JP2000340491A - 回転式基板処理装置及び回転式基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】メカ式スピンチャックで保持した基板表面へ処
理液を供給し回転させて処理する装置において、基板に
粉塵が付着しないように処理できる。 【解決手段】現像装置１は、基板Ｗの回転停止時に以下
の停止制御が行なわれる。まず回転制御部２１により停
止指令信号が生成されと、その停止指定信号に基づいて
停止開始回転数に達するまで減速制御部２５にてモータ
９は徐々に減速される第１減速工程が行なわれる。停止
開始回転数に達した後は停止制御部２６によりモータ９
の回転が停止される第２減速工程が行なわれる。よっ
て、第１減速工程で基板Ｗとメカ式スピンチャック７の
主要部である回転部材７１との間隙に生じた負圧が解消
される。その結果、基板Ｗの停止時に間隙へエアの逆流
が発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板等を保持しつつ回転させて所定
の処理を行う回転式基板処理装置及び処理方法に係り、
特に基板裏面と間隙を有して主要部が配置された基板保
持手段により基板をその外周端縁に当接して保持し、基
板を回転させつつ乾燥させる乾燥処理を行う回転式基板
処理装置及び処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハ等の基板に種々に処理を行
うために回転式の基板処理装置が用いられている。たと
えば、基板の表面に形成された感光性膜の現像処理は、
回転式の現像装置が用いられている。この現像装置を用
いた基板の現像処理は、現像液供給、現像液保持、純水
洗浄および乾燥の各工程からなる。

【０００３】回転式基板処理装置においては、基板を水
平に保持しながら回転させる必要がある。一般的には、
基板の裏面を真空吸着により吸引保持する吸引式スピン
チャックが用いられている。しかしながら、吸引式スピ
ンチャックでは、基板を確実に吸着保持するために強力
な吸引を行っているので、基板の裏面に吸着跡が残る。
そこで、水平姿勢で回転駆動される回転部材上に、基板
の裏面を垂直に支持する複数の支持ピンと、基板の外周
端面に当接して基板の水平位置を規制しかつ基板に回転
力を伝達する複数の保持ピンとが設けられてなるメカ式
スピンチャックが用いられる。

【０００４】以下、回転式基板処理装置の一例として現
像装置について説明する。 図１０は従来の現像装置の
概略断面図であり、従来のメカ式スピンチャックを示し
ている。図１０において、現像装置１００は基板Ｗを保
持する基板保持手段としてメカ式スピンチャック１０１
を備える。メカ式スピンチャック１０１は、モータ１０
２の回転軸１０２ａの先端部に水平に固定されかつ鉛直
方向の軸の周りで回転駆動される回転部材１０３を備え
る。回転部材１０３の上面には、基板Ｗの裏面を支持す
る複数の支持ピン１０４が設けられるとともに、基板Ｗ
の外周端部に当接して基板Ｗの水平方向の位置を規制す
る複数の保持ピン１０５が設けられている。

【０００５】メカ式スピンチャック１０１の上方には、
現像液を吐出する現像液供給ノズル１０６と洗浄液とし
て純水を吐出する洗浄液供給ノズル１０７が上下方向お
よび水平方向に移動可能に設けられている。現像液供給
ノズル１０６は、現像液供給前および現像液供給後に基
板Ｗの上方から外れた位置に待機し、現像液供給時に基
板Ｗの中心部の上方に移動する。同様に、洗浄液供給ノ
ズル１０７は、洗浄開始前および後に基板Ｗの上方から
外れた位置に待機し、洗浄時に基板Ｗの中心部の上方に
移動する。

【０００６】シーケンス制御部１０８は伝送ライン１０
９を通じて、所定の速度パターンに従って回転制御部１
１０に回転基準信号を与え、回転制御部１１０はモータ
１０２の回転、すなわち基板Ｗの回転をこの回転基準信
号の示す回転数と一致するように回転制御する。

【０００７】図１１は速度パターンの一例を示す図であ
り、横軸は時間、縦軸は回転数を表す。図１０の現像装
置１００を用いた基板処理フローは図１１の速度パター
ンを用いて、まず、時間Ｔ１で基板Ｗがメカ式スピンチ
ャック１０１に受け渡される。時間Ｔ２の現像液供給工
程では、基板Ｗがメカ式スピンチャック１０１に保持さ
れた後、モータ１０２によりメカ式スピンチャック１０
１が回転駆動され、この状態で基板Ｗの上方に移動した
現像液供給ノズル１０６から基板Ｗ上に現像液が吐出さ
れ、回転に伴う遠心力により基板Ｗの全面に塗り広げら
れる。

