KR101054863B1 - 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체에 관한 것으로 보다 상세하게는 RBSC(Reaction bonded silicon carbide) 접합체의 제조방법에 있어서, 접합체를 구성하는 각 부품을 반응 소결법을 위한 단품 탄화규소 가소결체로 제작하는 단계; 상기 얻어진 단품 가소결체를 용융 실리콘에 함침시키는 단계; 실리콘 함침이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 가공하는 단계; 및, 가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하고 1300 내지 1400℃에서 열처리하여 접합체조립을 완료하는 조립단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 탄화규소 소결체 접합체, 예를 들면 지그에 관한 것이다.
이를 통하여 접합체, 예를 들면 지그 전체를 결합한 이후에 실리콘 함침을 진행하는 것이 아니라 단품들을 모아 실리콘 함침을 진행할 수 있으므로 동일한 함침조에 더 많은 물품의 함침이 가능하여 생산성을 높일 수 있고, 함침 이후에 가공공정에서 불량이 발생하는 경우에 단품 단위로 불량처리를 할 수 있어서 제품 제조 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다.
탄화규소, 소결체, 접합체

Description

반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체 {METHOD OF PREPARING RBSC ASSEMBLY AND RBSC ASSEMBLY PREPARED THEREBY}
본 발명은 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체에 관한 것으로 보다 상세하게는 접합체, 예를 들면 지그, 전체를 결합한 이후에 실리콘 함침을 진행하는 것이 아니라 단품들을 모아 실리콘 함침을 진행할 수 있으므로 동일한 함침조에 더 많은 물품의 함침이 가능하여 생산성을 높일 수 있고, 함침 이후에 가공공정에서 불량이 발생하는 경우에 단품 단위로 불량처리를 할 수 있어서 제품 제조 생산성을 높일 수 있는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체에 관한 것이다.
탄화규소(실리콘 카바이드, SiC)는 LP-CVD 공정에 이용되는 기존의 실리콘이나 석영소재에 비해 열전도성과 내식성, 내화학성이 좋고 열팽창률이 낮아, 장기간 사용 시에도 파손의 우려가 적어 고온 영역에서 사용되는 재료로 주목받고 있다.
특히, 고순도 탄화규소 접합체(특히, 지그류)는 1,200℃이상의 고온조건에서도 안정하기 때문에 반도체 확산 공정 및 상압 CVD, LP-CVD공정에서 품질 및 효율향상 등에 크게 기여하고 있다. 이에 대한 구체적인 예로는 반도체 공정용 웨이퍼 보트, 특히 확산공정용 보트를 들 수 있다.
이와 같은 탄화규소 접합체 제조는 통상 반응 소결법에 의하여 제조되고 있으며, 이에 의하여 제조된 탄화규소 소결체를 RBSC(Reaction bonded silicon carbide)라고 한다. 통상적인 RBSC 제조를 위한 반응 소결법에 따른 탄화규소 소결체의 제조방법은 대한민국 공개특허 제10-2004-111393호에 게시된 바와 같으며, 이와 같이 제조된 탄화규소 소결체는 미탄화된 잔류 Si을 항상 일정정도는 가지게 되므로 Si-SiC로 표기되기도 한다.
그런데 이와 같은 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법으로 대한민국 공개특허 제10-2004-111393호의 도면에 도시된 바와 같은 접합체(웨이퍼 보트)를 제작하는 경우에는 통상, 전체 접합체(지그)를 이루는 단품(부품)들을 각각 1500 ~ 2000 ℃에서 가소결하여 단품 가소결체를 만들고, 이를 필요한 형상으로 가공하고, 가공된 단품을 전체 접합체(지그)의 형상에 따라 접합한 후 1500 ~ 2000 ℃에서 다시 가소결하여 조립 가소결체를 만들고, 이를 1450 ~ 1700 ℃의 용융실리콘에 침지하여, 용융실리콘이 가소결체의 기공으로 침투한 후 가소결체 내의 유리탄소와 반응하여 탄화규소를 형성함으로써 기공을 탄화규소와 미반응 실리콘으로 충진(함침공정)하고, 소결체의 표면에 SiC 농후층을 형성하기 위하여 표면에 Si을 코팅하고 이를 다시 1450 ~ 1700 ℃로 가열하는 과정을 거치게 된다.
