JP2000349020A

JP2000349020A - 走査型露光装置

Info

Publication number: JP2000349020A
Application number: JP2000094171A
Authority: JP
Inventors: Takechika Nishi; 健爾西
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-04-02
Filing date: 2000-03-30
Publication date: 2000-12-15
Anticipated expiration: 2017-10-28
Also published as: JP3339630B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】スリットスキャン露光方式の露光装置におい
て、ショット内歪みが生じないようにする。【解決手段】物体を保持して移動可能なステージの所
定方向の位置を計測するために設けられた第１反射部
と、前記所定方向と直交する方向の位置を計測するため
に設けられた第２反射部とを有し、前記第１反射部に複
数のビームを照射して第１干渉計により、所定方向のス
テージ位置を計測し、ステージの走査方向の複数の位置
で第２干渉計によりその走査方向と直交する方向のステ
ージの位置を計測し、それぞれの計測結果に応じて露光
中のステージの移動を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばスリットスキャ
ン露光方式の投影露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子又は薄膜磁気
ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フ
ォトマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称す
る）のパターンを感光材が塗布された基板（ウエハ、ガ
ラスプレート等）上に転写する投影露光装置が使用され
ている。従来の投影露光装置としては、ウエハの各ショ
ット領域を順次投影光学系の露光フィールド内に移動さ
せて、各ショット領域に順次レチクルのパターン像を露
光するというステップ・アンド・リピート方式の縮小投
影型露光装置（ステッパー）が多く使用されていた。

【０００３】これに対して近年、半導体素子等において
はパターンが微細化しているため、投影光学系の解像力
を高めることが求められている。解像力を高めるための
手法には、露光光の波長の短波長化、又は投影光学系の
開口数の増大等の手法があるが、何れの手法を用いる場
合でも、従来例と同じ程度の露光フィールドを確保しよ
うとすると、露光フィールドの全面で結像性能（ディス
トーション、像面湾曲等）を所定の精度に維持すること
が困難になってきている。そこで現在見直されているの
が、所謂スリットスキャン露光方式の投影露光装置であ
る。

【０００４】このスリットスキャン露光方式の投影露光
装置では、矩形状又は円弧状等の照明領域（以下、「ス
リット状の照明領域」という）に対してレチクル及びウ
エハを相対的に同期して走査しながら、そのレチクルの
パターンがウエハ上に露光される。従って、ステッパー
方式と同じ面積のパターンをウエハ上に露光するとすれ
ば、スリットスキャン露光方式では、ステッパー方式に
比べて投影光学系の露光フィールドを小さくすることが
でき、露光フィールド内での結像性能の精度が向上する
可能性がある。

【０００５】また、従来のレチクルの大きさの主流は６
インチサイズであり、投影光学系の投影倍率の主流は１
／５倍であったが、半導体素子等の回路パターンの大面
積化により、倍率１／５倍のもとでのレチクルの大きさ
は６インチサイズでは間に合わなくなっている。そのた
め、投影光学系の投影倍率を例えば１／４倍に変更した
投影露光装置を設計する必要がある。そして、このよう
な被転写パターンの大面積化に応えるためにも、スリッ
トスキャン露光方式が有利である。

【０００６】図１０（ａ）は、本出願人の先願に係るス
リットスキャン露光方式の投影露光装置のレチクル側の
ステージを示し、この図１０（ａ）において、レチクル
１２はｙ方向に走査されると共に、ｘ方向にも微動自在
なレチクル微小駆動ステージ１１上に保持されている。
ｙ方向が、スリットスキャン露光時のレチクルとウエハ
との相対的な走査方向である。また、レチクル微小駆動
ステージ１１のｙ方向の端部にはコーナーキューブより
なる移動鏡２１ｙ１及び２１ｙ２が固定され、図示省略
された干渉計からのレーザービームＬＲｙ１及びＬＲｙ
２がそれぞれ移動鏡２１ｙ１及び２１ｙ２で反射された
後、固定鏡３８及び３９で反射されて入射方向に戻され
ている。それらレーザービームＬＲｙ１及びＬＲｙ２に
よる計測値を平均化することにより、レチクル微小駆動
ステージ１１のｙ座標が求められ、それら計測値の差分
よりレチクル微小駆動ステージ１１の回転角が求められ
る。

【０００７】また、レチクル微小駆動ステージ１１のｘ
方向の端部には、反射面がｙ方向にほぼ平行なｘ軸用の
移動鏡２１ｘが固定されており、図示省略されたｘ軸用
の干渉計からのレーザービームＬＲｘが移動鏡２１ｘで
反射され、そのレーザービームＬＲｘによりレチクル微
小駆動ステージ１１のｘ方向の座標が計測されている。
仮に移動鏡２１ｘの反射面がｙ軸に完全に平行な直線７
０に平行であるとすると、そのレーザービームＬＲｘに
より計測されたｘ座標を一定値に維持した状態でレチク
ル微小駆動ステージ１１をｙ方向に走査することによ
り、レチクル１２のパターンが歪み無くウエハ上に露光
されるはずである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の如き本出願人の
先願に係る投影露光装置において、レチクル微小駆動ス
テージ１１上に搭載された移動鏡２１ｘの反射面に、図
１０（ａ）の実線で示すようにｘ方向に最大でΔｘの曲
がりが存在する場合、レチクル１２の走査に伴い、干渉
計からのレーザービームＬＲｘの反射面の位置を破線で
示す直線７０の位置に維持するように制御される。従っ
て、レチクル微小駆動ステージ１１は、移動鏡２１ｘの
曲がりと逆の方向に曲がった軌跡に沿って駆動される。
その結果、図１０（ｂ）に示すように、ウエハの各ショ
ット領域７８には、そのレチクル微小駆動ステージ１１
の移動の軌跡の曲率に応じたショット内歪みを持つこと
になる。但し、図１０（ｃ）に示すように、そのショッ
ト内歪みは、ウエハ５の全てのショット領域７９で共通
である。この場合、そのショット内歪みの特性が、露光
装置毎に異なると、ウエハ上の異なる層（レイア）間で
のマッチング誤差を引き起こす原因となる。

