JP2000349112A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JP2000349112A JP2000349112A JP11159786A JP15978699A JP2000349112A JP 2000349112 A JP2000349112 A JP 2000349112A JP 11159786 A JP11159786 A JP 11159786A JP 15978699 A JP15978699 A JP 15978699A JP 2000349112 A JP2000349112 A JP 2000349112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- ball
- clamp
- bump
- capillary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ピッチの狭いパターンでも、ショートを生じ
る恐れが無く、また、接続面積のバラツキを抑えること
ができて接続の信頼性を向上させることができるバンプ
形成方法を得る。 【解決手段】 Ａｕワイヤ１の先端を溶かして形成され
るＡｕボール１０をキャピラリ２を用いて半導体素子５
等の所定の電極パッド６に接続し、クランプ３を用いて
ワイヤ１を固定し、引き上げて形成されるバンプ形成方
法において、クランプ３を開いた状態でキャピラリ２を
Ａｕボール１０から上方に上げ、ボール１０とキャピラ
リ２との間にワイヤ１を所定長さＬに露出させ、クラン
プ３を閉じてワイヤ１を固定させた後、レーザ又は鋭利
な刃２０を用いてワイヤ１をボール１０との接続部分近
傍で切断し、クランプ３を引き上げて形成される。
る恐れが無く、また、接続面積のバラツキを抑えること
ができて接続の信頼性を向上させることができるバンプ
形成方法を得る。 【解決手段】 Ａｕワイヤ１の先端を溶かして形成され
るＡｕボール１０をキャピラリ２を用いて半導体素子５
等の所定の電極パッド６に接続し、クランプ３を用いて
ワイヤ１を固定し、引き上げて形成されるバンプ形成方
法において、クランプ３を開いた状態でキャピラリ２を
Ａｕボール１０から上方に上げ、ボール１０とキャピラ
リ２との間にワイヤ１を所定長さＬに露出させ、クラン
プ３を閉じてワイヤ１を固定させた後、レーザ又は鋭利
な刃２０を用いてワイヤ１をボール１０との接続部分近
傍で切断し、クランプ３を引き上げて形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子をＡｕ等
の金属によるバンプ（突起電極）を用いて実装するフリ
ップチップ実装（以下ＦＣ実装）技術に関して、特にそ
のバンプ構造及びバンプ形成方法に関するものである。
の金属によるバンプ（突起電極）を用いて実装するフリ
ップチップ実装（以下ＦＣ実装）技術に関して、特にそ
のバンプ構造及びバンプ形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＦＣ実装においては、まず裸の半
導体素子の電極パッド上にＡｕ等の金属バンプを形成し
た後、フェイスダウンし、前記バンプとセラミックなど
の基板上に形成された、Ａｕ等の接続用電極とを位置合
わせし、荷重と熱、もしくは荷重と熱と超音波を印加し
てバンプと電極を接続するようにしている。このとき、
バンプの形成にはＡｕワイヤの引き千切り法が用いら
れ、接続用電極にはＡｕの電気めっき法がよく用いられ
る。
導体素子の電極パッド上にＡｕ等の金属バンプを形成し
た後、フェイスダウンし、前記バンプとセラミックなど
の基板上に形成された、Ａｕ等の接続用電極とを位置合
わせし、荷重と熱、もしくは荷重と熱と超音波を印加し
てバンプと電極を接続するようにしている。このとき、
バンプの形成にはＡｕワイヤの引き千切り法が用いら
れ、接続用電極にはＡｕの電気めっき法がよく用いられ
る。
【０００３】図４は従来のバンプ形成方法を示す図であ
る。図４（ａ）は、Ａｕワイヤ１の先端を放電トーチ７
により溶融し、Ａｕボール１０が形成された状態を示
し、図４（ｂ）はＡｕボール１０が半導体素子５上の電
極パッド６に位置合わせされ、キャピラリ２により適当
な荷重をかけられると同時に超音波が印加されて、Ａｕ
ボール１０と電極パッド６とが接続されている状態を示
している。このとき、クランプ３は開いているので、Ａ
ｕワイヤ１は自在にフィードされる。
る。図４（ａ）は、Ａｕワイヤ１の先端を放電トーチ７
により溶融し、Ａｕボール１０が形成された状態を示