그러나 실제 제작에 있어서, 상기 과정으로 웨이퍼 보트를 제작하는 경우에 용융실리콘에 침지한 이후에 접합체(지그)의 정밀도가 떨어지므로 상기 함침 공정 이후에 별도의 가공공정이 더 필요로 하고, 이와 같은 함침공정 이후의 가공은 소 결체의 강도가 높아 가공과정에서 파손이나 훼손의 많은 문제점이 있고, 이와 같은 불량이 발생한 경우에 접합체(지그) 전체를 버려야 하는 문제점이 있고, 조립 가소결체를 함침함에 따라 침지를 위한 함침조의 크기가 커야하고, 함침조의 사용효율이 떨어지는 문제점이 있고, SiC 농후층 형성을 위한 가열공정에서 가열온도가 높아 소결체 내의 Si이 용출되는 문제점이 있다.
따라서 이러한 문제를 해결하여 복잡한 형상의 접합체(지그)를 높은 생산성으로 불량을 줄이면서도, Si 용출 등의 문제가 발생하지 않게 제작할 수 있는 제조방법의 개발이 절실한 실정이다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 접합체 전체를 결합한 이후에 실리콘 함침을 진행하는 것이 아니라 단품들을 모아 실리콘 함침을 진행할 수 있으므로 동일한 함침조에 더 많은 물품의 함침이 가능하여 생산성을 높일 수 있고, 함침 이후에 가공공정에서 불량이 발생하는 경우에 단품 단위로 불량처리를 할 수 있어서 제품 제조 생산성을 높일 수 있는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하면서도 Si 용출 및 접합제 용출의 문제를 해결할 수 있는 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
RBSC(Reaction bonded silicon carbide) 접합체의 제조방법에 있어서,
접합체를 구성하는 각 부품을 반응 소결법을 위한 단품 탄화규소 가소결체로 제작하는 단계;
상기 얻어진 단품 가소결체를 용융 실리콘에 함침시키는 단계;
실리콘 함침이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 가공하는 단계; 및,
가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하고 1300 내지 1400℃에서 열처리하여 접합체조립을 완료하는 조립단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은
상기 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법에 의하여 제조되어,
상기 접합체를 이루는 각 단품 및, 상기 각 단품 사이의 결합면에 접합부를 가지는 접합체인 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체를 제공한다.
본 발명의 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체에 따르면 접합체 전체를 결합한 이후에 실리콘 함침을 진행하는 것이 아니라 단품들을 모아 실리콘 함침을 진행할 수 있으므로 동일한 함침조에 더 많은 물품의 함침이 가능하여 생산성을 높일 수 있고, 함침 이후에 가공공정에서 불량이 발생하는 경우에 단품 단위로 불량처리를 할 수 있어서 제품 제조 생산성을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한 본 발명은 상기와 같은 효과를 얻음과 동시에 Si 용출 및 접합제 용출의 문제를 발생시키지 않아 강도가 우수하고, 안정한 접합체를 제작할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
이하 본 발명에 대하여 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
본 발명은 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법에 관한 것으로 RBSC(Reaction bonded silicon carbide) 접합체의 제조방법에 있어서, 접합체를 구성하는 각 부품을 반응 소결법을 위한 단품 탄화규소 가소결체로 제작하는 단계; 상기 얻어진 단품 가소결체를 용융 실리콘에 함침시키는 단계; 실리콘 함침이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 가공하는 단계; 및, 가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하고 1300 내지 1400℃에서 열처리하여 접합체 조립을 완료하는 조립단계를 포함하여 구성된다.
즉, 통상적인 반응 소결법에 대한 예는 대한민국 공개특허 제10-2004-111393호에 도시한 바와 같으며, 본 발명의 각각의 개별 공정은 상기 반응 소결법과 그 원리를 같이한다. 그러나 본 발명은 복잡한 구조를 가지는 접합체(예를 들면, 지그)의 경우에 상기 기술한 종래 제조공정의 문제점을 개선하기 위하여, 종래의 제조공정에서 조립체를 먼저 조립한 후 이를 함침하는 것을, 단품단위로 함침을 먼저 진행하고 난 이후에 조립을 진행할 수 있는 공정을 개발한 것이다.