【０００９】本発明は斯かる点に鑑み、スリットスキャ
ン露光方式の露光装置において、ステージに設けられた
移動鏡に曲がりが存在してもショット内歪みが生じない
ようにすることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、露光中に、露
光ビームに対して所定方向に物体（１２）を移動するこ
とによって、その露光ビームで物体（１２）を走査する
走査型露光装置において、その物体を保持して、その所
定方向へ移動可能なステージ（１０，１１）と、そのス
テージのその所定方向の位置を計測するために、そのス
テージに設けられた第１反射部（２１ｙ1，２１ｙ2）
と、そのステージのその所定方向と直交する方向の位置
を計測するために、そのステージに設けられその所定方
向とほぼ平行に延びる反射面を有する第２反射部（２１
ｘ）と、その第１反射部に複数の計測用ビーム（ＬＲｙ
１，ＬＲｙ２）を照射して、その所定方向におけるその
ステージの位置をそれぞれのビームを用いて計測する第
１干渉計と、その第２反射部に計測用ビーム（ＬＲｘ）
を照射して、その所定方向と直交する方向におけるその
ステージの位置を計測する第２干渉計（１４ｘ）と、そ
の所定方向の複数の位置でその第２干渉計によってその
露光の前に計測されたそのステージの位置に基づいて、
その露光中のそおのステージの移動を制御する制御手段
（２２Ａ）とを備えるようにしたものである。

【００１１】また本発明は、露光中に、露光ビームに対
して所定方向に物体（１２）を移動することによって、
その露光ビームで物体（１２）を走査する走査型露光装
置において、その物体を保持して、その所定方向へ移動
可能なステージ（１０，１１）と、そのステージのその
所定方向の位置を計測するために、そのステージに設け
られた第１反射部（２１ｙ1，２１ｙ2）と、そのステー
ジのその所定方向と直交する方向の位置を計測するため
に、そのステージに設けられその所定方向とほぼ平行に
延びる反射面を有する第２反射部（２１ｘ）と、その第
１反射部に複数の計測用ビーム（ＬＲｙ１，ＬＲｙ２）
を照射して、その所定方向におけるそのステージの位置
をそれぞれのビームを用いて計測する第１干渉計と、そ
の第２反射部に計測用ビーム（ＬＲｘ）を照射して、そ
の所定方向と直交する方向におけるそのステージの位置
を計測する第２干渉計（１４ｘ）と、その第１干渉計の
計測結果、その第２干渉計の計測結果、およびその第２
反射部の反射面の曲がりに応じて、その露光中のそのス
テージの移動を制御する制御手段（２２Ａ）とを備える
ようにしたものである。

【００１２】また本発明は、露光中に、露光ビームに対
して所定方向に物体（１２）を移動することによって、
その露光ビームで物体（１２）を走査する走査型露光装
置において、物体（１２）を保持して、その所定方向へ
移動可能なステージ（１０，１１）と、所定方向と直交
する方向の前記ステージの位置を計測可能な第１計測手
段（１４ｘ）と、その所定方向と直交する方向のそのス
テージの位置を計測可能な第２計測手段（１９，２０）
とを備え、その露光の前に、そのステージをその所定方
向に移動しながら、その第１計測手段とその第２計測手
段の一方の計測手段の計測結果を基準として、その所定
方向と直交する方向におけるそのステージの位置を他方
の計測手段で計測するようにした。

【００１３】また本発明は、露光中に、露光ビームに対
して物体（１２）を移動することによって、露光ビーム
で物体（１２）を走査する走査型露光装置において、露
光ビームで物体（１２）を走査するために、その物体を
保持して、所定方向へ移動可能なステージ（１０，１
１）と、そのステージに設けられ、そのステージの位置
情報を計測するために用いられた基準部材（２１ｘ）
と、その基準部材を用いて、そのステージをその所定方
向へ移動するときのステージの軌跡を検出する検出手段
（１４ｘ）とを備えたものである。

【００１４】

【作用】上記のごとき本発明によれば、露光前に、走査
方向（Ｙ方向）の複数の位置で計測された非スキャン方
向（Ｘ方向）のステージ位置に応じて、露光中のステー
ジの移動を制御するようにしているので、そのステージ
の移動鏡に曲がりが存在してもショット内歪みが生じな
いようにすることができる。上記のごとき本発明によれ
ば、露光前に、ステージに設けられた移動鏡の曲がりに
応じて、露光中のステージの移動を制御するようにして
いるので、そのステージの移動鏡に曲がりが存在しても
ショット内歪みが生じないようにすることができる。

【００１５】上記のごとき本発明によれば、走査方向と
直交する非走査方向におけるステージの位置を計測可能
な２つの計測手段を備え、ステージを走査方向に移動し
たときの、その一方の計測結果を基準としてステージの
非走査方向の位置を他方で計測するようにしていたの
で、その結果に応じて、露光中のステージの移動を制御
するようにすることで、ショット内歪みが生じないよう
にすることができる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明による走査型露光装置の一実施
例につき図面を参照して説明する。本実施例は、スリッ
トスキャン露光方式の投影露光装置でレチクルのパター
ンをウエハ上に露光する場合に、本発明を適用したもの
である。図１は本実施例の投影露光装置を示し、この図
１において、図示省略された照明光学系からの露光光Ｅ
Ｌによる矩形の照明領域（以下、「スリット状の照明領
域」という）によりレチクル１２上のパターンが照明さ
れ、そのパターンの像が投影光学系８を介してウエハ５
上に投影露光される。この際に、露光光ＥＬのスリット
状の照明領域に対して、レチクル１２が図１の紙面に対
して前方向に一定速度Ｖで走査されるのに同期して、ウ
エハ５は図１の紙面に対して後方向に一定速度Ｖ／β
（１／βは投影光学系８の縮小倍率）で走査される。

【００１７】レチクル１２及びウエハ５の駆動系につい
て説明すると、レチクル支持台９上にＹ軸方向（図１の
紙面に垂直な方向）に駆動自在なレチクルＹ駆動ステー
ジ１０が載置され、このレチクルＹ駆動ステージ１０上
にレチクル微小駆動ステージ１１が載置され、レチクル
微小駆動ステージ１１上にレチクル１２が真空チャック
等により保持されている。レチクル微小駆動ステージ１
１は、投影光学系８の光軸に垂直な面内で図１の紙面に
平行なＸ方向、Ｙ方向及び回転方向（θ方向）にそれぞ
れ微小量だけ且つ高精度にレチクル１２の位置制御を行
う。レチクル微小駆動ステージ１１上には移動鏡２１が
配置され、レチクル支持台９上に配置された干渉計１４
によって、常時レチクル微小駆動ステージ１１のＸ方
向、Ｙ方向及びθ方向の位置がモニターされている。干
渉計１４により得られた位置情報Ｓ１が主制御系２２Ａ
に供給されている。

