JP2000332551A - 高周波電力増幅器 - Google Patents
高周波電力増幅器Info
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＨＢＴで構成されたバイアス回路と共にバイ
アススイッチ回路をＨＢＴで形成することによって、Ｈ
ＢＴで構成されたＭＭＩＣで集積化を行うことができる
デュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器を得る。 【解決手段】 ＨＢＴで構成された第１バイアス回路３
及び第２バイアス回路５の切り換えを行うバイアススイ
ッチ回路６を、従来から広く使用されているＡlＧaＡs
又はＧaＡs系ＨＢＴで形成すると共に、該ＨＢＴを３つ
以上直列に接続して各ベース−エミッタ間電圧Ｖbeの合
計が３Ｖを超えないように形成した。
アススイッチ回路をＨＢＴで形成することによって、Ｈ
ＢＴで構成されたＭＭＩＣで集積化を行うことができる
デュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器を得る。 【解決手段】 ＨＢＴで構成された第１バイアス回路３
及び第２バイアス回路５の切り換えを行うバイアススイ
ッチ回路６を、従来から広く使用されているＡlＧaＡs
又はＧaＡs系ＨＢＴで形成すると共に、該ＨＢＴを３つ
以上直列に接続して各ベース−エミッタ間電圧Ｖbeの合
計が３Ｖを超えないように形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等に使用
されるデュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器に
関し、特に、バイアス回路の切り換えを行って電力増幅
器の選択を行うバイアススイッチ回路を有した、ＨＢＴ
(heterojunction bipolar transistor)で構成される高
周波電力増幅器に関するものである。
されるデュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器に
関し、特に、バイアス回路の切り換えを行って電力増幅
器の選択を行うバイアススイッチ回路を有した、ＨＢＴ
(heterojunction bipolar transistor)で構成される高
周波電力増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、移動体通信用の電力増幅器には、
ＧaＡsＭＥＳＦＥＴ、ＧaＡsＨＥＭＴ、ＧaＡs‐based
ＨＢＴを使用したＭＭＩＣやモジュール（ハイブリッド
ＩＣやマルチチップモジュール等）が広く使用されてい
る。その中で、ＧaＡs‐basedＨＢＴは、従来のＦＥＴ
と比較して、負のゲートバイアス電圧を必要とせず、単
一電源動作が可能であり、Ｓi-ＭＯＳＦＥＴと同様にド
レイン側にアナログスイッチがなくともＯＮ／ＯＦＦ動
作を行うことが可能であり、更に、出力電力密度が高
く、規定の出力電力を得る場合、ＦＥＴ電力増幅器より
も小型化することができるという利点を有している。こ
のため、今後の移動体通信用のパワー素子として期待さ
れている。
ＧaＡsＭＥＳＦＥＴ、ＧaＡsＨＥＭＴ、ＧaＡs‐based
ＨＢＴを使用したＭＭＩＣやモジュール（ハイブリッド
ＩＣやマルチチップモジュール等）が広く使用されてい
る。その中で、ＧaＡs‐basedＨＢＴは、従来のＦＥＴ
と比較して、負のゲートバイアス電圧を必要とせず、単
一電源動作が可能であり、Ｓi-ＭＯＳＦＥＴと同様にド
レイン側にアナログスイッチがなくともＯＮ／ＯＦＦ動
作を行うことが可能であり、更に、出力電力密度が高
く、規定の出力電力を得る場合、ＦＥＴ電力増幅器より
も小型化することができるという利点を有している。こ
のため、今後の移動体通信用のパワー素子として期待さ
れている。
【０００３】また、最近では、携帯電話機の急激な需要
の増加に伴って、１つの携帯電話機で２つのシステムを
利用する電話機の開発やサービスが開始されている。例
えば、１つの携帯電話で、欧州では、現在最も広く使用
されている９００ＭＨｚ帯の携帯電話システムである欧
州のＧＳＭ（Global System for Mobile Communication
s）９００と欧州の１８００ＭＨｚ帯の携帯電話システ
ムであるＤＣＳ１８００、国内では、９００ＭＨｚ帯の
携帯電話方式であるＰＤＣ（Personal DigitalCellula
r）と１９００ＭＨｚ帯のディジタルコードレス電話シ
ステムであるＰＨＳ（Personal Handyphone System）と
いった２つのシステムを利用するといったものである。
の増加に伴って、１つの携帯電話機で２つのシステムを
利用する電話機の開発やサービスが開始されている。例
えば、１つの携帯電話で、欧州では、現在最も広く使用
されている９００ＭＨｚ帯の携帯電話システムである欧
州のＧＳＭ（Global System for Mobile Communication
s）９００と欧州の１８００ＭＨｚ帯の携帯電話システ
ムであるＤＣＳ１８００、国内では、９００ＭＨｚ帯の
携帯電話方式であるＰＤＣ（Personal DigitalCellula
r）と１９００ＭＨｚ帯のディジタルコードレス電話シ
ステムであるＰＨＳ（Personal Handyphone System）と
いった２つのシステムを利用するといったものである。
【０００４】図１０は、従来におけるデュアルバンドシ
ステム用の高周波電力増幅器の回路構成例を示した図で
ある。図１０において、ＧＳＭ９００用、すなわち９０
０ＭＨｚ帯増幅用のＨＢＴであるトランジスタＴrＡ1〜
ＴrＡ3は、第１バイアス回路２０１によってバイアスが
供給されている。また、ＧＳＭ１８００(ＤＣＳ１８０
０)用、すなわち１８００ＭＨｚ帯増幅用のＨＢＴであ
るトランジスタＴrＢ1〜ＴrＢ3は、第２バイアス回路２
０２によってバイアスが供給されている。
ステム用の高周波電力増幅器の回路構成例を示した図で
ある。図１０において、ＧＳＭ９００用、すなわち９０
０ＭＨｚ帯増幅用のＨＢＴであるトランジスタＴrＡ1〜
ＴrＡ3は、第１バイアス回路２０１によってバイアスが
供給されている。また、ＧＳＭ１８００(ＤＣＳ１８０
０)用、すなわち１８００ＭＨｚ帯増幅用のＨＢＴであ
るトランジスタＴrＢ1〜ＴrＢ3は、第２バイアス回路２
０２によってバイアスが供給されている。
【０００５】バイアススイッチ回路２０３は、Ｖmod端
子に入力される信号Ｖmodの２値の信号レベルに応じ
て、第１バイアス回路２０１又は第２バイアス回路２０
２のいずれかを排他的に選択して動作させる。また、バ
イアススイッチ回路２０３は、Ｖpc端子に入力される信
号Ｖpcの信号レベルに応じた出力制御信号を第１バイア
ス回路２０１又は第２バイアス回路２０２に出力し、出
力端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２から出力される出力信号の
レベル調整を行う。信号Ｖpcが０Ｖのときには、バイア
ススイッチ回路２０３は、信号Ｖmodに関係なくＧＳＭ
９００用電力増幅器及びＧＳＭ１８００用電力増幅器の
動作は共に停止させる。
子に入力される信号Ｖmodの２値の信号レベルに応じ
て、第１バイアス回路２０１又は第２バイアス回路２０
２のいずれかを排他的に選択して動作させる。また、バ
イアススイッチ回路２０３は、Ｖpc端子に入力される信
号Ｖpcの信号レベルに応じた出力制御信号を第１バイア
ス回路２０１又は第２バイアス回路２０２に出力し、出
力端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２から出力される出力信号の
レベル調整を行う。信号Ｖpcが０Ｖのときには、バイア
ススイッチ回路２０３は、信号Ｖmodに関係なくＧＳＭ
９００用電力増幅器及びＧＳＭ１８００用電力増幅器の
動作は共に停止させる。
【０００６】図１１は、図１０のバイアススイッチ回路
２０３の従来例を示した概略の回路図である。図１１に
おいて、バイアススイッチ回路２０３は、ＣＭＯＳ等の
シリコン素子を使用したロジック回路２１０、及びシリ
コンを使用して形成されたｎｐｎトランジスタＴrＣ1〜
ＴrＣ4からなる出力バッファ回路２１１で形成されてい
る。ロジック回路２１０は、ＤＡコンバータ（図示せ
ず）から入力された信号Ｖpcを信号Ｖmodの信号レベル
に応じて変換し、出力バッファ回路２１１を介して信号
Ｖ900又はＶ1800のいずれかを出力する。更に、バイア
ススイッチ回路２０３は、信号Ｖ900又はＶ1800のいず
れかを出力することによって選択された電力増幅器にお
ける出力信号の信号レベルを信号Ｖpcに応じて制御し、
他方の電力増幅器の動作を信号Ｖpcに関係なく停止させ
る。
２０３の従来例を示した概略の回路図である。図１１に
おいて、バイアススイッチ回路２０３は、ＣＭＯＳ等の
シリコン素子を使用したロジック回路２１０、及びシリ
コンを使用して形成されたｎｐｎトランジスタＴrＣ1〜
ＴrＣ4からなる出力バッファ回路２１１で形成されてい
る。ロジック回路２１０は、ＤＡコンバータ（図示せ
ず）から入力された信号Ｖpcを信号Ｖmodの信号レベル
に応じて変換し、出力バッファ回路２１１を介して信号
Ｖ900又はＶ1800のいずれかを出力する。更に、バイア
ススイッチ回路２０３は、信号Ｖ900又はＶ1800のいず
れかを出力することによって選択された電力増幅器にお
ける出力信号の信号レベルを信号Ｖpcに応じて制御し、
他方の電力増幅器の動作を信号Ｖpcに関係なく停止させ
る。
【０００７】一方、図１０では第１バイアス回路２０１
及び第２バイアス回路２０２をシリコン素子で形成した
場合を示しているが、図１２は、図１０の第１バイアス
回路２０１及び第２バイアス回路２０２をＨＢＴで構成
した場合の従来例を示した回路図である。図１２におい
て、トランジスタＴrＤ1〜ＴrＤ3はＨＢＴであり、図１
２(ａ)ではトランジスタＴrＤ2によって、図１２(ｂ)で
はトランジスタＴrＤ2及びＴrＤ3により、図１０の電力
増幅用のＨＢＴの温度係数に応じてベース−エミッタ間
電圧Ｖbeの変化を補償することができる。なお、図１２
(ａ)及び図１２(ｂ)において、Ｖin端子はバイアス回路
の入力端子であり、図１１の信号Ｖ900又はＶ1800のい
ずれかが入力される。
及び第２バイアス回路２０２をシリコン素子で形成した
場合を示しているが、図１２は、図１０の第１バイアス
回路２０１及び第２バイアス回路２０２をＨＢＴで構成
した場合の従来例を示した回路図である。図１２におい
て、トランジスタＴrＤ1〜ＴrＤ3はＨＢＴであり、図１
２(ａ)ではトランジスタＴrＤ2によって、図１２(ｂ)で
はトランジスタＴrＤ2及びＴrＤ3により、図１０の電力
増幅用のＨＢＴの温度係数に応じてベース−エミッタ間
電圧Ｖbeの変化を補償することができる。なお、図１２
(ａ)及び図１２(ｂ)において、Ｖin端子はバイアス回路
の入力端子であり、図１１の信号Ｖ900又はＶ1800のい
ずれかが入力される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＨＢＴは、Ｆ
ＥＴと異なりベース電流を増幅して動作するため、ＧＳ
Ｍのように、２Ｗ〜４Ｗの高出力を得るためには数１０
〜１００ｍＡ程度のベース電流を供給する必要がある。
