JP2000349137A

JP2000349137A - ウエハ支持具及びその製造方法

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Publication number: JP2000349137A
Application number: JP11160139A
Authority: JP
Inventors: Fumio Odaka; 文雄小高; Kazuhiro Ushida; 和宏牛田; Keichi Takahashi; 佳智高橋
Original assignee: Bridgestone Corp
Current assignee: Bridgestone Corp
Priority date: 1999-06-07
Filing date: 1999-06-07
Publication date: 2000-12-15
Anticipated expiration: 2019-06-07
Also published as: JP4471043B2

Abstract

(57)【要約】【課題】接着の際の取扱い性及び製造効率に優れるウ
エハ支持具の製造方法を提供すること。【解決手段】炭化ケイ素を含有してなり、ウエハを支
持する支持部材と、炭化ケイ素を含有してなり、該支持
部材を固定する固定部材とを仮焼し、仮焼した該支持部
材の両末端を開先加工し、開先加工した該支持部材と前
記固定部材とを炭化ケイ素を含有する接着材で接着して
ウエハ支持具構造物を形成し、該ウエハ支持具構造物に
金属ケイ素を含浸させることを特徴とするウエハ支持具
の製造方法である。前記金属ケイ素を含浸させる前に、
ウエハ支持具構造物を仮焼するのが好ましい。また、前
記支持部材及び固定部材が、更に炭素を含有するのが好
ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
ウエハを多数支持し、各種処理等を行うことが可能なウ
エハ支持具、及び該ウエハ支持具を効率的に製造し得る
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウエハなどの膜形成等を目
的として熱処理する際、半導体ウエハボードが用いられ
ていた。該半導体ウエハボードの材料としては、純度が
高いという利点を活かして、石英が用いられていたが、
耐熱性が劣ることから、近年では炭化ケイ素を用いるの
が主流となっている。しかし、前記炭化ケイ素を用いて
作製した半導体ウエハボードは、重量が大きいため、取
り扱い性が悪く、また、熱容量が大きいため、該半導体
ウエハボードを熱処理炉内に挿入した際等に、炉内の温
度が大きく変化してしまう等の問題があった。

【０００３】前記問題を解決するため、パイプ状に形成
した成型体から、半導体ウエハを支持する支持部などの
必要最低限の部位を残して、半導体ウエハボードを製造
する方法が提案されている。しかし、この方法では、加
工工程が複雑であり、また、加工時に多くの不純物が混
入してしまうため、これを酸などにより除去して高純度
化する必要があり、製造コストが高くなるという問題が
あった。

【０００４】また、半導体ウエハーを支持する支持部
や、該支持部を固定する固定部を別々に作製した後、ボ
ルト止め等により製造する方法が提案されている。しか
し、この方法では、前記支持部や前記固定部を別々に作
製した後にこれらを組み立てるため、上記同様に、加工
工程が複雑となって製造コストが高くなったり、前記支
持部と前記固定部との寸法が合わず、寸法精度が悪くな
るという問題があった。

【０００５】前記問題を解決すべく、前記支持部や前記
固定部のグリーン体（未焼結体）を鋳型で成形した後、
これらを作製したのと同一のスラリーを塗布してこれら
を接着仮止めし、仮焼、Ｓｉ含浸を行う方法が提案され
ている。しかし、この方法では、接着仮止めの際の取扱
い性が悪く、また、支持部と固定部との接着強度を高め
る目的で、前記支持部に開先加工を施す際、前記支持部
の強度が低いために、該支持部を所望の形状に開先加工
することは困難であった。また、前記開先加工を行わな
い場合に、接着材の接着強度を大きくするためには、接
着部に前記接着材による肉盛りを形成せざるを得なかっ
た。更に、前記接着剤で仮止めした構造物は、前記グリ
ーン体の構造物であるため、これを仮焼すると、寸法精
度が悪くなるという問題があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来に
おける諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課
題とする。即ち、本発明は、接着の際の取扱い性及び製
造効率に優れるウエハ支持具の製造方法、及び該製造方
法によって製造され、強度、寸法精度等に優れるウエハ
支持具を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段としては、以下の通りである。即ち、＜１＞炭化ケイ素を含有してなり、ウエハを支持する
支持部材と、炭化ケイ素を含有してなり、該支持部材を
固定する固定部材とを仮焼し、仮焼した該支持部材の両
末端を開先加工し、開先加工した該支持部材と前記固定
部材とを炭化ケイ素を含有する接着材で接着してウエハ
支持具構造物を形成し、該ウエハ支持具構造物に金属ケ
イ素を含浸させることを特徴とするウエハ支持具の製造
方法である。＜２＞金属ケイ素を含浸させる前に、ウエハ支持具構
造物を仮焼する前記＜１＞に記載のウエハ支持具の製造
方法である。＜３＞支持部材及び固定部材が、更に炭素を含有する
前記＜１＞又は＜２＞に記載のウエハ支持具の製造方法
である。＜４＞前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のウエ
ハ支持具の製造方法によって製造されることを特徴とす
るウエハ支持具である。

【０００８】前記＜１＞に記載のウエハ支持具の製造方
法においては、先ず、ウエハを支持する支持部材及び該
支持部材を固定する固定部材を仮焼する。このため、前
記支持部材及び固定部材は、強度が増し、後の開先加工
や接着等の加工が容易となり、また、加工時に破損など
が生じない。次に、仮焼した前記支持部の両末端を所望
の形状に開先加工した後、該支持部と前記固定部とを接
着材で接着し、ウエハ支持具構造物を形成する。この
時、前記支持部の両末端は、所望形状に開先加工されて
いるため、削除部分においては、接着材との接着面積が
大きく、また、該削除部分に接着材を充填しても、肉盛
りが形成されない。更に、前記ウエハ支持具構造物に金
属ケイ素を含浸させる。この時、溶融した金属ケイ素
は、毛細管現象等によって前記ウエハ支持具構造物中に
浸透される。

【０００９】前記＜２＞に記載のウエハ支持具の製造方
法においては、金属ケイ素を含浸させる前に、ウエハ支
持具構造物を仮焼するので、得られるウエハ支持具構造
物は、極めて強度に富む。

【００１０】前記＜３＞に記載のウエハ支持具の製造方
法においては、支持部及び固定部が、さらに炭素を含有
するので、得られるウエハ支持具構造物は、極めて強度
に富む。

