JPS59124572A - 研磨材 - Google Patents

研磨材

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JPS59124572A
JPS59124572A JP22923082A JP22923082A JPS59124572A JP S59124572 A JPS59124572 A JP S59124572A JP 22923082 A JP22923082 A JP 22923082A JP 22923082 A JP22923082 A JP 22923082A JP S59124572 A JPS59124572 A JP S59124572A
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abrasive
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synthetic resin
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Takashi Miyatani
孝 宮谷
Junji Nakada
順二 中田
Kisuke Seki
關 喜介
Satonaka Kageyama
蔭山 学央
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Toshiba Corp
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Toshiba Corp
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/08Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for polishing surfaces, e.g. smoothing a surface by making use of liquid-borne abrasives
    • B24C1/083Deburring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C11/00Selection of abrasive materials or additives for abrasive blasts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
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    • C09K3/1409Abrasive particles per se

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は合成樹脂製の研磨材に関し、特に噴射加工中に
おいて鋭いエツジ゛の新生作用(以下、自主発刃作用)
を有する研磨材に係る。
〔発明の技術的背景〕
軟質金属の表面処理や電子機器部品のパリ除去を行なう
には、研磨材全圧縮空気で加速し、被加工物である軟質
金属や電子機器部品に価突させて噴射加工する方法が採
用されている。かカ・る研磨材としては、従来、くるみ
穀粉、あんず穀粉が用いられている。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、植物性であるくるみ穀粉、あんず穀粉は
乾燥状態での弾性力が犬きく、粘り気があるため、これ
らを研耶材として用いて被加工物の噴射加工を行なうと
、該研磨材のエツジだけが丸くなって短時間で研磨力が
低下するという欠点があった。したがって、かかる研磨
材をたとえば半導体モールド成形品の樹脂パリの除去に
適用すると、該成形品のリードフレーム上お上び間隔の
せまいリード間に存在する樹脂パリを十分除去できない
0 〔発明の目的〕 本発明は被加工物への噴射加工に際して良好な研磨力を
長期間に亘って発揮し得かつ微細部分の加工に適する研
磨材を提供しようとするものである。
〔発明の概要〕
本発明の研磨材は多数のエツジを有する合成樹脂粒体か
らなるものである〇 上記粒体ば多数のエツジを有すると共に、圧縮空気によ
る噴射加工時の被加工物への衝突により割れて新しいエ
ツジが形成されるようにすることから、該粒体は硬度お
よび延性が適度に制限された合成樹脂から形成すること
が望ましい0かかる合成樹脂としては、例えばエポキシ
樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂の
ほかアクリル樹脂等比較的硬質の熱硬化性樹脂を挙げる
ことができる。
上記合成樹脂粒体は扁平状1粒状、針状等いずれでもよ
いが、特に扁平状、針状の合成樹脂粒体は衝撃時に割れ
て新しいエツジを形成する、いわゆる自生売方作用が高
いため、粒状の合成樹脂粒体に該扁平状あるいは針状の
合成樹脂粒体を適量混合して研磨材全構成することが望
ましい。
上記合成樹脂粒体の大きさは研磨材の用途により自由に
選定し得るが、例えばモールド成形品の樹脂パリ除去に
用いる場合には平均径(1つの粒体の最大径と最小径の
和のy2)で0.05〜?、OBの範囲内においてピー
クを持つ分布のものが望ましい。
上述した本発明の研磨材を製造するには、例えば、塊状
の合成樹脂素材を各種の粉砕機、例えば咀砕機、旋動破
砕機、ロール粉砕機2円盤粉砕機、コーンs砕a、ハン
マーミル、エツジランナー、遠心ミル、ボールミル又は
チューブミル等で粉砕する方法が採用し得る。
しかして、本発明の研磨材は多数のエツジを有する合成
樹脂粒体からなるため、これを圧縮空気で加速し、被加
工物に衝突させて噴射加工した場合、該粒体の多数のエ
ツジによる局所的な衝突力によって被加工物の研削或い
はパリ取り除去を効果的に行なうことができる。しかも
、この衝突により、割れて新しいエツジを生じる、ため
、長期間の使用においても被加工物の研削或いはパリ取
り除去性能を維持できる。
なお、上記合成樹脂粒体に界面活性剤を保持せしめて研