し、図４（ｂ）はＡｕボール１０が半導体素子５上の電
極パッド６に位置合わせされ、キャピラリ２により適当
な荷重をかけられると同時に超音波が印加されて、Ａｕ
ボール１０と電極パッド６とが接続されている状態を示
している。このとき、クランプ３は開いているので、Ａ
ｕワイヤ１は自在にフィードされる。
【０００４】図４（ｃ）は図４（ｂ）の状態から、クラ
ンプ３が閉じ、上方に引き上げられ、Ａｕワイヤ１が引
き千切られた状態を示している。Ａｕワイヤの切れる箇
所は、一般的には放電トーチ７によりＡｕワイヤが溶融
し、Ａｕボール１０が形成されるときに、Ａｕワイヤ１
上で再結晶した箇所と溶融しなかった箇所の境界部分で
ある。従って、同図（ｃ）のバンプ８には、必ず残存ワ
イヤ４が髭状に残る。また、この残存ワイヤ４の長さに
はバラツキが生じる。図４（ｄ）は引き千切られたＡｕ
ワイヤ１の先端に、再び放電トーチ７により次のＡｕボ
ール１０´が形成された状態を示す図である。
ンプ３が閉じ、上方に引き上げられ、Ａｕワイヤ１が引
き千切られた状態を示している。Ａｕワイヤの切れる箇
所は、一般的には放電トーチ７によりＡｕワイヤが溶融
し、Ａｕボール１０が形成されるときに、Ａｕワイヤ１
上で再結晶した箇所と溶融しなかった箇所の境界部分で
ある。従って、同図（ｃ）のバンプ８には、必ず残存ワ
イヤ４が髭状に残る。また、この残存ワイヤ４の長さに
はバラツキが生じる。図４（ｄ）は引き千切られたＡｕ
ワイヤ１の先端に、再び放電トーチ７により次のＡｕボ
ール１０´が形成された状態を示す図である。
【０００５】図５（ａ）は、半導体素子５の電極パッド
６上にバンプ８が形成され、半導体素子５はフェイスダ
ウンされ、基板１２上に形成された接続用電極パッド１
１と位置合わせされた状態を示す。そして、次に図５
（ｂ）に示すように荷重と熱、もしくは荷重と熱と超音
波の印加によりバンプ８と電極パッド１１が接続され
る。
６上にバンプ８が形成され、半導体素子５はフェイスダ
ウンされ、基板１２上に形成された接続用電極パッド１
１と位置合わせされた状態を示す。そして、次に図５
（ｂ）に示すように荷重と熱、もしくは荷重と熱と超音
波の印加によりバンプ８と電極パッド１１が接続され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
引き千切り法によるバンプ形成においては、残存ワイヤ
４が残り、且つその長さにバラツキがあるため、図５
（ｂ）に示したように、ＦＣ接続した場合、残存ワイヤ
４が接続用電極パッド１１からはみ出て隣のバンプやパ
ッドまたは隣の残存ワイヤ同士とショートする恐れがあ
るという不具合があり、特にピッチの狭いパターンでは
大きな問題となる。また、接続面積にバラツキが生じる
ために接続強度にバラツキが生じ、接続の信頼性が低く
なるという問題もある。
引き千切り法によるバンプ形成においては、残存ワイヤ
４が残り、且つその長さにバラツキがあるため、図５
（ｂ）に示したように、ＦＣ接続した場合、残存ワイヤ
４が接続用電極パッド１１からはみ出て隣のバンプやパ
ッドまたは隣の残存ワイヤ同士とショートする恐れがあ
るという不具合があり、特にピッチの狭いパターンでは
大きな問題となる。また、接続面積にバラツキが生じる
ために接続強度にバラツキが生じ、接続の信頼性が低く
なるという問題もある。
【０００７】本発明は、上述した課題を解消するために
なされたものであり、ピッチの狭いパターンでも、ショ
ートを生じる恐れが無く、また、接続面積のバラツキを
抑えることができて接続の信頼性を向上させることがで
きるバンプ形成方法を提供することを目的としている。
なされたものであり、ピッチの狭いパターンでも、ショ
ートを生じる恐れが無く、また、接続面積のバラツキを
抑えることができて接続の信頼性を向上させることがで
きるバンプ形成方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明は、金属のワイヤの先端を溶かして形成
される前記金属のボールをキャピラリを用いて半導体素
子等の所定の電極パッドに接続し、クランプを用いて前
記ワイヤを固定し、引き上げて形成されるバンプ形成方
法において、前記クランプを開いた状態で前記キャピラ
リを前記ボールから上方に上げ、前記ボールと前記キャ
ピラリとの間に前記ワイヤを所定長さに露出させ、前記
クランプを閉じてワイヤを固定させた後、切断手段を用
いて前記ワイヤを前記ボールとの接続部分近傍で切断
し、前記クランプを引き上げて形成されることを特徴と
するものである。
ため、この発明は、金属のワイヤの先端を溶かして形成