【０００８】時間Ｔ３の現像液保持工程では、メカ式ス
ピンチャック１０１の回転が停止され、現像液が基板Ｗ
の全面に塗り広げられた状態で基板Ｗが一定時間静止さ
れる。これにより、基板Ｗの感光性膜の現像が進行す
る。

【０００９】時間Ｔ４の純水洗浄工程では、メカ式スピ
ンチャック１０１が再び回転駆動され、基板Ｗの表面に
洗浄液供給ノズル１０７から純水が供給され、基板Ｗの
表面の純水洗浄が行なわれる。

【００１０】時間Ｔ５の乾燥工程では、純水の供給が停
止された後、メカ式スピンチャック１０１が高速で回転
駆動され、回転に伴う遠心力により基板Ｗの表面から純
水が振り切られる。これにより、基板Ｗが乾燥する。そ
の後、メカ式スピンチャック１０１の回転が停止し、基
板Ｗの現像処理が終了し、時間Ｔ６において基板Ｗは次
工程に受け渡される。

【００１１】上記の処理中においては、現像装置１００
の上方から清浄な空気のダウンフロー（下降流）がカッ
プ１１１内に供給されている。ダウンフローはカップ１
１１内を下降してカップの下部に設けられた排気口１１
２から外部へ排出されている。これにより、カップ１１
１内に浮遊するミスト（飛沫）やパーティクル（粒子）
がダウンフローとともに外部に排出され、カップ１１１
内の雰囲気が清浄な状態に保持されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。前記のような回転式基板処理フローにおいては、
時間Ｔ５の乾燥回転数を３，０００ｒｐｍ以上などの高
回転で行い、速やかに減速停止制御を行なっていた。と
ころが、メカ式スピンチャックで基板Ｗを高速回転させ
ると、基板Ｗの周縁の速度が回転中心の速度に比し速い
ため、基板Ｗを保持しているメカ式スピンチャック１０
１の回転部材１０３と基板Ｗの間隙が負圧になってい
る。

【００１３】そのため、メカ式スピンチャック１０１の
回転を停止させた時、回転部材１０３と基板Ｗの間隙の
基板Ｗ周囲縁と回転中心の圧力差により、回転部材１０
３と基板Ｗの間隙に周辺部から粉塵（パーティクル）を
含んだエアが逆流し、基板Ｗ面上に付着するという問題
があった。この問題は、基板Ｗの直径がφ３００ｍｍな
どの大口径の場合は基板Ｗの周縁の速度と回転中心の速
度の差が大きくなるので、回転部材１０３と基板Ｗの間
隙の負圧も高くなり顕著になった。

【００１４】本発明の目的は、このような事情に鑑みて
なされたものであって、基板の回転処理終了時に基板と
基板保持手段の主要部との間隙に発生する負圧により基
板表面へパーティクルが付着するのが防止された回転式
基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すわな
ち、請求項１に係る発明は、基板を水平に保持しつつ回
転させ基板に所定の処理を行う回転式基板処理装置であ
って、基板をその外周端縁に当接して保持し、基板裏面
と間隙を有して主要部が配置された基板保持手段と、前
記基板保持手段を回転駆動する駆動手段と、前記駆動手
段を処理回転数に従って回転させる回転制御手段と、前
記回転制御手段による回転処理を停止させる停止指令信
号に基づいて、前記駆動手段を予め定められた停止開始
回転数まで減速させる減速制御手段と、前記減速制御手
段によって停止開始回転数に達っした後、前記駆動手段
を停止する停止制御手段とを有することを特徴とするも
のである。

【００１６】請求項２に係る発明は、請求項１記載の回
転式基板処理装置において、前記減速制御手段は停止開
始回転数に到達するまで駆動手段を徐々に減速すること
を特徴とする。

【００１７】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の回転式基板処理装置において、前記停止開
始回転数は２，５００ｒｐｍ以下であることを特徴とす
る。

【００１８】請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求
項３記載の回転式基板処理装置において、前記基板保持
手段に保持された基板に処理液を供給する処理液吐出部
を具備したことを特徴とする。