【００１８】一方、ウエハ支持台１上には、Ｙ軸方向に
駆動自在なウエハＹ軸駆動ステージ２が載置され、その
上にＸ軸方向に駆動自在なウエハＸ軸駆動ステージ３が
載置され、その上にＺθ軸駆動ステージ４が設けられ、
このＺθ軸駆動ステージ４上にウエハ５が真空吸着によ
って保持されている。Ｚθ軸駆動ステージ４上にも移動
鏡７が固定され、外部に配置された干渉計１３により、
Ｚθ軸駆動ステージ４のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位
置がモニターされ、干渉計１３により得られた位置情報
も主制御系２２Ａに供給されている。主制御系２２Ａ
は、ウエハ駆動装置２２Ｂ等を介してウエハＹ軸駆動ス
テージ２〜Ｚθ軸駆動ステージ４の位置決め動作を制御
すると共に、装置全体の動作を制御する。

【００１９】また、後述するが、ウエハ側の干渉計１３
によって計測される座標により規定されるウエハ座標系
と、レチクル側の干渉計１４によって計測される座標に
より規定されるレチクル座標系の対応をとるために、Ｚ
θ軸駆動ステージ４上のウエハ５の近傍に基準マーク板
６が固定されている。この基準マーク板６上には後述の
ように各種基準マークが形成されている。これらの基準
マークの中にはＺθ軸駆動ステージ４側に導かれた照明
光により裏側から照明されている基準マーク、即ち発光
性の基準マークがある。

【００２０】本例のレチクル１２の上方には、基準マー
ク板６上の基準マークとレチクル１２上のマークとを同
時に観察するためのレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０が装備されている。この場合、レチクル１２から
の検出光をそれぞれレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０に導くための偏向ミラー１５及び１６が移動自在
に配置され、露光シーケンスが開始されると、主制御系
２２Ａからの指令のもとで、ミラー駆動装置１７及び１
８によりそれぞれ偏向ミラー１５及び１６は待避され
る。更に、投影光学系８のＹ方向の側面部に、ウエハ５
上のアライメントマーク（ウエハマーク）を観察するた
めのオフ・アクシスのアライメント装置３４が配置され
ている。

【００２１】次に、レチクル１２のアライメント及び後
述の移動鏡の曲がりの計測を行うための機構及び動作に
つき説明する。図２（ａ）はレチクル１２上のアライメ
ントマーク（レチクルマーク）及び曲がり計測用マーク
の配置を示し、図２（ｂ）はレチクル上で投影光学系の
有効露光フィールドと共役な領域３３Ｒ内での、スリッ
ト状の照明領域明３２等を示す。走査方向をｙ方向とし
て、ｙ方向に垂直な方向をｘ方向とする。図２（ａ）に
おいて、レチクル１２上の中央部のパターン領域の周囲
には遮光部３１が形成され、この遮光部３１の外側に形
成されているマークは、曲がり計測用マーク２７及び２
８と、ファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ及び
３０Ａ〜３０Ｄとに分けられる。右辺側の曲がり計測用
マーク２７は、走査方向であるｙ方向に沿って長い直線
パターン２７ｃと、この直線状パターンの両端部に形成
された十字パターンとより形成され、左辺側の曲がり計
測用マーク２８は、右辺側の曲がり計測用マーク２７と
対称的に直線パターン２８ｃを有するように構成されて
いる。但し、本例の曲がり計測用マーク２７，２８はレ
チクル１２のおおまかなアライメント（ラフアライメン
ト）を行う場合のアライメントマーク、即ちラフサーチ
用アライメントマークとしても使用できるようになって
いる。

【００２２】また、右辺側の遮光部３１と曲がり計測用
マーク２７の一方の十字パターンとの間に、ｙ方向に近
接してファインアライメントマーク２９Ａ，２９Ｂが形
成され、右辺側の遮光部３１と曲がり計測用マーク２７
の他方の十字パターンとの間に、ｙ方向に近接してファ
インアライメントマーク２９Ｃ，２９Ｄが形成されてい
る。これらファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ
と対称的に左辺側にファインアライメントマーク３０Ａ
〜３０Ｄが形成されており、これらファインアライメン
トマーク２９Ａ〜２９Ｄ及び３０Ａ〜３０Ｄは、それぞ
れ図２（ｃ）に示すように、３本の直線状パターンをｘ
方向に所定間隔で２組配列すると共に、３本の直線状パ
ターンをｙ方向に所定間隔で２組配列したものである。

【００２３】本例でレチクル１２のラフアライメントを
行う際には、図２（ａ）の左辺側の曲がり計測用マーク
２８の十字パターンを図１のレチクルアライメント顕微
鏡（以下、「ＲＡ顕微鏡」という）２０で検出する。そ
の後、ＲＡ顕微鏡１９の観察領域に曲がり計測用マーク
２７の十字パターンを移動して、同様にそのアライメン
トマーク２７の位置を検出する。但し、この場合、図１
の基準マーク板６のパターンの無い部分を投影光学系８
の露光フィールド内に移動して、そのパターンの無い部
分を底部から照明しておく。このように基準マーク板６
から射出される照明光により、それら曲がり計測用マー
ク２７及び２８を裏面側から照明する。

【００２４】以上のシーケンスで、図１のＲＡ顕微鏡１
９及び２０に対する、曲がり計測用マーク２７，２８の
十字パターンの位置、即ちレチクル１２とレチクル座標
系との位置関係を大まかに求めることができる。また、
ＲＡ顕微鏡１９，２０とウエハ座標系との大まかな対応
付けは、図１の基準マーク板６上の基準マークをＲＡ顕
微鏡１９及び２０で計測することにより行うことができ
る。これにより、ファインアライメントマーク２９Ａ〜
２９Ｄ及び３０Ａ〜３０Ｄと、基準マーク板６上の基準
マークとが重ならない程度の、大まかなアライメント
（ラフアライメント）が終了する。