【００１１】前記＜４＞に記載のウエハ支持具は、前記
＜１＞から＜３＞に記載のいずれかの製造方法によって
製造されるので、前記支持部と前記固定部との接合面に
は、肉盛りが形成されず、寸法精度や強度に優れる。

【００１２】

【発明の実施の形態】−ウエハ支持具− 本発明のウエハ支持具は、支持部及び固定部を有してな
り、所望によりその他の部を有してなる。［支持部］前記支持部の形状としては、ウエハを複数載
置可能なウエハ載置部を有していれば、特に制限はない
が、軽量で、熱応力の集中が低く、かつ、ウエハを複数
支持可能な点で、断面円形の支柱等に前記ウエハ載置部
が設けられてなる形状が好ましい。

【００１３】前記ウエハ載置部としては、溝や突起等と
して形成されているのが好ましい。前記ウエハ載置部が
突起の場合には、該突起上にウエハを載置可能であって
もよく、また、複数の突起にウエハを挟持可能であって
もよい。これらの中でも、製造容易性等の点で、溝が好
ましい。前記ウエハ載置部が、溝の場合には、該溝の巾
及び深さとしては、特に制限はなく、ウエハの厚み等に
応じて適宜選択することができ、一般的には、巾が１０
〜３０ｍｍで、深さが５〜２０ｍｍが好ましい。

【００１４】前記支持部の大きさとしては、特に制限は
なく、支持するウエハの大きさや重さ、半導体ウエハの
熱処理に用いる場合には、熱処理炉の大きさ等に応じて
適宜選択することができる。

【００１５】尚、前記ウエハ支持具を半導体ウエハ支持
具として用いる場合、前記支持部の大きさとしては、半
導体ウエハの大きさ等に応じて異なり、一概に規定する
ことはできないが、該支持部の断面積及び柱長の好まし
い数値範囲は、以下の通りである。

【００１６】前記支持部の断面積としては、一般的に
は、６５〜２５０ｍｍ²が好ましい。前記断面積が、２
５０ｍｍ²を超える場合には、前記ウエハ支持具全体の
重量が大きくなるため、製造時の取り扱いが困難とな
り、又、使用時に熱分解を起こす原因となることがある
一方、前記断面積が、６５ｍｍ²未満の場合には、前記
ウエハ支持具の強度が低く、製造時の取り扱いが困難と
なることがある。

【００１７】前記支持部の柱長としては、１２００ｍｍ
以下が好ましい。該柱長が、１２００ｍｍを超える場合
には、大きな鋳込み型・炉等が必要となるため、高コス
トとなることがある。

【００１８】前記支持部の数としては、ウエハを支持さ
せる際の安定性から、複数が好ましく、製造効率及びウ
エハを載置する際の効率等の観点から、３〜４が特に好
ましい。

【００１９】前記支持部の材料としては、耐熱性及び耐
強度性等の点で、炭化ケイ素粉末を含む材料が好まし
い。前記支持部は、公知の成形方法によって形成され
る。

【００２０】［固定部］前記固定部の形状としては、前
記ウエハ支持部を固定し得るものであれば、特に制限は
なく、円形・楕円形、輪形等の角部のない形状のほか、
半円形や四角形等の角部のある形状が挙げられる。これ
らの中でも、熱応力の集中を低減する点で、前記角部の
ない形状が好ましい。また、支持するウエハと同一の形
状とすることが好ましい。半導体ウエハは、一般的に
は、輪形であるため、半導体ウエハ支持具として用いる
場合には、該固定部の形状は、輪形とするのが好まし
い。

【００２１】前記固定部の大きさとしては、特に制限は
なく、支持するウエハの大きさや、ウエハを熱処理する
際に用いる熱処理炉の大きさ等に応じて適宜選択するこ
とができ。一般的には、支持するウエハの大きさより大
きいものを用いる。また、前記固定部の厚みとしては、
４〜１５ｍｍが好ましい。

【００２２】前記固定部は、前記支持部を安定して固定
させる点で、前記支持部の両末端のそれぞれに設けられ
るのが好ましい。前記固定部の材料としては、耐熱性及
び耐強度性等の点で、炭化ケイ素粉末を含む材料が好ま
しい。前記固定部は、公知の成形方法によって製造され
る。

【００２３】［その他の部］前記その他の部としては、
特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ
るが、例えば、長尺な縦型熱処理炉用のウエハ支持具に
おいては、軸射熱の遮断を目的として、前記固定部の下
部に設けられる台座や側壁等が挙げられる。

【００２４】図１は、本発明のウエハ支持具の一例を示
す説明図である。ウエハ支持具１は、棒状の支持部２
ａ、支持部２ｂ、支持部２ｃ及び支持部２ｄと、輪状の
平板である固定部３ａ及び固定部３ｂとを有する。支持
部２ａ、支持部２ｂ、支持部２ｃ及び支持部２ｄは、ウ
エハを側方から挿入できるように、固定部３ａ、固定部
３ｂの外周に沿って、該固定部３ａ及び３ｂに所定の間
隔で接着されて設けられている。支持部２ａ及び支持部
２ｄは、前記固定部３ａの外周上であって、かつ、該外
周の任意の一の直径上に配置されている。また、支持部
２ｂ及び支持部２ｃは、該一の直径で切断される２つの
外周のうち、一方の外周上に配置されいる。該一の直径
の中点を中心として、支持部２ａと支持部２ｂとのなす
角、支持部２ｂと支持部２ｃとのなす角、又は支持部２
ｃと支持部２ｄとのなす角は、応力集中を低減させる目
的で、総て同一角度、即ち、６０度となるように配置さ
れている。支持部２ａ、支持部２ｂ、支持部２ｃ、及び
支持部２ｄには、前記ウエハ載置部としての溝が、固定
部３ａから一定の距離に、上下方向に所定間隔で多数形
成されている。前記支持部２ａ、支持部２ｂ、支持部２
ｃ、及び支持部２ｄのそれぞれに形成された溝のうち、
固定部３ａから同距離にある溝には、同一のウエハが載
置される。

