JPS5937055A - 研摩材 - Google Patents
研摩材Info
- Publication number
- JPS5937055A JPS5937055A JP57144455A JP14445582A JPS5937055A JP S5937055 A JPS5937055 A JP S5937055A JP 57144455 A JP57144455 A JP 57144455A JP 14445582 A JP14445582 A JP 14445582A JP S5937055 A JPS5937055 A JP S5937055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- abrasive material
- surfactant
- cracks
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C11/00—Selection of abrasive materials or additives for abrasive blasts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野］
本発明は研摩材に関し、特に合成樹脂のパリ除去に適し
た研摩材に係る。
た研摩材に係る。
例えば、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置の製造工程にお
いて、半導体素子がマウントされたリードフレーム合成
形用金型内に収納した後、該金型内にエポキシ樹脂を注
入して第１図に示す如くリードフレーム１上の半導体素
子（図示せず）が樹脂層２で封止された半導体モールド
成形品旦を成形している。しかしながら、かがるモール
ド成形時においては樹脂層２イ」近のリードフレーム１
上及びリードフレーム１のリード間に樹脂パリ４・・・
が発生するため、成形後の後加工として樹脂パリ４・・
の除去工程を必要とする。
いて、半導体素子がマウントされたリードフレーム合成
形用金型内に収納した後、該金型内にエポキシ樹脂を注
入して第１図に示す如くリードフレーム１上の半導体素
子（図示せず）が樹脂層２で封止された半導体モールド
成形品旦を成形している。しかしながら、かがるモール
ド成形時においては樹脂層２イ」近のリードフレーム１
上及びリードフレーム１のリード間に樹脂パリ４・・・
が発生するため、成形後の後加工として樹脂パリ４・・
の除去工程を必要とする。
このようなことから、従来にお−てはアルミナ、炭化珪
素、ガラスピーズ等の硬質研摩制、又はクルミ殻等の軟
質研摩材を前ｉｃリ一トフレ−ム！の樹脂パリ４・・・
に高速噴射し、該樹脂パリ４・・・を破壊して除去して
いる。
素、ガラスピーズ等の硬質研摩制、又はクルミ殻等の軟
質研摩材を前ｉｃリ一トフレ−ム！の樹脂パリ４・・・
に高速噴射し、該樹脂パリ４・・・を破壊して除去して
いる。
しかしながら、硬質研摩材を用いた場合、その硬度はＨ
ＲＣ７０以上であるのに対しエフ１？キシ樹脂の硬度は
ＨＲＭ１００前後でちゃ、研摩材の方がエポキシ樹脂に
比べてはるかに硬く、かつ比重も４倍以上と大きいため
、樹脂パリ４・・・の除去に際し・、モールド成形品ｌ
の表面に傷を付けて外観を損ねると共に、モールド成形
品ｌの境部から水分が浸透し、半導体素子のイｇ頼性に
ｊ！影響を及ぼすという問題があった。
ＲＣ７０以上であるのに対しエフ１？キシ樹脂の硬度は
ＨＲＭ１００前後でちゃ、研摩材の方がエポキシ樹脂に
比べてはるかに硬く、かつ比重も４倍以上と大きいため
、樹脂パリ４・・・の除去に際し・、モールド成形品ｌ
の表面に傷を付けて外観を損ねると共に、モールド成形
品ｌの境部から水分が浸透し、半導体素子のイｇ頼性に
ｊ！影響を及ぼすという問題があった。
他方、軟質研摩材を用いた場合、研摩力が弱いため、硬
質研摩材を用いる場合よりも篩土で加圧噴射する必要が
ある。その結果、リードフレーム１の曲げを生じる恐れ
があるばかりか、ランニングコストの高騰化を招く欠点
がめった。
質研摩材を用いる場合よりも篩土で加圧噴射する必要が
ある。その結果、リードフレーム１の曲げを生じる恐れ
があるばかりか、ランニングコストの高騰化を招く欠点
がめった。
壕だ軟質研摩拐を用いた場合、該研摩材と七−ルド成形
品ユとが接触することにより静電気が発生し、この静電
気により研摩拐の破砕粉がモールド成形品３表面に強固
に付着するため 後工程での半田コートやめっきにおい
て外観不良ヲ招いたり、リードフレーム１の腐蝕の発生
原因となる。
品ユとが接触することにより静電気が発生し、この静電
気により研摩拐の破砕粉がモールド成形品３表面に強固
に付着するため 後工程での半田コートやめっきにおい