【００２５】次に、移動鏡の曲がり計測及びファインア
ライメントのシーケンスについて説明するが、その前に
ウエハステージ及びレチクルステージの詳細な構成につ
き説明する。図３（ａ）はウエハステージの平面図であ
り、この図３（ａ）において、Ｚθ軸駆動ステージ４の
上にウエハ５及び基準マーク板６が配置されている。ま
た、Ｚθ軸駆動ステージ４上には、Ｘ軸用移動鏡７Ｘ及
びＹ軸用移動鏡７Ｙが固定され、ウエハ５上で図２
（ｂ）のスリット状の照明領域３２に対応するスリット
状の照明領域３２Ｗが露光光で照明され、観察領域１９
Ｗ及び２０Ｗがそれぞれ図２（ｂ）の観察領域１９Ｒ及
び２０Ｒと共役である。

【００２６】移動鏡７Ｘには、Ｘ軸に平行で且つそれぞ
れ投影光学系の光軸及びアライメント装置３４の基準点
を通る光路に沿って間隔ＩＬのレーザービームＬＷＸ及
びＬＷ_ofが照射され、移動鏡７Ｙには、Ｙ軸に平行な光
路に沿って間隔ＩＬの２本のレーザービームＬＷＹ１及
びＬＷＹ２が照射されている。露光時には、Ｚθ軸駆動
ステージ４のＸ座標として、レーザービームＬＷＸを用
いる干渉計で計測された座標値が使用され、Ｙ座標とし
てレーザービームＬＷＹ１及びＬＷＹ２をそれぞれ用い
る干渉計で計測された座標値Ｙ₁ 及びＹ₂ の平均値（Ｙ
₁＋Ｙ₂）／２が用いられる。また、例えば座標値Ｙ₁ と
Ｙ₂ との差分からＺθ軸駆動ステージ４の回転方向（θ
方向）の回転量が計測される。それらの座標に基づい
て、Ｚθ軸駆動ステージ４のＸＹ平面の位置及び回転角
が制御される。

【００２７】特に、走査方向であるＹ方向は２個の干渉
計の計測結果の平均値を用いて、走査時の傾き等による
精度劣化を防いでいる。また、オフ・アクシスのアライ
メント装置３４を使用する場合のＸ軸方向の位置は、所
謂アッベ誤差が生じない様に、レーザービームＬＷ_ofを
使用する専用干渉計の計測値に基づいて制御する構成で
ある。

【００２８】図３（ｂ）は、レチクルステージの平面図
であり、この図３（ｂ）において、レチクルＹ駆動ステ
ージ１０上にレチクル微小駆動ステージ１１が載置さ
れ、その上にレチクル１２が保持されている。また、レ
チクル微小駆動ステージ１１にはｘ軸用の移動鏡２１ｘ
及びｙ軸用の２個の移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２が固定さ
れ、移動鏡２１ｘにはｘ軸に平行にレーザービームＬＲ
ｘが照射され、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２にはそれぞれ
ｙ軸に平行にレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２が照射
されている。

【００２９】ウエハステージと同様に、レチクル微小駆
動ステージ１１のｙ方向の座標は、レーザービームＬＲ
ｙ１及びＬＲｙ２を使用する２個の干渉計で計測された
座標値ｙ₁ 及びｙ₂ の平均値（ｙ₁＋ｙ₂）／２が用いら
れる。また、ｘ方向の座標は、レーザービームＬＲｘを
使用する干渉計１４ｘで計測された座標値が使用され
る。また、例えば座標値ｙ₁ とｙ₂ との差分からレチク
ル微小駆動ステージ１１の回転方向（θ方向）の回転量
が計測される。

【００３０】この場合、走査方向であるｙ方向の移動鏡
２１ｙ１，２１ｙ２としてはコーナキューブ型の反射部
材が使用されており、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２で反射
されたレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２はそれぞれ反
射ミラー３９，３８で反射されて戻されている。即ち、
そのレチクル用の干渉計はダブルパス干渉計であり、こ
れによって、レチクル微小駆動ステージ１１の回転によ
るレーザービームの位置ずれが生じない構成になってい
る。なお、ｘ軸用の干渉計１４ｘも、ダブルパス干渉計
とすることができる。また、ウエハステージ上と同様
に、レチクル１２上にスリット状の照明領域３２及びＲ
Ａ顕微鏡１９，２０の観察領域１９Ｒ，２０Ｒが配置さ
れている。そして、観察領域１９Ｒ及び２０Ｒだけか
ら、レチクル１２と図７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４
を観察できる様になっている。この様にレチクル１２と
Ｚθ軸駆動ステージ４との関係を計測して、移動鏡２１
ｘの曲がり計測を行うと共に、露光時のアライメント精
度及びレチクル１２とウエハ５との回転精度を向上させ
ことができる。

【００３１】図４（ａ）は、図２（ａ）のレチクル１２
を図３（ａ）の基準マーク板６上に投影して得られるレ
チクル像１２Ｗを示し、この図４（ａ）において、図２
（ａ）のファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄに
共役なマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷと、ファインアライ
メントマーク３０Ａ〜３０Ｄに共役なマーク像３０ＡＷ
〜３０ＤＷとが示されている。更に、曲がり計測用マー
ク２７，２８と共役なマーク像２７Ｗ，２８Ｗも示され
ている。

【００３２】図４（ｃ）は、基準マーク板６上の基準マ
ークの配置を示し、この図４（ｃ）の基準マーク板６上
には、図４（ａ）のマーク像２７Ｗ，２８ＷとＸ方向に
同じ間隔で基準マーク３５Ｅ，３６Ｅが形成されてい
る。基準マーク３５Ｅは、図４（ｃ）に示すように、Ｘ
方向に所定間隔で配置された２本の遮光部の直線パター
ンから構成され、基準マーク３６Ｅも同じである。これ
ら基準マーク３５Ｅ，３６Ｅはそれぞれ裏面から露光光
と同じ波長の照明光で照明されている。