【００１９】請求項５に係る発明は、基板を水平に保持
しつつ回転させ基板に所定の処理を行う回転式基板処理
方法であって、基板裏面と間隙を有して主要部が配置さ
れた基板保持手段により基板を基板外周端縁に当接して
保持し、処理回転数に従って回転させ、その回転中に所
定の処理を行う処理工程と、前記処理工程の停止指令信
号に基づいて、基板回転を予め定められた停止開始回転
数に減速する第１減速工程と、前記停止開始回転数に達
っした後、前記駆動手段を停止する第２減速工程と、を
その順で実施し、基板回転を停止することを特徴とす
る。

【００２０】本発明の作用は次のとおりである。請求項
１に係る発明の回転式基板処理装置においては、基板は
回転処理にあたって基板保持手段の主要部と間隙を有し
て保持される。その保持状態で基板保持手段が回転駆動
され、処理回転数に従って回転制御される。回転処理の
停止に際しては停止指令信号の発信に従って、駆動手段
は予め定められた停止開始回転数に減速される。そして
停止開始回転数に達した後、停止制御手段により駆動手
段は停止される。よって駆動手段の回転停止は停止指令
信号の発信によって停止制御されるのではなく、停止開
始回転数に減速され基板と基板保持手段の主要部との間
隙における負圧が解消された後、基板を停止制御する。
その結果、基板と基板保持手段の主要部との間隙に周辺
の雰囲気が逆流することを防止できる。

【００２１】請求項２に係る発明の回転式基板処理装置
では、減速制御手段は停止開始回転数まで駆動手段の回
転を徐々に減速する。即ち、基板の回転処理によって発
生した基板と基板保持手段の主要部との間隙における負
圧を徐々に減速することで解消する。そのことで、停止
開始回転数に到る減速工程での周辺の雰囲気が逆流する
ことを確実に防止することが可能となる。

【００２２】請求項３に係る発明の回転式基板処理装置
では、停止開始回転数は基板の回転数が２，５００ｒｐ
ｍ以下の値で駆動手段の停止を行なう。即ち、回転数が
２，５００ｒｐｍ以下に減速されるので、この工程間に
基板と基板保持手段の主要部との間隙における負圧は解
消される。よって、その後、停止制御を行なっても周辺
の雰囲気の逆流は発生しない。

【００２３】請求項４に係る発明の回転式基板処理装置
では、保持された基板の表面に処理液吐出部から処理液
が供給される。その結果、基板の回転処理にあたってミ
ストが発生するが、回転停止制御においてそのミストを
含んだ周辺雰囲気の逆流を防止できる。即ち、ミストの
基板への再付着を防止することが可能となる。

【００２４】請求項５に係る発明の回転式基板処理方法
では、まず、基板裏面と間隙を有して主要部が配置され
た基板保持手段により基板外周端縁に当接して基板を保
持し、処理回転数に従って回転させ、その回転中に所定
の処理を行う処理工程を行なう。この処理工程の停止指
令信号に基づいて、第１減速工程で基板回転を予め定め
られた停止開始回転数に減速する。そして停止開始回転
数に達っした後、第２減速工程で駆動手段の停止を行な
う。即ち、基板の回転処理の一連の処理フローにおい
て、基板の回転停止時に停止開始回転数に減速されるの
で、基板と基板保持手段の主要部との間隙における負圧
が解消される。その後、基板を停止制御するので基板と
基板保持手段の主要部との間隙に周辺の雰囲気を逆流を
発生させずに基板処理が可能となる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明の一実施例による回
転式基板処理装置の断面図である。また、図２は図１の
回転式基板処理装置の主要部の平面図である。本実施例
では、回転式基板処理装置の一例として現像装置につい
て説明する。

【００２６】この現像装置１は、主に基板Ｗの現像処理
と洗浄処理が行なわれる回転式の基板処理部２と、基板
処理部２に現像液を供給する現像液供給手段３と、同じ
く基板処理部２へ洗浄液を供給する洗浄液供給手段４と
から構成される。本実施例では、この現像液と洗浄液が
処理液に相当する。

【００２７】基板処理部２には、基板保持・回転手段５
と、カップ６とが配設されている。基板保持・回転手段
５は、基板Ｗを水平姿勢に保持する基板保持手段として
のメカ式スピンチャック７、このメカ式スピンチャック
７を水平姿勢に支持し回転自在に保持する回転軸８、こ
の回転軸８に出力軸が連接されてメカ式スピンチャック
７を鉛直軸周りに回転させる駆動手段としてのモータ９
とより構成される。

