頚部７は、積重ねの中央平面４内にほぼ含まれ、
さらに合成の熱処理に先立つ前記マルチフィラメントビ
レット１２の機械的処理の際には、積重ねの中央平面４
に対して垂直な方向１３で圧延力が加えられ、圧延され
たビレットの縁１４の少なくとも１つが積重ねの中央平
面４に対して垂直にカットされ、適合性銀合金２のマト
リクス１５が露出される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高臨界温度（ＨＴ
ｃ）超伝導ストランドと、そのようなストランドの製造
法に関するものである。
ｃ）超伝導ストランドと、そのようなストランドの製造
法に関するものである。
【０００２】本発明は、とりわけ、「管内粉末法（Ｐｏ
ｗｄｅｒ Ｉｎ ＴｕｂｅまたはＰＩＴ）」と呼ばれる
方法によって製造される高臨界温度（ＨＴｃ）超伝導ス
トランド関するものである。
ｗｄｅｒ Ｉｎ ＴｕｂｅまたはＰＩＴ）」と呼ばれる
方法によって製造される高臨界温度（ＨＴｃ）超伝導ス
トランド関するものである。
【０００３】
【従来の技術】ＰＩＴ技術は、それ自体知られており、
第１段階は、金属管の中で高臨界温度超伝導体の前駆体
を稠密化することからなる。第２段階は、たとえば線引
きによって、モノフィラメント型と呼ばれるストランド
を得るために、このように作製されたビレットが変形さ
れる。第３段階は、このモノフィラメントストランドが
切断され、新しい金属ケースの中に配置され、その結
果、マルチフィラメントビレットが形成される。この新
しいマルチフィラメントビレットもまた、必要な寸法及
び形状のマルチフィラメントストランドが得られるまで
変形及び成形される。これらの製造段階において、また
前駆体を高臨界温度超伝導相に変化させる目的で、変化
のための熱処理を数回と、前駆体の再活性化のための中
間圧延を数回行なうことが必要である。管またはケース
の構成材料は、種々の引抜き及び圧延段階を受けること
ができるように十分に可延性の大きいものでなければな
らず、不活性組成を有するか、あるいは少なくとも、高
臨界温度超伝導体の前駆体を超伝導相に変化させる熱処
理に対して、まったく影響をもたないものでなければな
らないことが知られている。この材料は、前駆体に対し
て汚染源となるものではなく、前駆体の適切な合成に必
要な酸素を通すために、十分に酸素を透過できなければ
ならない。ビレットの構成材料として、純銀または適合
性銀合金の混合物（たとえばＡｇＰａ）を使用する方法
が知られている。
第１段階は、金属管の中で高臨界温度超伝導体の前駆体
を稠密化することからなる。第２段階は、たとえば線引
きによって、モノフィラメント型と呼ばれるストランド
を得るために、このように作製されたビレットが変形さ
れる。第３段階は、このモノフィラメントストランドが
切断され、新しい金属ケースの中に配置され、その結
果、マルチフィラメントビレットが形成される。この新
しいマルチフィラメントビレットもまた、必要な寸法及
び形状のマルチフィラメントストランドが得られるまで
変形及び成形される。これらの製造段階において、また
前駆体を高臨界温度超伝導相に変化させる目的で、変化
のための熱処理を数回と、前駆体の再活性化のための中
間圧延を数回行なうことが必要である。管またはケース
の構成材料は、種々の引抜き及び圧延段階を受けること
ができるように十分に可延性の大きいものでなければな
らず、不活性組成を有するか、あるいは少なくとも、高
臨界温度超伝導体の前駆体を超伝導相に変化させる熱処
理に対して、まったく影響をもたないものでなければな
らないことが知られている。この材料は、前駆体に対し
て汚染源となるものではなく、前駆体の適切な合成に必
要な酸素を通すために、十分に酸素を透過できなければ
ならない。ビレットの構成材料として、純銀または適合
性銀合金の混合物（たとえばＡｇＰａ）を使用する方法
が知られている。
【０００４】以下の説明において、前駆体の合成相に両
立的なあるいは適合性もつ（ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ）銀
合金、すなわち、非汚染源であり、酸素を透過する銀合
金については、「適合性銀合金」という用語を使用す
る。
立的なあるいは適合性もつ（ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ）銀
合金、すなわち、非汚染源であり、酸素を透過する銀合
金については、「適合性銀合金」という用語を使用す
る。
【０００５】高臨界温度超伝導マルチフィラメントスト
ランドを使用する特定の用途では、連続的なかなりの長
さが必要となる（たとえば超伝導性コイル）。そのこと
から、ストランドの電気的及び機械的性能が長さ全体に
わたって保持される、非常に長いストランドを得ること
ができるような製造方法が必要となる（特に超伝導
相）。
ランドを使用する特定の用途では、連続的なかなりの長
さが必要となる（たとえば超伝導性コイル）。そのこと
から、ストランドの電気的及び機械的性能が長さ全体に
わたって保持される、非常に長いストランドを得ること
ができるような製造方法が必要となる（特に超伝導
相）。
