JPH04106942A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04106942A JPH04106942A JP2222589A JP22258990A JPH04106942A JP H04106942 A JPH04106942 A JP H04106942A JP 2222589 A JP2222589 A JP 2222589A JP 22258990 A JP22258990 A JP 22258990A JP H04106942 A JPH04106942 A JP H04106942A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にベレノト
ボンディング工程やワイヤボンディング工程に適用され
る半導体装置の製造方法に関するものである。
ボンディング工程やワイヤボンディング工程に適用され
る半導体装置の製造方法に関するものである。
一般に、半導体装置を製造する組立工程において、半導
体ペレットとタブを固着するペレットボンディング、あ
るいは半導体ペレットとリードとをワイヤにより電気的
に接続するワイヤボンディングとなるかる工程が実施さ
れる。第１図はこの種の方法の使用されるボンディング
装置の主要部の断面図を示すものである。この両工程で
はヒートブロック１を用意してリードフレームを支持し
所定温度に加熱することにより、各々のボンディング作
業を行っているが、その場合、加熱する際の温度は前記
ヒートブロック１内に埋蔵される熱電対２より制御部３
を介してカートリッジヒータ４で加熱して行っており、
従ってペレットボンディング時あるいはワイヤホンディ
ング時の加熱温度は前記ヒートブロック１内の熱電対２
の測定結果に基づき決定される構成となっている。
体ペレットとタブを固着するペレットボンディング、あ
るいは半導体ペレットとリードとをワイヤにより電気的
に接続するワイヤボンディングとなるかる工程が実施さ
れる。第１図はこの種の方法の使用されるボンディング
装置の主要部の断面図を示すものである。この両工程で
はヒートブロック１を用意してリードフレームを支持し
所定温度に加熱することにより、各々のボンディング作
業を行っているが、その場合、加熱する際の温度は前記
ヒートブロック１内に埋蔵される熱電対２より制御部３
を介してカートリッジヒータ４で加熱して行っており、
従ってペレットボンディング時あるいはワイヤホンディ
ング時の加熱温度は前記ヒートブロック１内の熱電対２
の測定結果に基づき決定される構成となっている。
しかしながら、上記の方法によりボンデ、インクを行う
と、リード５あるいはタブ６の裏面とヒートブロック１
の上面とが完全に密着されていない状態でボンディング
を行った場合、所定の接着部への加熱温度の供給、即ち
適切な接着温度を得ることができなくなり、ボンディン
グ不良が生じる場合がある。
と、リード５あるいはタブ６の裏面とヒートブロック１
の上面とが完全に密着されていない状態でボンディング
を行った場合、所定の接着部への加熱温度の供給、即ち
適切な接着温度を得ることができなくなり、ボンディン
グ不良が生じる場合がある。
その原因としては、本願発明者はリードフレームを案内
レールを通して搬送している際、異物が発生しその異物
がリードフレーム裏面に回り込んでしまうことにより、
ヒートブロック１とリードフレームとの密着状態が悪く
なって、リードフレームが所望の温度に達しなくなるた
めであると見い出した。
レールを通して搬送している際、異物が発生しその異物
がリードフレーム裏面に回り込んでしまうことにより、
ヒートブロック１とリードフレームとの密着状態が悪く
なって、リードフレームが所望の温度に達しなくなるた
めであると見い出した。
又、リードフレームの中には、そのリード先端部に半田
メツキあるいはＡｕメツキを施しているものがあるが、
そのリードフレームを用いて繰り返しボンディング作業
を行った場合、前記リードフレームの溶融したメツキが
リードフレームの裏面に回り込んで付着するか、あるい
はヒートブロック１に付着してしまう場合が生じる。こ
の場合も上記したようにヒートブロック１とリードフレ
ームとの密着状態が悪くなり、所望の接着温度が得られ
なくなることが生じてしまう。
メツキあるいはＡｕメツキを施しているものがあるが、
そのリードフレームを用いて繰り返しボンディング作業
を行った場合、前記リードフレームの溶融したメツキが
リードフレームの裏面に回り込んで付着するか、あるい