て外観不良ヲ招いたり、リードフレーム１の腐蝕の発生
原因となる。
本発明は半導体モールド及びその他成形品の成形時に発
生した樹脂パリ等の除去に際して該成形品の損傷を招く
ことなく、かつ静電気を発生させることなく能率よく樹
脂パリ等を除去し得る研摩月を提供しようとするもので
ある。
生した樹脂パリ等の除去に際して該成形品の損傷を招く
ことなく、かつ静電気を発生させることなく能率よく樹
脂パリ等を除去し得る研摩月を提供しようとするもので
ある。
本発明の研摩材は合成樹脂粒状物ＶＣ界而面性剤を保持
してなるものである。
してなるものである。
上記合成樹脂粒状物は樹脂パリ等に例えば加圧１負射さ
ぜることによシ該樹脂パリ等にクラックを発生させ、更
にそのクラックを助長させてパリを除去する役目をする
、かがる合成樹脂としてｔよ、例えば尿素樹脂、メラミ
ン樹脂、不調第１１ポリエステル（σＪ脂、アルキッド
樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、又はポリアミ
ド、ポリカーボネート、ポリスチレンなどの熱ｏＪ塑性
樹脂等を用いることができる。特、合成樹脂粒状物を熱
硬化性樹脂で形成すると、例えばポリアミド樹脂などの
熱可塑性樹脂に比べて硬質で多角体状粒子に作ることが
容易となるため、樹脂パリ除去に適している。なお、半
導体モールド成形品の樹脂パリ除去に用いる場合には、
封止する樹脂の硬度に等しいか又は近いもの、例えばエ
ポキシ樹脂を用いる場合、Ｈ，Ｍ８０〜１２０の硬度を
有する不調、ｆｌｌ ｓ’＜ ＩＪエステル樹脂やアル
キッド樹脂が最適である。こうした合成樹脂粒状物の粒
径は研摩材の用途により自由に選定し得るが、例えばモ
ールド成形品の樹脂パリ除去に用いる場合には平均粒径
（１つの粒子の最大径と最小径の和の’Ａ）で０．０５
〜１．０胡の範囲内においてピークをもつものが望まし
い。また、該粒状物の形状は球状、多角体状粒子意であ
る。
ぜることによシ該樹脂パリ等にクラックを発生させ、更
にそのクラックを助長させてパリを除去する役目をする
、かがる合成樹脂としてｔよ、例えば尿素樹脂、メラミ
ン樹脂、不調第１１ポリエステル（σＪ脂、アルキッド
樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、又はポリアミ
ド、ポリカーボネート、ポリスチレンなどの熱ｏＪ塑性
樹脂等を用いることができる。特、合成樹脂粒状物を熱
硬化性樹脂で形成すると、例えばポリアミド樹脂などの
熱可塑性樹脂に比べて硬質で多角体状粒子に作ることが
容易となるため、樹脂パリ除去に適している。なお、半
導体モールド成形品の樹脂パリ除去に用いる場合には、
封止する樹脂の硬度に等しいか又は近いもの、例えばエ
ポキシ樹脂を用いる場合、Ｈ，Ｍ８０〜１２０の硬度を
有する不調、ｆｌｌ ｓ’＜ ＩＪエステル樹脂やアル
キッド樹脂が最適である。こうした合成樹脂粒状物の粒
径は研摩材の用途により自由に選定し得るが、例えばモ
ールド成形品の樹脂パリ除去に用いる場合には平均粒径
（１つの粒子の最大径と最小径の和の’Ａ）で０．０５
〜１．０胡の範囲内においてピークをもつものが望まし
い。また、該粒状物の形状は球状、多角体状粒子意であ
る。
上記界面活性剤は合成樹脂粒状物の衝突ｅこ上り樹脂パ
リ等にクラックを発生させた場合、水がそのクランクを
通して樹脂パリとリードフレーム等との間隙に浸入し易
くすると共に、合成樹脂粒状物の衝突により発生した被
処理製品の帯電を防止させる役目をする。かかる界面活
性剤はカチオン系、アニオン系、非イオン系、両性を問
わず全でのものが使用できる。但し、半導体モールド成
形品の樹脂パリ除去に用いる場合には、半導体素子に悪
影響を及ばず金属イオンやハロケ゛ンイオン等を生じな
い非イオン界面活性剤を使用することが望−ましい。非
イオン界面活性剤としては、パイすオキシェチレンアル
ギルエーテルＡＬ＆ＩＪオキシエチレンアルキルエステ
ル類、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル
類、ソルビタンアルキルエステル類、ｙＪ？ ＩＪ ｎ
キシエチレンソルビタンアルキルエステル類等を挙げる
ことができる。こうした界面活性剤の合成樹脂粒状物へ
の伺着割合は、用途や界１…枯性剤の種類によって−ａ
１ｔ、に限定できないが、通常０００１〜１重司０％の
範囲で伺着させれはよい。
リ等にクラックを発生させた場合、水がそのクランクを
通して樹脂パリとリードフレーム等との間隙に浸入し易
くすると共に、合成樹脂粒状物の衝突により発生した被
処理製品の帯電を防止させる役目をする。かかる界面活
性剤はカチオン系、アニオン系、非イオン系、両性を問