【００２５】支持部２ａ、支持部２ｂ、支持部２ｃ、及
び支持部２ｄは、両末端が所望の形状に開先加工された
後に、固定部３ａ、及び３ｂと接着材で接着されている
ため、接着部４ａ、接着部４ｂ、接着部４ｃ、及び接着
部４ｄにおいては、接着材による肉盛りが形成されな
い。また、前記接着材が、支持部２ａ、支持部２ｂ、支
持部２ｃ及び支持部２ｄ、又は、前記固定部３ａ及び固
定部３ｂと接触する面積が開先加工によって大きくなっ
ているため、接着部４ａ、接着部４ｂ、接着部４ｃ及び
接着部４ｄは、強度に優れる。さらに、支持部２ａ、支
持部２ｂ、支持部２ｃ及び支持部２ｄと、固定部３ａ及
び固定部３ｂとは、仮焼された後に接着されているの
で、ウエハ支持具１は、寸法精度に優れている。尚、接
着部４ａ、接着部４ｂ、接着部４ｃ及び接着部４ｄにお
いては、支持部２ａ、支持部２ｂ、支持部２ｃ及び支持
部２ｄの末端と、固定部３ａとが嵌着されていてもよ
い。

【００２６】本発明のウエハ支持具は、半導体ウエハの
熱処理に使用する場合には、所望により、熱処理炉の構
造によって、半導体ウエハを横方向から挿入可能な横型
のウエハとしてもよく、半導体ウエハを上方又は下方か
ら挿入可能な縦型のウエハ支持具としてもよい。また、
所望により、前記ウエハ支持具の支持部末端に近い前記
溝に、炭化ケイ素等からなる断熱板やダミーウエハを、
あるいは、温度条件等が変化しやすい支持部両末端を除
いた部分の前記溝に半導体ウエハを、挿入可能に設計し
てもよい。

【００２７】前記ウエハ支持具は、前記構成からなるた
め、前記支持部と前記固定部との接着部に肉盛りが形成
されず、寸法精度に優れ、かつ、強度に優れる。従っ
て、半導体ウエハを載置して、熱処理等を行うのに特に
好適に用いることができる。

【００２８】前記本発明のウエハ支持具は、後述のウエ
ハ支持具の製造方法によって製造される。

【００２９】−ウエハ支持具の製造方法− 本発明のウエハ支持具の製造方法は、仮焼工程と、開先
加工工程と、ウエハ支持具構造物形成工程と、含浸工程
とを有し、所望によりその他の工程を含む。

【００３０】［仮焼工程］前記仮焼工程は、炭化ケイ素
を含有してなり、ウエハを支持する支持部材と、炭化ケ
イ素を含有してなり、該支持部材を固定する固定部材
と、を仮焼する工程である。

【００３１】（支持部材）前記支持部材は、炭化ケイ素
粉末を、スラリー状の混合粉体とし、該混合粉体を成形
して得られる。ここで得られる支持部材は、グリーン体
と称されることがあり、スラリー状の混合粉体から溶媒
を除去して得られる多くの気孔が内在する未焼結の炭化
ケイ素成形体である。

【００３２】前記炭化ケイ素粉末は、α型、β型、非晶
質或いはこれらの混合物等の炭化ケイ素粉末を原料とし
て、後述の方法で製造することができる。なお、得られ
るウエハ支持具を高純度炭化ケイ素焼結体とするために
は、原料に高純度の炭化ケイ素粉末を用いることが好ま
しい。また、前記β型の炭化ケイ素粉末のグレードには
特に制限はなく、例えば、一般に市販されているβ型の
炭化ケイ素粉末を用いることができる。

【００３３】前記炭化ケイ素粉末の粒径としては、高密
度化の点では、小さい方が好ましく、具体的には、０．
０１〜１０μｍが好ましく、０．０５〜５μｍがより好
ましい。前記粒径が、０．０１μｍ未満の場合には、計
量、混合等の処理工程における取扱いが困難となること
がある一方、１０μｍを超える場合には、比表面積が小
さい、即ち、隣接する粉末との接触面積が小さくなり、
高密度化し難くなることがある。

【００３４】前記高純度の炭化ケイ素粉末は、例えば、
少なくとも１種以上のケイ素化合物を含むケイ素源と、
少なくとも１種以上の加熱により炭素を生成する有機化
合物を含む炭素源と、重合・架橋触媒と、を溶媒中で溶
解し、乾燥した後、得られた粉末を非酸化性雰囲気下で
焼成して得ることができる。

【００３５】前記ケイ素源としては、液状のケイ素源と
固体状のケイ素源とを併用することもできるが、少なく
とも１種は液状のケイ素源であることが必要である。

【００３６】前記液状のケイ素源としては、（モノ−、
ジ−、トリ−、テトラ−）アルコキシシラン、テトラア
ルコキシシランの重合体等が挙げられる。前記アルコキ
シシランの中でも、テトラアルコキシシランが好まし
く、具体的には、メトキシシラン、エトキシシラン、プ
ロポキシシラン、ブトキシシラン等が好ましく、取扱い
性の点では、エトキシシランが特に好ましい。前記テト
ラアルコキシシランの重合体としては、重合度が２〜１
５程度の低分子量重合体（オリゴマー）や高重合度のケ
イ酸ポリマーで液状の重合体などが挙げられる。これら
の重合体は、所望により、酸化ケイ素を併用してもよ
い。尚、前記酸化ケイ素には、ＳｉＯの他、シリカゾル
（コロイド状超微細シリカ含有液、内部にＯＨ基やアル
コキシル基を含む）や二酸化ケイ素（シリカゲル、微細
シリカ、石英粉末）等が含まれる。前記ケイ素源は、１
種単独で使用してもよいし、２種以上併用してもよい。

【００３７】前記ケイ素源の中でも、均質性や取扱い性
が良好な点で、テトラエトキシシランのオリゴマー及び
テトラエトキシシランのオリゴマーと微粉末シリカとの
混合物等が好適に挙げられる。また、前記ケイ素源は、
純度が高いことが好ましく、具体的には、初期の不純物
含有量で、２０ｐｐｍ以下が好ましく、５ｐｐｍ以下が
より好ましい。