磨材を構成すれば、この研磨材を用いて被加工物を特に
乾式プラスト処理した場合、被加工物への帯電発生を阻
止でき、プラスト処理後の被加工物の洗浄処理を簡便に
できる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
本実施例の研磨材は、第1図(、)に示すような多数の
エツジト・・を有する扁平状の例えば不飽和ポリエステ
ル樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アクリル樹脂等の合
成樹脂粒体からなる研磨材2及び第2図に示すような多
数のエツジト・・を有する研磨材2と同質の合成樹脂か
らなる粒状の研磨月2′及び研磨材2,2′と同質の合
成樹脂からなる第3図図示のi状の研磨材2“の混合物
である。上記各研磨材2.2’、2“の平均径は、9.
38前後のピークを有する0、05〜2. OII!j
Hの範囲内のものである0そして、これう各研磨材2*
2’t2”の混合割合は、それぞれ0.1%から100
チ未満であるQ上記研磨材2.2’、2“を得るには、
塊状の合成樹脂素材をクラッシャ、・・ンマー等により
粗粉砕した後、各種の粉砕機たとえ−ば咀砕機。
旋動破砕機1円盤粉砕機、コーン粉砕機、ノ・ンマーミ
ル、エツジランナー遠心ミル、チューブミル、ボールミ
ル、ロールミル又は衝撃粉砕機等を用いて微粉砕するこ
とにより得られる0このようにして得られたものは、上
記研磨材2゜2′、2“が混在した状態であるが、その
混合割合が所望値と異なる場合は、あらかじめそれぞれ
の研磨材2.2’、2”k単独で作って、これら全所望
値になるように混合する0すなわち、扁平状の研磨材2
は、例えば厚さi、 On以下の板状の合成樹脂素材を
破砕処理することに得られる0また、粒状の研磨材2′
は、例えば厚さ数10T1以下の厚板状又は棒状の合成
樹脂素材を破砕処理したのち風篩にかけることにより得
られる。さらに、針状の研磨材2“は、直径が0.IB
前後の糸状の合成樹脂素材を一対のローラにエリ挟圧し
たのち風篩にかけることにより得られる。
次に、前記研磨材による第4図図示の半導体モールド成
形品の樹脂パリ除去全第5図図示の湿式プラスト装置を
用いて説明する。
予め、半導体素子がマウントされたり−ドフレールを成
形金整向に収納した後、該金型内にエポキシ樹脂を注入
して第4図に示す如くリードフレーム3上の半導体素子
(図示せず)が樹脂層4で封止された半導体モールド成
形品玉を成形した。この成形品玉にはモールド成形時に
おいて樹脂層4付近のリードフレーム3よ及びリードフ
レーム3のリード間に樹脂パリ6・・・が発生した。
次いで、第5図に示す加圧室7内に設置したホッパ8内
に前記研磨、材2・・・、2′・・・、2“・・・と水
、9とを1:3の比率で収容した。つづいて、第1のポ
ンプlOf作動して研磨材2・・・を水9と共に吸い込
み、これをホッパ8底部へ強制的に送給することにより
攪拌し、研磨材2・・・。
2′・・・、2“・・・を均一に分散させてスラリーを
調製した。
次いで、第2のポンプ11を作動させて、スラリーを吸
上げてガン12に導入し、これを空気導入管13からの
圧縮空気により分散加速して水、研磨材及び空気の三相
高速噴射流I4として加工室7内に搬送された前述の半
導体モールド成形品(図示せず)に向って噴射させた。
このように噴射流がモールド成形品に噴射されると、第
6図に示す如く多数のエッジト・・を有する研磨材2が
モールド成形品玉のリードフレーム3よ及びリードフレ
ーム3のリード間に付着した樹脂バリ6に働きする。樹
脂バリ6は熱硬化性のエポキシ樹脂からなり、脆く破壊
され易いため、研磨材2,2′ 、2″のエツジ1によ
る集中的(局所的)な@撃力及び該衝撃力に伴なう振動
にエリ樹脂パリ6にり2ツク15が発生する。しかも、
樹脂バリ6に発生したクラック15に水が浸入してリー
ドフレーム3と樹脂バリ6の界面に入り、樹脂バリ6を
リードフレーム3に対して浮かすように作用する。更に
、多数のエッジト・・を有する研磨材2.2’、2“が
樹脂バリ6のクラック15に何度も衝突するため、前記
浸入した水による樹脂バリ6の浮上げ作用と相俟って樹
脂バリ6が完全に除去される0 また、研磨材2.2’、2“は多数のエツジト・・を有
するため、前記半導体モールド成形品玉への衝突にエリ
、研磨材2.2’、2“自体の丸くなったエツジが例え
ば第1図(a)の一点鎖線に沿って割れて脱落し、第1
図(b)に示す如く新しいエツジ1′・・・が生じる0
その結果、長期間の使用においても半導・体モールド成
形品玉の樹脂バリ6の除去性能・を維持できる。また、
本発明の研磨材2.2/ 、2”を用いると、例えば半
導体モールド成形品玉を′噴射加工した場合、扁平状の
研磨材2及び針状の研磨材2“は、半導体モールド成形
品玉のリードフレーム3のリード間隙及び樹脂層4とリ
ードフレーム3との境界近傍の狭隘な微小部分に発生し
ている樹脂バリ6・・・に衝突する確率が粒状の研磨材
2′より高く、その結果、これらの部分に生じている樹
脂バリ6・・・は、生として研磨材2,2“によりパリ
取りされる。また、粒状の研磨材2′は、主としてリー
ドフレーム3上に発生した樹脂バリの除去に寄与する。
したがって、該成形品玉の樹脂バリ6をむらなく、効果
的に除去できると共に、該研磨材2のエツジト・・によ
り成形品玉の微細箇所(例えばリードフレーム3のリー
ド間等)に付着した樹脂バリ6をも除去残りを生じるこ
となく完全に除去できる。
ちなみに、扁平状の研磨材2の割合が30〜10%、粒
状の研磨材2′の割合が50〜80%、針状の研磨材2
“の割合が10〜20%で、それぞれの最大径と最小径
と全算術平均した平均粒径が、0.2〜1.6 M (
ただし、この平均粒径は、パリ取り対象が半導体装置で
あれば、リード間の間隙以下になるように決定する。)
エツジ部分の先端角度が180度以下かつエツジ先端の
丸みが半径0.2 u以下の研磨材を用いて、半導体装
置の樹脂部分のパリ取りを行った場合のパリ取り性を第
7図に示した0このときの試験条件は、連続24時間湿