しかし、標準ＣＭＯＳの特定の出力電圧を保証する出力
電流値は数ｍＡ以下であることから、このような大きな
ベース電流を標準のＳi−ＣＭＯＳＬＳＩから直接得る
ことは困難であった。このため、シリコン素子を使用し
たバイアススイッチ回路を使用すると、ロジック回路構
成の汎用性から信号Ｖpc及び信号Ｖmodによる２つの電
力増幅器の制御は容易であるが、ＨＢＴ電力増幅器以外
にシリコン素子を使用した専用の制御回路が必要であっ
た。
ＥＴと異なりベース電流を増幅して動作するため、ＧＳ
Ｍのように、２Ｗ〜４Ｗの高出力を得るためには数１０
〜１００ｍＡ程度のベース電流を供給する必要がある。
しかし、標準ＣＭＯＳの特定の出力電圧を保証する出力
電流値は数ｍＡ以下であることから、このような大きな
ベース電流を標準のＳi−ＣＭＯＳＬＳＩから直接得る
ことは困難であった。このため、シリコン素子を使用し
たバイアススイッチ回路を使用すると、ロジック回路構
成の汎用性から信号Ｖpc及び信号Ｖmodによる２つの電
力増幅器の制御は容易であるが、ＨＢＴ電力増幅器以外
にシリコン素子を使用した専用の制御回路が必要であっ
た。
【０００９】更に、バイアススイッチ回路及び各バイア
ス回路、又はバイアススイッチ回路をシリコン素子で形
成した場合、これらの回路をＨＢＴで構成されたＭＭＩ
Ｃ上に集積化することができず、別途シリコンチップで
形成する必要があり、量産時の歩留まりが低下するとい
う問題があった。
ス回路、又はバイアススイッチ回路をシリコン素子で形
成した場合、これらの回路をＨＢＴで構成されたＭＭＩ
Ｃ上に集積化することができず、別途シリコンチップで
形成する必要があり、量産時の歩留まりが低下するとい
う問題があった。
【００１０】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたものであり、ＨＢＴで構成されたデュアル
バンドシステム用の各高周波電力増幅器のバイアス回路
と共にバイアススイッチ回路をＨＢＴで形成することに
よって、ＨＢＴで構成されたＭＭＩＣで集積化を行うこ
とができるデュアルバンドシステム用の高周波電力増幅
器を得ることを目的とする。
めになされたものであり、ＨＢＴで構成されたデュアル
バンドシステム用の各高周波電力増幅器のバイアス回路
と共にバイアススイッチ回路をＨＢＴで形成することに
よって、ＨＢＴで構成されたＭＭＩＣで集積化を行うこ
とができるデュアルバンドシステム用の高周波電力増幅
器を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波電
力増幅器は、少なくとも１つの電力増幅用ＨＢＴで構成
された２つの電力増幅器と、ＨＢＴで構成され該各電力
増幅器に対応して設けられた各バイアス回路と、外部か
らの信号に応じて該各バイアス回路に対する動作の切り
換えを排他的に行うバイアススイッチ回路とを備えた、
デュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器におい
て、バイアススイッチ回路は、各バイアス回路の動作制
御を行う外部からの信号Ｖpcにおける一方のバイアス回
路への出力制御を行う、ＨＢＴで構成された第１スイッ
チング手段と、外部からの信号Ｖpcの他方のバイアス回
路への出力制御を行う、ＨＢＴで構成された第２スイッ
チング手段と、外部から入力される第１スイッチング手
段の動作制御を行うための制御信号Ｖmodに応じて第２
スイッチング手段の動作制御を行い、第１及び第２スイ
ッチング手段を排他的に選択して動作させる、ＨＢＴで
構成された第３スイッチング手段とを備えるものであ
る。
力増幅器は、少なくとも１つの電力増幅用ＨＢＴで構成
された２つの電力増幅器と、ＨＢＴで構成され該各電力
増幅器に対応して設けられた各バイアス回路と、外部か
らの信号に応じて該各バイアス回路に対する動作の切り
換えを排他的に行うバイアススイッチ回路とを備えた、
デュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器におい
て、バイアススイッチ回路は、各バイアス回路の動作制
御を行う外部からの信号Ｖpcにおける一方のバイアス回
路への出力制御を行う、ＨＢＴで構成された第１スイッ
チング手段と、外部からの信号Ｖpcの他方のバイアス回
路への出力制御を行う、ＨＢＴで構成された第２スイッ
チング手段と、外部から入力される第１スイッチング手
段の動作制御を行うための制御信号Ｖmodに応じて第２
スイッチング手段の動作制御を行い、第１及び第２スイ
ッチング手段を排他的に選択して動作させる、ＨＢＴで
構成された第３スイッチング手段とを備えるものであ
る。
【００１２】また、この発明に係る高周波電力増幅器
は、請求項１において、上記第１及び第２スイッチング
手段は、信号Ｖpcの電圧を分圧するための複数の抵抗を
直列に接続した抵抗直列回路と、該抵抗直列回路と接地
との接続制御を行う接地接続用ＨＢＴとでそれぞれ形成
され、該抵抗直列回路における所定の抵抗間の接続部か
ら、対応するバイアス回路への制御信号を出力するもの
である。
は、請求項１において、上記第１及び第２スイッチング
手段は、信号Ｖpcの電圧を分圧するための複数の抵抗を
直列に接続した抵抗直列回路と、該抵抗直列回路と接地
との接続制御を行う接地接続用ＨＢＴとでそれぞれ形成
され、該抵抗直列回路における所定の抵抗間の接続部か
ら、対応するバイアス回路への制御信号を出力するもの
である。
【００１３】また、この発明に係る高周波電力増幅器
は、請求項２において、上記第１及び第２スイッチング
手段は、各電力増幅器が複数の電力増幅用ＨＢＴで増幅
を行う多段電力増幅器を形成し、対応する各バイアス回
路が各電力増幅用ＨＢＴごとにバイアスを供給する回路
を有する場合、信号Ｖpcによる電流が、初段の電力増幅
用ＨＢＴにバイアスを供給する回路から最終段の電力増
幅用ＨＢＴにバイアスを供給する回路へ順に大きくなる
ように、対応するバイアス回路への制御信号を出力する
ものである。
は、請求項２において、上記第１及び第２スイッチング
手段は、各電力増幅器が複数の電力増幅用ＨＢＴで増幅
を行う多段電力増幅器を形成し、対応する各バイアス回
路が各電力増幅用ＨＢＴごとにバイアスを供給する回路
を有する場合、信号Ｖpcによる電流が、初段の電力増幅
用ＨＢＴにバイアスを供給する回路から最終段の電力増
幅用ＨＢＴにバイアスを供給する回路へ順に大きくなる
ように、対応するバイアス回路への制御信号を出力する
ものである。
【００１４】また、この発明に係る高周波電力増幅器
は、請求項２又は請求項３のいずれかにおいて、上記第
１及び第２スイッチング手段は、抵抗直列回路における
所定の抵抗間の接続部、及び該抵抗直列回路と接地接続
用ＨＢＴとの接続部の間に、対応するバイアス回路への
制御信号の大きさを調整する調整用抵抗がそれぞれ並列
に設けられるものである。
は、請求項２又は請求項３のいずれかにおいて、上記第
１及び第２スイッチング手段は、抵抗直列回路における
所定の抵抗間の接続部、及び該抵抗直列回路と接地接続
用ＨＢＴとの接続部の間に、対応するバイアス回路への
制御信号の大きさを調整する調整用抵抗がそれぞれ並列
に設けられるものである。
【００１５】この発明に係る高周波電力増幅器は、請求
項２から請求項４のいずれかにおいて、上記第３スイッ
チング手段におけるＨＢＴは、２値の信号Ｖmodに応じ
て、第２スイッチング手段におけるＨＢＴのベースに対
するバイアスの供給制御を行うものである。
項２から請求項４のいずれかにおいて、上記第３スイッ
チング手段におけるＨＢＴは、２値の信号Ｖmodに応じ
て、第２スイッチング手段におけるＨＢＴのベースに対
するバイアスの供給制御を行うものである。
【００１６】この発明に係る高周波電力増幅器は、請求
項１から請求項５のいずれかにおいて、上記第１及び第
２スイッチング手段は、信号Ｖpcが入力される入力端子
に印加された過電圧から各バイアス回路を保護する保護
回路がそれぞれ設けられるものである。
項１から請求項５のいずれかにおいて、上記第１及び第
２スイッチング手段は、信号Ｖpcが入力される入力端子
に印加された過電圧から各バイアス回路を保護する保護
回路がそれぞれ設けられるものである。
【００１７】この発明に係る高周波電力増幅器は、請求
項６において、上記保護回路は、ＨＢＴで構成されたＶ
beマルチプライヤをなすものである。
項６において、上記保護回路は、ＨＢＴで構成されたＶ
beマルチプライヤをなすものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、図面に示す実施の形態に基
づいて、本発明を詳細に説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１における
デュアルバンド用の高周波電力増幅器の例を示した概略
の回路図である。なお、図１では、ＧＳＭ９００用及び
ＧＳＭ１８００用の２つの１段電力増幅器を備えたデュ
アルバンド用の高周波電力増幅器を例にして説明する。
づいて、本発明を詳細に説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１における
デュアルバンド用の高周波電力増幅器の例を示した概略
の回路図である。なお、図１では、ＧＳＭ９００用及び
ＧＳＭ１８００用の２つの１段電力増幅器を備えたデュ
アルバンド用の高周波電力増幅器を例にして説明する。
【００１９】図１において、高周波電力増幅器１は、Ｇ
ＳＭ９００用の電力増幅器である第１電力増幅器２と、
該第１電力増幅器２にバイアスを供給する第１バイアス
回路３と、ＧＳＭ１８００用の電力増幅器である第２電
力増幅器４と、該第２電力増幅器４にバイアスを供給す
る第２バイアス回路５と、第１バイアス回路３及び第２
バイアス回路５のいずれかを排他的に選択して動作させ
るバイアススイッチ回路６と、出力整合回路７，８と、
コレクタバイアス回路９，１０とで構成されている。
ＳＭ９００用の電力増幅器である第１電力増幅器２と、
該第１電力増幅器２にバイアスを供給する第１バイアス
回路３と、ＧＳＭ１８００用の電力増幅器である第２電
力増幅器４と、該第２電力増幅器４にバイアスを供給す
る第２バイアス回路５と、第１バイアス回路３及び第２
バイアス回路５のいずれかを排他的に選択して動作させ
るバイアススイッチ回路６と、出力整合回路７，８と、
コレクタバイアス回路９，１０とで構成されている。
【００２０】第１電力増幅器２は、電力増幅用のＨＢＴ
１１及び入力整合回路１２で形成されている。ＨＢＴ１
１は、入力端子ＩＮ１から入力整合回路１２を介して入
力される高周波信号の電力増幅を行い、該増幅した高周
波信号を出力整合回路７を介して出力端子ＯＵＴ１から
出力する。この際、ＨＢＴ１１のコレクタには、コレク
タバイアス回路９からバイアスが供給され、ＨＢＴ１１
のベースには第１バイアス回路３からバイアスが供給さ
れている。
１１及び入力整合回路１２で形成されている。ＨＢＴ１
１は、入力端子ＩＮ１から入力整合回路１２を介して入
力される高周波信号の電力増幅を行い、該増幅した高周
波信号を出力整合回路７を介して出力端子ＯＵＴ１から
出力する。この際、ＨＢＴ１１のコレクタには、コレク
タバイアス回路９からバイアスが供給され、ＨＢＴ１１
のベースには第１バイアス回路３からバイアスが供給さ
れている。
【００２１】同様に、第２電力増幅器４は、電力増幅用