그런데 상기 기술한 바와 같이 단순히 공정순서만을 바꾸게 되면, 조립단계에서 종래에 쓰던 접합슬러리로 조립을 하게 되고, 이러한 접합슬러리의 소결을 위해서는 소결공정이 필요한데, 통상의 접합슬러리의 소결을 위한 온도는 1500 내지 2000 ℃로 실리콘 용융온도(약 1410 ℃)보다 높아 접합을 위한 열처리 시에 소결체로부터 Si 용출이 일어나, 소결체의 강도감소, 형상변형 등이 발생하므로 공정을 진행할 수 없어 본 발명의 공정을 개발한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, RBSC(Reaction bonded silicon carbide) 접합체의 제조방법에 있어서, 접합체를 구성하는 각 부품을 반응 소결법을 위한 단품 탄화규소 가소결체로 제작하는 단계를 먼저 수행한다. 이는 통상의 반응 소결법에서 가소결체를 제작하는 단계와 동일한 것으로 이에는 통상의 탄화규소 분말에 탄소원(carbon source)으로서의 유기물질, 바람직하게는 용매(예를 들면 페놀, PVA, PVB 등)를 혼합하고 건조한 후 소결하는 과정 및 추가적인 탄소 공급을 위한 탄소원으로서의 유기용매 또는 수지에 대한 침지 등의 모든 과정을 포함할 수 있다. 여기서 상기 가소결체는 전제 접합체를 이루는 접합체의 각 단품으로 제작된다. 바람직하게는 상기 단품 탄화규소 가소결체의 제작은 탄화규소 분말과 탄소원을 혼합한 후, 성형하여 1500 내지 2000 ℃에서 가소결하여 이를 제작할 수 있다.
다음으로 상기 얻어진 단품 가소결체를 용융 실리콘에 함침시키는 단계를 수행한다. 종래에는 조립체에 대하여 이를 수행하므로, 용융실리콘이 담긴 동일한 함침조에 하나의 조립체 밖에 침지할 수 없었다면, 단품으로 침지를 수행하는 경우에는 더 많은 조립체를 제작할 수 있는 단품들을 한번에 상기 함침조에 침지할 수 있어서 함침조의 활용도를 높이고, 공정의 생산성을 높일 수 있다. 상기 함침과정도 통상의 반응 소결법에서 함침 단계와 동일한 것이다.
다음으로 상기 함침 과정을 진행한 시편에 대하여 접합체의 제작을 위하여 필요한 형상으로 가공하는 단계를 수행하게 된다. 즉, 실리콘 함침이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 가공하는 단계를 수행한다. 예를 들어 웨이퍼 보트의 경우에는 웨이퍼 장착을 위한 슬롯의 가공이 이에 해당할 수 있다. 따라서 이 과정에서 가공이 잘못되거나 파손된 단품은 단품으로서 폐기처리하면 되므로, 종래의 조립체를 폐기하는 경우에 비하여 수율을 높일 수 있다.
마지막으로 이와 같이 가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하고 1300 내지 1400℃에서 열처리하여 접합체 조립을 완료하는 조립단계를 수행한다. 즉 종래의 접합슬러리가 SiC와 탄소원의 유기용매로 이루어진 슬러리이므로, 이러한 접합 슬러리가 부품간의 접합을 이루기 위해서는 접합슬러리를 인가한 후에 1500 ℃이상의 열처리가 필요하여 Si-함침이후에 이를 적용하면 소결체로부터 Si용출이 발생하므로, Si용출을 막기 위해 Si의 녹는점보다 낮은 온도에서 부품간의 접합을 이룰 수 있으면서도 접합제 자체의 녹는점이 높아 고온공정에 적용(선택적 최종 제작공정인 SiC 열CVD증착 공정(대략 1200 ℃)을 포함하여)이 가능하게 하고, 응고 후에 열팽창 계수에 문제점이 적으며, 소결체에 함침이 용이하고, 반도체 제조공정에 영향을 주지 않는 접합제를 개발하여 적용한 것이다. 즉, 도 1 에 Ge-Si 상태도를 도시한 바와 같이, Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95, x:atomic ratio of silicon) 범위의 농도를 가지는 Si-Ge 고용체는 Si의 녹는점보다 낮으면서도 상대적으로 높은 녹는점(1200 ℃이상)을 가져 이후에 설명할 후공정으로서의 코팅공정에서는 녹지 않아 후공정이 가능하게 하고, 반도체 고온공정에 적용이 가능하게 하는 특성을 가진다.