【００２８】そしてさらに、基板処理部２の周囲を取り
囲むように配設された中空のカップ６は、メカ式スピン
チャック７に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように
配設され、上下方向に移動可能な上カップ６ａと、上カ
ップ６ａの下方に固定された下カップ６ｂとを備える。
下カップ６ｂの下部には現像装置１の上方からカップ６
内に下降される清浄な空気流（ダウンフロー）を排気す
るための排気口６ｃが設けられカップ６の内部を排気す
るための排気管１１が接続されている。また、カップ６
の底部には、その内底部に集まるドレンを排出するため
のドレン排出管１２が接続されている。

【００２９】メカ式スピンチャック７は金属製の円形板
状の回転部材７１を備える。回転部材７１は、回転軸８
の先端に取付部材７２を介して水平に固定され、鉛直方
向の軸の周りで回転駆動される。回転部材７１の上面に
は、樹脂からなる環状のカバー部材７３が形成されてお
り、このカバー部材７３の上面から基板Ｗの裏面を支持
する複数の支持ピン７４が突出している。また、回転部
材７１には、基板Ｗの水平位置を規制する複数の回転式
の保持ピン７５が鉛直方向の軸の周りで回動可能に取り
付けられている。図２に示すように、複数の保持ピン７
５は回転部材７１の回転中心Ｐから等距離に等分配置さ
れ、保持ピン７５を回動して基板Ｗの外周端面に当接し
基板Ｗを保持する。

【００３０】本実施例において回転部材７１は基板保持
手段の主要部を構成するものであり、基板Ｗがメカ式チ
ャック７に保持された時に、この回転部材７１上で支持
ピン７４により基板Ｗ裏面が回転部材７１より離間され
間隙が形成される。

【００３１】図３は保持ピン７５および図４はベアリン
グプレート７６の斜視図である。図３において、保持ピ
ン７５は、円柱状のピン固定部７５１、円柱状（棒状）
のピン部材７５２、連結シャフト７５３および磁石収納
部７５４を備える。ピン部材７５２は、ピン固定部７５
１の上面にピン固定部７５１の中心に対して偏心して設
けられている。磁石収納部７５４は、ピン固定部７５１
の下部に連結シャフト７５３を介して固定されている。
磁石収納部７５４内には棒状の永久磁石７５５が収納さ
れている。

【００３２】保持ピン７５はベアリングプレート７６に
より回転部材７１に取り付けられる。図４において、ベ
アリングプレート７６は１対の取付孔７６１を有し、回
転部材７１（図１参照）の下面外周にねじ止め固定され
る。ベアリングプレート７６にはベアリング７６２が固
定されており、ベアリング７６２の軸孔７６３内に保持
ピン７５の連結シャフト７５３が挿通される。これによ
り、図１に示すように、保持ピン７５のピン部材７５２
およびピン固定部材７５１が回転部材７１の上面側に突
出し、保持ピン７５の磁石収納部７５４が回転部材７１
の下面側に突出する。

【００３３】一方、回転部材７１の下方には環状磁石７
７が配設されている。上記環状磁石７７は、駆動装置
（図示せず）により上下動自在の設けられた磁石支持部
材７８に固定されている。そして、磁石支持部材７８が
上昇すると、環状磁石７７と保持ピン７５の永久磁石７
５５とが引き合い、保持ピン７５が回転してピン部材７
５２が基板Ｗの外周端部に当接して基板Ｗを保持する。
また、磁石支持部材７８が下降すると、保持ピン７５が
逆方向に回動し、ピン部材７５２が基板Ｗの外周端部か
ら離間する。このような動作により、基板Ｗの外周端部
が保持ピン７５により保持され、あるいは開放される。

【００３４】また、回転部材７１には複数の貫通孔７１
ａが形成されている。これらの貫通孔７１ａの下方には
昇降ピン７９がエアシリンダ（図示せず）により、昇降
自在に配設されている。これらの昇降ピン７９は、基板
搬送装置（図示せず）との基板Ｗの受渡し時に、回転部
材７１の貫通孔７１ａを貫通して上昇し、基板Ｗの裏面
に当接して基板Ｗを上方に押上げる。

【００３５】現像液供給手段３は、メカ式スピンチャッ
ク７の上方に現像液を吐出する現像液供給ノズル３１が
上下方向および水平方向に移動可能に設けられている。
現像液供給ノズル３１は本発明の処理液吐出部に相当す
るものであって、吐出孔３２と、この吐出孔３２を支持
するノズル支持アーム３３とによって構成されるととも
に、吐出孔３２は、ノズル支持アーム３３内を貫通して
配設される現像液供給路３５に流路接続されている。