はヒートブロック１に付着してしまう場合が生じる。こ
の場合も上記したようにヒートブロック１とリードフレ
ームとの密着状態が悪くなり、所望の接着温度が得られ
なくなることが生じてしまう。
以上のように、リードフレームとヒートブロックとの密
着状態が不完全な場合は、密着に必要な温度にバラツキ
が生じてしまい、歩留の低下を来たすという問題点が生
じていた。
着状態が不完全な場合は、密着に必要な温度にバラツキ
が生じてしまい、歩留の低下を来たすという問題点が生
じていた。
なお、この種の装置として関連するものには、例えば、
プレスジャーナルＫＫ９４社発行「月刊セミコンダクタ
ーワールドＪ （ｐ９ｉ〜ｐ９８）等が挙げられる。
プレスジャーナルＫＫ９４社発行「月刊セミコンダクタ
ーワールドＪ （ｐ９ｉ〜ｐ９８）等が挙げられる。
従って、本発明は前記従来技術の欠点を解決するために
なされたもので、ヒートブロックとリードフレームとの
接触状態が悪い場合でも、良好なペレットボンディング
及びワイヤボンディングを行うことのできる半導体装置
の製造方法を提供することを目的とするものである。
なされたもので、ヒートブロックとリードフレームとの
接触状態が悪い場合でも、良好なペレットボンディング
及びワイヤボンディングを行うことのできる半導体装置
の製造方法を提供することを目的とするものである。
この目的を達成するために、本発明による半導体装置の
製造方法は、半導体ペレット、タブ及びリードの被圧着
部材の表面の温度測定を行い、その測定温度結果と所望
の適正ボンディング温度とを比較することにより、前記
被圧着部材の表面を所定の温度に調整しながらボンディ
ングを行うことを特徴とするものである。
製造方法は、半導体ペレット、タブ及びリードの被圧着
部材の表面の温度測定を行い、その測定温度結果と所望
の適正ボンディング温度とを比較することにより、前記
被圧着部材の表面を所定の温度に調整しながらボンディ
ングを行うことを特徴とするものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例をワイヤボンディ
ング方法を例に取り上げて説明する。
ング方法を例に取り上げて説明する。
第２図は、本発明の方法を実施するためのワイヤボンデ
ィング装置の概略図であり、第３図は本発明の作業フロ
ーを示すブロック図である。第２図に示すように、本発
明の実施例に用いられるワイヤボンディング装置は第１
の被接着部としてのリードフレーム５が載置される加熱
手段を有するヒートブロック１と、ＸＹ子テーブル６上
に搭載されるボンディングヘッド９とを有している。
ィング装置の概略図であり、第３図は本発明の作業フロ
ーを示すブロック図である。第２図に示すように、本発
明の実施例に用いられるワイヤボンディング装置は第１
の被接着部としてのリードフレーム５が載置される加熱
手段を有するヒートブロック１と、ＸＹ子テーブル６上
に搭載されるボンディングヘッド９とを有している。
ヒートブロック１の内部には、加熱源としてのヒータ４
が内接されており、ヒートブロック１の上面に載置され
るリードフレーム５を所定の温度に加熱する構造となっ
ている。又ボンディングヘッド９には、ボンディングア
ーム１０が取付けられ、その一端側の先端にはボンディ
ングツールとしてのキャピラリイ１１が突設されている
。
が内接されており、ヒートブロック１の上面に載置され
るリードフレーム５を所定の温度に加熱する構造となっ
ている。又ボンディングヘッド９には、ボンディングア
ーム１０が取付けられ、その一端側の先端にはボンディ
ングツールとしてのキャピラリイ１１が突設されている
。
一方、キャビラリイ１１の下方に位置するり−トフレー
ム及び第２の被接着部としての半導体ペレット８を観察
する顕微鏡１２が前記ＸＹ子テーブル６上に取付けられ
ており、又顕微鏡１２にはＩＴＶカメラ１３が取付けら
れ、その映像をテレビモニタ１４に映し出すようになっ
ている。
ム及び第２の被接着部としての半導体ペレット８を観察
する顕微鏡１２が前記ＸＹ子テーブル６上に取付けられ
ており、又顕微鏡１２にはＩＴＶカメラ１３が取付けら
れ、その映像をテレビモニタ１４に映し出すようになっ
ている。
さらに、前記ヒートブロック１上に支持されるリードフ
レーム５の上方には、温度検出機構１５として赤外線温
度センサーを設置しており、この赤外線温度センサーは
温度制御部３に接続される。
レーム５の上方には、温度検出機構１５として赤外線温
度センサーを設置しており、この赤外線温度センサーは
温度制御部３に接続される。