される前記金属のボールをキャピラリを用いて半導体素
子等の所定の電極パッドに接続し、クランプを用いて前
記ワイヤを固定し、引き上げて形成されるバンプ形成方
法において、前記クランプを開いた状態で前記キャピラ
リを前記ボールから上方に上げ、前記ボールと前記キャ
ピラリとの間に前記ワイヤを所定長さに露出させ、前記
クランプを閉じてワイヤを固定させた後、切断手段を用
いて前記ワイヤを前記ボールとの接続部分近傍で切断
し、前記クランプを引き上げて形成されることを特徴と
するものである。
【０００９】実施の形態１において、前記金属はＡｕが
用いられ、またワイヤの先端は放電トーチにより溶かさ
れる。また、切断手段としては、レーザまたは鋭利な刃
が用いられる。
用いられ、またワイヤの先端は放電トーチにより溶かさ
れる。また、切断手段としては、レーザまたは鋭利な刃
が用いられる。
【００１０】また、この発明は、金属のワイヤの先端を
溶かして形成される前記金属のボールをキャピラリを用
いて半導体素子等の所定の電極パッドに接続し、クラン
プを用いて前記ワイヤを固定し、引き上げて形成される
バンプ形成方法において、前記金属のボールを前記電極
パッドに固定させた後、前記ボールの所定位置に切欠き
を設け、その後、前記クランプを閉じて前記ワイヤを引
き上げ、前記切欠きに応力を集中させて前記ワイヤを切
断するようにしたことを特徴とするものである。
溶かして形成される前記金属のボールをキャピラリを用
いて半導体素子等の所定の電極パッドに接続し、クラン
プを用いて前記ワイヤを固定し、引き上げて形成される
バンプ形成方法において、前記金属のボールを前記電極
パッドに固定させた後、前記ボールの所定位置に切欠き
を設け、その後、前記クランプを閉じて前記ワイヤを引
き上げ、前記切欠きに応力を集中させて前記ワイヤを切
断するようにしたことを特徴とするものである。
【００１１】実施の形態２において、前記金属はＡｕが
用いられ、またワイヤの先端は放電トーチにより溶かさ
れる。また、前記ボールの所定位置はワイヤの根元であ
り、切欠きはキャピラリに設けた穴より先端が尖ったニ
ードルを突き当てることにより設けられる。
用いられ、またワイヤの先端は放電トーチにより溶かさ
れる。また、前記ボールの所定位置はワイヤの根元であ
り、切欠きはキャピラリに設けた穴より先端が尖ったニ
ードルを突き当てることにより設けられる。
【００１２】そして、本発明によれば、従来の髭状の残
存ワイヤが残らず、ピッチの狭いパターンでも、ショー
トを生じる恐れが無く、また、接続面積のバラツキを抑
えることができて接続の信頼性を向上させることができ
る。
存ワイヤが残らず、ピッチの狭いパターンでも、ショー
トを生じる恐れが無く、また、接続面積のバラツキを抑
えることができて接続の信頼性を向上させることができ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。 実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１を示す側面
図であり、図１（ａ）〜（ｆ）は、各工程を示す図であ
る。図１（ａ）はＡｕワイヤ１の先端が放電トーチ７に
より溶融し、Ａｕボール１０が形成された状態を示して
いる。同図（ｂ）はＡｕボール１０が半導体素子５の電
極パッド６に位置合わせされ、キャピラリ２により所定
の荷重をかけられると同時に、超音波が印加され、Ａｕ
ボール１０と電極パッド６とが接続された状態を示して
いる。この状態において、クランプ３は開いているの
で、Ａｕワイヤ１は自由にフィードされる。
を用いて説明する。 実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１を示す側面
図であり、図１（ａ）〜（ｆ）は、各工程を示す図であ
る。図１（ａ）はＡｕワイヤ１の先端が放電トーチ７に
より溶融し、Ａｕボール１０が形成された状態を示して
いる。同図（ｂ）はＡｕボール１０が半導体素子５の電
極パッド６に位置合わせされ、キャピラリ２により所定
の荷重をかけられると同時に、超音波が印加され、Ａｕ
ボール１０と電極パッド６とが接続された状態を示して
いる。この状態において、クランプ３は開いているの
で、Ａｕワイヤ１は自由にフィードされる。
【００１４】図１（ｃ）はクランプ３が開いたままでキ
ャピラリ２が上方に上がっており、電極パッド６とＡｕ
ボール１０が固着され、且つＡｕボール１０とＡｕワイ
ヤ１がまだ繋がった状態を示しており、さらにクランプ
３とＡｕボール１０との間にはＡｕワイヤ１が所定の長