式プ2スト装置により半導体装置金パリ取り加工した後
、さらに、10.000個パリ取りしたものであって、
これら10.000個の被加工物のうちから任意に10
00個サンプリングした被加工物のうち、完全にパリ取
りされた被加工物の割合をパリ取り性として100分率
表示したものである。この図かられかるように、本実施
例の研磨材は、パリ取り性は、はぼ100%であるのに
対して、比較例として示した通常の研磨材である球状又
は円柱状の平均粒径が0.2〜1.6 Mの範囲内にあ
る研磨材ヲ用いた場合は、パリ取り性は、はぼ80饅で
ある。したがって、本実施例の研磨材は、パリ取り性が
極めてすぐれていることが明らかである。
なお、実施例では、研磨材2.2’、2“の混合物を用
いてパリ取り加工を行っているが、これらを単独で用い
てもよいし、扁平状の研磨材2と粒状の研磨材2′との
組合せ′、扁平状の仙磨材2と針状の研磨材2“どの組
合せ、粒状の研磨材2′と針状の研磨材2“との組合せ
によっても、上記実施例と同様にパリ取りを行うことが
できる。なお、上記研磨材2,2′ 、2″の硬度調整
のため硬度を下げる成分を含有させることは任意である
更に、本発明の研磨材による噴射加工は上記実施例の如
く半導体モールド成形品の樹脂パリ除去全目的とする場
合に限らず、一般のモールド成形品の樹脂パリ除去や軟
質金属の表面処理等にも同様に適用できる。ただし、半
導体モールド成形品のブラスト加工に、研磨材2 、2
’ 。
2“の混合物を用いる場合は、粒状の研磨材2′の割合
が他の研磨材2,2“エリ多いものを用いるのが好まし
い。また、ダイオードの樹脂パリの除去には、針状の研
磨材2“及び扁平状の研磨材2の割合が粒状の研磨材2
′より多いものを用いるのが好ましい。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く、本発明によれば成形時に樹脂パリが
発生した半導体モールド成形品或いはその他の成形品や
軟質金属等の被加工物への噴射加工に際して、長期間の
使用においても被加工物の樹脂パリ除去又は研削性を維
持できる良好な研磨力を有する研磨材を提供できるもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の一実施例である研磨材の斜視図
、第1図(b)は自生売方作用にエリ新し、いエツジが
形成された研磨材の斜視図、第2図及び第3図は第1図
の研磨材とともに用いられる研磨材の斜視図、第4図は
半導体モールド成形品の平面図、第5図はm÷研磨材に
よる半導体モールド成形品の樹脂パリ除去に用いる湿式
ブラスト装置の一形態を示す説明図、第6図は研磨材に
よる樹脂パリ除去を説明するための断面図、第7図は本
発明の一実施例と比較例とのパリ取り性を示すグラフで
ある。 1.1′・・・エツジ、2.2’、2“・・・研磨材、
3・・・リードフレーム、互・・・半導体モ−ルド成形
品、6・・・樹脂パリ、7・・・加工室、8・・・ホッ
パ、。 9・・・水、10.II・・・ポンプ、I2・・・ガン
、15・・・り2ツク。     − 出願人代理人 弁理士  鈴 江 武 彦第1図 (a)           (b) 第2図    第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)多数のエツジを有する合成樹脂粒体からなること
    を特徴とする研磨材。
  2. (2)合成樹脂粒体は、扁平状のものと、針状のものと
    、粒状のものとの混合物であることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の研磨材0
JP22923082A 1982-08-20 1982-12-28 研磨材 Granted JPS59124572A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22923082A JPS59124572A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 研磨材
US06/522,736 US4548617A (en) 1982-08-20 1983-08-12 Abrasive and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

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JP22923082A JPS59124572A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 研磨材

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JPH0360631B2 JPH0360631B2 (ja) 1991-09-17

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59201487A (ja) * 1983-04-30 1984-11-15 イビデン株式会社 プリント回路基板のバリ取り方法
EP0332886A2 (de) * 1988-03-12 1989-09-20 Klaus Bloch Strahlmittel aus thermoplastischem Kunststoff
KR101446259B1 (ko) * 2007-07-04 2014-10-01 후지 세이사쿠쇼 가부시키가이샤 블라스트 가공용 연마재 및 이를 이용한 블라스트 가공방법

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JPS5721268A (en) * 1980-07-11 1982-02-03 Nitto Electric Ind Co Ltd Resin particles for use in sand blasting process

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