JP2000340590A - 配線基板の半田バンプフラッタニング方法並びにその装置 - Google Patents

配線基板の半田バンプフラッタニング方法並びにその装置

Info

Publication number
JP2000340590A
JP2000340590A JP11148887A JP14888799A JP2000340590A JP 2000340590 A JP2000340590 A JP 2000340590A JP 11148887 A JP11148887 A JP 11148887A JP 14888799 A JP14888799 A JP 14888799A JP 2000340590 A JP2000340590 A JP 2000340590A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
head
wiring board
bump
distance
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11148887A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiya Higami
俊哉 樋上
Satoru Isogai
悟 磯貝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP11148887A priority Critical patent/JP2000340590A/ja
Publication of JP2000340590A publication Critical patent/JP2000340590A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線基板上に形成される半田バンプの高さを
平坦化するフラッタニング方法、並びに半田バンプの高
さを平坦化するフラッタニング装置を提供することを課
題とする。 【解決手段】 配線基板上の半田バンプを平坦化するベ
ッドと、該ヘッドを上下に駆動する駆動部と、ヘッドと
平行に設けたステージと、ヘッドと基板との間の距離を
計測してヘッドの降下距離を算出する計測器とで半田バ
ンプをフラッタリングすることを特徴とするフラッタニ
ング方法並びに装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に形成された
半田バンプの高さを平坦化するフラッタニング方法、並
びに半田バンプの高さを平坦化するフラッタニング装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等の電子部品を配線基板上に
実装してなる電子機器の組み立ては、電子部品の電極パ
ッド上や配線基板の電極パッド上に半田バンプを形成
し、この半田バンプを介して電子部品を配線基板に接続
実装する方法がとられている。配線基板、並びに電子部
品への半田バンプの形成は、蒸着、メッキ、印刷等によ
り形成され、半田バンプが形成された配線基板にフラッ
クスを介して電子部品を実装し、半田の融点以上に加熱
されたリフロー炉を通すことにより半田を溶融して両者
を接続する。
【0003】ところで、配線基板には半田バンプが蒸
着、メッキ、印刷等により形成されるが、いずれの方法
によってもバンプの高さに誤差がでてくるため、この状
態で該半田バンプに電子部品の電極パッドを実装しよう
とすると、うまく実装できなかったり、接続が不十分な
部分が生じる等の不都合が発生する。そのために、基板
上に半田バンプを形成した後に半田バンプの高さを平坦
化(フラッタニング)し、フラッタニングすることによ
りバンプの高さのバラツキをなくして実装時の電子部品
の位置ずれを防止し、両者の接続不良を低減している。
【0004】また、フラッタニングすることにより配線
基板の所定箇所に所定量の半田のバンプが形成されてい
るか否かの検査を、バンプ先端の平坦部面積を測定する
ことにより、容易に各々のバンプの半田量を推定するこ
とができる。即ち、半田バンプの高さが一定であれば、
頂上の平坦部の面積を測定することにより、供給量の少
ないバンプは平坦部面積も小さく、逆に供給量が多けれ
ば平坦部の面積が大きくなるため、検査時に面積の上限
と下限を規定しておけば、バンプの半田量を極めて容易
に判定することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、半田
バンプの高さと半田供給量は、配線基板に電子部品を実
装する工程で極めて重要な要素となる。従来、このよう
な重要なフラッタニングは荷重制御で行われていた。し
かしながら、荷重制御は、半田バンプが形成された配線
基板にフラッタニングのヘッドを押しつけ、一定の荷重
を掛けて平坦化する方法であるため、半田バンプの大き
さ(半田の量)のバラツキによってバンプを潰す高さに
バラツキが生じる。このため、バンプの高さを一定とす
ることは極めて困難であった。
【0006】また、フラッタニングのヘッドを一定の距
離降下させる方法も実施されているが、この方法では、