【００３３】また、基準マーク板６上には、更に図４
（ａ）のマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷ及び３０ＡＷ〜３
０ＤＷとほぼ同一の配置でそれぞれ基準マーク３５Ａ〜
３５Ｄ及び３６Ａ〜３６Ｄが形成されている。これら基
準マークは基準マーク板６の裏面から、露光光と同じ波
長の照明光で照明されている。また、基準マーク板６上
には、基準マーク３５Ａ及び３６Ａの中点から走査方向
であるＹ方向に間隔ＩＬだけ離れた位置に基準マーク３
７Ａが形成されている。間隔ＩＬは、図１における投影
光学系８の基準点とオフ・アクシスのアライメント装置
３４の基準点との間隔であるベースライン量と等しい。
同様に、基準マーク３５Ｂ及び３６Ｂの中点、基準マー
ク３５Ｃ及び３６Ｃの中点及び基準マーク３５Ｄ及び３
６Ｄの中点からそれぞれＹ方向に間隔ＩＬだけ離れた位
置に、基準マーク３７Ｂ，３７Ｃ及び３７Ｄが形成され
ている。

【００３４】そして、ファインアライメントマーク２９
Ａ〜２９Ｄと対応する基準マーク３５Ａ〜３５Ｄとの位
置関係をＲＡ顕微鏡１９で計測し、ファインアライメン
トマーク３０Ａ〜３０Ｄと対応する基準マーク３６Ａ〜
３６Ｄとの位置関係をＲＡ顕微鏡２０で計測することに
より、レチクル１２の最終的なアライメントが行われ
る。次に、移動鏡２１ｘの曲がり計測時には、図４
（ｂ）の基準マーク３５Ｅ（又は３５Ｅ）と図２（ａ）
のレチクル１２側の曲がり計測用マーク２７の直線パタ
ーン２７ｃ（又は直線パターン２８ｃ）との位置ずれ量
が、ＲＡ顕微鏡１９（又はＲＡ顕微鏡２０）により検出
される。

【００３５】この位置ずれ量の求め方につき説明するた
めに、図１のＲＡ顕微鏡１９等の構成を詳細に説明す
る。図５は、ＲＡ顕微鏡１９及びこの照明系を示し、こ
の図５において、Ｚθ軸駆動ステージ４の外部より光フ
ァイバー４４を介して露光光と同じ波長の照明光ＥＬが
Ｚθ軸駆動ステージ４の内部に導かれている。光ファイ
バー４４の代わりにレンズ系で露光光をリレーしても良
い。そのように導かれた照明光が、レンズ４５Ａ、ビー
ムスプリッター４５Ｂ及びレンズ４５Ｃを経て基準マー
ク板６上の基準マーク３５Ａ〜３５Ｄを照明し、ビーム
スプリッター４５Ｂを透過した照明光が、レンズ４５
Ｄ、レンズ４５Ｅ、ミラー４５Ｆ及びレンズ４５Ｇを経
て基準マーク板６上の基準マーク３６Ａ〜３６Ｄを照明
している。

【００３６】例えば基準マーク３５Ｅを透過した光は、
投影光学系８を介して、レチクル１２上の直線パターン
２７ｃ上にその基準マーク３５Ｅの像を結像する。その
基準マーク３５Ｅの像及び直線パターン２７ｃからの光
が、偏向ミラー１５、レンズ４０Ａ、レンズ４０Ｂを経
てハーフミラー４２に達し、ハーフミラー４２で２分割
された光がそれぞれ２次元ＣＣＤよりなるｘ軸用の撮像
素子４３Ｘ及びｙ軸用の撮像素子４３Ｙの撮像面に入射
する。これら撮像素子の内の撮像素子４３Ｘの撮像画面
４３Ｘａには図６（ａ）に示すような、直線パターン２
７ｃ及び基準マーク３５Ｅの像３５ＥＲの像が投影され
る。この場合、ｘ軸用の撮像素子４３Ｘの撮像画面４３
Ｘａの水平走査線の方向はｘ方向であり、ｙ軸用の撮像
素子４３Ｙの撮像画面の水平走査線の方向はｙ方向であ
る。

【００３７】従って、撮像素子４３Ｘの撮像信号Ｓ４Ｘ
の加算平均から基準マーク３５Ｅの像３５ＥＲと直線パ
ターン２７ｃとのｘ方向の位置ずれ量が求められる。こ
の撮像信号Ｓ４Ｘが信号処理装置４１に供給されてい
る。撮像信号Ｓ４Ｘが、信号処理装置４１内でアナログ
／デジタル変換によりデジタル信号として検出される。
それぞれの走査線上の画像データは、信号処理装置４１
内で、Ｘ軸上で加算平均され、加算平均されたＸ軸の画
像信号Ｓ４Ｘは図６（ｂ）に示されるようになる。これ
ら画像データはそれぞれ１次元画像処理信号として処理
される。なお、基準マーク板６（ｂ）において、画像信
号Ｓ４Ｘの横軸は時間ｔであるが、予め撮像素子４３Ｘ
の撮像画面の幅を計測しておくことにより、その横軸は
位置ｘともみなすことができる。

【００３８】この様にして得られた信号を信号処理装置
４１で演算処理すると、図６（ａ）のレチクル１２の直
線パターン２７ｃの像に対応するｘ方向の位置ｘ₃ 、基
準マーク３５Ｅの像３５ＥＲの左側のパターンに対応す
る位置ｘ₁及びその像３５ＥＲの右側のパターンに対応
する位置ｘ₂ が求められる。そして、直線パターン２７
ｃと基準マーク３５Ｅとのｘ方向の相対的な位置ずれ量
Δｘは、次のようになる。 Δｘ＝ｘ₃-（ｘ₁+ｘ₂)／２ (1) このようにして、図２（ａ）の曲がり計測用マーク２７
の直線パターン２７ｃと図４（ｂ）の基準マーク３５Ｅ
の投影像とのｘ方向の位置ずれ量を求めることができ
る。同様に、ＲＡ顕微鏡２０を用いて、図２（ａ）の曲
がり計測用マーク２８の直線パターン２８ｃと図４
（ｂ）の基準マーク３６Ｅの投影像とのｘ方向の位置ず
れ量を求めることができる。この位置ずれ量を用いて、
図３（ｂ）のレチクルステージ側の移動鏡２１ｘの反射
面の曲がり量を計測する方法の例につき説明する。