わず全でのものが使用できる。但し、半導体モールド成
形品の樹脂パリ除去に用いる場合には、半導体素子に悪
影響を及ばず金属イオンやハロケ゛ンイオン等を生じな
い非イオン界面活性剤を使用することが望−ましい。非
イオン界面活性剤としては、パイすオキシェチレンアル
ギルエーテルＡＬ＆ＩＪオキシエチレンアルキルエステ
ル類、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル
類、ソルビタンアルキルエステル類、ｙＪ？ ＩＪ ｎ
キシエチレンソルビタンアルキルエステル類等を挙げる
ことができる。こうした界面活性剤の合成樹脂粒状物へ
の伺着割合は、用途や界１…枯性剤の種類によって−ａ
１ｔ、に限定できないが、通常０００１〜１重司０％の
範囲で伺着させれはよい。
本発明における研摩拐は自戒樹脂粒状物に界面活性剤を
保持せしめたものであるが、具体的には以下に示す２種
類のものがある。
保持せしめたものであるが、具体的には以下に示す２種
類のものがある。
■ 界面活性剤が合成樹脂粒状物の表面の一部のみなら
ず内部にも分散して混在している＜ｔＩ＋摩材。
ず内部にも分散して混在している＜ｔＩ＋摩材。
■ 界面活性剤が合成樹脂粒状物の表面の一部又は全体
に付着している研摩祠。
に付着している研摩祠。
次に、本発明の詳細な説明する。
まず〜ッ不調第１］ポリエステル樹脂液に２１ンリオキ
７エチレンノニルエーテル（非イオン界面活性剤）を添
加し、攪拌して均一に混合した後、硬化剤を加えて不飽
和ポリニスデル硬化物を生成した。つづいて、この硬化
物をクラッシャ、／・ンマー等により粗粉砕した後、ボ
ールミル、ロールミル又はｒｔｉ撃粉砕粉砕機用いて粗
粒子を微粉砕した。この彼、微粒子を篩により分級して
第２図にボす如く■ｌＲＭ１００で平均粒径が０．３祁
前後の合成樹脂粒状物５０表面及び内部に非イオン界面
活性剤６が０．１ｊｔｋ％付着、混在した多角体状の研
摩材７を得た。
７エチレンノニルエーテル（非イオン界面活性剤）を添
加し、攪拌して均一に混合した後、硬化剤を加えて不飽
和ポリニスデル硬化物を生成した。つづいて、この硬化
物をクラッシャ、／・ンマー等により粗粉砕した後、ボ
ールミル、ロールミル又はｒｔｉ撃粉砕粉砕機用いて粗
粒子を微粉砕した。この彼、微粒子を篩により分級して
第２図にボす如く■ｌＲＭ１００で平均粒径が０．３祁
前後の合成樹脂粒状物５０表面及び内部に非イオン界面
活性剤６が０．１ｊｔｋ％付着、混在した多角体状の研
摩材７を得た。
次に、第３図図示の湿式プラスト装置を用いて前記研摩
材による半導体モールド成形品の樹脂パリ除去を説明す
る。
材による半導体モールド成形品の樹脂パリ除去を説明す
る。
まず、加圧室８内に設瀬したホッパ９内に研摩月７・・
・と水１０とを１：９の比率で収容する。
・と水１０とを１：９の比率で収容する。
つづいて、第１のポンプ１１を作動して研Ｍ月７・・・
を水１０と共に吸い込み、これをホラ／４′９底部へ強
制的に送給することにより攪拌し、研摩桐７・・・を均
一に分散させてスラリーを調整した。この際、研摩材７
・・・表面の非イオン界面活性剤６が水１０に溶解する
。
を水１０と共に吸い込み、これをホラ／４′９底部へ強
制的に送給することにより攪拌し、研摩桐７・・・を均
一に分散させてスラリーを調整した。この際、研摩材７
・・・表面の非イオン界面活性剤６が水１０に溶解する
。
次いで、第２のポンプ１２を作動させて、スラリーを吸
上げてガン１３に導入し、これを空気導入管１４からの
圧縮空気により分散加速して水、研摩拐及び空気の三相
高速噴射流１５として加工室８内に搬送された半導体モ
ールド成形品（図示せず）に向って噴射させる・このよ
うに噴射流がモールド成形品に噴射されると、第４図に
示す如く研摩材２が七−ルド成形品りのリードフレーム
１上及びリードフレームノのリード間に付着した樹脂パ
リ４に衝突する。樹脂パリ４は熱硬化性のエポキシ樹脂
からなり、脆く破壊され易いため、研摩制７による衝撃
力及び該衝撃力に伴なう振動により樹脂・ぐり４にクラ
ック１６が発生する。しかるに三相高速噴射流１５には
非イオン界面活性剤により表面張力が低下され、かつ浸
透性が向−ヒされた水を含むため、前記樹脂パリ４のク
ラック１６に水が容易に浸入する。浸入した水はり、−
ドフレーム１と樹脂パリ４の界面に入り、樹脂・々す４
をリードフレーム１に対して浮かすように作用するだめ
、樹脂パ１Ｊ４ｆｌ−１：容易に剥離する。更に、研摩
栃７が樹脂パリ４のクラック１６・・・に細度も衝突す
るため、前記浸入した水による樹脂ｉＺ ＩＪ４の浮上
げ作用と相俟って樹脂／ぐり４が完全に除去される。
上げてガン１３に導入し、これを空気導入管１４からの
圧縮空気により分散加速して水、研摩拐及び空気の三相