【０００６】ＦＲ ２ ７５２ ３２７は、管内粉末タ
イプの適合性銀合金のマトリクスを有する、高臨界温度
超伝導マルチフィラメントストランドの製造法に関する
ものであり、ここでは、適合性銀合金でできた外装と高
臨界温度超伝導体の前駆体のコアとを有する、正方形ま
たは長方形断面のモノフィラメントが作製され、前記モ
ノフィラメントが切断され、正方形または長方形断面を
有する適合性銀合金ケースの中にその結果生じた断片が
配置され、こうしてマルチフィラメントビレットが作製
され、前駆体を高臨界温度超伝導相に変化させ、マルチ
フィラメントストランドの最終的な形状を得るために、
熱処理及び機械的処理が行われる。
イプの適合性銀合金のマトリクスを有する、高臨界温度
超伝導マルチフィラメントストランドの製造法に関する
ものであり、ここでは、適合性銀合金でできた外装と高
臨界温度超伝導体の前駆体のコアとを有する、正方形ま
たは長方形断面のモノフィラメントが作製され、前記モ
ノフィラメントが切断され、正方形または長方形断面を
有する適合性銀合金ケースの中にその結果生じた断片が
配置され、こうしてマルチフィラメントビレットが作製
され、前駆体を高臨界温度超伝導相に変化させ、マルチ
フィラメントストランドの最終的な形状を得るために、
熱処理及び機械的処理が行われる。
【０００７】マルチフィラメント型ビレットの作製の際
には、ケースの中に、層ごとにモノフィラメント層の断
片が配置され、各層は、層の平面に対する垂直方向にお
いて、断片が千鳥形に配置されるように、１つ前の層に
対してずらされている。
には、ケースの中に、層ごとにモノフィラメント層の断
片が配置され、各層は、層の平面に対する垂直方向にお
いて、断片が千鳥形に配置されるように、１つ前の層に
対してずらされている。
【０００８】ＦＲ ２ ７５２ ３２７による配置の結
果生じる利点は、フィラメントが均質に稠密化されるこ
とと、超伝導相の変形率が高いことと、銀が均質に流動
するので、ストランドの断面積の変化が小さいことにあ
る。そのため、製造中に破断を生じる恐れのある欠陥数
を減少させることによって、非常に長いストランドを適
切にコントロールすることができる。ここで使用される
適合性銀合金の材料は、前駆体の合成相に適合性を有す
る。
果生じる利点は、フィラメントが均質に稠密化されるこ
とと、超伝導相の変形率が高いことと、銀が均質に流動
するので、ストランドの断面積の変化が小さいことにあ
る。そのため、製造中に破断を生じる恐れのある欠陥数
を減少させることによって、非常に長いストランドを適
切にコントロールすることができる。ここで使用される
適合性銀合金の材料は、前駆体の合成相に適合性を有す
る。
【０００９】しかしながら、このようなストランドは脆
弱なままである。なぜなら、ここで使用される適合性銀
合金の材料は、大きな機械的耐性を有していないからで
ある。その結果、ストランドの外装の中に亀裂が生じ、
それが特性に著しい影響を及ぼす。
弱なままである。なぜなら、ここで使用される適合性銀
合金の材料は、大きな機械的耐性を有していないからで
ある。その結果、ストランドの外装の中に亀裂が生じ、
それが特性に著しい影響を及ぼす。
【００１０】さらに、圧延作用によって、特に長方形ス
トランドの端において、超伝導性フィラメントの密度が
非常に小さいマルチフィラメントストランドの部分が存
在する。このことは、ストランドの横断総表面のストラ
ンド内を流れる電流比として規定される電流密度Ｊ
ｅ（Ｅｎｇｉｎｅｅｒ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｄｅｎｓｉｔ
ｙ）の性能を悪化させてしまう。
トランドの端において、超伝導性フィラメントの密度が
非常に小さいマルチフィラメントストランドの部分が存
在する。このことは、ストランドの横断総表面のストラ
ンド内を流れる電流比として規定される電流密度Ｊ
ｅ（Ｅｎｇｉｎｅｅｒ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｄｅｎｓｉｔ
ｙ）の性能を悪化させてしまう。
【００１１】高臨界温度マルチフィラメントストランド
の機械的耐性の問題を解消するために、ＡｇＭｇまたは
ＡｇＣｕのような銀合金を使用する方法が知られてい
る。
の機械的耐性の問題を解消するために、ＡｇＭｇまたは
ＡｇＣｕのような銀合金を使用する方法が知られてい
る。
【００１２】しかしながら、 ・一方では、これらの材料は前駆体にとっては汚染源と
なり、したがってストランドの外側ケースとしてしか使
用することができず、マトリクスは純銀または適合性銀
合金（たとえばＡｇＰａ）である。 ・他方では、ストランドの機械的性能を保持するために
必要なこれら銀合金は、ストランドの超伝導相の最適な
合成を行なうために、酸素を十分には透過しない。その
結果、確かに機械的耐性は優れているが、電気的特性が
劣るストランドとなってしまう。
なり、したがってストランドの外側ケースとしてしか使
用することができず、マトリクスは純銀または適合性銀
合金（たとえばＡｇＰａ）である。 ・他方では、ストランドの機械的性能を保持するために
必要なこれら銀合金は、ストランドの超伝導相の最適な
