JP2000343435A

JP2000343435A - ブラストメディア及びブラスト方法

Info

Publication number: JP2000343435A
Application number: JP2000064754A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Tanaka; 正治田中; Hachiro Hirano; 八朗平野; Makoto Yoshida; 吉田　　誠
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1999-03-29
Filing date: 2000-03-09
Publication date: 2000-12-12
Also published as: EP1040892A1; US6478878B1; DE60003109D1; JP2010158770A; EP1040892B1; DE60003109T2

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理対象物に対し、過度の損傷や機能劣化
を生ずることなく微細加工が可能であり、かつ被処理対
象物に残留した場合でも容易に除去可能とする。【解決手段】基板１に、ブラストメディアを噴射し、
バイアホール７内部または周縁部に付着したスミア９を
除去する。ブラストメディアは、平均粒子径が２０μｍ
以下で、粒子径５０μｍ以上の粒子が５質量％以下であ
り、水溶性無機塩を９０質量％以上含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はブラストメディア及
びブラスト方法に係わり、特に被処理対象物に対し、過
度の損傷や機能劣化を生ずることなく微細加工が可能で
あり、かつ被処理対象物に残留した場合でも容易に除去
可能なブラストメディア及びブラスト方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子技術の進歩に伴い、コンピュ
ーター等の電子機器に対する高密度化や演算機能の高速
度化が進められているが、多層配線基板においても例外
ではなく、高密度配線や高密度実装が可能な多層配線基
板が盛んに開発されている。

【０００３】この多層配線基板の形成方法としては、上
層配線パターンと下層配線パターンとを電気的に接続す
るためのバイアホールを設けるビルドアップ法による製
造方法が知られている。

【０００４】このビルドアップ法による多層配線基板の
製造方法においては、バイアホールの形成に時間を要
し、作業の効率が悪いことから、樹脂組成物で形成した
層間絶縁層を炭酸ガスレーザー光やエキシマレーザー光
等の高出力レーザー光を選択的に照射し、層間絶縁層の
任意の箇所をレーザー光で熱分解、揮散、消失させてバ
イアホールを形成するシステムが提案されている。

【０００５】図１に、このシステムによりレーザー光を
用いて、層間絶縁層にバイアホールを形成した多層配線
基板の様子を図示する。図１において、基板１上に、１
〜２００μｍ程度の配線パターン３を形成する。そし
て、この上に層間絶縁層５を形成し、その後、層間絶縁
層５の任意の箇所をレーザー光により熱分解等処理し、
バイアホール７を形成する。

【０００６】かかるシステムの導入により、バイアホー
ル７の形成は比較的短時間で終了する。このため、作業
効率が大幅に向上したが、その反面、熱分解、揮散によ
り消失した層間絶縁層５の一部が、バイアホール７内、
又はバイアホール７周縁部に再付着または堆積してスミ
ア９を形成する。このスミア９は、次工程であるメッキ
処理時に、下層配線パターンとの導通不良を起したり、
あるいは層間絶縁層５の膜厚を変化させるなどの欠点を
有していた。

【０００７】この欠点を解決するため、バイアホール７
が形成された基板１をスミア除去液に浸漬する方法が提
案されたが、従来のスミア除去液ではスミア９の完全な
除去が困難である上に、層間絶縁層５を変質させるなど
の問題を有していた。

【０００８】更に、高出力レーザー光をガラスなどの無
機繊維を含有するエポキシ樹脂組成物で形成した層間絶
縁層５に照射すると、樹脂部分のみが除去され無機繊維
がバイアホール７内に表出し、導電層の形成を困難にし
た。また、この表出した繊維の除去にスミア除去液を使
用しても取り除くことが困難で、良好な導電層の形成が
極めて困難であった。