【００３６】ノズル支持アーム３３の基端部側には昇降
・揺動駆動機構３４が連動連結される。そして昇降・揺
動駆動機構３４によって昇降可能に保持されるとともに
鉛直軸回りに揺動可能に保持されている。昇降・揺動駆
動機構３４は、カップ６の近傍に配置され、これにより
現像液供給ノズル３１は、現像処理前および現像処理後
に基板Ｗの上方から外れて位置に待機し、現像処理時に
基板Ｗの回転中心Ｐの上方に移動する。

【００３７】同じく洗浄液供給手段４は、基板Ｗに対向
して基板Ｗの表面へ洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル
４１を有する。洗浄液供給ノズル４１は本発明の処理液
吐出部に相当するものであって、吐出孔４２と、この吐
出孔４２を支持するノズル支持アーム４３とによって構
成されるとともに、吐出孔４２は、ノズル支持アーム４
３内を貫通して配設される洗浄液供給路４５に流路接続
されている。

【００３８】ノズル支持アーム４３の基端部側には昇降
・揺動駆動機構４４が連動連結される。そして昇降・揺
動駆動機構４４によって昇降可能に保持されるとともに
鉛直軸回りに揺動可能に保持されている。昇降・揺動駆
動機構４４も、カップ６の近傍に配置され、これにより
洗浄液供給ノズル４１は、洗浄処理前および洗浄処理後
に基板Ｗの上方から外れて位置に待機し、洗浄処理時に
基板Ｗの回転中心Ｐの上方に移動する。

【００３９】また、回転軸８は、中空軸により構成さ
れ、その内部に基板の裏面洗浄用のバックリンスノズル
（図示せず）が形成されている。このバックリンスノズ
ルは取付部材７２を貫通して基板Ｗの裏面側に突出して
いる。

【００４０】上記構成の機能は、例えばマイクロコンピ
ュータを用いて実現することができる。図５は、その時
の構成を示すブロック図である。シーケンス制御部２０
０により、基板Ｗの回転数やノズル支持アーム３３、４
３の昇降や回転、処理液の吐出タイミングや吐出量、磁
石支持部材７８の上昇および下降、バックリンスノズル
からのバックリンス液の吐出が統括的に制御されるよう
になっている。そして基板・保持回転手段５のモータ９
の一連の回転および停止、等の動作は回転制御手段２０
により制御される。

【００４１】すなわちシーケンス制御部２００とは別
に、その下位プロセッサとしてこの発明によるモータ９
の回転制御を行なうための回転制御部２１と、その記録
装置としてメモリ２２を回転制御部２１に付随して設
け、伝送ライン２３を通じてシーケンス制御部２００と
接続する。

【００４２】回転制御部２１は、モータ９の回転に伴う
エンコーダ２７からのフィードバックパルスをカウント
し、カウント値を常時監視する。そしてモータ９の回転
数をコントロールする。即ち、具体的にパルスモータを
使用した場合、回転制御部２１がメモリ２２に予め設定
された速度パターンに従ったパルス数を出力することで
パルスモータの回転数を制御する。尚、モータ９はパル
スモータの他、サーボモータ等が用いられる。

【００４３】また、回転制御部２１は速度パターンによ
りモータ９の停止指令信号を発信する。さらに、メモリ
２２に予め設定された減速パターン（負の加速度）に従
って減速する減速制御部２５、同じくモータ９の回転を
停止する停止制御部２６を具備する。本実施例において
は、これらの回転制御部２１構成中の減速制御部２５と
メモリ２２が本願の減速制御手段に相当し、停止制御部
２６とメモリ２２が停止制御手段に相当する。

【００４４】次に、図１の現像装置１における現像処理
時の動作について説明する。図６は、現像処理時の基板
Ｗの回転数を示すタイムチャートである。この現像装置
１においては、上方から清浄な空気のダウンフローがカ
ップ６の内外に供給されつつ現像処理が行なわれる。