さＬで露出された状態を示している。
ャピラリ２が上方に上がっており、電極パッド６とＡｕ
ボール１０が固着され、且つＡｕボール１０とＡｕワイ
ヤ１がまだ繋がった状態を示しており、さらにクランプ
３とＡｕボール１０との間にはＡｕワイヤ１が所定の長
さＬで露出された状態を示している。
【００１５】図１（ｄ）は同図（ｃ）の状態からクラン
プ３が閉じ、Ａｕワイヤ１を固定した後、Ａｕワイヤ１
がレーザもしくは鋭利な刃２０により、Ａｕボール１０
との接続部分近傍で切断される状態を示している。図１
（ｅ）はＡｕワイヤ１が（ｄ）で示したＡｕボール１０
との付根部分で切断され、クランプ３で上方に引き上げ
られた状態を示している。このとき、電極パッド６上に
は、図４（ｃ）に示したような残存ワイヤ４が殆ど無
く、また接続されるべき面積がほぼ均一なＡｕバンプ９
が形成される。そして、図１（ｆ）は再びＡｕワイヤ１
の先端に次のＡｕボール１０´が形成された状態を示し
ている。
プ３が閉じ、Ａｕワイヤ１を固定した後、Ａｕワイヤ１
がレーザもしくは鋭利な刃２０により、Ａｕボール１０
との接続部分近傍で切断される状態を示している。図１
（ｅ）はＡｕワイヤ１が（ｄ）で示したＡｕボール１０
との付根部分で切断され、クランプ３で上方に引き上げ
られた状態を示している。このとき、電極パッド６上に
は、図４（ｃ）に示したような残存ワイヤ４が殆ど無
く、また接続されるべき面積がほぼ均一なＡｕバンプ９
が形成される。そして、図１（ｆ）は再びＡｕワイヤ１
の先端に次のＡｕボール１０´が形成された状態を示し
ている。
【００１６】図２（ａ）は半導体素子５の電極パッド６
上に、上述した工程を経てバンプを固着させた後、フェ
ースダウンして基板１２の接続用電極パッド１１に位置
合わせして、向かい合わせた状態を示している。また、
同図（ｂ）は同図（ａ）の状態から半導体素子５と基板
１２を荷重と熱、もしくは荷重と熱と超音波を印加して
バンプ９を用いてＦＣ実装した状態を示している。
上に、上述した工程を経てバンプを固着させた後、フェ
ースダウンして基板１２の接続用電極パッド１１に位置
合わせして、向かい合わせた状態を示している。また、
同図（ｂ）は同図（ａ）の状態から半導体素子５と基板
１２を荷重と熱、もしくは荷重と熱と超音波を印加して
バンプ９を用いてＦＣ実装した状態を示している。
【００１７】同図からも分かるように、従来のバンプの
ように、髭状の残存ワイヤが無いため、狭いパターン間
隔でもショートすることなく、容易に接続することが理
解される。また、接続面の面積がほぼ均一となり、バラ
ツキが少ないため安定した接続強度を確保することがで
き、接続の信頼性を確保することができる。
ように、髭状の残存ワイヤが無いため、狭いパターン間
隔でもショートすることなく、容易に接続することが理
解される。また、接続面の面積がほぼ均一となり、バラ
ツキが少ないため安定した接続強度を確保することがで
き、接続の信頼性を確保することができる。
【００１８】実施の形態２．次に、本発明の実施の形態
２について説明する。図３は実施の形態２を示す側面図
であり、図３（ａ）〜図３（ｅ）は各工程を示す図であ
る。図３（ａ）はＡｕワイヤ１の先端が放電トーチ７に
より溶融し、Ａｕボール１０が形成された状態を示して
いる。同図（ｂ）はＡｕボール１０が半導体素子５の電
極パッド６に位置合わせされ、キャピラリ２により所定
の荷重をかけられると同時に、超音波が印加され、変形
したＡｕボール１０と電極パッド６とが接続された状態
を示している。キャピラリ２には後述するニードル挿入
用の穴２ａが設けられている。
２について説明する。図３は実施の形態２を示す側面図
であり、図３（ａ）〜図３（ｅ）は各工程を示す図であ
る。図３（ａ）はＡｕワイヤ１の先端が放電トーチ７に
より溶融し、Ａｕボール１０が形成された状態を示して
いる。同図（ｂ）はＡｕボール１０が半導体素子５の電
極パッド６に位置合わせされ、キャピラリ２により所定
の荷重をかけられると同時に、超音波が印加され、変形
したＡｕボール１０と電極パッド６とが接続された状態
を示している。キャピラリ２には後述するニードル挿入
用の穴２ａが設けられている。
【００１９】図３（ｃ）はキャピラリ２に設けた穴２ａ
よりＡｕボール１０の根元に、先端が尖っているニード
ル２１を突き当て、切欠き１３を設ける工程を示してい
る。このとき、クランプ３は開いたままで、Ａｕワイヤ
１は自由にフィードされる。
よりＡｕボール１０の根元に、先端が尖っているニード
ル２１を突き当て、切欠き１３を設ける工程を示してい
る。このとき、クランプ３は開いたままで、Ａｕワイヤ