合成を行なうために、酸素を十分には透過しない。その
結果、確かに機械的耐性は優れているが、電気的特性が
劣るストランドとなってしまう。
【００１３】以下の説明においては、前駆体の合成相に
適合性をもたない銀合金、すなわち汚染源となる、もし
くは酸素をほとんど透過しない銀合金については「非適
合性銀合金」という用語を使用する。
適合性をもたない銀合金、すなわち汚染源となる、もし
くは酸素をほとんど透過しない銀合金については「非適
合性銀合金」という用語を使用する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の１つ
は、改善された機械的耐性とともに、超伝導相の最適な
合成と増大した電流密度Ｊｅを得ることができる、高臨
界温度マルチフィラメントストランドの製造方法を提案
することにある。
は、改善された機械的耐性とともに、超伝導相の最適な
合成と増大した電流密度Ｊｅを得ることができる、高臨
界温度マルチフィラメントストランドの製造方法を提案
することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、改善された電気的性
能と機械的耐性を有する、非常に長い高臨界温度マルチ
フィラメントストランドを提案することにある。
能と機械的耐性を有する、非常に長い高臨界温度マルチ
フィラメントストランドを提案することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明は、
適合性銀合金のマトリクスを有する高臨界温度超伝導マ
ルチフィラメント導体の管内粉末タイプの製造方法に関
するものであり、ここでは、適合性銀合金の外装と高臨
界温度超伝導体の前駆体のコアとを有する、正方形また
は長方形断面のモノフィラメントが製造され、前記モノ
フィラメントを切断し、結果として得られた断片で正方
形または長方形断面を有する非適合性銀合金でできたケ
ースを満たし、これら断片が非適合性銀合金でできたケ
ース内で中心決めされた（ｃｅｎｔｅｒｅｄ）積重ねら
れた層状に配置され、層の平面に垂直な方向において断
片が千鳥形に配置されるように、各層が、１つ前の層に
対してずらされており、層の初めと終わりにおいては、
ずれによって残された空間を、適合性銀合金でできた棒
材で満たし、その結果、積重ねの中間平面に対して対称
となるマルチフィラメントビレットが作製され、それぞ
れ、マルチフィラメントストランドの最終的形状と、高
臨界温度超伝導相における前駆体の合成を得るために、
機械的処理及び熱処理が行なわれ、本発明によれば、マ
ルチフィラメントストランドが作製される際には、横断
面において、断片の層の集合体が、鼓型または中細型
（ｃｏｎｖｅｒｇｅｎｔ−ｄｉｖｅｒｇｅｎｔ）集合の
一般的形状を有することができるように層ごとに断片の
数が適合され、中細型集合の頚部が、前記積重ねの中央
平面内にほぼ含まれ、合成の熱処理に先立つ、前記マル
チフィラメントビレットの機械的処理の際には、積重ね
の中央平面に対して垂直な方向に圧延力が加えられ、さ
らに、圧延されたビレットの縁の少なくとも１つを積重
ねの中央平面に対して垂直にカットすることで、適合性
銀合金のマトリクスが露出される。
適合性銀合金のマトリクスを有する高臨界温度超伝導マ
ルチフィラメント導体の管内粉末タイプの製造方法に関
するものであり、ここでは、適合性銀合金の外装と高臨
界温度超伝導体の前駆体のコアとを有する、正方形また
は長方形断面のモノフィラメントが製造され、前記モノ
フィラメントを切断し、結果として得られた断片で正方
形または長方形断面を有する非適合性銀合金でできたケ
ースを満たし、これら断片が非適合性銀合金でできたケ
ース内で中心決めされた（ｃｅｎｔｅｒｅｄ）積重ねら
れた層状に配置され、層の平面に垂直な方向において断
片が千鳥形に配置されるように、各層が、１つ前の層に
対してずらされており、層の初めと終わりにおいては、
ずれによって残された空間を、適合性銀合金でできた棒
材で満たし、その結果、積重ねの中間平面に対して対称
となるマルチフィラメントビレットが作製され、それぞ
れ、マルチフィラメントストランドの最終的形状と、高
臨界温度超伝導相における前駆体の合成を得るために、
機械的処理及び熱処理が行なわれ、本発明によれば、マ
ルチフィラメントストランドが作製される際には、横断
面において、断片の層の集合体が、鼓型または中細型
（ｃｏｎｖｅｒｇｅｎｔ−ｄｉｖｅｒｇｅｎｔ）集合の
一般的形状を有することができるように層ごとに断片の
数が適合され、中細型集合の頚部が、前記積重ねの中央
平面内にほぼ含まれ、合成の熱処理に先立つ、前記マル
チフィラメントビレットの機械的処理の際には、積重ね
の中央平面に対して垂直な方向に圧延力が加えられ、さ
らに、圧延されたビレットの縁の少なくとも１つを積重
ねの中央平面に対して垂直にカットすることで、適合性
銀合金のマトリクスが露出される。
【００１７】有利には、圧延に起因する応力を制限する
ために、機械的処理には、応力緩和の熱処理段階が含ま
れる。
ために、機械的処理には、応力緩和の熱処理段階が含ま
れる。
【００１８】積重ねの中央平面に垂直な２つの縁は、カ