【０００９】一方、ブラスト材を用いたスミア処理に関
しても知られている。この場合は、スミア除去液を使用
する場合とは異なり、スミア９や表出無機繊維をきれい
に取り除き、形状に優れたバイアホール７の形成に極め
て有効である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特に１
００μｍ以下のバイアホール７をブラスト法で処理する
場合、従来からブラスト材として一般的に使用されてい
るガラスビーズ、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、酸化
ジルコニウム等においては、バイアホール７内にブラス
ト材が互いに挟まりあってバイアホール７の穴を塞ぎ、
以降の洗浄工程を経ても完全に除去することが出来ず
に、良好な導電層の形成に支障をきたすおそれがあっ
た。

【００１１】本発明はこのような従来の課題に鑑みてな
されたもので、被処理対象物に対し、過度の損傷や機能
劣化を生ずることなく微細加工が可能であり、かつ被処
理対象物に残留した場合でも容易に除去可能な水溶性ブ
ラストメディア及びブラスト方法を提供することを目的
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】このため本発明（請求項
１）は、平均粒子径が２０μｍ以下で、かつ粒子径５０
μｍ以上の粒子の含有量が５質量％以下であり、水溶性
無機塩を９０質量％以上含むことを特徴とする。

【００１３】平均粒子径については、レーザー回折散乱
式粒度分布測定装置を使用して測定した体積基準での平
均粒子径の数値をいうものとする。以下、単に平均粒子
径というときは、この方法で測定した値をいうものとす
る。また、％表記に関し、例えば４４μｍ以上の粒子の
含有量がｘ％といった場合には、５０ｇの試料を目開き
４４μｍの金網を張った篩に入れて、これをロータップ
振とう篩で１０分間篩分けたときの篩上品の質量割合
（ｘ％）を意味する。

【００１４】例えば、多層配線基板のバイアホール形成
後のスミア除去処理をブラスト法で実施する場合、これ
に使用するブラストメディアとしては、スミア及び表出
無機繊維をきれいに除去でき、かつブラストメディア自
体がバイアホール内に残留しないことが必要である。

【００１５】本発明のブラストメディアはその平均粒子
径が２０μｍ以下で、かつ粒子径５０μｍ以上の粒子の
含有量が５質量％（以下、単に％という）以下であり、
特に１００μｍ以下のバイアホールのスミア処理に適し
た大きさである。

【００１６】また、本発明のブラストメディアは水溶性
の無機塩を９０％以上含むため、バイアホール中に複数
の粒子が入り込んでこれを閉塞させるような場合でも、
水洗によりきれいに除去することが可能である。

【００１７】このため、バイアホールのスミア処理の如
き微細加工に極めて有効である。形状に優れたバイアホ
ールが形成されるため、層間絶縁層とめっき導電層との
密着性を良好にし、信頼性の高い多層配線基板の製造が
可能である。

【００１８】なお、本発明のブラストメディアは、同様
な微細加工分野であるプラズマディスプレイにおける隔
壁形成のようなパターン形成作業や、樹脂封止型半導体
装置における樹脂バリの除去作業等にも極めて有効であ
る。

【００１９】このように、本発明のブラストメディア
は、微細加工分野において、作業効率に優れ、かつ被処
理対象物に残留した場合でも容易に除去することが可能
である。

【００２０】また、本発明（請求項２）は、前記無機塩
は炭酸水素ナトリウム及び／又は炭酸水素カリウムであ
ることを特徴とする。

【００２１】炭酸水素ナトリウム及び／又は炭酸水素カ
リウム（以下、炭酸水素ナトリウム等という）は、ブラ
スト処理に適し、かつ適度の硬度を有するため、過度に
基板等に損傷を与える可能性が小さい。ここで炭酸水素
ナトリウムは吸湿性が無く取り扱いやすいが、ナトリウ
ムの残留を特に嫌う場合は炭酸水素カリウムの使用がよ
り好適である。

【００２２】本発明（請求項３）は、平均粒子径が２０
μｍ以下の固結防止剤が含有されることを特徴とする。

【００２３】本発明のブラストメディアは、粒径の小さ
い炭酸水素ナトリウム等を用いるため、長期間保存して
おいたときに固結する可能性がある。このため、固結防
止剤を配合することが好ましい。以上により、ブラスト
メディアは固結することが無くなり、ブラストの作業効
率を向上させることが出来る。