【００４５】まず、受け渡し工程では、環状磁石７７が
回転部材７１の下方に離れて位置する。それにより、保
持ピン７５が基板Ｗ解放位置に移動する。基板Ｗの搬入
時には、上カップ６ａを下降させた状態で、図示しない
基板搬送ロボットにより搬送された基板Ｗを、回転部材
７１の貫通孔７１ａを貫通して上昇した昇降ピン７９上
に載置する。基板Ｗが載置された後、昇降ピン７９が下
降する。それにより、基板Ｗが保持ピン７５で囲まれる
領域内のメカ式スピンチャック７の支持ピン７４上に載
置される。この時間Ｔ１では基板Ｗは静止状態である。

【００４６】基板Ｗの処理時には、環状磁石７７が上昇
して回転部材７１に接近する。それにより複数の保持ピ
ン７５が回動してピン部材７５２が基板保持位置に回動
し、基板Ｗを水平方向に保持する。この状態で、モータ
９により回転部材７１が鉛直方向の回転軸８の周りで回
転駆動する。

【００４７】次に、現像液供給工程では、図１に示すよ
うに現像液供給ノズル３１が基板Ｗの基板回転中心Ｐの
上方に位置するようにノズル支持アーム３３を揺動・移
動し、基板Ｗを回転させつつ現像液を供給する。詳細に
は、上カップ６ａを上昇させ、現像液供給ノズル３１を
図示しない待機ポッド内の待機位置から基板Ｗの基板回
転中心Ｐへ移動させる。モータ９によってメカ式スピン
チャック７に保持されて回転している基板Ｗの表面へ現
像液供給ノズル３１から現像液を吐出して、基板Ｗの表
面に現像液を塗布する。

【００４８】この際、一般的には図６に示すように時間
Ｔ２開始で基板Ｗを低速、例えば９００ｒｐｍ程度の回
転数で回転させ、この状態で現像液は基板Ｗ表面の全体
に均一に塗り広げられる。現像液が基板Ｗの全面に拡が
った後で現像液の吐出を停止し、この時、表面張力で現
像液を基板Ｗ全面に盛って保持する。基板は徐々に回転
数を落として時間Ｔ２の終了で静止させる。基板Ｗの回
転が停止すると、環状磁石６が下降して保持ピン７５が
開放状態となる。

【００４９】この状態で、現像液が基板Ｗ上に一定時間
静止保持される。これにより、適切な時間Ｔ３の間に、
静止もしくは数回の攪拌の為の回転を行いながら基板Ｗ
上の感光性膜の現像が進行する。

【００５０】次に、純水洗浄工程では、環状磁石７７が
上昇して保持ピン７５により基板Ｗが水平方向に保持さ
れる。そして、モータ９によりメカ式スピンチャック７
が回転駆動され、基板Ｗが所定の速度で回転する。この
状態で時間Ｔ４の間、洗浄液供給ノズル４１から基板Ｗ
上に純水が供給されて基板Ｗの表面が洗浄されるととも
に、バックリンスノズルからバックリンス液が吐出され
て基板Ｗの裏面が洗浄される。

【００５１】基板Ｗの表面および裏面の洗浄処理が終了
すると、純水およびバックリンス液の供給が停止され、
乾燥工程に移行する。

【００５２】乾燥工程では、図６に示すように、モータ
９の回転数が高められ例えば、基板Ｗがφ３００ｍｍの
場合は約３，０００ｒｐｍの回転数で高速回転される。
これにより、基板Ｗの表面に供給された純水が外方に振
り切られ、基板Ｗの表面が乾燥される。尚、基板Ｗの高
速回転を開始し洗浄液を振り切ると同時にイソプロピル
アルコール液等のリンス液を図示しない供給手段により
基板Ｗ上に供給し基板Ｗ上の洗浄液を洗浄した後、回転
を続けて基板Ｗを乾燥させるようにしても良い。

【００５３】図６の時間Ｔ５が経過し基板Ｗの乾燥処理
が終了すると、同時に基板Ｗを停止するのにモータ９が
停止されるとともに、続いて環状磁石７７が下降され、
それによって保持ピン７５が基板Ｗの外周端部から離間
した位置に回動し、基板Ｗが開放状態となる。その後、
基板Ｗの搬出時には、昇降ピン７９が回転部材７１の貫
通孔７１ａを貫通して上昇する。それにより、基板Ｗが
昇降ピン７９により上方に押上げられる。現像処理済み
の基板Ｗがメカ式スピンチャック７から搬出される。