【００３８】前記炭素源としては、液体状の炭素源の
他、液状の炭素源と固体状の炭素源とを併用することが
できるが、残炭率が高く、かつ、触媒の作用又は加熱に
よって重合又は架橋する有機化合物が好ましい。その具
体例としては、フェノール樹脂、フラン樹脂、ポリイミ
ド、ポリウレタン、ポリビニルアルコール等の樹脂のモ
ノマーやプレポリマー等、セルロース、蔗糖、ピッチ、
タール等の液状の炭素源が好適に挙げられる。これらの
中でも、レゾール型フェノール樹脂が特に好ましい。こ
れらの炭素源は、１種単独で使用してもよいし、２種以
上併用してもよい。また、その純度は、目的により適宜
制御選択が可能であるが、特に高純度の炭化ケイ素粉末
が必要な場合には、各金属を５ｐｐｍ以上含有していな
い有機化合物を用いるのが好ましい。

【００３９】前記重合・架橋触媒としては、前記炭素源
に応じて適宜選択でき、例えば、前記炭素源が、フェノ
ール樹脂やフラン樹脂の場合には、トルエンスルホン
酸、トルエンカルボン酸、酢酸、しゅう酸、硫酸等の酸
類が挙げられる。これらの中でも、トルエンスルホン酸
がより好ましい。

【００４０】前記高純度の炭化ケイ素粉末を製造する場
合、炭素とケイ素との仕込み比（以下、Ｃ／Ｓｉ比と略
記する。）は、雰囲気の圧力によっても変動するため、
一概には規定できないが、前記各成分の混合物を１００
０℃にて炭化して得られる炭化物中間体を、元素分析す
ることにより規定される。化学量論的には、Ｃ／Ｓｉ比
が、３．０の時に生成炭化ケイ素中の遊離炭素が０％と
なるはずであるが、実際には同時に生成するＳｉＯガス
の揮散により低Ｃ／Ｓｉ比において遊離炭素が発生す
る。この生成炭化ケイ素粉末中の遊離炭素量が焼結体等
の製造用途に適当でない量にならないように予め配合量
を決定することが重要である。通常、１気圧近傍で１６
００℃以上での焼成においては、遊離炭素を抑制する観
点から、Ｃ／Ｓｉ比としては、２．０〜２．５が好まし
い。但し、Ｃ／Ｓｉ比が２．５を超える場合には、遊離
炭素の発生は顕著に増加するものの、該遊離炭素は、粒
子の成長を抑制する効果を有するため、粒子形成の目的
によっては、Ｃ／Ｓｉ比が２．５を超える場合も好まし
い。

【００４１】所望により、前記ケイ素源と前記炭素源と
を含有する混合物を硬化した後に前記炭化ケイ素粉末を
製造してもよい。前記硬化の方法としては、加熱により
架橋する方法、硬化触媒により硬化する方法、電子線や
放射線による方法等が挙げられる。前記硬化の際に使用
する触媒としては、前記炭素源に応じて適宜選択できる
が、フェノール樹脂やフラン樹脂の場合には、トルエン
スルホン酸、トルエンカルボン酸、酢酸、しゅう酸、塩
酸、硫酸、マレイン酸等の酸類、ヘキサミン等のアミン
類等が好適に挙げられる。前記触媒は、溶媒中に、溶解
又は分散させて混合させる。該溶媒としては、低級アル
コール（例えばエチルアルコール等）、エチルエーテ
ル、アセトン等が挙げられる。

【００４２】前記溶媒としては、特に制限はなく、公知
の有機溶媒、例えば、低級アルコールや、アセトン等が
挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２
種以上を併用してもよい。

【００４３】前乾燥の方法としては、特に制限はなく、
高周波乾燥、熱風乾燥、真空乾燥等の公知の乾燥方法が
好適に用いられる。

【００４４】前記焼成は、窒素又はアルゴン等の非酸化
性雰囲気中８００℃〜１０００℃にて３０分〜１２０分
間、加熱炭化して炭化物を得た後、得られた炭化物を、
アルゴン等の非酸化性雰囲気中１３５０℃〜２０００℃
で加熱して行う。前記焼成温度と焼成時間とは、所望の
炭化ケイ素の粒径等に応じて適宜選択できるが、１６０
０〜１９００℃が、生成効率の点で好ましい。

【００４５】また、前記焼成時に２０００〜２１００℃
にて５〜２０分間加熱処理を行うことにより、更に高純
度の炭化ケイ素を得ることができる。

【００４６】また、特に高純度の炭化ケイ素粉末を得る
方法としては、本出願人が先に出願した特開平９−４８
６０５号の単結晶の製造方法に記載の原料粉末の製造方
法、即ち、高純度のテトラアルコキシシラン、テトラア
ルコキシシラン重合体から選択される１種以上をケイ素
源とし、加熱により炭素を生成する高純度有機化合物を
炭素源とし、これらを均質に混合して得られた混合物を
非酸化性雰囲気下において加熱焼成して炭化ケイ素粉末
を得る炭化ケイ素生成工程と、得られた炭化ケイ素粉末
を、１７００℃以上２０００℃未満の温度に保持し、該
温度の保持中に、２０００℃〜２１００℃の温度におい
て５〜２０分間にわたり加熱する処理を少なくとも１回
行う後処理工程とを含む、前記２工程を行う方法が好ま
しい。この方法によれば、不純物元素の含有量が０．５
ｐｐｍ以下の、高純度の炭化ケイ素粉末を得ることがで
きる。但し、この方法により得られた高純度炭化ケイ素
粉末は、大きさが不均一であるため、解粉、分級により
前記粒度に適合するように処理するのが好ましい。

【００４７】前記炭化ケイ素粉末を製造する際には、導
電性を付与することを目的として、所望により、前記炭
化ケイ素粉末に窒素を導入させることができる。この場
合、先ず、前記ケイ素源、前記炭素源、前記重合・架橋
触媒と、窒素源からなる有機物質とを均質に混合する
が、フェノール樹脂等の炭素源と、ヘキサメチレンテト
ラミン等の窒素源からなる有機物質と、トルエンスルホ
ン酸等の重合・架橋触媒とを、エタノール等の溶媒に溶
解する際に、テトラエトキシシランのオリゴマー等のケ
イ素源と十分に混合するのが好ましい。