高速噴射流１５として加工室８内に搬送された半導体モ
ールド成形品（図示せず）に向って噴射させる・このよ
うに噴射流がモールド成形品に噴射されると、第４図に
示す如く研摩材２が七−ルド成形品りのリードフレーム
１上及びリードフレームノのリード間に付着した樹脂パ
リ４に衝突する。樹脂パリ４は熱硬化性のエポキシ樹脂
からなり、脆く破壊され易いため、研摩制７による衝撃
力及び該衝撃力に伴なう振動により樹脂・ぐり４にクラ
ック１６が発生する。しかるに三相高速噴射流１５には
非イオン界面活性剤により表面張力が低下され、かつ浸
透性が向−ヒされた水を含むため、前記樹脂パリ４のク
ラック１６に水が容易に浸入する。浸入した水はり、−
ドフレーム１と樹脂パリ４の界面に入り、樹脂・々す４
をリードフレーム１に対して浮かすように作用するだめ
、樹脂パ１Ｊ４ｆｌ−１：容易に剥離する。更に、研摩
栃７が樹脂パリ４のクラック１６・・・に細度も衝突す
るため、前記浸入した水による樹脂ｉＺ ＩＪ４の浮上
げ作用と相俟って樹脂／ぐり４が完全に除去される。
事実、界面活性剤を含む本実施例の研摩月７と、界面活
性剤を含まない四桐脂製の研摩拐とを用いて、噴射圧力
、噴射流量、１饗射時間が同一の条件で樹脂パリが付着
した１００個の試験片についてパリ取シを行ない、何個
完全にパリ取りされたかを調べた。その結果、界１１１
活性剤を含まない研摩材は、１００個のうち２０〜３０
個の試験片については樹脂パリが残存していたが、本実
施例の研摩材７の場合は１００個の試験片全部について
完全に樹脂パリが除去された。
性剤を含まない四桐脂製の研摩拐とを用いて、噴射圧力
、噴射流量、１饗射時間が同一の条件で樹脂パリが付着
した１００個の試験片についてパリ取シを行ない、何個
完全にパリ取りされたかを調べた。その結果、界１１１
活性剤を含まない研摩材は、１００個のうち２０〜３０
個の試験片については樹脂パリが残存していたが、本実
施例の研摩材７の場合は１００個の試験片全部について
完全に樹脂パリが除去された。
換首すれば、従来の研摩月及び本実施例の研摩材を用い
て１００個の試験片全部について完全に樹脂パリが除去
する壕での処理時間を比較すると、本実施例の研摩材７
の方が２０％処理時間を短縮できる。しだがって、三相
高速噴射流１５の噴出圧力をことさら高くしなくとも、
樹脂パリ４を完全に除去できるため、噴射流１５による
リードフレームの曲りを防止できる。
て１００個の試験片全部について完全に樹脂パリが除去
する壕での処理時間を比較すると、本実施例の研摩材７
の方が２０％処理時間を短縮できる。しだがって、三相
高速噴射流１５の噴出圧力をことさら高くしなくとも、
樹脂パリ４を完全に除去できるため、噴射流１５による
リードフレームの曲りを防止できる。
また、三相高速噴射流１５には研摩利７から溶出【−た
界面活性剤が含まれているため、該噴射流１５の半導体
モールド成形品ｌへの衝突による帯電を防止できると共
に界面活性剤による洗浄作用が働く。このため、パリや
研摩屑が半導体モールド成形品旦及びパリ取りＶ（用い
る治具に付着しにくくなシ、後工程での洗浄処理により
容易にパリや研摩屑を除去できる。その結果、半田コー
トやメッキ後の外観不良や使用中の腐蝕発生を防止でき
る。
界面活性剤が含まれているため、該噴射流１５の半導体
モールド成形品ｌへの衝突による帯電を防止できると共
に界面活性剤による洗浄作用が働く。このため、パリや
研摩屑が半導体モールド成形品旦及びパリ取りＶ（用い
る治具に付着しにくくなシ、後工程での洗浄処理により
容易にパリや研摩屑を除去できる。その結果、半田コー
トやメッキ後の外観不良や使用中の腐蝕発生を防止でき
る。
更に、本実施例の研摩材７は樹脂粒状物５の表面及び内
部に界面活性剤６が付着、混在しているだめ、研摩材７
を水１０と共にスラリー状態で長期間使用しても界面活
性剤が水に対して徐々に溶解して所定の界面活性剤濃度
に維持でき、界面活性剤の補給が不要となる。その結果
パリ取り性能を常時、安定的に保持できる。
部に界面活性剤６が付着、混在しているだめ、研摩材７
を水１０と共にスラリー状態で長期間使用しても界面活
性剤が水に対して徐々に溶解して所定の界面活性剤濃度
に維持でき、界面活性剤の補給が不要となる。その結果
パリ取り性能を常時、安定的に保持できる。
更に、樹脂粒状物に付着、混在させる界面活性剤として
塩素、硫黄、金属等を含まない非イオン界面活性剤を用
いれば半導体モールド成形品３の半導体素子の信頼性低
下を回避できる。
塩素、硫黄、金属等を含まない非イオン界面活性剤を用
いれば半導体モールド成形品３の半導体素子の信頼性低
下を回避できる。
なお、本発明の研摩材は上記実施例のものに限らず、第
５図に示す如く合成樹脂粒状物５表面全体に界面活性剤