【００５４】制御手段２０による上記回転式基板処理フ
ローにおいて、特にその基板回転の停止時においてモー
タ９は以下のように制御される。そのフローチャートの
要部を拡大して示す図７を参照して、時間Ｔ５の終期に
おいて基板Ｗの表面が乾燥したタイミングで基板Ｗの回
転処理を停止させる停止指令信号が回転制御部２１より
生成される。この停止指令信号に基づいて減速制御部２
５はモータ９の回転数を減速する。例えば、３００ｒｐ
ｍ／ｓｅｃの負の加速度で回転数を減速する。この減速
は回転数が停止開始回転数である２，５００ｒｐｍに到
達するまで減速制御部２５によりコントロールされる。
即ち、この期間が第１減速工程に相当する。

【００５５】その後、モータ９の回転数が停止開始回転
数である２，５００ｒｐｍに到達すると、停止制御部２
６がモータ９を停止する。この時、モータ９は例えば１
０００ｒｐｍ／ｓｅｃの負の加速度で回転を停止すべく
減速される。即ち、この期間が第２減速工程に相当す
る。

【００５６】負の加速度は、モータ９の回転数をエンコ
ーダ２７のパルスカウント数で監視し、メモリ２２に記
憶された減速パターンに従って回転数をコントロールす
るように、減速制御部２５と停止制御部２６からの信号
が出力される。

【００５７】以上のように、上記の構成によれば基板Ｗ
の乾燥時に時間Ｔ５の間、基板Ｗは高速回転されるの
で、この基板Wと回転部材７１との間隙の雰囲気が周囲
に放出される。そのため、基板Wと回転部材７１との間
隙は高い負圧状態である。一方、乾燥時に、先の洗浄工
程において保持ピン７５等に付着していた洗浄液が飛散
され、またカップ６の内壁により跳ね返されるなどして
ミストとなってカップ６内を浮遊する。

【００５８】そこで、高速回転状態の基板Wを急速に減
速停止しようとすると、基板Wと回転部材７１との間隙
の負圧により、カップ６内では、基板Ｗ周縁の外方側か
ら内方側に間隙を吸引流入する気流が生じる。そして、
同時にミストやパーティクルが上記気流に乗って基板Ｗ
の内方側に流入しようとする。しかしながら、一旦、緩
やかな負の加速度で２，５００ｒｐｍへ徐々に減速され
ると、このことにより上記の負圧は解消される。よっ
て、その後、基板Wの回転停止のため急激な減速を行っ
ても、基板Ｗと回転部材７１との間隙に気流の吸引流入
が発生しない。

【００５９】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るのもではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、図８に示す
ように停止開始回転数に達した後、短時間その回転数で
負圧を解消する構成としても良い。

【００６０】さらに、図９に示すように停止開始回転数
に達するまで段階的に回転数を落として行くことで負圧
を解消する構成としても良い。

【００６１】さらに、上記実施例では、負の加速度を一
定にして直線的に減速するようにしたが、第１減速工程
において初期の負の加速度を大きくし徐々に小さくし、
放物線を描くように減速するようにしても良い。

【００６２】さらに、上記実施例では、回転式基板処理
部を有する現像装置に本発明を適用した場合を説明した
が、回転式の現像装置のみならず、純水による洗浄およ
び回転乾燥処理のみが行われる回転式基板処理装置、例
えば回転式の洗浄装置等にも発明は同様に適当すること
ができる。

【００６３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、基板を水平に保持しつつ回転させ基板に所定
の処理を行う回転式基板処理装置であって、基板をその
外周端縁に当接して保持し、基板裏面と間隙を有して主
要部が配置された基板保持手段と、前記基板保持手段を
回転駆動する駆動手段と、前記駆動手段を処理回転数に
従って回転させる回転制御手段と、前記回転制御手段に
よる回転処理を停止させる停止指令信号に基づいて、前
記駆動手段を予め定められた停止開始回転数まで減速さ
せる減速制御手段と、前記減速制御手段によって停止開
始回転数に達っした後、前記駆動手段を停止する停止制
御手段とを有することを特徴とするもので、その回転処
理の停止に際しては停止指令信号の発信に従って、駆動
手段は予め定められた停止開始回転数に減速される。そ
して停止開始回転数に達した後、停止制御手段により駆
動手段は停止される。よって駆動手段の回転停止は停止
開始回転数に減速され基板と基板保持手段の主要部との
間隙における負圧が解消された後、基板を停止制御す
る。その結果、基板と基板保持手段の主要部との間隙に
周辺の雰囲気が逆流することを防止できる。更に本発明
の回転式基板処理方法では、基板を水平に保持しつつ回
転させ基板に所定の処理を行う回転式基板処理方法であ
って、基板裏面と間隙を有して主要部が配置された基板
保持手段により基板を基板外周端縁に当接して保持し、
処理回転数に従って回転させ、その回転中に所定の処理
を行う処理工程と、前記処理工程の停止指令信号に基づ
いて、基板回転を予め定められた停止開始回転数に減速
する第１減速工程と、前記停止開始回転数に達っした
後、前記駆動手段を停止する第２減速工程と、をその順
で実施し、基板回転を停止することを特徴とするので、
処理工程の停止指令信号に基づいて、第１減速工程で基
板回転を予め定められた停止開始回転数に減速する。そ
して停止開始回転数に達っした後、第２減速工程で駆動
手段の停止を行なう。即ち、基板の回転停止時に停止開
始回転数に減速されるので、基板と基板保持手段の主要
部との間隙における負圧が解消される。その後、基板を
停止制御するので基板と基板保持手段の主要部との間隙
に周辺の雰囲気を逆流を発生させずに基板処理が可能と
なる。。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における現像装置の断面図で
ある。