【００３９】移動鏡２１ｘの曲がり計測の第１の方法
は、図２（ａ）の曲がり計測用マーク２７の直線パター
ン２７ｃ（又は直線パターン２８ｃ）を基準とする方法
である。即ち、この場合、図５に示すように、ＲＡ顕微
鏡１９で基準パターン３５Ｅの像及び直線パターン２７
ｃを観察して、両者のｘ方向の位置ずれ量Δｘをモニタ
ーした状態で、且つ図３（ｂ）において、レチクル側の
ｘ軸用の干渉計１４ｘの計測値が一定値に維持された状
態で、レチクル微小駆動ステージ１１を走査方向である
ｙ方向に移動させる。そして、ｙ方向の多数の計測位置
ｙ_i において、基準パターン３５Ｅの像と直線パターン
２７ｃとのｘ方向の位置ずれ量Δｘ_i を求める。

【００４０】図７（ａ）は計測位置ｙ_i に対して位置ず
れ量Δｘ_i をプロットして得られた結果を示し、曲線７
０はｙ方向に真直な直線であり、曲線７１は一連のサン
プル点（図７（ａ）で×印を付した点）を近似したもの
である。また、その曲線７１のもとになる計測データに
おいて、直線７０からの位置ずれ量Δｘ₁ は、図７
（ｂ）に示すように、撮像信号Ｓ４Ｘ中の基準パターン
３５Ｅの像３５ＥＲの中点７２と直線パターン２７ｃと
のｘ方向の位置ずれ量として求められる。同様に、位置
ずれ量Δｘ_n 及びΔｘ_m は、それぞれ図７（ｃ）及び
（ｄ）の撮像信号から求められるものである。

【００４１】ｙ方向のサンプリング間隔は求める曲率
と、アライメントセンサーとしてのＲＡ顕微鏡１９の計
測精度で決定されるが、それぞれの相対的な位置ずれ量
Δｘ_iは、移動鏡２１ｘの曲がりに沿って×印の様に計
測される。そして、曲線７１を求める際には、位置ずれ
量Δｘ_i のばらつきに応じてフィルタリングをソフトウ
ェア的に実行する。その結果求められた曲線７１に対応
する関数を位置ｙに関する２次曲線で近似して、例えば
そのｙ² の項の係数Ａを求め、スリットスキャン露光時
に、レチクル微小駆動ステージ１１をｙ方向に走査する
際には、その移動鏡２１ｘの曲がりを相殺するように、
ｙ方向の位置に応じてレチクル微小駆動ステージ１１を
ｘ方向に微動する。これにより、ウエハ５の各ショット
領域に露光されるパターン像のショット内歪みが低減さ
れる。

【００４２】なお、図７（ａ）において、曲線７１をｙ
方向に適当な間隔で分割し、それぞれを一次近似してそ
の位置ｙの係数Ｂを求め、この係数Ｂに基づいてスリッ
トスキャン露光時に補正してもよい。また、画像のサン
プリングを行う際は、レチクル描画誤差を平均化するた
めに、撮像画面の走査線を全面で縦方向に加算平均を行
っても良いし、レチクル１２を走査させながらサンプリ
ングを行い続けて平均化を行っても良い。

【００４３】また、上述実施例では、ｘ軸用の干渉計１
４ｘのｘ方向の計測値を一定値に維持してレチクル微小
駆動ステージ１１をｙ方向に走査しているが、逆に図６
（ａ）において、基準マーク３５の像３５ＥＲの中点に
直線パターン２７ｃを設定した状態で、レチクル微小駆
動ステージ１１をｙ方向に走査しても良い。この場合
は、ＲＡ顕微鏡１９により計測される位置ずれ量Δｘは
常に０であり、ｘ軸用の干渉計１４ｘによるｘ方向の計
測値がそのまま移動鏡２１ｘの曲がり量を表す。

【００４４】なお、投影露光装置においては、露光時に
レチクル１２のパターン形成面に照射される露光光によ
り熱が蓄積されて、レチクルステージ（レチクル微小駆
動ステージ１１）自身の温度変化が生じた場合に、移動
鏡２１ｘの曲がりの状態が変化する可能性があるが、レ
チクルステージに温度センサー等を配置し、温度変化量
と曲がりの状態の変化との関係を予め計測しておき、補
正係数を変えられる様にしておけば、曲がりの状態の変
化に対応することができる。更に、移動鏡２１ｘの曲が
り補正後に、別のレチクルを搭載して同様の計測をｘ軸
及びｙ軸に対して行うと、各位置でのレチクル描画誤差
が計測できる。レチクル描画誤差は隣接パターン部では
小さいので、曲がり計測用マークの近傍からパターン部
のレチクル描画誤差をほぼ同一誤差としてグループ化
し、スリットスキャン露光時に補正すれば、レチクル描
画誤差補正も可能となる。

【００４５】次に、上述実施例では、曲がり計測用マー
クとして、図８（ａ）に示すような曲がり計測用マーク
２７，２８が使用され、例えば曲がり計測用マーク２８
の直線パターン２８ｃ（図８（ｂ）参照）が移動鏡の曲
がりの計測時の基準として使用されている。しかしなが
ら、その移動鏡の曲がりの計測時の基準としては、図８
（ｃ）に示すような、ｙ方向に伸びた直線パターンを所
定間隔でｘ方向に並べたマルチパターン７３を使用して
も良い。このようなマルチパターン７３を使用いて、各
直線パターンの計測結果をｘ方向に平均化することによ
り、より高精度に移動鏡の曲がり量を計測できる。ま
た、移動鏡の曲がりの計測時の基準として、図８（ｄ）
に示すような、ｙ方向に所定ピッチで形成されたライン
・アンド・スペースパターンをｘ方向に所定間隔で並べ
たマルチライン・アンド・スペースパターン７４を使用
しても良い。このようなマルチライン・アンド・スペー
スパターン７４は、例えばレチクル上に電子ビーム描画
装置等で形成するのが容易である。