ットすることができる。
ットすることができる。
【００１９】本発明はまた、長方形の一般的形状の横断
面を有し、層ごとに千鳥形に配置された複数の高臨界温
度超伝導フィラメントを含み、さらに長方形の向かい合
った二つの面が、非適合性銀合金層で覆われる、長方形
の一般的形状を有する適合性銀合金のマトリクスを有す
るマルチフィラメントストランドに関するものである。
面を有し、層ごとに千鳥形に配置された複数の高臨界温
度超伝導フィラメントを含み、さらに長方形の向かい合
った二つの面が、非適合性銀合金層で覆われる、長方形
の一般的形状を有する適合性銀合金のマトリクスを有す
るマルチフィラメントストランドに関するものである。
【００２０】本発明の第１の利点は、製造用ビレットに
おけるマルチフィラメントが、中細型集合体の一般的形
状を有していることに由来し、このような構成から、ス
トランドの圧延の機械的段階の後に、ストランドの中央
部分内にモノフィラメントを集中させることができる。
このようにして、ストランドの中央部分では、ストラン
ドの横断端においてモノフィラメントの分散を制限す
る、均質で大きな密度を得ることができる。
おけるマルチフィラメントが、中細型集合体の一般的形
状を有していることに由来し、このような構成から、ス
トランドの圧延の機械的段階の後に、ストランドの中央
部分内にモノフィラメントを集中させることができる。
このようにして、ストランドの中央部分では、ストラン
ドの横断端においてモノフィラメントの分散を制限す
る、均質で大きな密度を得ることができる。
【００２１】本発明の他の利点は、ストランドの外装と
して非適合性銀合金材料の使用と、適合性銀合金のマト
リクスを露出するような圧延されたビレットの縁の少な
くとも１つをカットする段階とを組み合わせることに由
来する。非適合性銀合金は、ストランドのすぐれた機械
的耐性を保証し、適合性銀合金マトリクスを露出するこ
とによって、前駆体の優れた合成が確保される。その結
果、機械的及び電気的性能が改善されたストランドを得
ることができる。
して非適合性銀合金材料の使用と、適合性銀合金のマト
リクスを露出するような圧延されたビレットの縁の少な
くとも１つをカットする段階とを組み合わせることに由
来する。非適合性銀合金は、ストランドのすぐれた機械
的耐性を保証し、適合性銀合金マトリクスを露出するこ
とによって、前駆体の優れた合成が確保される。その結
果、機械的及び電気的性能が改善されたストランドを得
ることができる。
【００２２】また先の結果と密接な関係のある利点は、
ストランドの横断端内に局在し、圧延の結果生じる、モ
ノフィラメントが少ない適合性銀合金マトリクスの余剰
分が、カット段階で取り去られることに由来する。この
結果、電流密度Ｊｅが著しく改善される。
ストランドの横断端内に局在し、圧延の結果生じる、モ
ノフィラメントが少ない適合性銀合金マトリクスの余剰
分が、カット段階で取り去られることに由来する。この
結果、電流密度Ｊｅが著しく改善される。
【００２３】添付の図面を参照して以下に説明すること
で、本発明の他の利点及び特徴が明らかになるだろう。
で、本発明の他の利点及び特徴が明らかになるだろう。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明は、適合性銀合金２のマト
リクス１５を有する、高臨界温度超伝導マルチフィラメ
ント導体１の管内粉末タイプの製造法に関するものであ
る。
リクス１５を有する、高臨界温度超伝導マルチフィラメ
ント導体１の管内粉末タイプの製造法に関するものであ
る。
【００２５】この方法の段階は以下の通りである。
【００２６】適合性銀合金２でできた外装８と高臨界温
度超伝導前駆体のコア９とを有する、正方形または長方
形断面のモノフィラメントが製造される。モノフィラメ
ントは、前駆体で満たされた適合性銀合金でできたケー
スを含むビレットから製造される。こうして、ビレット
は、モノフィラメントを得るために、引抜きまたは圧延
によって機械的に処理される。
度超伝導前駆体のコア９とを有する、正方形または長方
形断面のモノフィラメントが製造される。モノフィラメ
ントは、前駆体で満たされた適合性銀合金でできたケー
スを含むビレットから製造される。こうして、ビレット
は、モノフィラメントを得るために、引抜きまたは圧延
によって機械的に処理される。
【００２７】モノフィラメントが切断され、正方形また
は長方形断面の非適合性銀合金３でできたケース１１
を、モノフィラメントの断片１０で満たす。
は長方形断面の非適合性銀合金３でできたケース１１
を、モノフィラメントの断片１０で満たす。
【００２８】断片１０は、非適合性銀合金３でできたケ
ース１１内で中心決めされた積み重なった層状に配置さ
れ、各層は、層の平面４に垂直な方向１３において、断
片１０が千鳥形に配置されるように、１つ前の層に対し
てずらされる。
ース１１内で中心決めされた積み重なった層状に配置さ
れ、各層は、層の平面４に垂直な方向１３において、断
片１０が千鳥形に配置されるように、１つ前の層に対し
てずらされる。
【００２９】さらに、ビレット１２の横断面において、
断片１０の層の集合体が中細型集合６の一般的形状を有