【００４８】前記スラリー状の混合粉体は、前記炭化ケ
イ素粉末と、少なくとも１種以上の炭素源からなる有機
物質又は炭素粉末と、を溶媒中に溶解、分散して製造す
る。

【００４９】前記有機物質は、加熱により炭素を生成す
る物質であり、導電性であるのが好ましい。具体的に
は、残炭率の高いコールタールピッチ、ピッチタール、
フェノール樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、フェノキ
シ樹脂やグルコース等の単糖類、蔗糖等の少糖類、セル
ロース、デンプン等の多糖類などの各種糖類が挙げられ
る。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上
を併用してもよい。また、炭化ケイ素粉末と均質に混合
する目的から、常温で液体状の物質、溶媒に溶解する物
質、加熱により軟化又は液状となる、熱可塑性又は熱融
解性の物質が好適に挙げられるが、これらの中でも、得
られる成形体の強度が高いフェノール樹脂、特に、レゾ
ール型フェノール樹脂が好適に挙げられる。

【００５０】前記炭素粉末としては、カーボンブラッ
ク、アセチレンブラック等の熱分解カーボン、黒鉛、活
性炭、及び水分散性カーボンが挙げられ、導電性のもの
が好ましい。これらの中でも導電性のカーボンブラック
が特に好ましい。

【００５１】前記溶媒としては、水でもよいが、例えば
好適な加熱により炭素を生成する有機化合物であるフェ
ノール樹脂に対しては、エチルアルコール等の低級アル
コール類やエチルエーテル、アセトン等が挙げられる。
なお、前記炭素源からなる有機物質、炭素粉末、及び溶
媒は、不純物の含有量が低いものが好ましい。前記各成
分を前記溶媒中に溶解、分散した際に、十分に攪拌混合
することにより、グリーン体中に均一分散した気孔を形
成させることができる。

【００５２】前記グリーン体の製造においては、所望に
より、有機バインダーを添加してもよい。前記有機バイ
ンダーとしては、解膠剤、粉体粘着剤等が挙げられる。
前記解膠剤としては、導電性を付与する効果をさらに上
げる点で窒素系の化合物が好ましく、例えばアンモニ
ア、ポリアクリル酸アンモニウム塩等が好適に用いられ
る。前記粉体粘着剤としては、ポリビニルアルコール、
ウレタン樹脂（例えば水溶性ポリウレタン）等が好適に
挙げられる。また、その他、所望により、消泡剤を添加
してもよい。前記消包剤としては、シリコーン消泡剤等
が挙げられる。

【００５３】前記有機物質の前記グリーン体における含
有量としては、炭素量で、１０〜５０％が好ましく、１
５〜４０％がより好ましい。前記含有量が、１０％未満
の場合には、後述の金属シリコンを含浸工程において、
炭素が不足し、未反応のＳｉが気孔内に５％以上残存
し、導電性が低くなることがある一方、５０％を超える
場合には、スラリーのチクソトロピックが大きくなり易
く、成形性が劣るため、実用上実施が困難となることが
ある。

【００５４】所望により、窒素を導入する場合は、まず
炭化ケイ素粉末と、炭素源からなる有機物質又は炭素粉
末と、窒素源からなる有機物質と、を均質に混合する
が、前記同様に、カーボンブラック、フェノール樹脂等
の炭素源からなる有機物質又は炭素粉末と、ヘキサメチ
レンテトラミン等の窒素源からなる有機物質とを、水、
エチルアルコールなどの溶媒に溶解、分散した後、炭化
ケイ素粉末と十分に攪拌混合するのが好ましい。

【００５５】前記攪拌混合は、公知の攪拌混合手段、例
えば、ミキサー、遊星ボールミルなどによって行うこと
ができる。攪拌混合は、１０〜３０時間、特に、１６〜
２４時間にわたって行うことが好ましい。

【００５６】前記スラリー状の混合粉体を成形する方法
としては、特に制限はなく、公知の成形方法が挙げられ
るが、一般的には、鋳込み成形が好適に挙げられる。該
鋳込み成形においては、前記スラリー状の混合粉体を前
記鋳込み成形の成形型に流し込み、放置、脱型した後、
５０〜６０℃の温度条件下で加熱乾燥又は自然乾燥して
溶媒を除去することにより、規定寸法の支持部材（グリ
ーン体）を得ることができる。

【００５７】以上のようにして得られる支持部材は、前
記炭化ケイ素を含有し、所望によりその他の成分を含有
してなる。前記その他の成分としては、製造されるウエ
ハ支持具の強度を向上させる観点から、炭素が好まし
い。また、該炭素の前記支持部材における含有量として
は、５〜３０重量％が好ましく、１０〜２０重量％がよ
り好ましい。前記含有量が、５重量％未満の場合には、
前記ウエハ支持具の強度が不十分となることがある一
方、前記含有量が、３０重量％を超える場合には、前記
支持部材中の成分の純度が低下し、支持するウエハに不
純物が転写してしまうことがある。

【００５８】（固定部材）前記固定部材は、前記支持部
材と同様の方法によって、炭化ケイ素粉末を、スラリー
状の混合粉体とし、該混合粉体を成形して得られる。前
記固定部材は、前記支持部材を固定する部材であり、炭
化ケイ素を含有してなり、所望により、その他の成分を
含有してなる。前記その他の成分としても、前記支持部
材と同様の成分が挙げられる。

【００５９】（仮焼）前記仮焼は、後述のウエハ支持具
構造物形成工程の前に行う必要がある。その理由として
は、以下の通りである。

【００６０】先ず、前記支持部材及び前記固定部材は、
仮焼前は、強度が低いため、接着材で接着する際等の取
扱い時に破損してしまうことが多い。また、接着材を塗
布する接着部分においては、該接着材が支持部材及び固
定部材に接触する面積を大きくして、接着部分の強度を
向上するためには、前記支持部材の両末端に、開先加工
を施工するのが好ましいが、前記仮焼前の支持部材は、
強度が低いため、前記同様に、所望の形状に開先加工を
行うことができず、支持部材が、破損してしまうことが
ある。更に、前記開先加工を行わずに前記接着部の強度
を向上させるためには、前記接着材によって接着部に肉
盛りを形成させることが考えられるが、該接着部の寸法
精度が悪くなるため、好ましくない。一方、前記支持部
材及び固定部材を接着材で接着してウエハ支持具構造物
を形成する工程の前に、前記支持部材及び固定部材を仮
焼する工程を設ければ、該仮焼工程によってある程度強
度が高くなるため、後の開先加工や接着材での接着やが
容易となり、取扱い性に優れる。