１は自由にフィードされる。
【００２０】図３（ｄ）はクランプ３を閉じ、引き上げ
たとき、Ａｕワイヤ１がボール１０の根元に設けた切欠
き１３から切断される状態を示す。このＡｕワイヤ１の
切断は、Ａｕワイヤ１を引き上げるとき、切欠き１３に
応力集中が生じ、該切欠き１３より亀裂が生じて引き起
こされる。このとき電極パッド６上には図４（ｃ）に示
した髭状の残存ワイヤ４が殆ど無く、また切断されるべ
き面が略均一となるＡｕバンプ９が形成されている。
たとき、Ａｕワイヤ１がボール１０の根元に設けた切欠
き１３から切断される状態を示す。このＡｕワイヤ１の
切断は、Ａｕワイヤ１を引き上げるとき、切欠き１３に
応力集中が生じ、該切欠き１３より亀裂が生じて引き起
こされる。このとき電極パッド６上には図４（ｃ）に示
した髭状の残存ワイヤ４が殆ど無く、また切断されるべ
き面が略均一となるＡｕバンプ９が形成されている。
【００２１】図３（ｅ）はＡｕワイヤ１の先端と放電ト
ーチ７によりＡｕワイヤが溶融し、Ａｕボール１０´が
形成され同図（ａ）の状態に戻ることを示している。こ
うして、形成されたバンプは、以下、図２で示したと同
様にして、ＦＣ実装に寄与される。
ーチ７によりＡｕワイヤが溶融し、Ａｕボール１０´が
形成され同図（ａ）の状態に戻ることを示している。こ
うして、形成されたバンプは、以下、図２で示したと同
様にして、ＦＣ実装に寄与される。
【００２２】実施の形態２によっても、実施の形態１と
同様、従来のバンプのように、髭状の残存ワイヤが無い
ため、狭いパターン間隔でもショートすることなく、容
易に接続することが理解される。また、接続面の面積が
ほぼ均一となり、バラツキが少ないため安定した接続強
度を確保することができ、接続の信頼性を確保すること
ができる。
同様、従来のバンプのように、髭状の残存ワイヤが無い
ため、狭いパターン間隔でもショートすることなく、容
易に接続することが理解される。また、接続面の面積が
ほぼ均一となり、バラツキが少ないため安定した接続強
度を確保することができ、接続の信頼性を確保すること
ができる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
によれば、従来の髭状の残存ワイヤが残らず、ピッチの
狭いパターンでも、ショートを生じる恐れが無く、ま
た、接続面積のバラツキを抑えることができて接続の信
頼性を向上させることができるという効果を奏する。
によれば、従来の髭状の残存ワイヤが残らず、ピッチの
狭いパターンでも、ショートを生じる恐れが無く、ま
た、接続面積のバラツキを抑えることができて接続の信
頼性を向上させることができるという効果を奏する。
【図１】実施の形態１の各工程を示す側面図である。
【図２】実施の形態１により得られたバンプを用いたＦ
Ｃ実装を示す側面図である。
Ｃ実装を示す側面図である。
【図３】実施の形態２の各工程を示す側面図である。
【図４】従来のバンプ形成方法を示す側面図である。
【図５】従来のバンプ形成方法の問題点を示す側面図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ Ａｕワイヤ ２ キャピラリ ２ａ 穴 ３ クランプ ５ 半導体素子 ６ 電極パッド ７ 放電トーチ ９ Ａｕバンプ １０ Ａｕボール ２０ レーザ又は刃 ２１ ニードル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒木 太郎 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 根本 保志 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 金属のワイヤの先端を溶かして形成され
る前記金属のボールをキャピラリを用いて半導体素子等
の所定の電極パッドに接続し、クランプを用いて前記ワ
イヤを固定し、引き上げて形成されるバンプ形成方法に
おいて、前記クランプを開いた状態で前記キャピラリを
前記ボールから上方に上げ、前記ボールと前記キャピラ
リとの間に前記ワイヤを所定長さに露出させ、前記クラ
ンプを閉じてワイヤを固定させた後、切断手段を用いて
前記ワイヤを前記ボールとの接続部分近傍で切断し、前
記クランプを引き上げて形成されることを特徴とするバ
ンプ形成方法。 - 【請求項２】 金属のワイヤの先端を溶かして形成され
る前記金属のボールをキャピラリを用いて半導体素子等
の所定の電極パッドに接続し、クランプを用いて前記ワ
イヤを固定し、引き上げて形成されるバンプ形成方法に