のＨＢＴ２１及び入力整合回路２２で形成されている。
ＨＢＴ２１は、入力端子ＩＮ２から入力整合回路２２を
介して入力される高周波信号の電力増幅を行い、該増幅
した高周波信号を出力整合回路８を介して出力端子ＯＵ
Ｔ２から出力する。この際、ＨＢＴ２１コレクタには、
出力整合回路８を介してバイアスが供給され、ＨＢＴ２
１のベースには第２バイアス回路５からバイアスが供給
されている。
のＨＢＴ２１及び入力整合回路２２で形成されている。
ＨＢＴ２１は、入力端子ＩＮ２から入力整合回路２２を
介して入力される高周波信号の電力増幅を行い、該増幅
した高周波信号を出力整合回路８を介して出力端子ＯＵ
Ｔ２から出力する。この際、ＨＢＴ２１コレクタには、
出力整合回路８を介してバイアスが供給され、ＨＢＴ２
１のベースには第２バイアス回路５からバイアスが供給
されている。
【００２２】第１バイアス回路３及び第２バイアス回路
５は、バイアススイッチ回路６によって動作制御が行わ
れる。すなわち、バイアススイッチ回路６は、Ｖmod端
子に外部から入力される信号Ｖmodの２値の信号レベル
（例えば、３ＶをＨｉｇｈレベルとし、０ＶをＬｏｗレ
ベルとする）に応じて、第１バイアス回路３に対する制
御信号である信号Ｖ900又は第２バイアス回路５に対す
る制御信号である信号Ｖ1800を出力し、第１バイアス回
路３又は第２バイアス回路５のいずれかを選択的に動作
させる。
５は、バイアススイッチ回路６によって動作制御が行わ
れる。すなわち、バイアススイッチ回路６は、Ｖmod端
子に外部から入力される信号Ｖmodの２値の信号レベル
（例えば、３ＶをＨｉｇｈレベルとし、０ＶをＬｏｗレ
ベルとする）に応じて、第１バイアス回路３に対する制
御信号である信号Ｖ900又は第２バイアス回路５に対す
る制御信号である信号Ｖ1800を出力し、第１バイアス回
路３又は第２バイアス回路５のいずれかを選択的に動作
させる。
【００２３】また、バイアススイッチ回路６は、Ｖpc端
子に外部から入力される信号Ｖpcの信号レベルに応じた
信号Ｖ900又はＶ1800を出力し、出力端子ＯＵＴ１及び
ＯＵＴ２から出力される信号のレベル調整を行う。例え
ば、信号Ｖpcの信号レベルを０〜３Ｖの範囲で可変する
ことによって、出力端子ＯＵＴ１又はＯＵＴ２から出力
される信号レベルを−数十ｄＢｍ〜３４ｄＢｍ前後の範
囲で可変することができる。また、バイアススイッチ回
路６は、信号Ｖpcが０Ｖのときには、信号Ｖmodに関係
なく第１バイアス回路３及び第２バイアス回路５に対し
てバイアスの供給を停止させ、第１電力増幅器２及び第
２電力増幅器４の動作は共に停止する。
子に外部から入力される信号Ｖpcの信号レベルに応じた
信号Ｖ900又はＶ1800を出力し、出力端子ＯＵＴ１及び
ＯＵＴ２から出力される信号のレベル調整を行う。例え
ば、信号Ｖpcの信号レベルを０〜３Ｖの範囲で可変する
ことによって、出力端子ＯＵＴ１又はＯＵＴ２から出力
される信号レベルを−数十ｄＢｍ〜３４ｄＢｍ前後の範
囲で可変することができる。また、バイアススイッチ回
路６は、信号Ｖpcが０Ｖのときには、信号Ｖmodに関係
なく第１バイアス回路３及び第２バイアス回路５に対し
てバイアスの供給を停止させ、第１電力増幅器２及び第
２電力増幅器４の動作は共に停止する。
【００２４】図２は、図１の第１バイアス回路３、第２
バイアス回路５及びバイアススイッチ回路６の例を示し
た回路図である。図２において、第１バイアス回路３
は、ＨＢＴ３１，３２及び抵抗３３，３４で形成されて
おり、抵抗３３はＨＢＴ３１のベース抵抗を、抵抗３４
はＨＢＴ３２のベース抵抗をそれぞれなしている。
バイアス回路５及びバイアススイッチ回路６の例を示し
た回路図である。図２において、第１バイアス回路３
は、ＨＢＴ３１，３２及び抵抗３３，３４で形成されて
おり、抵抗３３はＨＢＴ３１のベース抵抗を、抵抗３４
はＨＢＴ３２のベース抵抗をそれぞれなしている。
【００２５】ＨＢＴ３１において、コレクタは、所定の
直流電源電圧が印加される電源端子Ｖccに、エミッタは
ＨＢＴ３２のコレクタにそれぞれ接続され、該接続部
は、第１バイアス回路３の出力をなし、第１電力増幅器
２のＨＢＴ１１のベースに接続されている。更に、ＨＢ
Ｔ３１のベースは、抵抗３３を介してバイアススイッチ
回路６の出力端子であるＶ900端子に接続されて信号Ｖ9
00が入力される。また、ＨＢＴ３２において、ベースは
抵抗３４を介してコレクタに接続され、エミッタは接地
されている。ＨＢＴ３２によって、第１電力増幅器２に
おけるＨＢＴ１１の温度係数に応じてベース−エミッタ
間電圧Ｖbeの変化を補償することができる。
直流電源電圧が印加される電源端子Ｖccに、エミッタは
ＨＢＴ３２のコレクタにそれぞれ接続され、該接続部
は、第１バイアス回路３の出力をなし、第１電力増幅器
２のＨＢＴ１１のベースに接続されている。更に、ＨＢ
Ｔ３１のベースは、抵抗３３を介してバイアススイッチ
回路６の出力端子であるＶ900端子に接続されて信号Ｖ9
00が入力される。また、ＨＢＴ３２において、ベースは
抵抗３４を介してコレクタに接続され、エミッタは接地
されている。ＨＢＴ３２によって、第１電力増幅器２に
おけるＨＢＴ１１の温度係数に応じてベース−エミッタ
間電圧Ｖbeの変化を補償することができる。
【００２６】同様に、第２バイアス回路５は、ＨＢＴ３
５，３６及び抵抗３７，３８で形成されており、抵抗３
７はＨＢＴ３５のベース抵抗を、抵抗３８はＨＢＴ３６
のベース抵抗をそれぞれなしている。ＨＢＴ３５におい
て、コレクタは、電源端子Ｖccに、エミッタはＨＢＴ３
６のコレクタにそれぞれ接続され、該接続部は、第２バ
イアス回路５の出力をなし、第２電力増幅器４のＨＢＴ
２１のベースに接続されている。更に、ＨＢＴ３５のベ
ースは、抵抗３７を介してバイアススイッチ回路６の出
力端子であるＶ1800端子に接続されて信号Ｖ1800が入力
される。また、ＨＢＴ３６において、ベースは抵抗３８
を介してコレクタに接続され、エミッタは接地されてい
る。ＨＢＴ３６によって、第２電力増幅器４におけるＨ
ＢＴ２１の温度係数に応じてベース−エミッタ間電圧Ｖ
beの変化を補償することができる。
５，３６及び抵抗３７，３８で形成されており、抵抗３
７はＨＢＴ３５のベース抵抗を、抵抗３８はＨＢＴ３６
のベース抵抗をそれぞれなしている。ＨＢＴ３５におい
て、コレクタは、電源端子Ｖccに、エミッタはＨＢＴ３
６のコレクタにそれぞれ接続され、該接続部は、第２バ
イアス回路５の出力をなし、第２電力増幅器４のＨＢＴ
２１のベースに接続されている。更に、ＨＢＴ３５のベ
ースは、抵抗３７を介してバイアススイッチ回路６の出
力端子であるＶ1800端子に接続されて信号Ｖ1800が入力
される。また、ＨＢＴ３６において、ベースは抵抗３８
を介してコレクタに接続され、エミッタは接地されてい
る。ＨＢＴ３６によって、第２電力増幅器４におけるＨ
ＢＴ２１の温度係数に応じてベース−エミッタ間電圧Ｖ
beの変化を補償することができる。
【００２７】一方、バイアススイッチ回路６は、ＨＢＴ
４１〜４３及び抵抗４５〜５４で形成されている。Ｖpc
端子は、抵抗４５及び４６の直列回路を介してＨＢＴ４
１のコレクタに接続され、抵抗４５及び４６の接続部
は、バイアススイッチ回路６のＶ900端子に接続され、
第１バイアス回路３の抵抗３３を介してＨＢＴ３１のベ
ースに接続されている。ＨＢＴ４１において、ベースは
抵抗４７を介してＨＢＴ４３のコレクタに接続され、エ
ミッタは接地されている。
４１〜４３及び抵抗４５〜５４で形成されている。Ｖpc
端子は、抵抗４５及び４６の直列回路を介してＨＢＴ４
１のコレクタに接続され、抵抗４５及び４６の接続部
は、バイアススイッチ回路６のＶ900端子に接続され、
第１バイアス回路３の抵抗３３を介してＨＢＴ３１のベ
ースに接続されている。ＨＢＴ４１において、ベースは
抵抗４７を介してＨＢＴ４３のコレクタに接続され、エ
ミッタは接地されている。
【００２８】同様に、Ｖpc端子は、抵抗４８及び４９の
直列回路を介してＨＢＴ４２のコレクタに接続され、抵
抗４８及び４９の接続部は、バイアススイッチ回路６の
Ｖ1800端子に接続され、第２バイアス回路５の抵抗３７
を介してＨＢＴ３５のベースに接続されている。ＨＢＴ
４２において、ベースは抵抗５０と抵抗５１の直列回路
を介してＶmod端子に接続され、エミッタは接地されて
いる。Ｖmod端子は、抵抗５３を介してＨＢＴ４３のベ
ースに接続され、抵抗５４を介して接地されている。Ｈ
ＢＴ４３において、コレクタは抵抗５２を介してＶpc端
子に接続され、エミッタは接地されている。
直列回路を介してＨＢＴ４２のコレクタに接続され、抵
抗４８及び４９の接続部は、バイアススイッチ回路６の
Ｖ1800端子に接続され、第２バイアス回路５の抵抗３７
を介してＨＢＴ３５のベースに接続されている。ＨＢＴ
４２において、ベースは抵抗５０と抵抗５１の直列回路
を介してＶmod端子に接続され、エミッタは接地されて
いる。Ｖmod端子は、抵抗５３を介してＨＢＴ４３のベ
ースに接続され、抵抗５４を介して接地されている。Ｈ
ＢＴ４３において、コレクタは抵抗５２を介してＶpc端
子に接続され、エミッタは接地されている。
【００２９】このような構成において、例えばＶpc端子
に２.７Ｖの電圧が印加され、Ｖmod端子が３Ｖの電圧が
印加されてＨｉｇｈレベルになると、ＨＢＴ４３がＯＮ
状態になることから、ＨＢＴ４１はＯＦＦ状態になり、
ＨＢＴ４２はＯＮ状態になる。ＨＢＴ４２がＯＮ状態に
なることによって、Ｖpc端子の電圧Ｖpcは、抵抗４８及
び４９で分圧され、抵抗４８の抵抗値をＲ48とし抵抗４
９の抵抗値をＲ49とすると、Ｖ1800端子の電圧は{Ｖpc
×Ｒ49／(Ｒ48＋Ｒ49)}に低下する。このことから、第
２バイアス回路５のＨＢＴ３５及び３６はＯＦＦ状態と
なる。
に２.７Ｖの電圧が印加され、Ｖmod端子が３Ｖの電圧が
印加されてＨｉｇｈレベルになると、ＨＢＴ４３がＯＮ
状態になることから、ＨＢＴ４１はＯＦＦ状態になり、
ＨＢＴ４２はＯＮ状態になる。ＨＢＴ４２がＯＮ状態に
なることによって、Ｖpc端子の電圧Ｖpcは、抵抗４８及
び４９で分圧され、抵抗４８の抵抗値をＲ48とし抵抗４
９の抵抗値をＲ49とすると、Ｖ1800端子の電圧は{Ｖpc
×Ｒ49／(Ｒ48＋Ｒ49)}に低下する。このことから、第
２バイアス回路５のＨＢＴ３５及び３６はＯＦＦ状態と
なる。
【００３０】一方、ＨＢＴ４１がＯＦＦ状態であるた
め、第１バイアス回路３のＨＢＴ３１のベースには、抵
抗４５及び抵抗３３を介して電流が流れる。このことか
ら、第１バイアス回路３の出力からは、電圧Ｖpcに応じ
たバイアスが第１電力増幅器２のＨＢＴ１１のベースに
供給され、第１電力増幅器２の出力ＯＵＴ１から電圧Ｖ
pcに応じた出力電力を得ることができる。
め、第１バイアス回路３のＨＢＴ３１のベースには、抵
抗４５及び抵抗３３を介して電流が流れる。このことか
ら、第１バイアス回路３の出力からは、電圧Ｖpcに応じ
たバイアスが第１電力増幅器２のＨＢＴ１１のベースに
供給され、第１電力増幅器２の出力ＯＵＴ１から電圧Ｖ
pcに応じた出力電力を得ることができる。
【００３１】次に、例えばＶpc端子に２.７Ｖの電圧が
印加され、Ｖmod端子が０Ｖの電圧が印加されてＬｏｗ
レベルになると、ＨＢＴ４３がＯＦＦ状態になることか
ら、ＨＢＴ４１はＯＮ状態になり、ＨＢＴ４２はＯＦＦ
状態になる。ＨＢＴ４１がＯＮ状態になることによっ