【００６１】前記仮焼の温度としては、１２００〜２４
００℃が好ましく、１６００〜２０００℃がより好まし
い。前記温度が、１２００℃未満の場合には、グリーン
体中の炭化ケイ素粉体同士の接触が十分に促進されず、
接着強度が十分とならないため、取扱い性を向上させる
ことができないことがある一方、２４００℃を超える場
合には、グリーン体中の炭化ケイ素粉体の粉体成長が著
しくなり、後述の金属ケイ素の含浸が不十分となること
がある。

【００６２】前記仮焼の際の昇温速度としては、８００
℃までは、１〜３℃／ｍｉｎが好ましく、８００℃から
最高温度までは、５〜８℃／ｍｉｎが好ましいが、前記
グリーン体の形状、大きさ等を考慮して、適宜決定する
ことができる。

【００６３】前記仮焼の最高保持時間としては、１０〜
１２０分が好ましく、２０〜６０分がより好ましいが、
前記グリーン体の形状、大きさ等を考慮して適宜決定す
ることができる。また、前記仮焼は、酸化防止の観点か
ら、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下で行うのが好ま
しい。

【００６４】前記仮焼は、真空炉、焙焼炉等の公知の装
置を用いて行う。

【００６５】（開先加工工程）前記開先加工工程は、仮
焼した前記支持部材の両末端を開先加工する工程であ
る。前記開先加工においては、前記仮焼した後の十分な
強度を有する支持部材を用いるため、容易に所望の形状
にすることができる。例えば、開先基部から開先先端に
向かって、前記支持部末端の径が、段階的に小さくなる
形状のほか、連続的に小さくなる形状、例えば、図２
（Ａ）に示す円錐形や、図２（Ｂ）に示す円錐台形等が
挙げられる。前記開先加工においては、その開先角度
が、５０〜８０度が好ましく、６５〜７５度がより好ま
しい。前記開先角度が、８０度を超える場合には、接着
材の接着層の厚みが薄くなるため、接着強度が得られな
いことがある一方、５０度未満の場合には、該接着剤を
接着した後、乾燥する際に時間がかかり、実用性に劣る
ことがある。また、前記開先深さは、前記支持部材の太
さ等により異なるため、一概には、規定できないが、一
般的には、５〜１０ｍｍが好ましい。

【００６６】前記開先加工の方法としては、特に制限は
なく、機械加工、ガス加工、超音波レーザー加工等の公
知の加工方法が好適に挙げられる。

【００６７】［ウエハ支持具構造物形成工程］前記ウエ
ハ支持具構造物形成工程は、開先加工した前記支持部材
と前記固定部材とを炭化ケイ素を含有する接着材で接着
してウエハ支持具構造物を形成する工程である。

【００６８】（接着材）前記接着材は、炭化ケイ素を含
有してなり、所望によりその他の成分を含有してなる。
該接着材としては、通常、前記支持部材又は前記固定部
材の原料として用いた前記スラリー状の混合粉体と同じ
成分を含有するスラリー状の混合粉体を用いるのが、ウ
エハ支持具全体の均一性の点で好ましい。

【００６９】また、前記接着材の各成分の含有量比とし
ては、前記数値範囲内であれば、いずれも好適に用いる
ことができるが、熱処理の際の熱応力の集中を低減させ
る点で、前記支持部材又は前記固定部材の原料として用
いた前記スラリー状の混合粉体における各成分の含有量
比と同じ含有量比が好ましい。

【００７０】前記その他の成分としては、特に制限はな
く、例えば、接着強度の向上を目的として含有させる炭
素や公知の結着樹脂等が挙げられる。

【００７１】前記接着材は、充填する際には、液体、固
体の何れでもよいが、特に、ペースト状が好ましい。こ
れらは、水分率を変えることによって、適宜調製するこ
とができる。

【００７２】（接着）前記接着においては、前記接着材
を、前記支持部材の両末端又は前記固定部材の少なくと
も一方に充填し、前記支持部材と前記固定部材とを接着
させる。前記接着材を充填する部位としては、特に制限
はなく、前記支持部材と前記固定部材との接着強度を向
上させ得る部位であれば、好適に充填することができる
が、前記支持部材の両末端において、前記開先加工によ
って削除した部位に充填するのが、特に好ましい。

【００７３】図３は、支持部材６の末端において、前記
開先加工によって削除した部位に接着材５を充填した状
態を示す断面概略説明図である。図３において、接着材
５は、支持部材６の開先加工により削除された部位、即
ち、円錐台形に開先加工された支持部材６の表面に充填
され、支持部材６と固定部材７とを接着している。この
ように接着材５を充填させることによって、接着材５と
前記支持部材６又は前記固定部材７との接触面積が大き
くなるため、接着強度が向上する。また、接着材５を充
填しても、肉盛りは形成されないため、接着部における
寸法精度が向上する。

【００７４】前記接着材の充填方法としては、特に制限
はなく、筆を用いて塗布・充填する等の公知の充填方法
が好適に挙げられる。

【００７５】前記接着によって、前記ウエハ支持具の構
造を有するウエハ支持具構造物を形成することができ
る。

【００７６】前記ウエハ支持具構造物形成工程の後に
は、該ウエハ支持具構造物を更に仮焼する工程を有する
のが好ましい。前記ウエハ支持具構造物を更に仮焼する
ことによって、より強度に富むウエハ支持具を製造する
ことができる。該仮焼の温度としては、１２００〜２４
００℃が好ましく、１６００〜２０００℃がより好まし
い。前記温度が、１２００℃未満の場合には、前記接着
材を充填した部位における仮焼が付十分となり、前記ウ
エハ支持具の強度が低くなることがある一方、２４００
℃を超える場合には、炭化ケイ素粒が粒成長し、次工程
である含浸工程において、金属ケイ素の含浸が不十分と
なることがある。

【００７７】前記仮焼の際の昇温速度としては、８００
℃までは、１〜３℃／ｍｉｎが好ましく、８００℃から
最高温度までは、５〜８℃／ｍｉｎが好ましいが、前記
ウエハ支持具構造物形成工程の形状、大きさ等を考慮し
て、適宜決定することができる。

【００７８】前記仮焼の時間としては、１０〜１２０分
が好ましく、２０〜６０分がより好ましい。前記時間
が、１０分未満の場合には、仮焼が不十分となるため、
前記ウエハ支持具の強度を十分高くすることができなく
なることがある一方、１２０分を超える場合には、前記
炭化ケイ素粒が粒成長を起こすため、次工程である含浸
工程において、金属ケイ素の含浸が不十分となることが
ある。