１７を付着させた研摩材７′を用いてもよい。このした
研摩材７′は例えは０．３能前後の平均粒径の合成樹脂
粒状物５を界面活性剤溶液中にディッピング−１−るが
、或いは同粒状物５に界面活性剤溶液をスル−するがし
た後、乾燥することにより製造し得る。かがる第５図図
示のイｔ１１摩材７′においても、前記実施例と同様、
パリ取り性能の向上や洗浄の容易化等の効果を有する。
５図に示す如く合成樹脂粒状物５表面全体に界面活性剤
１７を付着させた研摩材７′を用いてもよい。このした
研摩材７′は例えは０．３能前後の平均粒径の合成樹脂
粒状物５を界面活性剤溶液中にディッピング−１−るが
、或いは同粒状物５に界面活性剤溶液をスル−するがし
た後、乾燥することにより製造し得る。かがる第５図図
示のイｔ１１摩材７′においても、前記実施例と同様、
パリ取り性能の向上や洗浄の容易化等の効果を有する。
本発明に係る研摩材は上記実施例の如く半導体モールド
成形品の樹脂パリ除去に限定されず、他のモールド成形
品の樹脂パリの除去にも同様に適用できる。
成形品の樹脂パリ除去に限定されず、他のモールド成形
品の樹脂パリの除去にも同様に適用できる。
＼
〔発明の効果〕
以上詳述した如く、本発明によれは半導体モールド及び
その他成形品の成形時に発生した樹脂パリ等を、該成形
品の損傷を招くことなく、かつ帯電させることなく容易
かつ迅速に除去できると共に、樹脂パリ除去後のモール
ド成形品の洗浄を容易に行なうことができる等顕著な効
果を有する研摩材を提供できる。
その他成形品の成形時に発生した樹脂パリ等を、該成形
品の損傷を招くことなく、かつ帯電させることなく容易
かつ迅速に除去できると共に、樹脂パリ除去後のモール
ド成形品の洗浄を容易に行なうことができる等顕著な効
果を有する研摩材を提供できる。
４、図面の簡＃￥ＬなＰ、明
第１図は半導体モールド成形品をボす平面図、ｉ’！’
！：２図は本発明の一実施例を示す研摩材の断面図、第
３図は第２図の研摩材によるブラスト処理に用いられる
湿式ブラスト装置の一形態を示す説明図、第４図は研摩
材による樹脂パリ除去を示す説明図、第５図は本発明の
他の実施例を示す研摩材の断面図である。
！：２図は本発明の一実施例を示す研摩材の断面図、第
３図は第２図の研摩材によるブラスト処理に用いられる
湿式ブラスト装置の一形態を示す説明図、第４図は研摩
材による樹脂パリ除去を示す説明図、第５図は本発明の
他の実施例を示す研摩材の断面図である。
１・・・リードフレーム、２・・・樹脂層、３・・・半
導体モールド成形品、４・・・樹脂パリ、５・・・合成
樹脂粒状物、６．１７・・・非イオン界面活性剤、７゜
７′・・・研摩材、８・・・加工室、９・・・ホッノ９
．１ｏ・・水、１１．１２・・・ポンプ、１３・・・ガ
ン、１５・・・三相高速噴射流、１６・・・クラック。
導体モールド成形品、４・・・樹脂パリ、５・・・合成
樹脂粒状物、６．１７・・・非イオン界面活性剤、７゜
７′・・・研摩材、８・・・加工室、９・・・ホッノ９
．１ｏ・・水、１１．１２・・・ポンプ、１３・・・ガ
ン、１５・・・三相高速噴射流、１６・・・クラック。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＄１図
牙２図
オ・３図
Ｊ
第４日
第５図
Claims (5)
- （１）合成樹脂粒状物と、この合成樹脂粒状物に保持さ
れた界面活性剤とを具備することを特徴とする研摩材。 - （２）界面活性剤は合成樹脂粒状物の表向の一部のみな
らず内部にも分散して混在していることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の研摩材、 - （３）界面活性剤は合成樹脂粒状物の表面に付着してい
ることを特徴とする特Ｆ’Ｆ請求の範囲第１項記載の研
摩材。 - （４） 界面活性剤は非イオン界面活性剤であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３唄いずれか
記載の研摩材。 - （５）合成樹脂粒状物は熱硬化性樹脂により形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項
いずれか記載の研摩制。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144455A JPS5937055A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 研摩材 |
| US06/522,736 US4548617A (en) | 1982-08-20 | 1983-08-12 | Abrasive and method for manufacturing the same |