て、Ｖpc端子の電圧Ｖpcは、抵抗４５及び４６で分圧さ
れ、抵抗４５の抵抗値をＲ45とし抵抗４６の抵抗値をＲ
46とすると、Ｖ900端子の電圧は{Ｖpc×Ｒ46／(Ｒ45＋
Ｒ46)}に低下する。このことから、第１バイアス回路３
のＨＢＴ３１及び３２はＯＦＦ状態となる。
印加され、Ｖmod端子が０Ｖの電圧が印加されてＬｏｗ
レベルになると、ＨＢＴ４３がＯＦＦ状態になることか
ら、ＨＢＴ４１はＯＮ状態になり、ＨＢＴ４２はＯＦＦ
状態になる。ＨＢＴ４１がＯＮ状態になることによっ
て、Ｖpc端子の電圧Ｖpcは、抵抗４５及び４６で分圧さ
れ、抵抗４５の抵抗値をＲ45とし抵抗４６の抵抗値をＲ
46とすると、Ｖ900端子の電圧は{Ｖpc×Ｒ46／(Ｒ45＋
Ｒ46)}に低下する。このことから、第１バイアス回路３
のＨＢＴ３１及び３２はＯＦＦ状態となる。
【００３２】また、ＨＢＴ４１がＯＮ状態であるため、
第２バイアス回路５のＨＢＴ３５のベースには、抵抗４
８及び抵抗３７を介して電流が流れる。このことから、
第２バイアス回路５の出力からは、電圧Ｖpcに応じたバ
イアスが第２電力増幅器４のＨＢＴ２１のベースに供給
され、第２電力増幅器４の出力ＯＵＴ２から電圧Ｖpcに
応じた出力電力を得ることができる。
第２バイアス回路５のＨＢＴ３５のベースには、抵抗４
８及び抵抗３７を介して電流が流れる。このことから、
第２バイアス回路５の出力からは、電圧Ｖpcに応じたバ
イアスが第２電力増幅器４のＨＢＴ２１のベースに供給
され、第２電力増幅器４の出力ＯＵＴ２から電圧Ｖpcに
応じた出力電力を得ることができる。
【００３３】一方、電圧Ｖpcが０Ｖになると、Ｖmod端
子の電圧に関係なく、すなわちＨＢＴ４１及び４２の動
作状態に関係なく、第１バイアス回路３のＨＢＴ３１及
び第２バイアス回路５のＨＢＴ３５はＯＦＦ状態になる
ことから、第１電力増幅器２及び第２電力増幅器４は共
に動作を停止する。このように、バイアススイッチ回路
６をＨＢＴで形成したことから、デュアルバンドシステ
ム用の高周波電力増幅器１を第１電力増幅器２と第１バ
イアス回路３からなるＧＳＭ９００用と第２電力増幅器
４と第２バイアス回路５からなるＧＳＭ１８００用とい
った２つのチップで形成し、該２つのチップのいずれか
一方にバイアススイッチ回路６を形成することができ
る。
子の電圧に関係なく、すなわちＨＢＴ４１及び４２の動
作状態に関係なく、第１バイアス回路３のＨＢＴ３１及
び第２バイアス回路５のＨＢＴ３５はＯＦＦ状態になる
ことから、第１電力増幅器２及び第２電力増幅器４は共
に動作を停止する。このように、バイアススイッチ回路
６をＨＢＴで形成したことから、デュアルバンドシステ
ム用の高周波電力増幅器１を第１電力増幅器２と第１バ
イアス回路３からなるＧＳＭ９００用と第２電力増幅器
４と第２バイアス回路５からなるＧＳＭ１８００用とい
った２つのチップで形成し、該２つのチップのいずれか
一方にバイアススイッチ回路６を形成することができ
る。
【００３４】ここで、バイアススイッチ回路６のスイッ
チ動作に要する回路電流は、Ｖpc端子より供給されるこ
とから、Ｖpc端子から供給される電流が、従来における
シリコン素子で形成したバイアススイッチ回路と比較し
て増加する。しかし、該増加分は、Ｒ45＝Ｒ48＝Ｒaと
し、Ｒ46＝Ｒ49＝Ｒbとすると、(Ｒa＋Ｒb)とＲaを最適
化することによって抑制することができる。例えば、第
１バイアス回路３が動作し、第２バイアス回路５が動作
を停止している場合、抵抗４５における電圧降下は抵抗
４５に流れる電流をＩ1とすると(Ｉ1×Ｒa)となり、抵
抗４８における電圧降下は{Ｖpc×Ｒa／(Ｒa＋Ｒb)}と
なる。このことから、Ｒa及びＲbを最適な値に選択する
ことによって、Ｖpc端子から供給される電流を実用上問
題のない範囲で最小化することができる。
チ動作に要する回路電流は、Ｖpc端子より供給されるこ
とから、Ｖpc端子から供給される電流が、従来における
シリコン素子で形成したバイアススイッチ回路と比較し
て増加する。しかし、該増加分は、Ｒ45＝Ｒ48＝Ｒaと
し、Ｒ46＝Ｒ49＝Ｒbとすると、(Ｒa＋Ｒb)とＲaを最適
化することによって抑制することができる。例えば、第
１バイアス回路３が動作し、第２バイアス回路５が動作
を停止している場合、抵抗４５における電圧降下は抵抗
４５に流れる電流をＩ1とすると(Ｉ1×Ｒa)となり、抵
抗４８における電圧降下は{Ｖpc×Ｒa／(Ｒa＋Ｒb)}と
なる。このことから、Ｒa及びＲbを最適な値に選択する
ことによって、Ｖpc端子から供給される電流を実用上問
題のない範囲で最小化することができる。
【００３５】図３は、図２で示したバイアススイッチ回
路６の動作例を示した特性図である。図３(ａ)はＶmod
＝３Ｖのとき、図３(ｂ)はＶmod＝０Ｖのときにおけ
る、電圧Ｖpcに対するＶ900端子及びＶ1800端子の各電
圧Ｖ900，Ｖ1800並びにＶpc端子から供給される電流Ｉp
cの関係を示した図であり、図３(ｃ)は、Ｖpc＝２.７Ｖ
のときの、電圧Ｖmodに対するＶ900端子及びＶ1800端子
の各電圧Ｖ900，Ｖ1800、Ｖ900端子から出力される電流
Ｉ900並びにＶ1800端子から出力される電流Ｉ1800の関
係を示した図である。図３(ａ)〜図３(ｃ)から、Ｖpcが
２.７Ｖのとき、約３.５ｍＡの電流Ｉpcで、第１電力増
幅器２及び第２電力増幅器４への電流の切り換えが行わ
れていることが分かる。
路６の動作例を示した特性図である。図３(ａ)はＶmod
＝３Ｖのとき、図３(ｂ)はＶmod＝０Ｖのときにおけ
る、電圧Ｖpcに対するＶ900端子及びＶ1800端子の各電
圧Ｖ900，Ｖ1800並びにＶpc端子から供給される電流Ｉp
cの関係を示した図であり、図３(ｃ)は、Ｖpc＝２.７Ｖ
のときの、電圧Ｖmodに対するＶ900端子及びＶ1800端子
の各電圧Ｖ900，Ｖ1800、Ｖ900端子から出力される電流
Ｉ900並びにＶ1800端子から出力される電流Ｉ1800の関
係を示した図である。図３(ａ)〜図３(ｃ)から、Ｖpcが
２.７Ｖのとき、約３.５ｍＡの電流Ｉpcで、第１電力増
幅器２及び第２電力増幅器４への電流の切り換えが行わ
れていることが分かる。
【００３６】図１及び図２では、１段電力増幅器の場合
を例にして説明したが、本発明はこれに限定するもので
はなく、多段電力増幅器においても適用することができ
る。図４は、本発明の実施の形態１におけるデュアルバ
ンドシステム用の高周波電力増幅器の他の例を示した概
略の回路図である。なお、図４では、３段電力増幅器を
備えたデュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器を
例にして示しており、図１と同じものは同じ符号で示す
と共に図１との相違点のみ説明する。
を例にして説明したが、本発明はこれに限定するもので
はなく、多段電力増幅器においても適用することができ
る。図４は、本発明の実施の形態１におけるデュアルバ
ンドシステム用の高周波電力増幅器の他の例を示した概
略の回路図である。なお、図４では、３段電力増幅器を
備えたデュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器を
例にして示しており、図１と同じものは同じ符号で示す
と共に図１との相違点のみ説明する。
【００３７】図４における図１との相違点は、図１の第
１電力増幅器２及び第２電力増幅器４をそれぞれ３段電
力増幅器にし、これに伴って、図１の第１バイアス回路
３及び第２バイアス回路５の回路構成を変えたことにあ
り、このことから、図１の第１電力増幅器２を第１電力
増幅器２Ａに、第１バイアス回路３を第１バイアス回路
３Ａに、第２電力増幅器４を第２電力増幅器４Ａに、第
２バイアス回路５を第２バイアス回路５Ａにし、これに
伴って図１の高周波電力増幅器１を高周波電力増幅器１
Ａにしたことにある。
１電力増幅器２及び第２電力増幅器４をそれぞれ３段電
力増幅器にし、これに伴って、図１の第１バイアス回路
３及び第２バイアス回路５の回路構成を変えたことにあ
り、このことから、図１の第１電力増幅器２を第１電力
増幅器２Ａに、第１バイアス回路３を第１バイアス回路
３Ａに、第２電力増幅器４を第２電力増幅器４Ａに、第
２バイアス回路５を第２バイアス回路５Ａにし、これに
伴って図１の高周波電力増幅器１を高周波電力増幅器１
Ａにしたことにある。
【００３８】図４において、第１電力増幅器２Ａは、電
力増幅用のＨＢＴ１１ａ〜１１ｃ、入力整合回路１２及
び段間整合回路６１，６２で形成されている。ＨＢＴ１
１ａは、入力端子ＩＮ１から入力整合回路１２を介して
入力される高周波信号の電力増幅を行い、ＨＢＴ１１ｂ
は、ＨＢＴ１１ａで増幅され段間整合回路６１を介して
入力された高周波信号の増幅を行う。また、ＨＢＴ１１
ｃは、ＨＢＴ１１ｂで増幅され段間整合回路６２を介し
て入力された高周波信号の増幅を行い、該増幅された高
周波信号は、出力整合回路７を介して出力端子ＯＵＴ１
から出力される。
力増幅用のＨＢＴ１１ａ〜１１ｃ、入力整合回路１２及
び段間整合回路６１，６２で形成されている。ＨＢＴ１
１ａは、入力端子ＩＮ１から入力整合回路１２を介して
入力される高周波信号の電力増幅を行い、ＨＢＴ１１ｂ
は、ＨＢＴ１１ａで増幅され段間整合回路６１を介して
入力された高周波信号の増幅を行う。また、ＨＢＴ１１
ｃは、ＨＢＴ１１ｂで増幅され段間整合回路６２を介し
て入力された高周波信号の増幅を行い、該増幅された高
周波信号は、出力整合回路７を介して出力端子ＯＵＴ１
から出力される。
【００３９】この際、ＨＢＴ１１ａ〜１１ｃの各コレク
タには、対応する各コレクタバイアス回路９ａ〜９ｃか
らそれぞれバイアスが供給される。また、ＨＢＴ１１ａ
〜１１ｃの各ベースには第１バイアス回路３Ａからそれ
ぞれバイアスが供給されている。
タには、対応する各コレクタバイアス回路９ａ〜９ｃか
らそれぞれバイアスが供給される。また、ＨＢＴ１１ａ
〜１１ｃの各ベースには第１バイアス回路３Ａからそれ
ぞれバイアスが供給されている。
【００４０】同様に、第２電力増幅器４Ａは、電力増幅
用のＨＢＴ２１ａ〜２１ｃ、入力整合回路２２及び段間
整合回路６５，６６で形成されている。ＨＢＴ２１ａ
は、入力端子ＩＮ１から入力整合回路２２を介して入力
される高周波信号の電力増幅を行い、ＨＢＴ２１ｂは、
ＨＢＴ２１ａで増幅され段間整合回路６５を介して入力
された高周波信号の増幅を行う。また、ＨＢＴ２１ｃ
は、ＨＢＴ２１ｂで増幅され段間整合回路６６を介して
入力された高周波信号の増幅を行い、該増幅された高周
波信号は、出力整合回路８を介して出力端子ＯＵＴ２か
ら出力される。
用のＨＢＴ２１ａ〜２１ｃ、入力整合回路２２及び段間
整合回路６５，６６で形成されている。ＨＢＴ２１ａ
は、入力端子ＩＮ１から入力整合回路２２を介して入力
される高周波信号の電力増幅を行い、ＨＢＴ２１ｂは、
ＨＢＴ２１ａで増幅され段間整合回路６５を介して入力
された高周波信号の増幅を行う。また、ＨＢＴ２１ｃ
は、ＨＢＴ２１ｂで増幅され段間整合回路６６を介して
入力された高周波信号の増幅を行い、該増幅された高周
波信号は、出力整合回路８を介して出力端子ＯＵＴ２か
ら出力される。
【００４１】この際、ＨＢＴ２１ａ〜２１ｃのコレクタ
には、対応する各コレクタバイアス回路１０ａ〜１０ｃ
からそれぞれバイアスが供給される。また、ＨＢＴ２１
ａ〜２１ｃの各ベースには第２バイアス回路５Ａからそ