바람직하게는 상기 x는 0.75 내지 0.85인 것이 고온안정성 및 Si용출을 줄일 수 있어서 좋고, 상기 열처리 시간은 접합면 및 접합체(지그)의 크기에 따라 달라질 수 있으며, 접합제의 충분한 용융 및 접합이 이루어질 수 있는 시간인 것이 바람직하고, 예를 들면, 30분 내지 2시간 동안 진행하는 것이 좋다.
상기 접합제의 제조방법에 대한 일 실시예는 도 2에 도시한 바와 같으며, 이에 따르면, Si와 Ge 분말을 상기 범위로 혼합하여 가압성형한 후, 이를 1000 내지 1200 ℃에서 3시간가량 소결하여 소결체를 얻어 이를 원하는 형태로 분쇄하여 접합제로 사용하게 된다. 따라서 상기 접합제는 벌크 또는 파우더 또는 상기 파우더와 용매(바람직하게는 탄소원으로서 작용할 수 있는 유기용매)를 혼합한 슬러리 형태로 이를 제작할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 Ge-Si은 전 혼합비율 영역에서 완전 고용체이므로, 상기 소결체는 Si-Ge고용체이다.
또한 바람직하게는 도 3에 그 구체적인 예를 도시한 바와 같이, 상기 조립단계에서, 가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 접합슬러리로 접합(예를 들면, 도포후 결합하여 오븐건조)하고, 상기 접합슬러리로 접합된 접합면 또는 상기 접합면 위에 카본파이버나 카본파이버 부직포가 부착된 접합면 위에 상기 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하여 접합과정을 수행하는 것이 접합제의 접합면으로의 투입이 용이하므로 좋다.
여기서 상기 접합슬러리는 통상의 RBSC접합에 사용되는 접합슬러리로서, 탄화규소분말에 용매를 혼합한 혼합물 또는 상기 혼합물에서, 탄소원으로서, 카본블 랙을 포함하는 탄소원 물질이 더 함유된 혼합물(예를 들면, SiC : 카본블랙 : 페놀 = 100 : 1 내지 10 : 1 내지 30(중량비))(도 3의 경우, i) #1000메쉬 크기의 SiC분말 + 카본블랙 + 페놀의 혼합물(100 : 1 내지 10 : 1 내지 30(중량비)의 접합슬러리를 적용하고 여기에 접합제를 부착한 후, 열처리하여 접합제를 함침시킨 후, 연마하여 접합을 완료한 경우이다.)이 적용될 수 있다.
또한 여기서, 상기 접합 슬러리는 접합과정에서의 온도가 낮아 소결이 일어나지 않고, 부분적으로 용융이 일어난 접합제가 탄화규소분말 사이로 함침되고, 실리콘 용융체는 탄소원과 반응하여 SiC로 변환되어 접합면을 접합하게 된다.
이를 위하여 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 접합슬러리로 접합된 접합면에 상기 접합슬러리에 의하여 고정되도록 상기 접합슬러리 위에 벌크 또는 분말의 접합제를 부착하거나, 상기 접합면을 이루는 접합슬러리 위에 카본파이버나 카본파이버 부직포를 부착하고, 이 위에 벌크 또는 분말의 접합제를 부착하여 접합제의 용융체가 카본 파이버를 따라 접합면으로 유도되어 흘러들어갈 수 있도록 할 수 있다.
이외에 상기 접합제가 슬러리 타입으로 구성되는 경우에는 상기 조립단계에서, 가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 상기 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체 파우더를 포함하는 슬러리 형태의 혼합체(예를 들면, 고용체 파우더 : 페놀 = 30 내지 80 : 1 내지 30(중량비))로 접합하여 상기 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하는 방식을 취할 수도 있다. 이 경우에는 고용체 파우더를 포 함하는 슬러리 형태의 혼합체에는 탄화규소 분말, 탄소원 물질 등을 더 포함할 수 있다.(예를 들면, 고용체 파우더 : SiC 파우더 : 카본블랙 : 페놀 = 30 내지 80 : 100 : 1 내지 10 : 1 내지 30(중량비))
상기 접합 단계를 통하여 RBSC단품은 조립체로 구성되어질 수 있고, 이에 대한 구체적인 예로, 도 3에 도시한 방법으로 접합 과정을 진행함에 있어서, 접합슬러리를 #1000메쉬 크기의 SiC분말 + 카본블랙 + 페놀의 혼합물로 적용한 경우의 접합 후, 미세사진은 도 4와 같다. 즉, 이를 통하여 연속된 미세구조를 가지는 결합면이 형성됨을 확인할 수 있었다. 또한 이에 대하여 3점-굽힘강도 시험을 시행한 결과, 도 4의 경우 250 MPa정도의 강도를 얻어 우수한 접착력을 확인할 수 있었다.