することができるように、層ごとに断片１０の数が適合
される。
断片１０の層の集合体が中細型集合６の一般的形状を有
することができるように、層ごとに断片１０の数が適合
される。
【００３０】中細型集合体６の頚部７は、断片１０の層
に平行で、ケース１１の中央に規定された、積重ねの中
央平面４内にほぼ含まれる。
に平行で、ケース１１の中央に規定された、積重ねの中
央平面４内にほぼ含まれる。
【００３１】ケース１１の充填を補足するために、層の
初めと終わりにおけるずれによって残される空間は、適
合性銀合金２の棒材５によってふさがれ、その結果、積
重ねの中央平面４に対して対称なマルチフィラメントビ
レット１２が作製される。
初めと終わりにおけるずれによって残される空間は、適
合性銀合金２の棒材５によってふさがれ、その結果、積
重ねの中央平面４に対して対称なマルチフィラメントビ
レット１２が作製される。
【００３２】マルチフィラメントストランドの最終的形
状を得るために、機械的処理が加えられる。これらの機
械的処理は特に、中央平面４に垂直な方向１３にビレッ
トを圧延することからなる。
状を得るために、機械的処理が加えられる。これらの機
械的処理は特に、中央平面４に垂直な方向１３にビレッ
トを圧延することからなる。
【００３３】ビレット１２におけるモノフィラメントの
断片１０の最初の配置から、また機械的処理後に、マル
チフィラメントストランドの幅を適切に選択することに
よって、非適合性銀合金３でできた外装１６と、適合性
銀合金２のマトリクス１５と、適合性銀合金２のマトリ
クス１５内に埋め込まれ、ストランドの中央部分１７内
に集中した前駆体９のフィラメントとを有する、マルチ
フィラメントストランドが得られ、このストランドの両
端１４は、前駆体９のフィラメントをもたない、または
少なくともそうしたフィラメントが非常に少ない。
断片１０の最初の配置から、また機械的処理後に、マル
チフィラメントストランドの幅を適切に選択することに
よって、非適合性銀合金３でできた外装１６と、適合性
銀合金２のマトリクス１５と、適合性銀合金２のマトリ
クス１５内に埋め込まれ、ストランドの中央部分１７内
に集中した前駆体９のフィラメントとを有する、マルチ
フィラメントストランドが得られ、このストランドの両
端１４は、前駆体９のフィラメントをもたない、または
少なくともそうしたフィラメントが非常に少ない。
【００３４】ストランドの機械的処理に起因する機械的
応力を緩和させるために、応力緩和のための熱処理段階
を設けることができる。
応力を緩和させるために、応力緩和のための熱処理段階
を設けることができる。
【００３５】ストランドの先端１４の少なくとも１つ
が、積重ね中央平面４に垂直にカットされる。本発明に
よる方法のこの段階によって、適合性銀合金２のマトリ
クス１５が露出され、超伝導合成段階のために酸素を透
過する材料でできた少なくとも１つの開口部が確保され
る。有利には、２つの酸素処理用開口部を得ることがで
きるように、ストランドの両端１４がカットされる。
が、積重ね中央平面４に垂直にカットされる。本発明に
よる方法のこの段階によって、適合性銀合金２のマトリ
クス１５が露出され、超伝導合成段階のために酸素を透
過する材料でできた少なくとも１つの開口部が確保され
る。有利には、２つの酸素処理用開口部を得ることがで
きるように、ストランドの両端１４がカットされる。
【００３６】こうして、熱処理段階のおかげで、高臨界
温度超伝導相において前駆体の合成が行なわれる。この
熱処理段階においては、 ・フィラメントの前駆体は、高臨界温度超伝導材料で完
全に合成され、その合成に必要な酸素は、酸素処理用開
口部によって吸収される。 ・非適合性銀合金３は、著しく硬化し、そのため、高臨
界温度超伝導マルチフィラメントストランドの機械的耐
性が改善される。
温度超伝導相において前駆体の合成が行なわれる。この
熱処理段階においては、 ・フィラメントの前駆体は、高臨界温度超伝導材料で完
全に合成され、その合成に必要な酸素は、酸素処理用開
口部によって吸収される。 ・非適合性銀合金３は、著しく硬化し、そのため、高臨
界温度超伝導マルチフィラメントストランドの機械的耐
性が改善される。
【００３７】ストランドの中央部分にフィラメントが集
中し、フィラメントが少ない先端１４が取り去られるこ
とから、優れた電流密度Ｊｅが保証される。
中し、フィラメントが少ない先端１４が取り去られるこ
とから、優れた電流密度Ｊｅが保証される。
【００３８】本発明はまた、長方形の一般的形状の横断
面を有し、層ごとに千鳥形に配置された複数の高臨界温
度超伝導フィラメント１８を含み、長方形の一般的形状
の適合性銀合金２のマトリクス１５を有するマルチフィ
ラメントストランドに関するものであり、長方形の向か
い合った二つの面が、非適合性銀合金３でできた層１９
で覆われる。
面を有し、層ごとに千鳥形に配置された複数の高臨界温
度超伝導フィラメント１８を含み、長方形の一般的形状
の適合性銀合金２のマトリクス１５を有するマルチフィ
ラメントストランドに関するものであり、長方形の向か
い合った二つの面が、非適合性銀合金３でできた層１９
で覆われる。