れぞれバイアスが供給されている。
には、対応する各コレクタバイアス回路１０ａ〜１０ｃ
からそれぞれバイアスが供給される。また、ＨＢＴ２１
ａ〜２１ｃの各ベースには第２バイアス回路５Ａからそ
れぞれバイアスが供給されている。
【００４２】図１及び図２と同様に、第１バイアス回路
３Ａ及び第２バイアス回路５Ａは、バイアススイッチ回
路６によって動作制御が行われる。すなわち、バイアス
スイッチ回路６は、信号Ｖmodの２値の信号レベルに応
じて、第１バイアス回路３Ａに対する制御信号である信
号Ｖ900又は第２バイアス回路５Ａに対する制御信号で
ある信号Ｖ1800を出力し、第１バイアス回路３Ａ又は第
２バイアス回路５Ａのいずれかを排他的に選択して動作
させる。また、バイアススイッチ回路６は、図１及び図
２と同様に、Ｖpc端子に外部から入力される信号Ｖpcの
信号レベルに応じた信号Ｖ900又はＶ1800を出力し、出
力端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２から出力される出力信号の
レベル調整を行う。
３Ａ及び第２バイアス回路５Ａは、バイアススイッチ回
路６によって動作制御が行われる。すなわち、バイアス
スイッチ回路６は、信号Ｖmodの２値の信号レベルに応
じて、第１バイアス回路３Ａに対する制御信号である信
号Ｖ900又は第２バイアス回路５Ａに対する制御信号で
ある信号Ｖ1800を出力し、第１バイアス回路３Ａ又は第
２バイアス回路５Ａのいずれかを排他的に選択して動作
させる。また、バイアススイッチ回路６は、図１及び図
２と同様に、Ｖpc端子に外部から入力される信号Ｖpcの
信号レベルに応じた信号Ｖ900又はＶ1800を出力し、出
力端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２から出力される出力信号の
レベル調整を行う。
【００４３】図５は、図４の第１バイアス回路３Ａ、第
２バイアス回路５Ａ及びバイアススイッチ回路６の例を
示した回路図である。なお、図５では、図２と同じもの
は同じ符号で示しており、ここではその説明を省略する
と共に図２との相違点のみ説明する。図５における図２
との相違点は、第１電力増幅器２ＡのＨＢＴ１１ａ〜１
１ｃごとに図２の第１バイアス回路３と同じ回路構成の
バイアス回路を設け、第２電力増幅器４ＡのＨＢＴ２１
ａ〜２１ｃごとに図２の第２バイアス回路５と同じ回路
構成のバイアス回路を設けたことにある。
２バイアス回路５Ａ及びバイアススイッチ回路６の例を
示した回路図である。なお、図５では、図２と同じもの
は同じ符号で示しており、ここではその説明を省略する
と共に図２との相違点のみ説明する。図５における図２
との相違点は、第１電力増幅器２ＡのＨＢＴ１１ａ〜１
１ｃごとに図２の第１バイアス回路３と同じ回路構成の
バイアス回路を設け、第２電力増幅器４ＡのＨＢＴ２１
ａ〜２１ｃごとに図２の第２バイアス回路５と同じ回路
構成のバイアス回路を設けたことにある。
【００４４】図５において、第１バイアス回路３Ａは、
ＨＢＴ３１ａ〜３１ｃ，３２ａ〜３２ｃ及び抵抗３３ａ
〜３３ｃ，３４ａ〜３４ｃで形成されており、抵抗３３
ａ〜３３ｃは対応するＨＢＴ３１ａ〜３１ｃのベース抵
抗を、抵抗３４ａ〜３４ｃは対応するＨＢＴ３２ａ〜３
２ｃのベース抵抗をそれぞれなしている。なお、ＨＢＴ
３１ａ〜３１ｃは図２のＨＢＴ３１に、ＨＢＴ３２ａ〜
３２ｃは図２のＨＢＴ３２に、抵抗３３ａ〜３３ｃは図
２の抵抗３３に、抵抗３４ａ〜３４ｃは図２の抵抗３４
にそれぞれ対応しており、その接続は図２の第１バイア
ス回路３と同じであるのでその説明を省略する。
ＨＢＴ３１ａ〜３１ｃ，３２ａ〜３２ｃ及び抵抗３３ａ
〜３３ｃ，３４ａ〜３４ｃで形成されており、抵抗３３
ａ〜３３ｃは対応するＨＢＴ３１ａ〜３１ｃのベース抵
抗を、抵抗３４ａ〜３４ｃは対応するＨＢＴ３２ａ〜３
２ｃのベース抵抗をそれぞれなしている。なお、ＨＢＴ
３１ａ〜３１ｃは図２のＨＢＴ３１に、ＨＢＴ３２ａ〜
３２ｃは図２のＨＢＴ３２に、抵抗３３ａ〜３３ｃは図
２の抵抗３３に、抵抗３４ａ〜３４ｃは図２の抵抗３４
にそれぞれ対応しており、その接続は図２の第１バイア
ス回路３と同じであるのでその説明を省略する。
【００４５】ＨＢＴ３１ａのエミッタとＨＢＴ３２ａの
コレクタとの接続部は、第１電力増幅器２ＡのＨＢＴ１
１ａのベースに接続され、ＨＢＴ３１ｂのエミッタとＨ
ＢＴ３２ｂのコレクタとの接続部は、第１電力増幅器２
ＡのＨＢＴ１１ｂのベースに接続されている。同様に、
ＨＢＴ３１ｃのエミッタとＨＢＴ３２ｃのコレクタとの
接続部は、第１電力増幅器２ＡのＨＢＴ１１ｃのベース
に接続されている。
コレクタとの接続部は、第１電力増幅器２ＡのＨＢＴ１
１ａのベースに接続され、ＨＢＴ３１ｂのエミッタとＨ
ＢＴ３２ｂのコレクタとの接続部は、第１電力増幅器２
ＡのＨＢＴ１１ｂのベースに接続されている。同様に、
ＨＢＴ３１ｃのエミッタとＨＢＴ３２ｃのコレクタとの
接続部は、第１電力増幅器２ＡのＨＢＴ１１ｃのベース
に接続されている。
【００４６】同様に、第２バイアス回路５Ａは、ＨＢＴ
３５ａ〜３５ｃ，３６ａ〜３６ｃ及び抵抗３７ａ〜３７
ｃ，３８ａ〜３８ｃで形成されており、抵抗３７ａ〜３
７ｃは対応するＨＢＴ３５ａ〜３５ｃのベース抵抗を、
抵抗３８ａ〜３８ｃは対応するＨＢＴ３６ａ〜３６ｃの
ベース抵抗をそれぞれなしている。なお、ＨＢＴ３５ａ
〜３５ｃは図２のＨＢＴ３５に、ＨＢＴ３６ａ〜３６ｃ
は図２のＨＢＴ３６に、抵抗３７ａ〜３７ｃは図２の抵
抗３７に、抵抗３８ａ〜３８ｃは図２の抵抗３８にそれ
ぞれ対応しており、その接続は図２の第２バイアス回路
５と同じであるのでその説明を省略する。
３５ａ〜３５ｃ，３６ａ〜３６ｃ及び抵抗３７ａ〜３７
ｃ，３８ａ〜３８ｃで形成されており、抵抗３７ａ〜３
７ｃは対応するＨＢＴ３５ａ〜３５ｃのベース抵抗を、
抵抗３８ａ〜３８ｃは対応するＨＢＴ３６ａ〜３６ｃの
ベース抵抗をそれぞれなしている。なお、ＨＢＴ３５ａ
〜３５ｃは図２のＨＢＴ３５に、ＨＢＴ３６ａ〜３６ｃ
は図２のＨＢＴ３６に、抵抗３７ａ〜３７ｃは図２の抵
抗３７に、抵抗３８ａ〜３８ｃは図２の抵抗３８にそれ
ぞれ対応しており、その接続は図２の第２バイアス回路
５と同じであるのでその説明を省略する。
【００４７】ＨＢＴ３５ａのエミッタとＨＢＴ３６ａの
コレクタとの接続部は、第２電力増幅器４ＡのＨＢＴ２
１ａのベースに接続され、ＨＢＴ３５ｂのエミッタとＨ
ＢＴ３６ｂのコレクタとの接続部は、第２電力増幅器４
ＡのＨＢＴ２１ｂのベースに接続されている。同様に、
ＨＢＴ３５ｃのエミッタとＨＢＴ３６ｃのコレクタとの
接続部は、第２電力増幅器４ＡのＨＢＴ２１ｃのベース
に接続されている。ＨＢＴ３１ａ〜３１ｃの各ベース
は、対応する抵抗３３ａ〜３３ｃを介してバイアススイ
ッチ回路６のＶ900端子にそれぞれ接続され、ＨＢＴ３
５ａ〜３５ｃの各ベースは、対応する抵抗３７ａ〜３７
ｃを介してバイアススイッチ回路６のＶ1800端子にそれ
ぞれ接続されている。
コレクタとの接続部は、第２電力増幅器４ＡのＨＢＴ２
１ａのベースに接続され、ＨＢＴ３５ｂのエミッタとＨ
ＢＴ３６ｂのコレクタとの接続部は、第２電力増幅器４
ＡのＨＢＴ２１ｂのベースに接続されている。同様に、
ＨＢＴ３５ｃのエミッタとＨＢＴ３６ｃのコレクタとの
接続部は、第２電力増幅器４ＡのＨＢＴ２１ｃのベース
に接続されている。ＨＢＴ３１ａ〜３１ｃの各ベース
は、対応する抵抗３３ａ〜３３ｃを介してバイアススイ
ッチ回路６のＶ900端子にそれぞれ接続され、ＨＢＴ３
５ａ〜３５ｃの各ベースは、対応する抵抗３７ａ〜３７
ｃを介してバイアススイッチ回路６のＶ1800端子にそれ
ぞれ接続されている。
【００４８】このような構成において、第１バイアス回
路３Ａの動作は図２の第１バイアス回路３と、第２バイ
アス回路５Ａの動作は図２の第２バイアス回路５と同様
であり、バイアススイッチ回路６における第１バイアス
回路３Ａ及び第２バイアス回路５Ａに対する動作は図２
と同様であるのでその説明を省略する。このように、デ
ュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器１Ａを第１
電力増幅器２Ａと第１バイアス回路３ＡからなるＧＳＭ
９００用と第２電力増幅器４Ａと第２バイアス回路５Ａ
からなるＧＳＭ１８００用といった２つのチップで形成
し、該２つのチップのいずれか一方にバイアススイッチ
回路６を形成することができる。
路３Ａの動作は図２の第１バイアス回路３と、第２バイ
アス回路５Ａの動作は図２の第２バイアス回路５と同様
であり、バイアススイッチ回路６における第１バイアス
回路３Ａ及び第２バイアス回路５Ａに対する動作は図２
と同様であるのでその説明を省略する。このように、デ
ュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器１Ａを第１
電力増幅器２Ａと第１バイアス回路３ＡからなるＧＳＭ
９００用と第２電力増幅器４Ａと第２バイアス回路５Ａ
からなるＧＳＭ１８００用といった２つのチップで形成
し、該２つのチップのいずれか一方にバイアススイッチ
回路６を形成することができる。
【００４９】図６は、図４で示した第１バイアス回路３
Ａ、第２バイアス回路５Ａ及びバイアススイッチ回路６
の他の例を示した回路図である。なお、図６では、図５
と同じものは同じ符号で示しており、ここではその説明
を省略すると共に、図５との相違点のみ説明する。
Ａ、第２バイアス回路５Ａ及びバイアススイッチ回路６
の他の例を示した回路図である。なお、図６では、図５
と同じものは同じ符号で示しており、ここではその説明
を省略すると共に、図５との相違点のみ説明する。
【００５０】図６における図５との相違点は、図５の第
１バイアス回路３Ａにおけるベース抵抗３３ａ〜３３
ｃ、及び図５の第２バイアス回路５Ａにおけるベース抵
抗３７ａ〜３７ｃをなくし、図５のバイアススイッチ回
路６の抵抗４５と４６との間に抵抗７１ａ〜７１ｃの直
列回路を挿入し、抵抗４８と４９との間に抵抗７２ａ〜
７２ｃの直列回路を挿入したことにある。これらのこと
から、図５の抵抗４５，４６，４８，４９を抵抗４５
Ｂ，４６Ｂ，４８Ｂ，４９Ｂとし、図５の第１バイアス
回路３Ａを第１バイアス回路３Ｂとし、図５の第２バイ
アス回路５Ａを第２バイアス回路５Ｂとし、図５のバイ
アススイッチ回路６をバイアススイッチ回路６Ｂとし
た。
１バイアス回路３Ａにおけるベース抵抗３３ａ〜３３
ｃ、及び図５の第２バイアス回路５Ａにおけるベース抵
抗３７ａ〜３７ｃをなくし、図５のバイアススイッチ回
路６の抵抗４５と４６との間に抵抗７１ａ〜７１ｃの直
列回路を挿入し、抵抗４８と４９との間に抵抗７２ａ〜
７２ｃの直列回路を挿入したことにある。これらのこと
から、図５の抵抗４５，４６，４８，４９を抵抗４５
Ｂ，４６Ｂ，４８Ｂ，４９Ｂとし、図５の第１バイアス
回路３Ａを第１バイアス回路３Ｂとし、図５の第２バイ
アス回路５Ａを第２バイアス回路５Ｂとし、図５のバイ
アススイッチ回路６をバイアススイッチ回路６Ｂとし
た。
【００５１】図６において、バイアススイッチ回路６Ｂ
の抵抗４５Ｂと抵抗４６Ｂとの間に抵抗７１ａ〜７１ｃ
の直列回路が接続され、抵抗４６Ｂと抵抗７１ａとの接
続部は、バイアススイッチ回路６Ｂの出力端子であるＶ
900a端子を介してＨＢＴ３１ａのベースに接続されてい
る。また、抵抗７１ａと抵抗７１ｂとの接続部は、バイ
アススイッチ回路６Ｂの出力端子であるＶ900b端子を介