【００２４】更に、本発明（請求項４）は、前記固結防
止剤がシリカであることを特徴とする。シリカは、例え
ばヒュームドシリカ、ホワイトカーボン等である。更
に、本発明（請求項５）は、前記固結防止剤が親水性シ
リカであることを特徴とする。ブラストメディアの除去
や、除去された廃棄物の処理にあたっては固結防止剤が
親水性であると操作がより容易である。

【００２５】更に、本発明（請求項６）は、ブラスト方
法の発明であり、請求項１〜５のいずれか１項に記載の
ブラストメディアを、流体を噴射媒体として被処理対象
物に対し吹き付けることを特徴とする。ここに、流体は
ガスや液体等をいう。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。本発明の実施形態であるブラストメディア
は、例えば図１の多層配線基板に形成されたバイアホー
ル７に対するブラスト処理に使用される。

【００２７】図１において、スミア９が形成された基板
１の前面に、本発明のブラストメディアを空気や窒素ガ
スを媒体として噴射して、バイアホール７内部またはそ
の周縁部に付着または堆積したスミア９を除去する。ブ
ラストメディアの粒度については、平均粒子径が２０μ
ｍ以下で、かつ粒子径５０μｍ以上の粒子が５％以下で
あるものを使用する。

【００２８】平均粒子径が２０μｍを超える場合及び／
又は粒子径５０μｍ以上の粒子が５％を超える場合、特
に１５０μｍ以下の大きさのバイアホール７のスミア除
去処理において、メディアを吹き付けた時に複数のメデ
ィア粒子が互いに挟まりバイアホール７を塞ぎスミア処
理の効率が悪化する。

【００２９】ここに、ブラストメディアの最大粒子径は
篩を使用して粒子を篩分け、大粒子を除去することによ
り一定値に制限される。例えば最大粒子径４４μｍとい
う場合は、目開き４４μｍの金網を張った振動篩で分級
した時の篩下品であることを意味する。更に、バイアホ
ール７の孔径が微細化されるときは、ブラストメディア
の粒度としては粒子径３０μｍ以上の粒子が５％以下で
あることが好ましい。

【００３０】本発明のブラストメディアの主成分として
は、水溶性の無機塩であれば特に限定されるものではな
いが、ブラスト処理に適し、かつ過度に基板１自体に損
傷を与える可能性が小さい、適度の硬度を有する炭酸水
素ナトリウム等が特に好ましい。

【００３１】本発明のブラストメディアは、炭酸水素ナ
トリウム等を、平均粒子径が２０μｍ以下で、かつ粒子
径５０μｍ以上の粒子が５％以下となるように、望まし
くは３０μｍ以上の粒子が５％以下になるように粉砕し
て製造することができる。粉砕法としては、乾式粉砕ま
たは湿式粉砕のいずれも好適に採用できる。

【００３２】乾式粉砕の場合、衝撃式粉砕機、ジェット
ミル（衝突気流による粉砕機）、ボールミルなどを用い
るのが好ましい。風力式分級機を備えた衝撃式粉砕機を
用い、粉砕機から排出される粒子を分級して粗粒子は再
度粉砕機に戻しながら、炭酸水素ナトリウム等を粉砕す
る場合は、高い収率で目的の粒径の炭酸水素ナトリウム
等を得ることができるのでより好ましい。

【００３３】また、ジェットミルを用いる場合も、篩い
分けによる粗粒子除去なしに、高い収率で目的の粒径の
炭酸水素ナトリウム等を得ることができるのでより好ま
しい。

【００３４】一方、湿式粉砕の場合、媒体撹拌ミル、ボ
ールミルなどを用いるのが好ましい。特に炭酸水素ナト
リウム等を実質的に溶解しない液体中に炭酸水素ナトリ
ウム等を分散したスラリーを、媒体撹拌ミルまたはボー
ルミルで湿式粉砕し、得られた炭酸水素ナトリウム等を
分離して乾燥する場合は、平均粒径の小さな炭酸水素ナ
トリウム等を得ることができるので好ましい。