この温度制御部３には、予め各々の適正ボンディング温
度が入力及び記憶されており、例えば熱圧着式ボンディ
ングの場合は３５０℃、超音波熱圧着式ボンディングの
場合は２００℃の温度条件が入力かつ記憶されている。
度が入力及び記憶されており、例えば熱圧着式ボンディ
ングの場合は３５０℃、超音波熱圧着式ボンディングの
場合は２００℃の温度条件が入力かつ記憶されている。
そして、この制御部３は前記ヒータ４に接続されている
。
。
次に、以上のような本発明装置を用いる本発明の詳細な
説明する。
説明する。
まず、リードフレーム６は案内レール（図示せず）によ
りヒートブロックｌ上において所定の位置に載置される
と、ヒータ４によりビートブロック１の本体の熱はリー
ドフレーム５に伝導される。
りヒートブロックｌ上において所定の位置に載置される
と、ヒータ４によりビートブロック１の本体の熱はリー
ドフレーム５に伝導される。
この時、リードフレーム６上の赤外線温度センサー１５
により、リードフレーム５のインナーリードあるいは半
導体ペレット８等の表面の温度を検出する。そして、そ
の測定された表面温度は制御部３に出力されると、制御
部３では記憶されている適正ボンディング温度と前記測
定された表面温度とを比較し、その差を算出してヒータ
４に出力しヒートブロック１を所望の温度に加熱調整す
るのである。そして、所望の温度に加熱されるとテレビ
モニタ１４の画面上に測定用ｒＴＶカメラ１３の映像を
映し出し、半導体ペレットの所定の正方形ポンディング
パッドを画面のレティクル１４ｂに一致されるように前
記ＸＹテーブル８を操作する。そして、所定のポンディ
ングパッドとレティクル１４ｂが一致した後、各ホンデ
ィング位置に対応させてＸＹテーブルを自動的に操作し
てワイヤボンディングを行うのである。
により、リードフレーム５のインナーリードあるいは半
導体ペレット８等の表面の温度を検出する。そして、そ
の測定された表面温度は制御部３に出力されると、制御
部３では記憶されている適正ボンディング温度と前記測
定された表面温度とを比較し、その差を算出してヒータ
４に出力しヒートブロック１を所望の温度に加熱調整す
るのである。そして、所望の温度に加熱されるとテレビ
モニタ１４の画面上に測定用ｒＴＶカメラ１３の映像を
映し出し、半導体ペレットの所定の正方形ポンディング
パッドを画面のレティクル１４ｂに一致されるように前
記ＸＹテーブル８を操作する。そして、所定のポンディ
ングパッドとレティクル１４ｂが一致した後、各ホンデ
ィング位置に対応させてＸＹテーブルを自動的に操作し
てワイヤボンディングを行うのである。
したがって、リードフレーム５とヒートブロック１との
密着不良状態に影響されることなく、半導体ペレット８
上の電極とワイヤ７の接続に必要な最適温度にヒートブ
ロック本体を加熱し、又リードフレーム５のインナーリ
ードとワイヤ７の接続に必要な最適温度にヒートブロッ
ク本体を加熱することによって、半導体ペレット上の電
極とインナーリードとをそれぞれの最適なボンディング
温度に加熱することができる。
密着不良状態に影響されることなく、半導体ペレット８
上の電極とワイヤ７の接続に必要な最適温度にヒートブ
ロック本体を加熱し、又リードフレーム５のインナーリ
ードとワイヤ７の接続に必要な最適温度にヒートブロッ
ク本体を加熱することによって、半導体ペレット上の電
極とインナーリードとをそれぞれの最適なボンディング
温度に加熱することができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではない。
第４図は他の実施例を示すものであり、本発明の加熱手
段からなるヒートブロック１を複数個に分割するととも
に、分割されたヒートブロック１内に各々ヒータ４ａを
内接するようにする。そして前記タブ６、半導体ペレッ
ト８及びリードの各々を温度検出機構１５より温度測定
を行うのであ、る。
段からなるヒートブロック１を複数個に分割するととも
に、分割されたヒートブロック１内に各々ヒータ４ａを
内接するようにする。そして前記タブ６、半導体ペレッ
ト８及びリードの各々を温度検出機構１５より温度測定
を行うのであ、る。
この時、温度検出機構１５は該装置に固定して先端部を
首ふりするように角度を変化させて温度検出を行なうか
、あるいはレール等に取付けてスライドさせて温度測定
を行なうようにしてもよい。
首ふりするように角度を変化させて温度検出を行なうか
、あるいはレール等に取付けてスライドさせて温度測定
を行なうようにしてもよい。