してＨＢＴ３１ｂのベースに、抵抗７１ｂと抵抗７１ｃ
との接続部は、バイアススイッチ回路６Ｂの出力端子で
あるＶ900c端子を介してＨＢＴ３１ｃのベースにそれぞ
れ接続されている。
の抵抗４５Ｂと抵抗４６Ｂとの間に抵抗７１ａ〜７１ｃ
の直列回路が接続され、抵抗４６Ｂと抵抗７１ａとの接
続部は、バイアススイッチ回路６Ｂの出力端子であるＶ
900a端子を介してＨＢＴ３１ａのベースに接続されてい
る。また、抵抗７１ａと抵抗７１ｂとの接続部は、バイ
アススイッチ回路６Ｂの出力端子であるＶ900b端子を介
してＨＢＴ３１ｂのベースに、抵抗７１ｂと抵抗７１ｃ
との接続部は、バイアススイッチ回路６Ｂの出力端子で
あるＶ900c端子を介してＨＢＴ３１ｃのベースにそれぞ
れ接続されている。
【００５２】同様に、バイアススイッチ回路６Ｂの抵抗
４８Ｂと抵抗４９Ｂとの間に抵抗７２ａ〜７２ｃの直列
回路が接続され、抵抗４９Ｂと抵抗７２ａとの接続部
は、バイアススイッチ回路６Ｂの出力端子であるＶ1800
a端子を介してＨＢＴ３５ａのベースに、抵抗７２ａと
抵抗７２ｂとの接続部は、バイアススイッチ回路６Ｂの
出力端子であるＶ1800b端子を介してＨＢＴ３５ｂのベ
ースに、抵抗７２ｂと抵抗７２ｃとの接続部は、バイア
ススイッチ回路６Ｂの出力端子であるＶ1800c端子を介
してＨＢＴ３５ｃのベースにそれぞれ接続されている。
４８Ｂと抵抗４９Ｂとの間に抵抗７２ａ〜７２ｃの直列
回路が接続され、抵抗４９Ｂと抵抗７２ａとの接続部
は、バイアススイッチ回路６Ｂの出力端子であるＶ1800
a端子を介してＨＢＴ３５ａのベースに、抵抗７２ａと
抵抗７２ｂとの接続部は、バイアススイッチ回路６Ｂの
出力端子であるＶ1800b端子を介してＨＢＴ３５ｂのベ
ースに、抵抗７２ｂと抵抗７２ｃとの接続部は、バイア
ススイッチ回路６Ｂの出力端子であるＶ1800c端子を介
してＨＢＴ３５ｃのベースにそれぞれ接続されている。
【００５３】このようにすることによって、第１バイア
ス回路３Ｂが動作する際に最もベース電流が流れるＨＢ
Ｔ３１ｃ、及び第２バイアス回路５Ｂが動作する際に最
も大きなベース電流が流れるＨＢＴ３５ｃによるＶpc端
子からのベースバイアス電圧の電圧降下を最小にするこ
とができる。このため、デュアルバンドシステム用の高
周波電力増幅器の各回路を同一チップ上で構成する場合
に有効である。
ス回路３Ｂが動作する際に最もベース電流が流れるＨＢ
Ｔ３１ｃ、及び第２バイアス回路５Ｂが動作する際に最
も大きなベース電流が流れるＨＢＴ３５ｃによるＶpc端
子からのベースバイアス電圧の電圧降下を最小にするこ
とができる。このため、デュアルバンドシステム用の高
周波電力増幅器の各回路を同一チップ上で構成する場合
に有効である。
【００５４】図７は、図４で示した第１バイアス回路３
Ａ、第２バイアス回路５Ａ及びバイアススイッチ回路６
の他の例を示した回路図である。なお、図７では、図５
又は図６と同じものは同じ符号で示しており、ここでは
その説明を省略すると共に、図６との相違点のみ説明す
る。
Ａ、第２バイアス回路５Ａ及びバイアススイッチ回路６
の他の例を示した回路図である。なお、図７では、図５
又は図６と同じものは同じ符号で示しており、ここでは
その説明を省略すると共に、図６との相違点のみ説明す
る。
【００５５】図７における図６との相違点は、図６のバ
イアススイッチ回路６Ｂにおいて、抵抗４５Ｂ，４６
Ｂ，７１ａ〜７１ｃの代わりに抵抗７４，７５ａ〜７５
ｃ，７６ａ〜７６ｃを設け、抵抗４８Ｂ，４９Ｂ，７２
ａ〜７２ｃの代わりに抵抗７７，７８ａ〜７８ｃ，７９
ａ〜７９ｃを設けたことにある。これらのことから、図
６のバイアススイッチ回路６Ｂをバイアススイッチ回路
６Ｃとした。
イアススイッチ回路６Ｂにおいて、抵抗４５Ｂ，４６
Ｂ，７１ａ〜７１ｃの代わりに抵抗７４，７５ａ〜７５
ｃ，７６ａ〜７６ｃを設け、抵抗４８Ｂ，４９Ｂ，７２
ａ〜７２ｃの代わりに抵抗７７，７８ａ〜７８ｃ，７９
ａ〜７９ｃを設けたことにある。これらのことから、図
６のバイアススイッチ回路６Ｂをバイアススイッチ回路
６Ｃとした。
【００５６】図７において、バイアススイッチ回路６Ｃ
のＶpc端子とＨＢＴ４１のコレクタとの間に抵抗７４，
７５ａ〜７５ｃ，７６ａの直列回路が接続されている。
抵抗７５ａと抵抗７６ａとの接続部は、バイアススイッ
チ回路６Ｃの出力端子であるＶ900a端子を介してＨＢＴ
３１ａのベースに、抵抗７５ａと抵抗７５ｂとの接続部
は、バイアススイッチ回路６Ｃの出力端子であるＶ900b
端子を介してＨＢＴ３１ｂのベースに、抵抗７５ｂと抵
抗７５ｃとの接続部は、バイアススイッチ回路６Ｃの出
力端子であるＶ900c端子を介してＨＢＴ３１ｃのベース
にそれぞれ接続されている。更に、Ｖ900b端子とＨＢＴ
４１のコレクタとの間には抵抗７６ｂが、Ｖ900c端子と
ＨＢＴ４１のコレクタとの間には抵抗７６ｃがそれぞれ
接続されている。
のＶpc端子とＨＢＴ４１のコレクタとの間に抵抗７４，
７５ａ〜７５ｃ，７６ａの直列回路が接続されている。
抵抗７５ａと抵抗７６ａとの接続部は、バイアススイッ
チ回路６Ｃの出力端子であるＶ900a端子を介してＨＢＴ
３１ａのベースに、抵抗７５ａと抵抗７５ｂとの接続部
は、バイアススイッチ回路６Ｃの出力端子であるＶ900b
端子を介してＨＢＴ３１ｂのベースに、抵抗７５ｂと抵
抗７５ｃとの接続部は、バイアススイッチ回路６Ｃの出
力端子であるＶ900c端子を介してＨＢＴ３１ｃのベース
にそれぞれ接続されている。更に、Ｖ900b端子とＨＢＴ
４１のコレクタとの間には抵抗７６ｂが、Ｖ900c端子と
ＨＢＴ４１のコレクタとの間には抵抗７６ｃがそれぞれ
接続されている。
【００５７】同様に、バイアススイッチ回路６ＣのＶpc
端子とＨＢＴ４２のコレクタとの間に抵抗７７，７８ａ
〜７８ｃ，７９ａの直列回路が接続されている。抵抗７
８ａと抵抗７９ａとの接続部は、バイアススイッチ回路
６Ｃの出力端子であるＶ1800a端子を介してＨＢＴ３５
ａのベースに接続されている。また、抵抗７８ａと抵抗
７８ｂとの接続部は、バイアススイッチ回路６Ｃの出力
端子であるＶ1800b端子を介してＨＢＴ３５ｂのベース
に、抵抗７８ｂと抵抗７８ｃとの接続部は、バイアスス
イッチ回路６Ｃの出力端子であるＶ1800c端子を介して
ＨＢＴ３５ｃのベースにそれぞれ接続されている。更
に、Ｖ1800b端子とＨＢＴ４２のコレクタとの間には抵
抗７９ｂが、Ｖ1800c端子とＨＢＴ４２のコレクタの間
には抵抗７９ｃがそれぞれ接続されている。
端子とＨＢＴ４２のコレクタとの間に抵抗７７，７８ａ
〜７８ｃ，７９ａの直列回路が接続されている。抵抗７
８ａと抵抗７９ａとの接続部は、バイアススイッチ回路
６Ｃの出力端子であるＶ1800a端子を介してＨＢＴ３５
ａのベースに接続されている。また、抵抗７８ａと抵抗
７８ｂとの接続部は、バイアススイッチ回路６Ｃの出力
端子であるＶ1800b端子を介してＨＢＴ３５ｂのベース
に、抵抗７８ｂと抵抗７８ｃとの接続部は、バイアスス
イッチ回路６Ｃの出力端子であるＶ1800c端子を介して
ＨＢＴ３５ｃのベースにそれぞれ接続されている。更
に、Ｖ1800b端子とＨＢＴ４２のコレクタとの間には抵
抗７９ｂが、Ｖ1800c端子とＨＢＴ４２のコレクタの間
には抵抗７９ｃがそれぞれ接続されている。
【００５８】このようにすることにより、第１バイアス
回路３Ｃが動作する際に最もベース電流が流れるＨＢＴ
３１ｃ、及び第２バイアス回路５Ｃが動作する際に最も
ベース電流が流れるＨＢＴ３５ｃによるＶpc端子からの
ベースバイアス電圧の電圧降下を最小にすることができ
る。このため、デュアルバンドシステム用の高周波電力
増幅器の各回路を同一チップ上で構成する場合に有効で
ある。また、各ＨＢＴ３１ａ〜３１ｃ及びＨＢＴ３５ａ
〜３５ｃのそれぞれのベースに供給する電流を抵抗の分
割比で最適化することができ、電流Ｉpcの値を最小化す
ることができる。
回路３Ｃが動作する際に最もベース電流が流れるＨＢＴ
３１ｃ、及び第２バイアス回路５Ｃが動作する際に最も
ベース電流が流れるＨＢＴ３５ｃによるＶpc端子からの
ベースバイアス電圧の電圧降下を最小にすることができ
る。このため、デュアルバンドシステム用の高周波電力
増幅器の各回路を同一チップ上で構成する場合に有効で
ある。また、各ＨＢＴ３１ａ〜３１ｃ及びＨＢＴ３５ａ
〜３５ｃのそれぞれのベースに供給する電流を抵抗の分
割比で最適化することができ、電流Ｉpcの値を最小化す
ることができる。
【００５９】このように、本実施の形態１における高周
波電力増幅器は、ＨＢＴで構成された第１バイアス回路
及び第２バイアス回路の切り換えを行うバイアススイッ
チ回路を、従来から広く使用されているＡlＧaＡs又は
ＧaＡs系ＨＢＴで形成すると共に、該ＨＢＴを３つ以上
直列に接続して各ベース−エミッタ間電圧Ｖbeの合計が
３Ｖを超えないように形成した。このことから、ベース
−エミッタ間電圧ＶbeのＯＮ電圧が例えば１.３５Ｖと
高いＨＢＴを使用してデュアルバンドシステム用の高周
波電力増幅器を形成することができるため、３Ｖ系の低
電源電圧においても確実に動作させることができる、Ｈ
ＢＴで構成されたＭＭＩＣに集積化することができ、製
造工程を簡素化できる。
波電力増幅器は、ＨＢＴで構成された第１バイアス回路
及び第２バイアス回路の切り換えを行うバイアススイッ
チ回路を、従来から広く使用されているＡlＧaＡs又は
ＧaＡs系ＨＢＴで形成すると共に、該ＨＢＴを３つ以上
直列に接続して各ベース−エミッタ間電圧Ｖbeの合計が
３Ｖを超えないように形成した。このことから、ベース
−エミッタ間電圧ＶbeのＯＮ電圧が例えば１.３５Ｖと
高いＨＢＴを使用してデュアルバンドシステム用の高周
波電力増幅器を形成することができるため、３Ｖ系の低
電源電圧においても確実に動作させることができる、Ｈ
ＢＴで構成されたＭＭＩＣに集積化することができ、製
造工程を簡素化できる。
【００６０】実施の形態２．上記実施の形態１における
各バイアススイッチ回路は、Ｖpc端子に過電圧が印加さ
れると、第１及び第２バイアス回路においても過電圧が
印加されるが、バイアススイッチ回路に保護回路を設
け、Ｖpc端子に過電圧が印加されても第１及び第２バイ
アス回路に過電圧が印加されないようにしてもよく、こ
のようにしたものを本発明の実施の形態２とする。
各バイアススイッチ回路は、Ｖpc端子に過電圧が印加さ
れると、第１及び第２バイアス回路においても過電圧が
印加されるが、バイアススイッチ回路に保護回路を設
け、Ｖpc端子に過電圧が印加されても第１及び第２バイ
アス回路に過電圧が印加されないようにしてもよく、こ
のようにしたものを本発明の実施の形態２とする。
【００６１】図８は、本発明の実施の形態２におけるデ
ュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器の第１バイ
アス回路、第２バイアス回路及びバイアススイッチ回路
の例を示した回路図である。なお、本発明の実施の形態
２における高周波電力増幅器の例を示した概略の回路図
は、図１のバイアススイッチ回路の符号を変える以外は
図１と同じであるので省略する。また、図８では、図２
と同じものは同じ符号で示しており、ここではその説明
を省略すると共に、図２との相違点のみ説明する。図８
における図２との相違点は、図２のバイアススイッチ回
路６に保護回路８１及び８２を設けたことにある。これ