또한 이와 같은 조립과정 이후에, 필요에 따라 접합부위에 대한 추가가공이나 표면처리 공정을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 조립단계 이후에, 조립된 접합체의 표면에 탄화규소 농후층을 형성하는 표면처리단계를 더 포함하도록 할 수 있으며, 이를 통하여 안정성 및 강도를 확보할 수 있다. 바람직하게는 상기 표면처리단계는 1200 내지 1300 ℃에서 이루어지는 탄화규소의 화학기상증착(CVD)으로 이를 처리할 수 있고, 이 과정에서 접합제의 용출이나 소결체에서의 용출은 발생하지 않게 된다. 상기 CVD과정은 통상의 표면처리 과정이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
또한 본 발명은 상기 제조방법에 의하여 제조된 반응소결 탄화규소 소결체 접합체를 제공하는 바, 이는 상기 기술한 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법에 의하여 제조되어, 상기 접합체를 이루는 각 단품 및, 상기 각 단품 사이의 결합면에 접합부를 가지는 접합체로 이루어지고, 이에 대한 구체적인 예로는 반도체 공정 등에서 열처리 지그 등으로 사용되는 다양한 지그류를 들 수 있고, 이에 대한 예로는 반도체 공정용 웨이퍼 보트를 들 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 한정되는 것은 아니고, 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 해당 기술분야의 당업자가 다양하게 수정 및 변경시킨 것 또한 본 발명의 범위 내에 포함됨은 물론이다.
도 1은 Ge-Si의 2성분계 상태도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법에 적용되는 접합제의 제조방법에 대한 일 실시예를 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 3은 본 발명의 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법에 적용되는 접합과정을 개략적으로 단계별 도시한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법에 의하여 제조된 접합체의 접합부에 대한 미세구조를 촬영한 현미경 사진이다.

Claims (10)

  1. RBSC(Reaction bonded silicon carbide) 접합체의 제조방법에 있어서,
    접합체를 구성하는 각 부품을 반응 소결법을 위한 단품 탄화규소 가소결체로 제작하는 단계;
    상기 얻어진 단품 가소결체를 용융 실리콘에 함침시키는 단계;
    실리콘 함침이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 가공하는 단계; 및,
    가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하고 1300 내지 1400℃에서 열처리하여 접합체 조립을 완료하는 조립단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단품 탄화규소 가소결체의 제작은 탄화규소 분말과 탄소원을 혼합한 후, 성형하여 1500 내지 2000 ℃에서 가소결하는 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 조립단계에서, 가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 접합슬러리로 접합하고, 상기 접합슬러리로 접합된 접합면 또는 상기 접합면 위에 카본파이버나 카본파이버 부직포가 부착된 접합면 위에 상기 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하는 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 조립단계에서, 가공이 이루어진 상기 단품 탄화규소 소결체를 상기 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체 파우더를 포함하는 슬러리 형태의 혼합체로 접합하여 상기 Six-Ge(1-x) (0.65<x<0.95) 고용체를 접합제로 부가하는 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접합제는 벌크 또는 파우더 또는 상기 파우더와 용매를 혼합한 슬러리 형태인 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 접합슬러리는 탄화규소분말에 용매를 혼합한 혼합물 또는 상기 혼합물에서 카본블랙을 포함하는 탄소원 물질이 더 함유된 혼합물인 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조립단계 이후에
    조립된 접합체의 표면에 탄화규소 농후층을 형성하는 표면처리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 표면처리단계는 1200 내지 1300 ℃에서 이루어지는 탄화규소의 화학기상증착인 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 반응소결 탄화규소 소결체 접합체의 제조방법에 의하여 제조되어,
    상기 접합체를 이루는 각 단품 및, 상기 각 단품 사이의 결합면에 접합부를 가지는 접합체인 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 접합체는 반도체 공정용 웨이퍼 보트인 것을 특징으로 하는 반응소결 탄화규소 소결체 접합체.
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