おいて、前記金属のボールを前記電極パッドに固定させ
た後、前記ボールの所定位置に切欠きを設け、その後、
前記クランプを閉じて前記ワイヤを引き上げ、前記切欠
きに応力を集中させて前記ワイヤを切断するようにした
ことを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11159786A JP2000349112A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11159786A JP2000349112A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349112A true JP2000349112A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15701249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11159786A Withdrawn JP2000349112A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000349112A (ja) |
-
1999
- 1999-06-07 JP JP11159786A patent/JP2000349112A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3536650B2 (ja) | バンプ形成方法および装置 | |
| JP3935370B2 (ja) | バンプ付き半導体素子の製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP3584930B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JPH04326534A (ja) | 半導体装置のチップボンディング方法 | |
| JP2003243441A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2735022B2 (ja) | バンプ製造方法 | |
| JPH09283526A (ja) | 半導体素子の２段突起形状バンプおよびその形成方法 | |
| JP2004247674A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP3570551B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2001053432A (ja) | フリップチップ実装構造 | |
| JP2000349112A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JPH05190601A (ja) | フリップチップ接合方法 | |
| JP2005101165A (ja) | フリップチップ実装構造及びその実装用基板及び製造方法 | |
| JPH02237119A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JP3322642B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2500725B2 (ja) | Ｔａｂインナ―リ―ドの接合方法 | |
| TWI362238B (en) | Structure and method for soldering circuit boards | |
| JP2001053097A (ja) | スタッドバンプ形成方法 | |
| JP2000357700A (ja) | ボールボンディング方法および電子部品の接続方法 | |
| JP2798040B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000021917A (ja) | 突出接点の形成方法 | |
| JP2003282629A (ja) | 超音波フリップチップ実装方法 | |
| JPH05175408A (ja) | 半導体素子の実装用材料および実装方法 | |
| JPH01227458A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JP3084634B2 (ja) | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060905 |