【００３５】炭酸水素ナトリウム等を実質的に溶解しな
い液体は、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ性によって
変質せず、粘度が低い液体を使用することが好ましい。
このような液体として、メタノール、エタノール、アセ
トン、２−ペンタノン、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３などを挙
げることが出来る。

【００３６】炭酸水素ナトリウム等を実質的に溶解しな
い液体は、炭酸水素ナトリウム等の溶解度が３％以下で
あるものが好ましく、溶解度が１％以下である場合は更
に好ましい。

【００３７】本発明のブラストメディアにおいては、粒
径の小さい水溶性無機塩を用いるため、長期間保存して
おいたときに固結する可能性がある。この固結は、メデ
ィアの輸送配管内での閉塞を誘発するなど、ブラストの
作業効率を著しく低減させるおそれがあるので、固結防
止剤を添加することが好ましい。

【００３８】固結防止剤としては、シリカ、塩基性炭酸
マグネシウム、炭酸カルシウム、珪藻土などが好適であ
る。シリカとしては、例えばヒュームドシリカ、ホワイ
トカーボン等があるが、なかでもヒュームドシリカと呼
ばれる極めて微細な無水ケイ酸が、少量の添加量で効果
があるので好ましい。特に、疎水化処理されたヒューム
ドシリカは、より少量の添加で高い流動性の付与が可能
である。一方、本ブラストメディアの除去や除去された
廃棄物の処理にあたって、採用されるプロセスによって
は、固結防止剤が親水性である方が操作がより容易であ
る。すなわち水溶性無機塩は水に容易に溶解するため水
洗により容易に除去され、水に溶解した場合に水面に浮
上せず酸による中和が容易であること、中和時に発泡し
た泡が消失し易いこと、固結防止剤自体も水に容易に分
散するので除去し易いこと等の利点が挙げられる。疎水
化処理されたヒュームドシリカが使用された場合には、
水に溶解したときに固結防止剤自体や固結防止剤が付着
した水溶性無機塩が水に浮上し中和作業が不便となる。
また、塩酸等で中和した場合に発泡した泡が消失しづら
く、中和設備内で泡が充満し不都合を生ずる。

【００３９】固結防止剤の含有量としては、炭酸水素ナ
トリウム等の粉砕程度や貯蔵状態により最適量は異なる
が、固結防止剤を含むブラストメディア全体の０．１％
以上１０％未満が好ましい。また、固結防止剤の平均粒
子径はブラストメディアと同等か又はそれより小さいこ
とが好ましく、２０μｍ以下、特に１０μｍ以下が好適
である。

【００４０】ブラストメディアによりブラストする方法
としては、ドライブラスト法、ウェットブラスト法、ウ
オータージェットブラスト法等がある。噴射媒体として
気体を使用するドライブラスト法は、水分を嫌う被処理
物を施工する場合やブラストメディアを循環しながら使
用する場合は好ましい。ドライブラスト法に用いる噴射
媒体は特に限定されるものではないが、汎用的な空気、
窒素などを使用することが好ましい。また、ドライブラ
スト法又はウェットブラスト法における噴射媒体の噴射
圧力としては、本来圧力を上げた方がスミア処理速度が
早くなり加工時間も短くなるが、過度に上げ過ぎると摩
擦熱の発生や衝撃力により基板への損傷が生じやすいの
で、噴射圧力としては０．０５〜０．５ＭＰａが好まし
い。

【００４１】また、ウオータージェットブラスト法にお
いても本発明のブラストメディアは好適に使用され、本
発明のブラストメディアを用いることにより極めて高い
施工効率が得られる。この場合は、溶媒自身炭酸水素ナ
トリウム等を実質的に溶解しない溶媒を採用したり、水
を使用する場合にはエタノール等のアルコールを混合し
て炭酸水素ナトリウム等の溶解度を落としたり、炭酸水
素ナトリウム等の飽和溶液を使用したりするとブラスト
メディアの溶媒への溶解を防止することができ、ブラス
トの効果を高く維持できる。しかしながら、溶媒が水単
独でも作業時間は延長するが、施工は十分可能である。
また、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３を使用する場合は、不燃
であり取り扱いが容易である。ブラストメディアの洗浄
除去は水洗か酸洗浄が好適に使用される。ウオータージ
ェットブラスト法における噴射圧力は１〜１０ＭＰａが
好ましい。