そして、測定された各々の表面温度は、制御部３に出力
されると、制御部３で記憶されている各々の適正ボンデ
ィング温度と比較され、その差を算出しヒータ４に出力
することにより、前記分割されたヒータ４ａを個々に加
熱調整するのである。
されると、制御部３で記憶されている各々の適正ボンデ
ィング温度と比較され、その差を算出しヒータ４に出力
することにより、前記分割されたヒータ４ａを個々に加
熱調整するのである。
この実施例によれば、温度検出機構による測定結果を基
に、分割されたヒータ４ａを個々に加熱調整して、半導
体ペレット部（タブ部）とり一ト部とをそれぞれ別々の
温度に加熱調整しているので、より一層の最適なボンデ
ィング温度に加熱することができる。
に、分割されたヒータ４ａを個々に加熱調整して、半導
体ペレット部（タブ部）とり一ト部とをそれぞれ別々の
温度に加熱調整しているので、より一層の最適なボンデ
ィング温度に加熱することができる。
ここで、本発明の製造方法はワイヤボンディング工程の
他にペレットボンデイング工程においても用いることが
できる。
他にペレットボンデイング工程においても用いることが
できる。
又、温度検出機構は前述の赤外線温度センサーの他に、
接触子を用いた温度測定を行なうようにしてもよい。
接触子を用いた温度測定を行なうようにしてもよい。
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法は、被ボ
ンデイング部材の表面温度を直接検出するように構成し
、かつこの表面温度に基づいて適正ボンディング温度を
比較してヒートブロックを所定の温度に調整しているの
で、被ボンデイング部材とヒートブロックとの接触状態
が悪い場合でも、良好なボンディングを行い得ることを
可能とするものである。
ンデイング部材の表面温度を直接検出するように構成し
、かつこの表面温度に基づいて適正ボンディング温度を
比較してヒートブロックを所定の温度に調整しているの
で、被ボンデイング部材とヒートブロックとの接触状態
が悪い場合でも、良好なボンディングを行い得ることを
可能とするものである。
第１図は従来のボンディング装置の主要部の断面図、
第２図は本発明の方法の実施に用いられるワイヤボンデ
ィング装置の概略図、 第３図は本発明の作業フローのブロック図、第４図は本
発明の他の実施例で用いられるワイヤボンディング装置
の概略図である。 １ ヒートブロック、２・熱電対、３・制御部、４・ヒ
ータ、５・リードフレーム、６−タブ、７ワイヤ、８・
ＸＹテーブル、９・ホンデインクヘッド、１０・ボンデ
ィングアーム、１１ キャピラリイ、１２・顕微鏡、１
３ ■ＴＶカメラ、１４・テレビモニタ、１５・温度検
出機構。 第 １ 図 １−ど−トフパ０・・７７ ２−熱電対 ３−制征ｐ雛 ４−し−ター ５−リート゛フし−ム ６−タ７゛ 第 ３ 図
ィング装置の概略図、 第３図は本発明の作業フローのブロック図、第４図は本
発明の他の実施例で用いられるワイヤボンディング装置
の概略図である。 １ ヒートブロック、２・熱電対、３・制御部、４・ヒ
ータ、５・リードフレーム、６−タブ、７ワイヤ、８・
ＸＹテーブル、９・ホンデインクヘッド、１０・ボンデ
ィングアーム、１１ キャピラリイ、１２・顕微鏡、１
３ ■ＴＶカメラ、１４・テレビモニタ、１５・温度検
出機構。 第 １ 図 １−ど−トフパ０・・７７ ２−熱電対 ３−制征ｐ雛 ４−し−ター ５−リート゛フし−ム ６−タ７゛ 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、加熱手段の上に被接着部を配置し、前記被接着部を
前記加熱手段により加熱しながら、前記被接着部に所定
の物質を接続する半導体装置の製造方法において、前記
加熱手段の上方に温度検出機構を配置し、前記被接着部
表面の温度を前気温度検出機構により測定し、その測定
結果に基づいて温度制御部で前記加熱手段の温度を制御
するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法
。 ２、リードフレームのタブに半導体ペレットを固着する
ペレットボンディング工程、前記半導体ペレットのパッ
ドとリードフレームのリードとの間を金属細線により結
線するワイヤボンディング工程を有する半導体装置の製
造方法において、前記半導体ペレット、タブ及びリード
それぞれの表面の温度測定を行い、その測定温度結果と
所望の適正ボンディング温度とを比較し、前記タブ、半
導体ペレット、リードの被圧着部材それぞれが所定の温