| KR1019830003791A KR860001466B1 (ko) | 1982-08-20 | 1983-08-13 | 연마재 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144455A JPS5937055A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 研摩材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5937055A true JPS5937055A (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=15362643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57144455A Pending JPS5937055A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 研摩材 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5937055A (ja) |
| KR (1) | KR860001466B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221975A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | Sekisui Plastics Co Ltd | 研磨用合成樹脂粒子 |
| EP0794559A2 (en) * | 1996-03-05 | 1997-09-10 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
| WO2000045994A1 (fr) * | 1999-02-01 | 2000-08-10 | Bridgestone Corporation | Concassage de billes, et procede et dispositif de production de billes associes |
| EP1465241A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-06 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2426072A (en) * | 1945-07-17 | 1947-08-19 | Du Pont | Blast cleaning |
| US3313067A (en) * | 1964-10-20 | 1967-04-11 | Gen Electric | Process for deflashing articles |
| JPS5721268A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-03 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Resin particles for use in sand blasting process |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP57144455A patent/JPS5937055A/ja active Pending
-
1983
- 1983-08-13 KR KR1019830003791A patent/KR860001466B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2426072A (en) * | 1945-07-17 | 1947-08-19 | Du Pont | Blast cleaning |
| US3313067A (en) * | 1964-10-20 | 1967-04-11 | Gen Electric | Process for deflashing articles |
| JPS5721268A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-03 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Resin particles for use in sand blasting process |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221975A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | Sekisui Plastics Co Ltd | 研磨用合成樹脂粒子 |