配線基板の厚さのバラツキがまともに影響し、精度の高
いフラットニングができなかった。例え100μmのバ
ンプの高さを平坦化するのに、基板の厚さが±0.1m
mばらついても、実装時に不具合が生じる危険性があっ
た。このため、半田バンプの高さを正確に一定にするフ
ラッタニング方法並びにその装置の出現が望まれてい
た。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる欠陥を
解決し、配線基板上に形成される半田バンプの高さを平
坦化するフラッタニング方法を提供するとともに、該フ
ラッタニング方法を実施するフラッタニング装置を供給
することにある。即ち、本発明は、配線基板上の所定位
置に形成した半田バンプの頭を平坦化して基板面からの
高さを一定に揃える半田バンプの平坦化方法であって、
基板上に形成したバンプを平坦化するヘッドと、該ヘッ
ドを上下動させる駆動部と、ヘッドと平行に配置され基
板面を押し付けるステージと、ヘッドと基板面との距離
を計測する計測器とからなり、該計測器により基板面と
ヘッドとの距離を検出してヘッドの降下距離を算出し、
ヘッドを降下させてバンプの頭を押しつぶし、バンプの
基板面からの高さを一定にすることを特徴とする配線基
板の半田バンプフラッタニング方法である。
【0008】また、装置に関する本発明は、配線基板上
の所定位置に形成した半田バンプの頭を平坦化するヘッ
ドと、該ヘッドを上下動させる駆動部と、ヘッドと平行
に配置され基板面を押し付けるステージと、ヘッドと基
板面との距離を計測する計測器とからなり、該計測器に
より基板面とヘッドとの距離を検出してヘッドの降下距
離を算出して算出距離に従ってヘッドを降下させ、バン
プの頭を押しつぶしてバンプの基板面からの高さを一定
にすることを特徴とする配線基板の半田バンプフラッタ
ニング装置である。
【0009】本発明方法並びに本発明の装置は、配線基
板の表面を基準として変位制御で半田バンプを平坦化す
るので、基板の厚さや反りに影響されず、バンプの半田
量(バンプの大きさ)のバラツキにも左右されることな
く精度の高いフラッタニングが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示した実施形態
により詳細に説明する。図1乃至図4は本発明の一実施
形態を示すもので、1は計測器で、本実施形態では非接
触式のレーザ変位計を採用し、配線基板11の表面を検
出する。2は図示しない駆動部により上下に移動可能な
ヘッドで、該ヘッド2にはヘッド2に発生する荷重を検
出する荷重センサー3が取り付けられている。4は半田
バンプを形成した配線基板11をセットするステージ
で、該ステージ4はヘッド2と平行に配置され、それぞ
れにはヒーターが内蔵されている。12は配線基板11
に設けた半田バンプで、配線基板11に設けた半田バン
プ12を平坦化するには、図1に示すように半田バンプ
12を設けた配線基板11をステージ4にセットする。
なお、図1は配線基板11が反っていることを強調して
ある。
【0011】ステージ4に配線基板11をセットしたな
らば、先ずヘッド2を降下させて半田バンプ12に接触
させ、更に降下させて、図2に示すように荷重センサー
3が配線基板11の反りを矯正する荷重まで配線基板1
1を加圧する。配線基板11の反りが矯正される荷重に
達した時点でヘッド2の降下を止め、次に非接触式変位
計1で配線基板11の高さ(厚さ)を測定する。ヘッド
2並びにステージ4に内蔵したヒーターは半田バンプの
変形抵抗を減少させるために作業開始時点から作動させ
ておいて、半田バンプ12を加熱する。なお、ヘッド2
並びにステージ4に内蔵したヒーターを配線基板11の
反りが矯正される荷重に達した時点で作動させてもよい
ことは勿論である。半田バンプ12が適度の温度(例え
ば100°C)に達し、半田の変形抵抗が減少したなら
ばバンプ12が所定の高さになるようヘッド2を降下さ
せる。降下させる距離は非接触式変位計1の測定結果に
基づいて算出する。算出した距離だけヘッド2を降下さ
せ、半田バンプ12の頭を平坦化し、半田バンプが平坦
化されたならばヘッド2を上昇させてフラッタニングを
完了する。
【0012】上述した実施形態では、非接触式変位計1
により配線基板11表面までの距離(配線基板の厚さ)
の測定を1回行う例につき説明したが、必要に応じてフ
ラッタニングが完了する直前に再度計測し、変形量を補
正することも可能である。また、上記実施形態では配線
基板表面を検出する計測器1として非接触式レーザ変位
計を使用したが、接触式の変位計を使用してもよいこと
は勿論である。図中13は半田バンプ12をその上に形
成した電極、14は配線基板11に設けたレジストであ
る。
【0013】上述したように、本発明は、配線基板11
上に形成したバンプ12を平坦化するヘッド2と、該ヘ
ッド2を上下動させる駆動部と、ヘッド2と平行に配置
され基板面を押し付けるステージ4と、ヘッド2と配線
基板11の表面との距離を計測する計測器1とからな
り、先ずヘッド2をバンプ12に押しつけるとともに基
板の反りを矯正し、この時点で計測器1により基板面と