度になるように、前記被圧着部材を加熱調整しながらペ
レットボンディング及びワイヤボンディングを行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 ３、前記半導体ペレット、タブ及びリードそれぞれの表
面の温度測定は赤外線温度センサーを用いて行うことを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装置の製
造方法。 ４、前記被圧着部材の加熱調整は、前記被圧着部材が配
置されるヒートブロック内に設けられたヒーターにより
行うことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導
体装置の製造方法。 ５、前記ヒートブロック内に設けられたヒータを分割す
るとともに、前記半導体装置ペレット、タブ及びリード
とを各々前記温度検出機構より温度測定を行い、その測
定温度結果と所望の各々の適正ボンディング温度とを比
較し、前記半導体ペレット、タブ及びリードの被圧着部
材それぞれが所定の温度になるように、前記分割された
ヒータを個々に加熱調整することを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2222589A JPH04106942A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2222589A JPH04106942A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04106942A true JPH04106942A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16784841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2222589A Pending JPH04106942A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04106942A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112873A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Nidec Tosok Corp | ボンディング装置の加熱部構造 |
| CN102456588A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-16 | 三星电子株式会社 | 引线接合设备及使用该设备的方法 |
| US8444044B2 (en) | 2008-03-10 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for forming wire bonds |
| CN107251208A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-10-13 | 株式会社新川 | 封装装置 |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP2222589A patent/JPH04106942A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112873A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Nidec Tosok Corp | ボンディング装置の加熱部構造 |
| US8444044B2 (en) | 2008-03-10 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for forming wire bonds |
| CN102456588A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-16 | 三星电子株式会社 | 引线接合设备及使用该设备的方法 |
| CN107251208A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-10-13 | 株式会社新川 | 封装装置 |
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