| EP0794559A2 (en) * | 1996-03-05 | 1997-09-10 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
| EP0794559A3 (en) * | 1996-03-05 | 1998-03-18 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
| AU709916B2 (en) * | 1996-03-05 | 1999-09-09 | Renesas Electronics Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
| WO2000045994A1 (fr) * | 1999-02-01 | 2000-08-10 | Bridgestone Corporation | Concassage de billes, et procede et dispositif de production de billes associes |
| JP3626098B2 (ja) * | 1999-02-01 | 2005-03-02 | 株式会社ブリヂストン | 研削用ビーズとビーズの製造方法並びに製造装置 |
| EP1465241A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-06 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| EP1465241A3 (en) * | 2003-04-04 | 2006-11-15 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860001466B1 (ko) | 1986-09-26 |
| KR840005830A (ko) | 1984-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR860001465B1 (ko) | 습식 블라스트 가공방법 | |
| JPS6121982B2 (ja) | ||
| US4575396A (en) | Process and blasting media for deflashing articles | |
| JPS5937055A (ja) | 研摩材 | |
| US4666465A (en) | Process for manufacturing fine blasting media for use in wet blasting | |
| JP2004106100A (ja) | 表面清浄処理装置及びその方法 | |
| JP4653962B2 (ja) | アブレシブジェット加工方法及びアブレシブジェット加工装置 | |
| US20020155975A1 (en) | Contaminated surface polishing -washing detergent composition | |
| TWI768329B (zh) | 半導體晶圓之物理乾式表面處理方法及其表面處理用組成物 | |
| US6783433B2 (en) | Polishing-washing method | |
| JPS59124569A (ja) | 乾式ブラスト方法 | |
| CN111823126A (zh) | 一种陶瓷片式元器件倒角工艺 | |
| JPS59124572A (ja) | 研磨材 | |
| JP2001031949A (ja) | 弾性材被覆研磨材 | |
| JP4437286B2 (ja) | 投射材 | |
| JPS62149161A (ja) | 研磨材の除去方法 | |
| JP3830054B2 (ja) | ブラスト加工法 | |
| CN112563144B (zh) | 一种引线框架表面处理工艺 | |
| CN112846948B (zh) | 一种晶圆表面的加工方法 | |
| JPH10309669A (ja) | ブラスト加工用研削材 | |
| JP2001225272A (ja) | 投射材 | |
| JPS62297069A (ja) | 複合材用研磨砥石 | |
| JPH0329549B2 (ja) | ||
| JPS63234537A (ja) | 半導体装置のばり取り方法及びその装置 | |
| JP2003159652A (ja) | ブラスト加工用研磨材 |