【００４６】また、上述実施例では、ウエハ側の基準マ
ーク板６上に形成された基準マーク３５Ｅ，３６Ｅを基
準として直線パターン２７ｃ，２８ｃの位置ずれ量を求
めていたが、その基準マークをＲＡ顕微鏡内に設けても
良い。図９は、内部に基準マークを備えたＲＡ顕微鏡を
示し、この図９において、レチクル１２の直線パターン
２７ｃからの照明光は、ハーフミラー１５で反射されて
レンズ４０Ｃ及び４９Ｄを介して、指標板７５上に直線
パターン２７ｃの像を結像する。指標板７５上にはレチ
クル１２上のｘ方向と共役な方向に所定間隔で配列され
た直線パターンよりなる指標マーク７６が形成され、指
標板７５を通過した照明光は、ミラー７７、レンズ４０
Ｄ及びレンズ４０Ｅを経てハーフミラー４２に達し、ハ
ーフミラー４２で２分割された光がそれぞれｘ軸用の撮
像素子４３Ｘ及びｙ軸用の撮像素子４３Ｙの撮像面に入
射する。その他の構成は図５のＲＡ顕微鏡１９と同様で
ある。

【００４７】図９のＲＡ顕微鏡においては、指標マーク
７６を基準として、直線パターン２７ｃの位置ずれ量が
検出される。従って、移動鏡２１ｘの曲がり計測時には
ウエハ側の基準マーク板６を使用する必要がない。ま
た、上述実施例では、曲がり計測用マーク２７，２８を
使用しているが、図３（ｂ）において、レチクル微小駆
動ステージ１１のｙ方向への移動の真直度が良好であれ
ば、単にレチクル微小駆動ステージ１１をｙ方向へ走ら
せた状態で、ｘ軸用の干渉計１４ｘでｘ方向の計測値を
モニターすると、その計測値がそのまま移動鏡２１ｘの
曲がり量を計測となる。このように本発明は、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

【００４８】また、上記のステージ駆動方法において
は、基板（５）にマスク（１２）のパターンを露光する
前にマスクステージ（１０、１１）側の移動鏡（２１
ｘ）の曲がり量を計測する。即ち、マスクステージ（１
０、１１）上に例えば走査方向に直線状に伸びた計測用
マーク（２８ｃ）が形成されたマスク（１２）を載置
し、マスクステージ（１０，１１）を走査方向に走らせ
た状態で、且つ移動鏡（２１ｘ）からの反射ビームを用
いた計測手段の計測値を一定の値に維持した状態で、計
測用マーク（２８ｃ）と所定の基準位置とのずれ量を計
測する。これにより、計測用マーク（２８ｃ）を基準と
して、移動鏡（２１ｘ）の曲がり量が計測される。

【００４９】そして、スリットスキャン露光方式でマス
ク（１２）のパターンを基板（５）上に露光する際に
は、ソフトウェア的にその移動鏡（２１ｘ）の曲がり量
を補正することにより、基板（５）上のショット内歪み
が解消され、露光装置間でマッチングを行う場合も高精
度に各ショットを重ね合わせることができる。また、計
測用マーク（２８ｃ）をその基準位置に合わせた状態で
マスクステージ（１０，１１）をその走査方向に走査し
た場合には、移動鏡（２１ｘ）が計測用マーク（２８
ｃ）に沿って移動する。従って、その計測手段により求
めたマスクステージ（１０，１１）のその走査方向と直
交する方向の座標より、計測用マーク（２８ｃ）を基準
とした移動鏡（２１ｘ）の曲がり量が求められる。

【００５０】また、上記のステージ駆動方法は、マスク
ガイド（９）の案内部のその走査方向への真直度が良好
であるものとして、その案内部を基準として移動鏡（２
１ｘ）の曲がり量を求めるものである。即ち、単にマス
クステージ（１０，１１）をその走査方向へ走らせた状
態で、その計測手段により移動鏡（２１ｘ）からの反射
ビームを用いて計測を行うことにより、マスクガイド
（９）の案内部を基準とした移動鏡（２１ｘ）の曲がり
量が計測される。

【００５１】上記のステージ駆動方法によれば、マスク
に設けた計測用マークを基準として移動鏡の曲がり量を
計測し、露光時にその曲がり量を補正しているので、マ
スク側のマスクステージに設けられた移動鏡に曲がりが
存在しても、基板側でショット内歪みが生じない利点が
ある。また上記のステージ駆動方法によれば、マスクガ
イドを基準として移動鏡の曲がり量を計測しているの
で、マスクガイドの真直度が良好な場合には、迅速且つ
容易に移動鏡の曲がり量を計測でき、露光時にその曲が
り量を補正できる。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、基板側でショット内歪
みを生じないようにすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の投影露光装置を示す構成図
である。

【図２】（ａ）はレチクル上の曲がり計測用マーク及び
アライメントマークの配置図、（ｂ）は投影光学系の有
効視野と共役な領域でのアライメントマーク等を示す配
置図、（ｃ）はファインアライメントマーク２９Ａ〜３
０Ｄを示す拡大図である。

【図３】（ａ）はウエハ側のステージの平面図、（ｂ）
はレチクル側のステージの平面図である。

【図４】（ａ）はレチクル上のマーク配置を示す投影
図、（ｂ）はは基準マーク板６上の基準マークの配置を
示す平面図、（ｃ）は基準マーク３５Ｅ（又は３６Ｅ）
の一例を示す拡大図である。

【図５】レチクルアライメント顕微鏡１９及び照明系の
構成を示す一部を切り欠いた構成図である。

【図６】（ａ）は図５の撮像素子で観察される画像を示
す図、（ｂ）はその画像に対応するＸ方向の画像信号を
示す波形図である。

【図７】（ａ）は移動鏡の曲がり計測時の計測値を近似
する曲線を示す図、（ｂ）〜（ｄ）はそれぞれ図７
（ａ）の各部に対応する画像信号を示す波形図である。

【図８】（ａ）は実施例のレチクル１２を示す平面図、
（ｂ）は図８（ａ）中の曲がり計測用マーク２８の直線
パターン２８ｃを示す拡大図、（ｃ）はその曲がり計測
用マークの他の例を示す拡大図、（ｄ）はその曲がり計
測用マークの更に他の例を示す拡大図である。

【図９】レチクルアライメント顕微鏡の他の例を示す構
成図である。

【図１０】（ａ）はスリットスキャン露光方式の投影露
光装置におけるレチクルステージ側の移動鏡の曲がりを
示す平面図、（ｂ）は移動鏡の曲がりによりウエハ上に
形成されるショット領域に生じる歪みを示す拡大図、
（ｃ）はウエハ上のショット領域の配列を示す平面図で
ある。