に伴って、図２のバイアススイッチ回路６をバイアスス
イッチ回路８４としたことにある。
ュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器の第１バイ
アス回路、第２バイアス回路及びバイアススイッチ回路
の例を示した回路図である。なお、本発明の実施の形態
２における高周波電力増幅器の例を示した概略の回路図
は、図１のバイアススイッチ回路の符号を変える以外は
図１と同じであるので省略する。また、図８では、図２
と同じものは同じ符号で示しており、ここではその説明
を省略すると共に、図２との相違点のみ説明する。図８
における図２との相違点は、図２のバイアススイッチ回
路６に保護回路８１及び８２を設けたことにある。これ
に伴って、図２のバイアススイッチ回路６をバイアスス
イッチ回路８４としたことにある。
【００６２】図８において、バイアススイッチ回路８４
は、ＨＢＴ４１〜４３、抵抗４５〜５４及び保護回路８
１，８２で形成されている。保護回路８１は、ＨＢＴ９
１及び抵抗９２，９３で形成されており、Ｖbeマルチプ
ライヤを形成している。抵抗９２及び９３は直列に接続
され、該直列回路はＶpc端子と接地との間に接続されて
いる。ＨＢＴ９１において、コレクタは抵抗４５と抵抗
４６との接続部、すなわちＶ900端子に接続され、ベー
スは抵抗９２と抵抗９３との接続部に接続され、エミッ
タは接地されている。
は、ＨＢＴ４１〜４３、抵抗４５〜５４及び保護回路８
１，８２で形成されている。保護回路８１は、ＨＢＴ９
１及び抵抗９２，９３で形成されており、Ｖbeマルチプ
ライヤを形成している。抵抗９２及び９３は直列に接続
され、該直列回路はＶpc端子と接地との間に接続されて
いる。ＨＢＴ９１において、コレクタは抵抗４５と抵抗
４６との接続部、すなわちＶ900端子に接続され、ベー
スは抵抗９２と抵抗９３との接続部に接続され、エミッ
タは接地されている。
【００６３】同様に、保護回路８２は、ＨＢＴ９５及び
抵抗９６，９７で形成されており、Ｖbeマルチプライヤ
を形成している。抵抗９６及び９７は直列に接続され、
該直列回路はＶpc端子と接地との間に接続されている。
ＨＢＴ９５において、コレクタは抵抗４８と抵抗４９と
の接続部、すなわちＶ1800端子に接続され、ベースは抵
抗９６と抵抗９７との接続部に接続され、エミッタは接
地されている。
抵抗９６，９７で形成されており、Ｖbeマルチプライヤ
を形成している。抵抗９６及び９７は直列に接続され、
該直列回路はＶpc端子と接地との間に接続されている。
ＨＢＴ９５において、コレクタは抵抗４８と抵抗４９と
の接続部、すなわちＶ1800端子に接続され、ベースは抵
抗９６と抵抗９７との接続部に接続され、エミッタは接
地されている。
【００６４】このような構成において、抵抗９２及び９
３の抵抗値をそれぞれＲ９２及びＲ９３とすると、保護
回路８１におけるＨＢＴ９１のＯＮ電圧は、{(Ｒ９２＋
Ｒ９３)／Ｒ９３}倍される。例えば、ＨＢＴ９１のＯＮ
電圧が約１.３Ｖであり、{(Ｒ９２＋Ｒ９３)／Ｒ９３}
が２.３になるように抵抗値Ｒ９２及びＲ９３を設定す
ると、電圧Ｖpcが３ＶになるとＨＢＴ９１はＯＮ状態と
なってＨＢＴ９１にＩ４のコレクタ電流が流れる。この
ことから、抵抗４５による電圧降下が発生するため、Ｖ
900端子の電圧は３Ｖ以下に抑制され、Ｖpc端子に過電
圧が印加された場合、該過電圧が直接第１バイアス回路
３に印加されることを防止し、すなわち第１電力増幅器
２に印加されることを防止する。
３の抵抗値をそれぞれＲ９２及びＲ９３とすると、保護
回路８１におけるＨＢＴ９１のＯＮ電圧は、{(Ｒ９２＋
Ｒ９３)／Ｒ９３}倍される。例えば、ＨＢＴ９１のＯＮ
電圧が約１.３Ｖであり、{(Ｒ９２＋Ｒ９３)／Ｒ９３}
が２.３になるように抵抗値Ｒ９２及びＲ９３を設定す
ると、電圧Ｖpcが３ＶになるとＨＢＴ９１はＯＮ状態と
なってＨＢＴ９１にＩ４のコレクタ電流が流れる。この
ことから、抵抗４５による電圧降下が発生するため、Ｖ
900端子の電圧は３Ｖ以下に抑制され、Ｖpc端子に過電
圧が印加された場合、該過電圧が直接第１バイアス回路
３に印加されることを防止し、すなわち第１電力増幅器
２に印加されることを防止する。
【００６５】同様に、抵抗９６及び９７の抵抗値をそれ
ぞれＲ９６及びＲ９７とすると、保護回路８２における
ＨＢＴ９５のＯＮ電圧は、{(Ｒ９６＋Ｒ９７)／Ｒ９７}
倍される。例えば、ＨＢＴ９５のＯＮ電圧が約１.３Ｖ
であり、{(Ｒ９６＋Ｒ９７)／Ｒ９７}が２.３になるよ
うに抵抗値Ｒ９６及びＲ９７を設定すると、電圧Ｖpcが
３ＶになるとＨＢＴ９５はＯＮ状態となってＨＢＴ９５
にＩ５のコレクタ電流が流れる。このことから、抵抗４
８による電圧降下が発生するため、Ｖ1800端子の電圧は
３Ｖ以下に抑制され、Ｖpc端子に過電圧が印加された場
合、該過電圧が直接第２バイアス回路５に印加されるこ
とを防止し、すなわち第２電力増幅器４に印加されるこ
とを防止する。
ぞれＲ９６及びＲ９７とすると、保護回路８２における
ＨＢＴ９５のＯＮ電圧は、{(Ｒ９６＋Ｒ９７)／Ｒ９７}
倍される。例えば、ＨＢＴ９５のＯＮ電圧が約１.３Ｖ
であり、{(Ｒ９６＋Ｒ９７)／Ｒ９７}が２.３になるよ
うに抵抗値Ｒ９６及びＲ９７を設定すると、電圧Ｖpcが
３ＶになるとＨＢＴ９５はＯＮ状態となってＨＢＴ９５
にＩ５のコレクタ電流が流れる。このことから、抵抗４
８による電圧降下が発生するため、Ｖ1800端子の電圧は
３Ｖ以下に抑制され、Ｖpc端子に過電圧が印加された場
合、該過電圧が直接第２バイアス回路５に印加されるこ
とを防止し、すなわち第２電力増幅器４に印加されるこ
とを防止する。
【００６６】図９は、図８で示したバイアススイッチ回
路８４の動作特性例を示した図である。図９から分かる
ように、Ｖ900端子の電圧は、電圧Ｖpc＜３Ｖでは、電
圧Ｖpcに比例して増大するが、電圧Ｖpc≧３Ｖでは３Ｖ
以下に抑制されていることが分かる。
路８４の動作特性例を示した図である。図９から分かる
ように、Ｖ900端子の電圧は、電圧Ｖpc＜３Ｖでは、電
圧Ｖpcに比例して増大するが、電圧Ｖpc≧３Ｖでは３Ｖ
以下に抑制されていることが分かる。
【００６７】なお、図８では、図２で示したバイアスス
イッチ回路６に保護回路８１，８２を設けた場合を例に
して説明したが、本発明はこれに限定するものではな
く、図５、図６及び図７で示した各バイアススイッチ回
路に適用してもよい。図５のバイアススイッチ回路の場
合は図８と同じであるが、図６のバイアススイッチ回路
６Ｂの場合、保護回路８１を構成するＨＢＴ９１のコレ
クタは抵抗４５Ｂと抵抗７１ｃとの接続部に接続され、
保護回路８２を構成するＨＢＴ９５のコレクタは抵抗４
８Ｂと抵抗７２ｃとの接続部に接続される。また、図７
のバイアススイッチ回路６Ｃの場合、保護回路８１を構
成するＨＢＴ９１のコレクタは抵抗７４と抵抗７５ｃと
の接続部に接続され、保護回路８２を構成するＨＢＴ９
５のコレクタは抵抗７７と抵抗７８ｃとの接続部に接続
される。
イッチ回路６に保護回路８１，８２を設けた場合を例に
して説明したが、本発明はこれに限定するものではな
く、図５、図６及び図７で示した各バイアススイッチ回
路に適用してもよい。図５のバイアススイッチ回路の場
合は図８と同じであるが、図６のバイアススイッチ回路
６Ｂの場合、保護回路８１を構成するＨＢＴ９１のコレ
クタは抵抗４５Ｂと抵抗７１ｃとの接続部に接続され、
保護回路８２を構成するＨＢＴ９５のコレクタは抵抗４
８Ｂと抵抗７２ｃとの接続部に接続される。また、図７
のバイアススイッチ回路６Ｃの場合、保護回路８１を構
成するＨＢＴ９１のコレクタは抵抗７４と抵抗７５ｃと
の接続部に接続され、保護回路８２を構成するＨＢＴ９
５のコレクタは抵抗７７と抵抗７８ｃとの接続部に接続
される。
【００６８】このように、本実施の形態２における高周
波電力増幅器は、バイアススイッチ回路８４にＶbeマル
チプライヤを形成する保護回路８１及び８２を設け、Ｖ
pc端子に過電圧が印加された場合にＶ900端子及びＶ180
0端子に該過電圧が印加されないようにした。このこと
から、実施の形態１と同様の効果に加えて、ＧＳＭ電話
機のように電力増幅器の電源が直接バッテリの電源に接
続して使用するようなシステムにおいて、何らかの原因
でＶpc端子がバッテリに直接接続されてしまうような故
障が発生した場合においても、第１電力増幅器２及び第
２電力増幅器４を熱暴走から保護することができ、高周
波電力増幅器及び該高周波電力増幅器を使用した電話機
本体の焼損を防止することができる。
波電力増幅器は、バイアススイッチ回路８４にＶbeマル
チプライヤを形成する保護回路８１及び８２を設け、Ｖ
pc端子に過電圧が印加された場合にＶ900端子及びＶ180
0端子に該過電圧が印加されないようにした。このこと
から、実施の形態１と同様の効果に加えて、ＧＳＭ電話
機のように電力増幅器の電源が直接バッテリの電源に接
続して使用するようなシステムにおいて、何らかの原因
でＶpc端子がバッテリに直接接続されてしまうような故
障が発生した場合においても、第１電力増幅器２及び第
２電力増幅器４を熱暴走から保護することができ、高周
波電力増幅器及び該高周波電力増幅器を使用した電話機
本体の焼損を防止することができる。
【００６９】
【発明の効果】請求項１に係る高周波電力増幅器は、Ｈ
ＢＴで構成された各バイアス回路の動作の切り換えを行
うバイアススイッチ回路を、一方のバイアス回路への出
力制御を行う第１スイッチング手段と、他方のバイアス
回路への出力制御を行う第２スイッチング手段と、第１
及び第２スイッチング手段を排他的に選択して動作させ
る第３スイッチング手段とを備え、第１〜第３スイッチ
ング手段を従来から広く使用されているＡlＧaＡs又は
ＧaＡs系ＨＢＴで構成すると共に、該ＨＢＴを３つ以上
直列に接続して各ベース−エミッタ間電圧Ｖbeの合計が
３Ｖを超えないように形成した。このことから、３Ｖ系
の低電源電圧においても確実に動作させることができる
ため、ＨＢＴで構成されたＭＭＩＣに集積化することが
でき、製造工程を簡素化できる。
ＢＴで構成された各バイアス回路の動作の切り換えを行
うバイアススイッチ回路を、一方のバイアス回路への出
力制御を行う第１スイッチング手段と、他方のバイアス
回路への出力制御を行う第２スイッチング手段と、第１
及び第２スイッチング手段を排他的に選択して動作させ
る第３スイッチング手段とを備え、第１〜第３スイッチ
ング手段を従来から広く使用されているＡlＧaＡs又は
ＧaＡs系ＨＢＴで構成すると共に、該ＨＢＴを３つ以上
直列に接続して各ベース−エミッタ間電圧Ｖbeの合計が
３Ｖを超えないように形成した。このことから、３Ｖ系
の低電源電圧においても確実に動作させることができる
ため、ＨＢＴで構成されたＭＭＩＣに集積化することが
でき、製造工程を簡素化できる。
【００７０】請求項２に係る高周波電力増幅器は、請求
項１において、具体的には、上記第１及び第２スイッチ
ング手段は、信号Ｖpcの電圧を分圧するための抵抗直列
回路と、該抵抗直列回路と接地との接続制御を行う接地
接続用ＨＢＴとでそれぞれ形成され、該抵抗直列回路に
おける所定の抵抗間の接続部から、対応するバイアス回
路への制御信号を出力するようにした。このことから、
バイアススイッチ回路を少数のＨＢＴと抵抗によって形
成することができ、ＭＭＩＣに集積化した際のチップサ
イズの増大を最小限にすることができる。