ヘッドとの距離を検出してヘッド2の降下距離を算出
し、算出した距離だけヘッド2を降下させてバンプ12
の頭を押しつぶし、バンプ12の配線基板11の表面か
らの高さを一定にする配線基板の半田バンプフラッタニ
ング方法である。このようなフラッタニング方法によれ
ば配線基板11の表面を基準に変位制御によりバンプ1
2の平坦化を行うことができるのでバンプ12の大きさ
のバラツキや基板板厚のバラツキに影響されることなく
精度の高いフラッタニングが可能となる。
【0014】図4乃至図6は本発明の第2の実施形態を
示すもので、図1〜3と同一箇所には同一符号を付けて
ある。図において31は配線基板11の反りを矯正する
矯正ブロックで、該矯正ブロック31を降下することに
より図5に示すように先ず配線基板11の反りを矯正す
る。このように矯正ブロック31で基板11の反りを矯
正した状態で変位計1で配線基板11の表面の高さを、
矯正ブロック31までの距離として計測する。次いで矯
正ブロック31までの距離の測定結果から、ヘッド2の
降下量を算出し、ヘッド2をその降下量だけ降下させて
図6に示すようにフラッタニングを行う。
【0015】計測器1としてレーザ変位計を用い、配線
基板表面を直接計測すると、配線基板表面に設けたレジ
スト14による凹凸等の影響を受けることがあるため、
特に基板を流して連続処理をする場合には、予めレーザ
光を照射する位置を画像処理して位置決めを確実にして
おく工夫が必要となるが、上記したように矯正ブロック
31を採用することで、基板表面の凹凸の影響を避ける
ことができるため、より精度の高いフラッタニングが可
能となり、連続処理も容易となる。
【0016】
【実施例】厚さ1.0mmのガラスエポキシ配線基板に
直径100μmの電極を設け、この電極上に100μm
の半田バンプを印刷法により250μmのピッチで、2
0×20の格子状に形成した。この配線基板を図4に示
すフラッタニング装置のステージ4にセットし、矯正ブ
ロック31に矯正荷重として1kgfの荷重を掛けて反
りを矯正し、レーザ変位計で矯正ブロック31までの距
離を計測し、バンプの高さが基板表面から40μmとな
るようにヘッド2の降下量を算出し、ヘッド2を降下さ
せた。ステージ4とヘッド2に内蔵したヒーターの温度
を制御して半田バンプ12の温度が100°Cになるよ
うにセットしてヘッド2を降下させた。フラッタニング
時の荷重はヘッド2に設けた荷重センサーで48kgf
であった。フラッタニング後、それぞれの半田バンプ1
2の高さを調べた結果、全てが同一の高さに平坦化され
ていた。
【0017】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明により配線
基板上に設けた半田バンプを該基板面に対して同じ高さ
に平坦化できるので、平坦化したバンプに電子部品の電
極を実装する際、電子部品が基板から落ちるようなこと
がなく、また、バンプと電子部品の電極とは全て均一に
接触した状態でリフロー炉で半田付けされるので、接続
不良等の不具合が生じることもなく、配線基板に電子部
品を実装した電子機器の品質を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示すもので、フラッタニ
ング装置に配線基板をセットした状態を示す説明図であ
る。
【図2】本発明の一実施形態を示すもので、配線基板の
反りを矯正し、配線基板の高さを測定する状態を示す説
明図である。
【図3】発明の一実施形態を示すもので、半田バンプを
平坦化する状態を 示す説明図である。
【図4】本発明の第二の実施形態を示すもので、フラッ
タニング装置に配線基板をセットした状態を示す説明図
である。
【図5】本発明の第二の実施形態を示すもので、配線基
板の反りを矯正し、配線基板の高さを測定する状態を示
す説明図である。
【図6】本発明の第二の実施形態を示すもので、半田バ
ンプを平坦化する状態を示す説明図である。
【符号の説明】
1 計測器 2 ベッド 3 荷重センサー 4 ステージ 11 配線基板 12 バンプ 31 矯正ブロック

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 配線基板上の所定位置に形成した半田バ
    ンプの頭を平坦化して基板面からの高さを一定に揃える
    半田バンプの平坦化方法において、基板上に形成したバ
    ンプを平坦化するヘッドと、該ヘッドを上下動させる駆
    動部と、ヘッドと平行に配置され基板面を押し付けるス
    テージと、ヘッドと基板面との距離を計測する計測器と
    からなり、該計測器により基板面とヘッドとの距離を検
    出してヘッドの降下距離を算出し、ヘッドを降下させて
    バンプの頭を押しつぶし、バンプの基板面からの高さを
    一定にすることを特徴とする配線基板の半田バンプフラ
    ッタニング方法。
  2. 【請求項2】 配線基板上の所定位置に形成した半田バ
    ンプの頭を平坦化するヘッドと、該ヘッドを上下動させ
    る駆動部と、ヘッドと平行に配置され基板面を押し付け
    るステージと、ヘッドと基板面との距離を計測する計測