【００７９】前記仮焼の際には、真空炉、焙焼炉等の公
知の装置を用いて焼結することができる。

【００８０】［含浸工程］前記含浸工程は、前記ウエハ
支持具構造物に金属ケイ素を含浸させる工程である。

【００８１】前記金属ケイ素は、高純度金属ケイ素（不
純物の含有量が１ｐｐｍ未満の金属ケイ素）であり、そ
の融点以上の温度に加熱し、溶融させて、前記ウエハ支
持具構造物に含浸させる。

【００８２】前記含浸によって、液状になった前記金属
ケイ素が、毛細管現象等により前記ウエハ支持具構造物
中に浸透し、該金属ケイ素とウエハ支持具構造物中の遊
離炭素とが反応する。この反応によって、炭化ケイ素が
生成し、前記ウエハ支持具構造物中の気孔等が、前記炭
化ケイ素によって充填され、高密度かつ強固で、良好な
導電性を有する前記本発明のウエハ支持具を得ることが
できる。

【００８３】前記加熱の温度としては、１４５０〜１７
００℃が好ましく、１５５０〜１６５０℃がより好まし
い。前記温度が、１４５０℃未満の場合には、前記金属
ケイ素の粘性が上昇するため、該金属ケイ素が毛細管現
象等により前記ウエハ支持具構造物中に浸透しないこと
がある一方、１７００℃を超える場合には、前記金属ケ
イ素の蒸発が著しくなり炉体等に損傷を与えることがあ
る。

【００８４】前記含浸の時間は、特に限定はなく、前記
ウエハ支持具構造物の大きさや、該ウエハ支持具構造物
中の遊離炭素の量により適宜決定することができる。前
記金属ケイ素としては、粉末、顆粒、塊状等の種々の形
状が挙げられ、径が２〜５ｍｍの塊状の金属ケイ素が好
適に挙げられる。

【００８５】前記ウエハ支持具中の不純物元素の総含有
量は、１０ｐｐｍ以下が好ましく、５ｐｐｍ以下がより
好ましい。但し、半導体工業分野への適用の観点から
は、これらの化学的な分析による不純物含有量は参考値
としての意味を有するに過ぎない。実用的には、不純物
が均一に分布しているか、局所的に偏在しているかによ
っても、評価が異なり、一般的に、実用装置を用いて所
定の加熱条件の下で、前記ウエハ支持具が、どの程度不
純物元素によって汚染されるかを種々の手段により評価
することができる。

【００８６】［その他の工程］前記その他の工程として
は、前記支持部材にウエハを載置するウエハ載置部を形
成する工程等が挙げられる。前記ウエハ載置部は、高い
寸法精度が要求されるため、前記ウエハ載置部を形成す
る工程は、前記仮焼工程の後に有するのが好ましい。
尚、ウエハ支持具の上下端部近傍に、ダミーウエハ又は
断熱板の載置部を設ける場合には、前記ウエハ載置部
と、前記ダミーウエハ又は断熱板の載置部とは、幅や寸
法精度が異なってもよい。前記ウエハ載置部は、高い寸
法精度が要求されるため、前記仮焼工程の後に機械加工
によって形成するのが好ましいが、前記ダミーウエハや
断熱板の載置部は、高い寸法精度は要求されないため、
前記仮焼工程の前後の何れに形成してもよい。

【００８７】また、前記その他の工程としては、加工、
研磨、洗浄等の処理工程等が挙げられる。

【００８８】前記本発明のウエハ支持具の製造方法に用
いる製造装置としては、前記本発明の加熱条件を満たし
うるものであれば、特に制限はなく、公知の加熱炉内や
反応装置等が挙げられる。

【００８９】前記本発明のウエハ支持具の製造方法は、
接着の際の取扱い性及び製造効率に優れる。また、得ら
れるウエハ支持具は、前述のように、強度、寸法精度等
に優れる。

【００９０】また、前記本発明のウエハ支持具の製造方
法によれば、得られるウエハ支持具中の不純物元素の総
含有量を１０ｐｐｍ以下にすることができる。なお、こ
こで、不純物元素とは、１９８９年ＩＵＰＡＣ無機化学
命名法改訂版の周期律表における１族から１６族元素に
属し、かつ、原子番号が、６〜８及び１４を除く３以上
の元素をいう。

【００９１】また、前記ウエハ支持具の製造方法によれ
ば、得られるウエハ支持具は、密度が２．９ｇ／ｃｍ³
以上の高密度品となり、導電性を発現する多結晶半導体
となる傾向がある。即ち、電気伝導に寄与する伝導電子
は、粒界を挟んで炭化ケイ素結晶間を流れるため、粒界
相と炭化ケイ素との接合部も導電性の発現に重要であ
る。

【００９２】また、前記ウエハ支持具は、所望により窒
素を１５０ｐｐｍ以上固溶状態で含有させれば、粒界に
生じる空間電荷層のバリアが約０．１５ｅＶ以下となる
ため、良導電性が達成される。このときの前記ウエハ支
持具の体積抵抗率は１０⁰Ω・ｃｍを示す。前記窒素の
含有量を２００ｐｐｍ以上にすると、粒界の空間電荷層
のバリアが０．０２６ｅＶ以下となり、常温（３００
Ｋ）でもこのバリアを熱励起で飛び越えることができ熱
励起伝導を発現するのみならず、トンネル伝導も起こ
る。

【００９３】さらに、前記本発明のウエハ支持具の製造
方法で得られるウエハ支持具は、高い曲げ強度を有す
る。一般の炭化ケイ素焼結体からなるウエハ支持具の曲
げ強度は、室温における曲げ強度２４０ＭＰａ以上、１
５００℃における曲げ強度５５．０〜８０．０ＭＰａで
あるが、本発明のウエハ支持具の製造方法で得られるウ
エハ支持具の曲げ強度は、室温における曲げ強度で３０
０ＭＰａ以上である。