【符号の説明】

４Ｚθ軸駆動ステージ５ウエハ６基準マーク板７ウエハ側の移動鏡８投影光学系１１レチクル微小駆動ステージ１２レチクル１９，２０レチクルアライメント顕微鏡（ＲＡ顕微
鏡）２１レチクル側の移動鏡２１ｘｘ軸用の移動鏡２７，２８曲がり計測用マーク２９Ａ〜２９Ｄ，３０Ａ〜３０Ｄファインアライメン
トマーク３４オフ・アクシスのアライメント装置３５Ｅ，３６Ｅ基準マーク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｋ 21/30 ５１８

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光中に、露光ビームに対して所定方向
に物体を移動することによって、前記露光ビームで前記
物体を走査する走査型露光装置において、前記物体を保持して、前記所定方向へ移動可能なステー
ジと、前記ステージの前記所定方向の位置を計測するために、
前記ステージに設けられた第１反射部と、前記ステージの前記所定方向と直交する方向の位置を計
測するために、前記ステージに設けられ前記所定方向と
ほぼ平行に延びる反射面を有する第２反射部と、前記第１反射部に複数の計測用ビームを照射して、前記
所定方向における前記ステージの位置をそれぞれのビー
ムを用いて計測する第１干渉計と、前記第２反射部に計測用ビームを照射して、前記所定方
向と直交する方向における前記ステージの位置を計測す
る第２干渉計と、前記所定方向の複数の位置で前記第２干渉計によって前
記露光の前に計測された前記ステージの位置に基づい
て、前記露光中の前記ステージの移動を制御する制御手
段と、を備えたことを特徴とする走査型露光装置。
【請求項２】前記制御手段は、前記露光の前に計測さ
れた位置に基づいて前記反射面の曲がりを求め、該反射
面の曲がりに応じて前記露光中の前記ステージの移動を
制御することを特徴とする請求項１に記載の走査型露光
装置。
【請求項３】露光中に、露光ビームに対して所定方向
に物体を移動することによって、前記露光ビームで前記
物体を走査する走査型露光装置において、前記物体を保持して、前記所定方向へ移動可能なステー
ジと、前記ステージの前記所定方向の位置を計測するために、
前記ステージに設けられた第１反射部と、前記ステージの前記所定方向と直交する方向の位置を計
測するために、前記ステージに設けられ前記所定方向と
ほぼ平行に反射面が延びる第２反射部と、前記第１反射部に複数の計測用ビームを照射して、前記
所定方向における前記ステージの位置をそれぞれのビー
ムを用いて計測する第１干渉計と、前記第２反射部に計測用ビームを照射して、前記所定方
向と直交する方向における前記ステージの位置を計測す
る第２干渉計と、前記第１干渉計の計測結果、前記第２干渉計の計測結
果、および前記第２反射部の反射面の曲がりに応じて、
前記露光中の前記ステージの移動を制御する制御手段
と、を備えたことを特徴とする走査型露光装置。
【請求項４】前記第１干渉計は、前記複数の計測ビー
ムの各々を使って計測された位置の平均値を、前記所定
方向における前記ステージの位置とすることを特徴とす
る請求項１から３のいずれか一項に記載の走査型露光装
置。
【請求項５】前記第１干渉計は、前記複数の計測ビー
ムの各々を使って計測された位置の差分から前記ステー
ジの回転を計測することを特徴とする請求項１から４の
いずれか一項に記載の走査型露光装置。
【請求項６】露光中に、露光ビームに対して所定方向
に物体を移動することによって、前記露光ビームで前記
物体を走査する走査型露光装置において、前記物体を保持して、前記所定方向へ移動可能なステー
ジと、前記所定方向と直交する方向の前記ステージの位置を計
測可能な第１計測手段と、前記所定方向と直交する方向の前記ステージの位置を計
測可能な第２計測手段とを備え、前記露光の前に、前記ステージを前記所定方向に移動し
ながら、前記第１計測手段と前記第２計測手段の一方の
計測手段の計測結果を基準として、前記所定方向と直交
する方向における前記ステージの位置を他方の計測手段
で計測することを特徴とする走査型露光装置。
【請求項７】前記他方の計測手段は、前記所定方向の
複数の位置で前記所定方向と直交する方向における前記
ステージの位置を計測することを特徴とする請求項６に
記載の走査型露光装置。
【請求項８】前記制御手段は、前記一方の計測手段で
計測される位置情報がほぼ一定に維持されるように、前
記ステージを前記所定方向へ移動することを特徴とする
請求項６に記載の走査型露光装置。
【請求項９】前記露光中に、前記露光前に計測された
前記他方の計測手段の計測結果に基づいて前記ステージ
の移動を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴と
する請求項６に記載の走査型露光装置。
【請求項１０】前記第１の計測手段は、前記ステージ
に設けれら前記所定方向に延びる反射面を用いて前記所
定方向と直交する方向の前記ステージの位置を計測する
干渉計を含むことを特徴とする請求項６に記載の走査型
露光装置。
【請求項１１】前記露光の前に、前記他方の計測手段の
計測結果に基づいて、前記反射面の曲がりが求められる
ことを特徴とする請求項１０に記載の走査型露光装置。
【請求項１２】前記第２の計測手段は、前記ステージ
上のマークを検出することによって、前記所定方向と直
交する方向の前記ステージの位置情報を検出することを
特徴とする請求項１０に記載の走査型露光装置。
【請求項１３】露光中に、露光ビームに対して物体を移
動することによって、前記露光ビームで前記物体を走査
する走査型露光装置において、前記露光ビームで前記物体を走査するために前記物体を
保持して所定方向に移動可能なステージと、前記ステージに設けられ、前記ステージの位置情報を計
測するために用いられた基準部材と、前記基準部材を用いて、前記ステージを前記所定方向へ
移動するときの前記ステージの軌跡を検出する検出手段
と、を備えたことを特徴とする走査型露光装置。
【請求項１４】前記検出手段の結果に基づいて、前記
ステージの移動の方向を補正する請求項１３に記載の走
査型露光装置。
【請求項１５】前記検出手段は干渉計を有し、前記基
準部材は干渉計用の反射面である請求項１３に記載の走
査型露光装置。