    器とからなり、該計測器により基板面とヘッドとの距離
    を検出してヘッドの降下距離を算出して算出距離に従っ
    てヘッドを降下させ、バンプの頭を押しつぶしてバンプ
    の基板面からの高さを一定にすることを特徴とする配線
    基板の半田バンプフラッタニング装置。
JP11148887A 1999-05-27 1999-05-27 配線基板の半田バンプフラッタニング方法並びにその装置 Pending JP2000340590A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11148887A JP2000340590A (ja) 1999-05-27 1999-05-27 配線基板の半田バンプフラッタニング方法並びにその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11148887A JP2000340590A (ja) 1999-05-27 1999-05-27 配線基板の半田バンプフラッタニング方法並びにその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000340590A true JP2000340590A (ja) 2000-12-08

Family

ID=15462934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11148887A Pending JP2000340590A (ja) 1999-05-27 1999-05-27 配線基板の半田バンプフラッタニング方法並びにその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000340590A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8962470B2 (en) * 2002-12-27 2015-02-24 Fujitsu Limited Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8962470B2 (en) * 2002-12-27 2015-02-24 Fujitsu Limited Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101260429B1 (ko) 전자 부품 실장 시스템, 전자 부품 탑재 장치 및 전자 부품실장 방법
US7931933B2 (en) Method and apparatus for providing a substrate with viscous medium
KR20220008660A (ko) 반도체 칩의 레이저 컴프레션 본딩장치 및 본딩방법
JPWO2008038482A1 (ja) プリント配線板の製造方法及び製造装置
JP2010232234A (ja) 実装装置および実装方法
JPH04226854A (ja) 工具高さ検出装置及び半田ノズル高さ制御方法
WO2001067492A3 (en) Method and apparatus for soldering surface mounted components onto printed circuit boards
JP2000340590A (ja) 配線基板の半田バンプフラッタニング方法並びにその装置
JPH0964094A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JP4969510B2 (ja) 電子部品実装装置及び接合不良検出方法
JP5317753B2 (ja) ボンダ装置
KR20010109158A (ko) 장착 장치 및 장착 방법
JPH10150075A (ja) フリップチップボンディング方法及びその装置
JP4357985B2 (ja) 平行測定方法と調整方法及び平行測定装置並びに部品実装装置
JPH09167786A (ja) 電子部品実装装置の調整方法及び電子部品実装方法
JP2008130636A (ja) 超音波フリップチップ実装の製造方法
JP2002110740A (ja) 半導体装置の実装方法及び実装装置
US6962437B1 (en) Method and apparatus for thermal profiling of flip-chip packages
JP4223159B2 (ja) 電子部品実装装置
JP7219991B2 (ja) 半導体装置の製造装置および製造方法
JPS58139A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5113657B2 (ja) 表面実装方法及び装置
JP2005286166A (ja) コイニング装置およびコイニング方法
JPH04106942A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3775924B2 (ja) バンプ付き電子部品の実装方法