【００４２】本発明のブラストメディアを用いた多層配
線基板のバイアホール７形成時に生成するスミア処理の
ためのブラスト方法としては、以下のような方法が好ま
しい。すなわち、ブラスト室に搬送された基板１は、ノ
ズルから噴射される本発明のブラストメディアにより、
バイアホール７のスミア９や表出無機繊維を切削するよ
うにして除去される。

【００４３】噴射されたブラストメディアは、除去され
たスミア９や表出無機繊維とともに、吸引ファンにより
ブラスト室から吸気され、サイクロンで分級される。サ
イクロンで捕集される再使用可能なブラストメディアは
回収され、ブラストメディア供給ラインに循環し再利用
される。

【００４４】一方、サイクロンで捕集できなかった、砕
けて再利用できないブラストメディア、除去されたスミ
ア９及び表出無機繊維は、さらにバグフィルター等の集
塵機に捕集され系外に排出される。ブラスト処理された
基板１はエアブローにより表面に付着した異物を除去し
た後、更にシャワー洗浄あるいは超音波洗浄などの方法
によりバイアホール７中に残留する異物を洗浄除去し
て、次のメッキ処理工程へ送られる。

【００４５】以上のように、本発明のブラストメディア
を用いたブラスト方法は、バイアホール７のスミア９や
表出無機繊維の除去にも極めて有効である。また、本発
明のブラストメディアを用いたブラスト方法は、層間絶
縁層５の表面やバイアホール７側壁部の表面を適度に粗
面化することが可能で、めっき処理時に接着強度を高く
することができ、密着性に優れた導電層を形成すること
が可能である。

【００４６】更に、本発明のブラストメディアを用いた
ブラスト方法は、バイアホール７の形成に限らず、例え
ば溝状の形状をなすものやスルーホール（貫通孔）など
複数層の配線パターンを互いに電気的に接続するための
導通部の形成においても有効である。

【００４７】なお、本発明のブラストメディア及びそれ
を用いたブラスト方法の用途としては、上述の多層配線
基板製造時のバイアホール７形成後のスミア処理に限定
されるものではなく、プラズマディスプレイパネル製造
方法における隔壁形成時の隔壁材料層の除去のようなパ
ターン形成作業、及び樹脂封止型半導体装置製造方法に
おける樹脂封止時に生成する樹脂バリの除去作業等、他
の用途においても好適に使用される。更には、銅やアル
ミニウムなどの軟質金属材料表面の目荒らしにも有効に
適用できる。

【００４８】図２に、プラズマディスプレイパネル製造
時における隔壁形成の様子を示す。図２において、ガラ
ス等の絶縁性基板１１上に蒸着法によりアドレス電極１
３を形成する。そして、更にその上に誘電体層１５、及
び隔壁材料層１７を形成し、更に隔壁材料層１７上部に
マスク１９を配設する。

【００４９】その後、本発明のブラストメディアを用い
てブラスト処理すれば、図３に示すように、極めて効率
良くマスキング処理を施した箇所以外の隔壁材料層１７
を除去し、隔壁２１を生成させることが可能である。

【００５０】また、樹脂封止型半導体装置製造方法にお
ける樹脂封止時に生成する樹脂バリの除去作業について
も、同様に本発明のブラストメディアが適用可能であ
る。例えば、リードフレームに取り付けた半導体チップ
を保護するために、半導体チップはモールド樹脂でパッ
ケージされている。

【００５１】そして、このモールド樹脂パッケージは、
半導体チップを取り付けたリードフレームを金型の所定
の形状に形成されたキャビティ内に配置し、モールド樹
脂を注入して半導体チップを樹脂内に埋設して形成され
る。