【図２】図１の現像装置の主要部の平面図である。

【図３】図１の現像装置の保持ピンの斜視図である。

【図４】図１の現像装置のアリングプレートの斜視図で
ある。

【図５】図１の現像装置の制御手段を示すブロック図で
ある。

【図６】現像処理における基板の回転数を示すフローチ
ャートである。

【図７】図６のフローチャートの要部の拡大図である。

【図８】他の実施例である基板の回転数を示すフローチ
ャートである。

【図９】さらに他の実施例である基板の回転数を示すフ
ローチャートである。

【図１０】図１０は従来の現像装置の断面図である。

【図１１】図１１は従来の現像処理における基板の回転
数を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１、１００ 現像装置 ２ 基板処理部 ３ 現像液供給手段 ４ 洗浄液供給手段 ５ 基板保持・回転手段 ６、１１１ カップ ７、１０１ メカ式スピンチャック ９ モータ ７１ 回転部材 ７４、１０４ 支持ピン ７５、１０５ 保持ピン ２０ 回転制御手段 １０８、２００ シーケンス制御手段 ２１、１１０ 回転制御部 ２２ メモリ ２５ 減速制御部 ２６ 停止制御部 Ｗ 基板 Ｐ 回転中心

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA24 AA25 AA27 GA17 GA20 GA29 4D075 AC64 AC94 CA50 DA08 DB11 DC22 4F042 AA07 BA05 EB09 EB18 EB23 EB24 5F046 LA05 LA07

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板を水平に保持しつつ回転させ基板に所
   定の処理を行う回転式基板処理装置であって、 基板をその外周端縁に当接して保持し、基板裏面と間隙
   を有して主要部が配置された基板保持手段と、 前記基板保持手段を回転駆動する駆動手段と、 前記駆動手段を処理回転数に従って回転させる回転制御
   手段と、 前記回転制御手段による回転処理を停止させる停止指令
   信号に基づいて、前記駆動手段を予め定められた停止開
   始回転数まで減速させる減速制御手段と、 前記減速制御手段によって停止開始回転数に達っした
   後、前記駆動手段を停止する停止制御手段と、を有する
   ことを特徴とする回転式基板処理装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の回転式基板処理装置におい
   て、 前記減速制御手段は停止開始回転数に到達するまで駆動
   手段を徐々に減速することを特徴とする回転式基板処理
   装置。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２記載の回転式基板
   処理装置において、 前記停止開始回転数は２，５００ｒｐｍ以下であること
   を特徴とする回転式基板処理装置。
4. 【請求項４】請求項１乃至請求項３記載の回転式基板処
   理装置において、 前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給する
   処理液吐出部を具備したことを特徴とする回転式基板処
   理装置。
5. 【請求項５】基板を水平に保持しつつ回転させ基板に所
   定の処理を行う回転式基板処理方法であって、 基板裏面と間隙を有して主要部が配置された基板保持手
   段により基板を基板外周端縁に当接して保持し、処理回
   転数に従って回転させ、その回転中に所定の処理を行う
   処理工程と、 前記処理工程の停止指令信号に基づいて、基板回転を予
   め定められた停止開始回転数に減速する第１減速工程
   と、 前記停止開始回転数に達っした後、前記駆動手段を停止
   する第２減速工程と、をその順で実施し、基板回転を停
   止することを特徴とする回転式基板処理方法。