【００９４】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではな
い。

【００９５】［実施例１］（支持部材及び固定部材の作製）炭化ケイ素粉末とし
て、中心粒径０．８μｍの高純度炭化ケイ素粉末（特開
平９−４８６０５号に記載の製造方法に準じて製造され
た不純物含有量５ｐｐｍ以下の炭化珪素：１．５重量％
のシリカを含有）３４００ｇと、炭素源からなる有機物
質としてカーボンブラック（新日化製「＃ＳＬ２０
０」）６００ｇとを、解膠剤としてポリアクリル酸アン
モニウム４４ｇを溶解した水６００ｇに添加し、１６時
間ボールミルにて分散混合した後、粉体粘着剤として水
溶性ポリウレタン（三洋化成製「ユーコート」）１２０
ｇと、シリコーン消泡剤（信越化学（株）製「ＫＭ７２
Ａ」）３．４ｇを添加し、さらに１０分間ボールミルで
分散混合し、粘度１．８ポイズのスラリ−状の混合粉体
を製造した。

【００９６】得られたスラリ−状の混合粉体を、支持部
材の鋳型である、８００ｍｍ×φ２０ｍｍサイズの石膏
モールド４基、及び、固定部材の鋳型である、φ（２０
０ｍｍ−１６０ｍｍ）×１５^tｍｍサイズの石膏モール
ド２基に鋳込み、６時間放置した後、脱型し、１２時間
乾燥（５０℃）させて、遊離炭素を含む支持部材及び固
定部材（グリーン体）を作製した。

【００９７】（仮焼工程）得られた支持部材及び固定部
材（グリーン体）を、１６００℃で１時間仮焼（昇温は
８００℃まで１℃／ｍｉｎ、１６００℃まで５℃／ｍｉ
ｎ、雰囲気は真空である。）した後、１０分間保持し
て、仮焼した支持部材及び固定部材を得た。

【００９８】（開先加工工程）前記仮焼した支持部材の
両端を、図２（Ｂ）に示す円錐台形となるように、削り
落とし、開先加工を行った。該開先加工は、ハンド研磨
器を用いて行い、前記仮焼した支持部材の末端から１０
ｍｍの位置から、末端へ向かって、開先角度７０度で削
り落とした。

【００９９】（ウエハ支持具構造物形成工程）前記両末
端を開先加工した支持部材、及び、前記固定部材を、前
記支持部材及び固定部材の作製において得られた、スラ
リ−状の混合粉体（接着材）で接着した後、室温（２５
℃）下で２４時間放置後、６０℃で３００分間乾燥さ
せ、ウエハ支持具構造物を得た。

【０１００】（含浸工程）得られたウエハ支持具構造物
を、内径６０ｍｍ、高さ８０ｍｍのカーボンるつぼ内
で、アルゴン雰囲気下で１５５０℃まで昇温して溶融さ
せた２〜５ｍｍの塊の高純度金属シリコン（高純度化学
研究所製）に浸漬し、３０分保持することにより、ウエ
ハ支持具構造物中の遊離炭素と毛細管現象により該ウエ
ハ支持具構造物中に浸透した溶融金属シリコンとを反応
させ、本発明のウエハ支持具を得た。

【０１０１】［実施例２］実施例１のウエハ支持具構造
物形成工程において、得られたウエハ支持具構造物を、
１８００℃で１．０時間焼成（昇温は８００℃まで１℃
／ｍｉｎ、１８００℃まで５℃／ｍｉｎ、雰囲気は真空
である。）し、２０分間保持することによって、ウエハ
支持具構造物をさらに、仮焼した外は、実施例１と同様
にしてウエハ支持具を作製した。

【０１０２】［実施例３］実施例１の支持部材及び固定
部材の作製において、カーボンブラック（新日化製「＃
ＳＬ２００」）の添加量を４００ｇに代えた外は、実施
例１と同様にして、ウエハ支持具を作製した。

【０１０３】実施例１〜３では、接着の際の取扱い性及
び製造効率に優れていた。また、得られたそれぞれのウ
エハ支持具は、強度、寸法精度等に優れていた。

【０１０４】［比較例１］実施例１において、仮焼工程
を設けなかった外は、実施例１と同様にしてウエハ支持
具を作製した。

【０１０５】［比較例２］実施例１において、開先加工
工程を設けなかった外は、実施例１と同様にしてウエハ
支持具を作製した。

【０１０６】比較例１では、仮焼工程を設けることな
く、支持部材の両末端に開先加工を行ったため、開先加
工の際に該支持部材に破損が生じ、所望の形状に開先加
工することができなかった。また、得られたウエハ支持
具の寸法精度が悪かった。比較例２では、開先加工工程
を設けることなく、支持部材と固定部材とを接着したた
め、接着材と、支持部材・固定部材との接着面積が低
く、実施例と比べて、得られたウエハ支持具の接着強度
が低かった。また、接着材を充填した部位に、肉盛りが
形成され、寸法精度が悪かった。

【０１０７】

【発明の効果】本発明によれば、接着の際の取扱い性及
び製造効率に優れるウエハ支持具の製造方法、及び該製
造方法によって製造され、強度、寸法精度等に優れるウ
エハ支持具を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、ウエハ支持具の一例を示す概略説明図
である。

【図２】図２（Ａ）及び（Ｂ）は、開先加工の一例を示
す概略説明図である。

【図３】図３は、支持部材の削除部分に接着材を充填し
た一例を示す概略説明図である。

【符号の説明】

１：ウエハ支持具２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ：支持部３ａ、３ｂ：固定部４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ：接着部５：接着材６：支持部材７：固定部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G001 BA22 BA60 BA62 BB22 BB60 BB62 BC13 BC33 BC57 BC73 BD38 4G026 BA14 BB14 BC01 BD14 BE04 BF07 BF44 BG05 BG25 BH13 4J040 HA026 HA296 JA05 LA06 MA01 NA20 5F031 CA02 HA62 HA63

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炭化ケイ素を含有してなり、ウエハを支
持する支持部材と、炭化ケイ素を含有してなり、該支持
部材を固定する固定部材とを仮焼し、仮焼した該支持部
材の両末端を開先加工し、開先加工した該支持部材と前
記固定部材とを炭化ケイ素を含有する接着材で接着して
ウエハ支持具構造物を形成し、該ウエハ支持具構造物に
金属ケイ素を含浸させることを特徴とするウエハ支持具
の製造方法。
【請求項２】金属ケイ素を含浸させる前に、ウエハ支
持具構造物を仮焼する請求項１に記載のウエハ支持具の
製造方法。
【請求項３】支持部材及び固定部材が、更に炭素を含
有する請求項１又は２に記載のウエハ支持具の製造方
法。
【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載のウエ
ハ支持具の製造方法によって製造されることを特徴とす
るウエハ支持具。