【００５２】この際、モールド樹脂が透明のエポキシ樹
脂等であると、エポキシ樹脂にはフィラーが混合されて
いないので、モールド金型を構成する固定金型と可動金
型とのパーティング部の隙間にエポキシ樹脂が侵入し
て、モールド樹脂パッケージの周囲に樹脂バリが形成さ
れる。

【００５３】この樹脂バリは、モールド成型以降の製造
工程に種々の悪影響を及ぼすので除去することが必要で
あるが、本発明のブラストメディアを用いてブラスト処
理すれば、樹脂バリを極めて効率良くかつ完全に除去す
ることが可能である。

【００５４】また、アルミニウムやマグネシウム等を素
材とする金属の研磨やバリ取りにおいては、アルミニウ
ムやマグネシウム等の粉体が可燃性であるが、炭酸水素
ナトリウム等自体には、消火性があるので、他のメディ
ア材料と比較して、これをブラストメディアとして使用
することは安全性の面でより好ましい。特に、マグネシ
ウム材料のブラストの場合は、ウォータージェットブラ
スト法によるブラストがマグネシウム金属粉末の発火を
防止するために特に好ましい。

【００５５】

【実施例】多層配線基板の製造時のスミア処理につい
て、以下に各実施例を説明する。本実施例の例１、３で
は、ブラストメディアとして炭酸水素ナトリウムを例示
したが、炭酸水素カリウムでも同様に実施できる。（例１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主成分とす
る層間絶縁組成物を、１００メッシュ／インチのポリエ
ステル製スクリーンを用いて、予め銅配線パターンが形
成された、厚さ１ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂積層基
板１上に、乾燥後の膜厚が５０μｍとなるようにスクリ
ーン印刷して塗膜を形成した。

【００５６】この塗膜を１５０℃で４０分間加熱硬化さ
せ、層間絶縁層５を形成した。そして、この層間絶縁層
５に短パルス炭酸ガスレーザー光を用いて、孔径７０μ
ｍのバイアホール７を配設した。

【００５７】次に、粒径９５μｍの炭酸水素ナトリウム
を乾式粉砕したものを９８％、固結防止剤として親水性
のヒュームドシリカ（( 株) トクヤマ製、レオロシール
ＱＳ−１０２）を２．０％を含有する粉末（平均粒子径
８．０μｍで、かつ最大粒子径２０μｍ）をブラストメ
ディアとして、空気を噴射媒体としてブラスト圧０．３
ＭＰａでバイアホール７に対し２０秒間ブラスト処理を
実施した。その後、バイアホール７を純水にて水洗し乾
燥した。

【００５８】処理後バイアホール７を観察したところ、
ホール周辺部、及びホール内のスミア９はきれいに取り
除かれ、極めて良好な結果が得られた。また、ブラスト
メディアの残留も認められなかった。周辺に付着したブ
ラストメディアも水洗により、除去できていた。さらに
施工後のブラストメディアは洗浄水に溶解しており、Ｐ
Ｈも９未満であったために、研磨屑をろ過で分離除去し
た後に排水できた。

【００５９】（例２）ブラストメディアとして平均粒子
径８．２μｍで、かつ最大粒子径２０μｍの炭化ケイ素
を使用し、空気を噴射媒体としてブラスト圧０．３ＭＰ
ａで２０秒間ブラスト処理を行なったこと以外は、例１
と全く同様に処理を行った。

【００６０】そして、バイアホール７を観察したとこ
ろ、ホール周辺部、及びホール内のスミア９はきれいに
取り除かれ、極めて良好な結果が得られた。しかしなが
ら、バイアホール７の一部に、ブラストメディアである
炭化ケイ素粒子の残留物の付着が認められた。

【００６１】（例３）予め銅配線パターンが形成され
た、厚さ１ｍｍのガラス繊維−エポキシ樹脂積層板上
に、加圧／加熱硬化後の厚さが１．２ｍｍとなるように
ガラス繊維／エポキシ樹脂プリプレグを真空圧着した。
次いで、０．５ＭＰａの圧力を加えながら２００℃で３
０分間、加圧／加熱硬化した。