【００３９】図２Ａから図２Ｅは、マルチフィラメント
ビレット１２におけるモノフィラメントの断片１０の配
置例である。
ビレット１２におけるモノフィラメントの断片１０の配
置例である。
【００４０】図２Ａは、４×８＋５×９、すなわち７８
断片の構成を有する、マルチフィラメントビレットを表
している。１２の断片が、９−８−７−６−５−６−７
−８−９の層のシーケンスにしたがって置き換えられ、
すなわち６６断片はそのままである。７８フィラメント
のストランドに対して、６６フィラメントのストランド
の幅は、取り去られた先端に対応する３０％分小さくな
っており、Ｊｅは２０％増大している。
断片の構成を有する、マルチフィラメントビレットを表
している。１２の断片が、９−８−７−６−５−６−７
−８−９の層のシーケンスにしたがって置き換えられ、
すなわち６６断片はそのままである。７８フィラメント
のストランドに対して、６６フィラメントのストランド
の幅は、取り去られた先端に対応する３０％分小さくな
っており、Ｊｅは２０％増大している。
【００４１】図２Ｂ、図２Ｃ、図２Ｄは、４×８＋５×
９、すなわち７８断片の構成を有するマルチフィラメン
トビレットを表しており、それぞれ２、６、１０の断片
が置き換えられている。
９、すなわち７８断片の構成を有するマルチフィラメン
トビレットを表しており、それぞれ２、６、１０の断片
が置き換えられている。
【００４２】図２Ｅは、５×８＋４×９、すなわち７６
断片の構成を有するマルチフィラメントビレットを表し
ており、ここでは１４の断片が置き換えられている。７
６フィラメントのストランドに対して、６２フィラメン
トのストランドの幅は、取り去られた先端に対応する３
０％分小さくなっており、Ｊｅは１７％増大している。
断片の構成を有するマルチフィラメントビレットを表し
ており、ここでは１４の断片が置き換えられている。７
６フィラメントのストランドに対して、６２フィラメン
トのストランドの幅は、取り去られた先端に対応する３
０％分小さくなっており、Ｊｅは１７％増大している。
【図１】本発明による方法の段階の一部を概略的に表し
た線図である。
た線図である。
【図２Ａ】本発明による方法において使用することがで
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
【図２Ｂ】本発明による方法において使用することがで
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
【図２Ｃ】本発明による方法において使用することがで
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
【図２Ｄ】本発明による方法において使用することがで
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
【図２Ｅ】本発明による方法において使用することがで
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
きる、マルチフィラメントビレットの横断面を概略的に
表した図である。
１ マルチフィラメント導体 ３ 銀合金 ４ 積重ねの中央平面 ５ 棒材 ６ 中細型集合 ７ 頚部 ８、１６ 外装 ９ 前駆体のコア １０ 断片 １１ ケース １２ マルチフィラメントビレット １５ マトリクス １７ ストランドの中央部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アルベール・ルリツシユ フランス国、91190・ジフ・シユール・イ ベツト、レジダンス・ギヨーム・ドウ・ボ ワザン・９ (72)発明者 ジヤン−ピエール・タベルニエ フランス国、91310・リナ、リユ・フロマ ジエール、１・ビス
Claims (4)
- 【請求項１】 適合性銀合金（２）のマトリクス（１
５）を有する高臨界温度超伝導マルチフィラメント導体
（１）の管内粉末タイプの製造方法であって、 適合性銀合金（３）でできた外装（８）と高臨界温度超
伝導体の前駆体のコア（９）とを有する、正方形または
長方形断面のモノフィラメントが製造され、 前記モノフィラメントが切断され、結果的として得られ
た断片（１０）で、正方形または長方形断面の非適合性
銀合金（３）でできたケース（１１）を満たし、これら
断片（１０）が、非適合性銀合金（３）でできたケース
（１１）内で中心決めされた積重ねられた層状に配置さ
れ、各層が、断片（１０）の千鳥形配置が形成されるよ
うに、１つ前の層に対してずらされており、 層の初めと終わりにおけるずれによって残された空間
が、適合性銀合金（２）でできた棒材（５）で塞がれ、
その結果、積重ねの中央平面（４）に対して対称である
マルチフィラメントビレット（１２）が作製され、 それぞれ、マルチフィラメントストランド（１）の最終
的形状と、高臨界温度超伝導相への前駆体（９）の合成
を得るために、機械的及び熱的処理が加えられる方法で
あって、 マルチフィラメントビレット（１２）が作製される際
に、横断面において、断片の層の集合体（１１）が中細
型集合（６）の一般的形状をもつことができるように、
層ごとに断片（１１）の数が適合され、この中細型集合