【００６２】これに短パルス炭酸ガスレーザー光を用い
て、孔径１００μｍのバイアホール７を配設した。この
とき、エポキシ樹脂部分は取り除かれていたが、ガラス
繊維がバイアホール７内に表出していた。

【００６３】次いで、例１と同じブラストメディアを使
用し、空気を噴射媒体としてブラスト圧０．３ＭＰａで
４０秒間ブラスト処理を実施した。処理後、バイアホー
ル７を点検したところ、エポキシ樹脂スミアと表出ガラ
ス繊維は取り除かれ、バイアホール７の形状は極めて良
好であった。

【００６４】（例４（比較例））例３において、孔径１
００μｍのバイアホール７を配設した後、重クロム酸／
硫酸／フッ化ナトリウム混液を用いてバイアホール７を
処理し、エポキシ樹脂スミアと表出ガラス繊維の除去作
業を実施した。このとき、スミア９は除去できたが、表
出ガラス繊維を完全に除去することは不可能であった。

【００６５】（例５（比較例））ブラストメディアとし
て、平均粒子径９５μｍで、かつ最大粒子径２５０μｍ
の炭酸水素ナトリウムを使用し、空気を噴射媒体として
ブラスト圧０．３ＭＰａで３０秒間ブラスト処理を行な
ったこと以外は、例３と全く同様にバイアホール７の処
理を行った。

【００６６】そして、バイアホール７を観察したとこ
ろ、ホール周辺部、及びホール内のエポキシ樹脂スミア
及び表出ガラス繊維の残留が認められ、ブラスト処理効
果としては不十分であった。

【００６７】（例６）例１において、ヒュームドシリカ
を疎水性のもの（（株）トクヤマ製、レオロシールＭＴ
−１０）とした以外は同様にしてブラスト処理を実施し
た。

【００６８】仕上がりは、例１と同様に良好であった。
一方、洗浄水に溶解された施工後のブラストメディア
は、一部水に浮上していたため、研磨屑と一緒にろ過で
分離除去した後に排水した。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように本発明のブラストメ
ディアによれば、微細加工分野において、作業効率に優
れ、かつ被処理対象物に残留した場合でも容易に除去す
ることが可能である。

【００７０】また、ブラストメディアに炭酸水素ナトリ
ウム等を用いた場合は、ブラスト処理に適し、過度に基
板等に損傷を与える可能性が小さい。

【図面の簡単な説明】

【図１】レーザー光を用いて、層間絶縁層にバイアホ
ールを形成した多層配線基板の様子を示す図

【図２】プラズマディスプレイパネル製造時における
隔壁形成の様子を示す図

【図３】マスキング処理を施した箇所以外の隔壁材料
層を除去し、隔壁が生成されたときの様子を示す図

【符号の説明】

１基板３配線パターン５層間絶縁層７バイアホール９スミア１１絶縁性基板１３アドレス電極１５誘電体層１７隔壁材料層１９マスク２１隔壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０ＺＨ０５Ｋ 3/26 Ｈ０５Ｋ 3/26 ＢＥ (72)発明者吉田誠福岡県北九州市戸畑区牧山５丁目１番１号旭硝子株式会社内Ｆターム(参考） 5E343 CC32 CC46 CC50 EE01 EE13 FF23 GG13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平均粒子径が２０μｍ以下で、かつ粒子
径５０μｍ以上の粒子の含有量が５質量％以下であり、
水溶性無機塩を９０質量％以上含むことを特徴とするブ
ラストメディア。
【請求項２】前記無機塩は炭酸水素ナトリウム及び／
又は炭酸水素カリウムである請求項１記載のブラストメ
ディア。
【請求項３】平均粒子径が２０μｍ以下の固結防止剤
が含有される請求項１又は２記載のブラストメディア。
【請求項４】前記固結防止剤がシリカである請求項３
記載のブラストメディア。
【請求項５】前記固結防止剤が親水性シリカである請
求項３記載のブラストメディア。
【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載のブ
ラストメディアを、流体を噴射媒体として被処理対象物
に対し吹き付けるブラスト方法。