（６）の頚部（７）が、前記積重ねの中央平面（４）内
にほぼ含まれ、 さらに、合成の熱処理に先立つ、前記マルチフィラメン
トビレット（１２）の機械的処理の際には、積重ねの中
央平面（４）に対して垂直な方向（１３）に圧延力が加
えられ、圧延されたビレットの縁（１４）の少なくとも
１つが、積重ねの中央平面（４）に垂直にカットされ、
その結果、適合性銀合金（２）でできたマトリクス（１
５）が露出されることを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】 機械的処理が、応力緩和のための熱処理
段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方
法。 - 【請求項３】 積重ねの中央平面（４）に対して垂直な
２つの縁（１４）がカットされることを特徴とする請求
項１または２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 長方形の一般的形状の横断面を有し、層
ごとに千鳥形に配置された、複数の高臨界温度超伝導フ
ィラメント（１８）を含む、長方形の一般的形状の適合
性銀合金（２）でできたマトリクス（１５）を有するマ
ルチフィラメントストランドであって、前記マルチフィ
ラメントストランドの長方形の向かい合った二つの面
が、非適合性銀合金（３）の層（１９）で覆われること
を特徴とするストランド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9905765 | 1999-05-06 | ||
| FR9905765A FR2793344B1 (fr) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | BRIN SUPRACONDUCTEUR A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE (HTc), METHODE DE FABRICATION D'UN TEL BRIN |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353440A true JP2000353440A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=9545281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000134924A Pending JP2000353440A (ja) | 1999-05-06 | 2000-05-08 | 高臨界温度（ＨＴｃ）超伝導ストランドとその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6442827B1 (ja) |
| EP (1) | EP1050911A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000353440A (ja) |
| FR (1) | FR2793344B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6591120B1 (en) * | 1997-12-10 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Rotationally symmetric oxide superconducting wire and solenoid coil or magnetic field generator incorporating the same |
| GB9805644D0 (en) * | 1998-03-18 | 1998-05-13 | Metal Manufactures Ltd | Superconducting tapes |
| GB9805639D0 (en) * | 1998-03-18 | 1998-05-13 | Metal Manufactures Ltd | Superconducting tapes for alternating current and cables and other conductors in which they are used |
| GB9805646D0 (en) * | 1998-03-18 | 1998-05-13 | Bicc Plc | Superconducting tapes |
| GB9805641D0 (en) * | 1998-03-18 | 1998-05-13 | Metal Manufactures Ltd | Superconducting tapes |
| WO2018087944A1 (ja) | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電線導体、被覆電線、ワイヤーハーネス |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167914A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Mitsubishi Metal Corp | 超電導複合ケーブル |
| JPH09167530A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-06-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 酸化物多芯超電導導体およびその製造方法 |
| JPH10149729A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Hitachi Cable Ltd | 酸化物超電導線材及びその製造方法 |
| JPH10302559A (ja) * | 1997-03-20 | 1998-11-13 | Alcatel Alsthom Co General Electricite | 銀を主成分とするマトリックスのＨＴｃ超電導多重線ストランドの減結合方法、およびそのようにして得られる多重線ストランド |
| JPH1186649A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 酸化物超電導導体、これを用いたケーブル並びに積層導体、及び酸化物超電導導体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469253B1 (en) * | 1995-10-17 | 2002-10-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Oxide superconducting wire with stabilizing metal have none noble component |
| FR2752327B1 (fr) * | 1996-08-09 | 1998-10-02 | Alsthom Cge Alcatel | Brin htc multifilamentaire a disposition interne decalee |
| US5801124A (en) * | 1996-08-30 | 1998-09-01 | American Superconductor Corporation | Laminated superconducting ceramic composite conductors |
| FR2761516B1 (fr) * | 1997-03-27 | 1999-05-07 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de decouplage d'un brin multifilamentaire supraconducteur htc a matrice a base d'argent, et brin multifilamentaire ainsi realise |
-
1999
- 1999-05-06 FR FR9905765A patent/FR2793344B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-28 EP EP00401187A patent/EP1050911A1/fr not_active Withdrawn
- 2000-05-04 US US09/564,686 patent/US6442827B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-08 JP JP2000134924A patent/JP2000353440A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167914A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Mitsubishi Metal Corp | 超電導複合ケーブル |
| JPH09167530A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-06-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 酸化物多芯超電導導体およびその製造方法 |
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| JPH1186649A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 酸化物超電導導体、これを用いたケーブル並びに積層導体、及び酸化物超電導導体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2793344A1 (fr) | 2000-11-10 |
| EP1050911A1 (fr) | 2000-11-08 |
| US6442827B1 (en) | 2002-09-03 |
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