項１において、具体的には、上記第１及び第２スイッチ
ング手段は、信号Ｖpcの電圧を分圧するための抵抗直列
回路と、該抵抗直列回路と接地との接続制御を行う接地
接続用ＨＢＴとでそれぞれ形成され、該抵抗直列回路に
おける所定の抵抗間の接続部から、対応するバイアス回
路への制御信号を出力するようにした。このことから、
バイアススイッチ回路を少数のＨＢＴと抵抗によって形
成することができ、ＭＭＩＣに集積化した際のチップサ
イズの増大を最小限にすることができる。
【００７１】請求項３に係る高周波電力増幅器は、請求
項２において、具体的には、上記第１及び第２スイッチ
ング手段は、多段電力増幅器における初段の電力増幅用
ＨＢＴにバイアスを供給する回路から最終段の電力増幅
用ＨＢＴにバイアスを供給する回路へ、信号Ｖpcによる
電流が順に大きくなるように、対応するバイアス回路へ
の制御信号を出力するようにした。このことから、信号
Ｖpcによる最も大きな電流が流れる、各バイアス回路に
おける最終段の電力増幅用ＨＢＴにバイアスを供給する
回路に対する信号Ｖpcの電圧降下を最小にすることがで
きる。
項２において、具体的には、上記第１及び第２スイッチ
ング手段は、多段電力増幅器における初段の電力増幅用
ＨＢＴにバイアスを供給する回路から最終段の電力増幅
用ＨＢＴにバイアスを供給する回路へ、信号Ｖpcによる
電流が順に大きくなるように、対応するバイアス回路へ
の制御信号を出力するようにした。このことから、信号
Ｖpcによる最も大きな電流が流れる、各バイアス回路に
おける最終段の電力増幅用ＨＢＴにバイアスを供給する
回路に対する信号Ｖpcの電圧降下を最小にすることがで
きる。
【００７２】請求項４に係る高周波電力増幅器は、請求
項２又は請求項３のいずれかにおいて、具体的には、第
１及び第２スイッチング手段における、抵抗直列回路に
おける所定の抵抗間の接続部、及び該抵抗直列回路と接
地接続用ＨＢＴとの接続部の間に、対応するバイアス回
路への制御信号の大きさを調整する調整用抵抗をそれぞ
れ設けた。このことから、各バイアス回路に対する信号
Ｖpcの電圧降下を最小にすることができ、信号Ｖpcによ
って各バイアス回路に流れる電流値を最小にすることが
できる。
項２又は請求項３のいずれかにおいて、具体的には、第
１及び第２スイッチング手段における、抵抗直列回路に
おける所定の抵抗間の接続部、及び該抵抗直列回路と接
地接続用ＨＢＴとの接続部の間に、対応するバイアス回
路への制御信号の大きさを調整する調整用抵抗をそれぞ
れ設けた。このことから、各バイアス回路に対する信号
Ｖpcの電圧降下を最小にすることができ、信号Ｖpcによ
って各バイアス回路に流れる電流値を最小にすることが
できる。
【００７３】請求項５に係る高周波電力増幅器は、請求
項２から請求項４のいずれかにおいて、具体的には、第
３スイッチング手段におけるＨＢＴは、２値の信号Ｖmo
dに応じて、第２スイッチング手段におけるＨＢＴのベ
ースに対するバイアスの供給制御を行うようにした。こ
のことから、３Ｖ系電源においても動作可能なＨＢＴで
構成されたバイアススイッチ回路を形成することがで
き、ＨＢＴで構成されるＭＭＩＣに集積化することがで
きる。
項２から請求項４のいずれかにおいて、具体的には、第
３スイッチング手段におけるＨＢＴは、２値の信号Ｖmo
dに応じて、第２スイッチング手段におけるＨＢＴのベ
ースに対するバイアスの供給制御を行うようにした。こ
のことから、３Ｖ系電源においても動作可能なＨＢＴで
構成されたバイアススイッチ回路を形成することがで
き、ＨＢＴで構成されるＭＭＩＣに集積化することがで
きる。
【００７４】請求項６に係る高周波電力増幅器は、請求
項１から請求項５のいずれかにおいて、第１及び第２ス
イッチング手段に、外部から印加される過電圧から各バ
イアス回路を保護する保護回路をそれぞれ設けた。この
ことから、外部からの過電圧による電力増幅器の熱暴走
を防止して電力増幅器の焼損を防止することができる。
項１から請求項５のいずれかにおいて、第１及び第２ス
イッチング手段に、外部から印加される過電圧から各バ
イアス回路を保護する保護回路をそれぞれ設けた。この
ことから、外部からの過電圧による電力増幅器の熱暴走
を防止して電力増幅器の焼損を防止することができる。
【００７５】請求項７に係る高周波電力増幅器は、請求
項６において、具体的には、上記保護回路は、ＨＢＴで
構成されたＶbeマルチプライヤをなすものである。この
ことから、簡単な回路構成で外部からの過電圧による電
力増幅器の熱暴走を防止して電力増幅器の焼損を防止す
ることができる。
項６において、具体的には、上記保護回路は、ＨＢＴで
構成されたＶbeマルチプライヤをなすものである。この
ことから、簡単な回路構成で外部からの過電圧による電
力増幅器の熱暴走を防止して電力増幅器の焼損を防止す
ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１におけるデュアルバン
ドシステム用の高周波電力増幅器の例を示した概略の回
路図である。
ドシステム用の高周波電力増幅器の例を示した概略の回
路図である。
【図２】 図１の第１バイアス回路３、第２バイアス回
路５及びバイアススイッチ回路６の回路例を示した図で
ある。
路５及びバイアススイッチ回路６の回路例を示した図で
ある。
【図３】 図２で示したバイアススイッチ回路６の動作
例を示した特性図である。
例を示した特性図である。
【図４】 本発明の実施の形態１におけるデュアルバン
ドシステム用の高周波電力増幅器の他の例を示した概略
の回路図である。
ドシステム用の高周波電力増幅器の他の例を示した概略
の回路図である。
【図５】 図４の第１バイアス回路３Ａ、第２バイアス
回路５Ａ及びバイアススイッチ回路６の回路例を示した
図である。
回路５Ａ及びバイアススイッチ回路６の回路例を示した
図である。
【図６】 第１バイアス回路、第２バイアス回路及びバ
イアススイッチ回路の他の回路例を示した図である。
イアススイッチ回路の他の回路例を示した図である。
【図７】 第１バイアス回路、第２バイアス回路及びバ
イアススイッチ回路の他の回路例を示した図である。
イアススイッチ回路の他の回路例を示した図である。
【図８】 本発明の実施の形態２における第１バイアス
回路、第２バイアス回路及びバイアススイッチ回路の回
路例を示した図である。
回路、第２バイアス回路及びバイアススイッチ回路の回
路例を示した図である。
【図９】 図８で示したバイアススイッチ回路８４の動
作特性例を示した図である。
作特性例を示した図である。
【図１０】 従来におけるデュアルバンドシステム用の
高周波電力増幅器の回路構成例を示した図である。
高周波電力増幅器の回路構成例を示した図である。
【図１１】 図１０のバイアススイッチ回路２０３の従
来例を示した概略の回路図である。
来例を示した概略の回路図である。
【図１２】 図１０の各バイアス回路をＨＢＴで構成し
た場合の従来例を示した回路図である。
た場合の従来例を示した回路図である。
１，１Ａ 高周波電力増幅器、 ２，２Ａ 第１電力増
幅器、 ３，３Ａ，３Ｂ 第１バイアス回路、 ４，４
Ａ 第２電力増幅器、 ５，５Ａ，５Ｂ 第２バイアス
回路、 ６，６Ｂ，６Ｃ，８４ バイアススイッチ回
路、 ８１，８２保護回路。
幅器、 ３，３Ａ，３Ｂ 第１バイアス回路、 ４，４
Ａ 第２電力増幅器、 ５，５Ａ，５Ｂ 第２バイアス
回路、 ６，６Ｂ，６Ｃ，８４ バイアススイッチ回
路、 ８１，８２保護回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J069 AA01 AA21 AA41 AA51 CA56 CA91 CA92 FA18 FA20 HA06 HA24 HA25 HA39 KA12 KA29 SA13 TA01 TA02 5J091 AA01 AA21 AA41 AA51 CA56 CA91 CA92 FA18 FA20 HA06 HA24 HA25 HA39 KA12 KA29 SA13 TA01 TA02 5J092 AA01 AA21 AA41 AA51 CA56 CA91 CA92 FA18 FA20 HA06 HA24 HA25 HA39 KA12 KA29 SA13 TA01 TA02 5K060 BB00 CC04 CC12 DD04 EE05 HH06 HH39 JJ02 JJ08 JJ23 LL01
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも１つの電力増幅用ＨＢＴで構
成された２つの電力増幅器と、ＨＢＴで構成され該各電
力増幅器に対応して設けられた各バイアス回路と、外部
からの信号に応じて該各バイアス回路に対する動作の切
り換えを排他的に行うバイアススイッチ回路とを備え
た、デュアルバンドシステム用の高周波電力増幅器にお
いて、 上記バイアススイッチ回路は、 上記各バイアス回路の動作制御を行う外部からの信号Ｖ
pcにおける一方のバイアス回路への出力制御を行う、Ｈ
ＢＴで構成された第１スイッチング手段と、 上記外部からの信号Ｖpcの他方のバイアス回路への出力
制御を行う、ＨＢＴで構成された第２スイッチング手段
と、 外部から入力される第１スイッチング手段の動作制御を
行うための制御信号Ｖmodに応じて第２スイッチング手
段の動作制御を行い、上記第１及び第２スイッチング手
段を排他的に選択して動作させる、ＨＢＴで構成された
第３スイッチング手段と、を備えることを特徴とする高
周波電力増幅器。 - 【請求項２】 上記第１及び第２スイッチング手段は、
上記信号Ｖpcの電圧を分圧するための複数の抵抗を直列
に接続した抵抗直列回路と、該抵抗直列回路と接地との
接続制御を行う接地接続用ＨＢＴとでそれぞれ形成さ
れ、該抵抗直列回路における所定の抵抗間の接続部か
ら、対応するバイアス回路への制御信号を出力すること
を特徴とする請求項１に記載の高周波電力増幅器。 - 【請求項３】 上記第１及び第２スイッチング手段は、
上記各電力増幅器が複数の電力増幅用ＨＢＴで増幅を行
う多段電力増幅器を形成し、対応する各バイアス回路が
各電力増幅用ＨＢＴごとにバイアスを供給する回路を有
する場合、信号Ｖpcによる電流が、初段の電力増幅用Ｈ
ＢＴにバイアスを供給する回路から最終段の電力増幅用
ＨＢＴにバイアスを供給する回路へ順に大きくなるよう
に、対応するバイアス回路への制御信号を出力すること
を特徴とする請求項２に記載の高周波電力増幅器。 - 【請求項４】 上記第１及び第２スイッチング手段は、
上記抵抗直列回路における所定の抵抗間の接続部、及び
該抵抗直列回路と接地接続用ＨＢＴとの接続部の間に、
対応するバイアス回路への制御信号の大きさを調整する
調整用抵抗がそれぞれ並列に設けられることを特徴とす
る請求項２又は請求項３のいずれかに記載の高周波電力
増幅器。 - 【請求項５】 上記第３スイッチング手段におけるＨＢ
Ｔは、上記２値の信号Ｖmodに応じて、上記第２スイッ
チング手段におけるＨＢＴのベースに対するバイアスの
供給制御を行うことを特徴とする請求項２から請求項４
のいずれかに記載の高周波電力増幅器。 - 【請求項６】 上記第１及び第２スイッチング手段は、
上記信号Ｖpcが入力される入力端子に印加された過電圧
から上記各バイアス回路を保護する保護回路がそれぞれ
設けられることを特徴とする請求項１から請求項５のい
ずれかに記載の高周波電力増幅器。 - 【請求項７】 上記保護回路は、ＨＢＴで構成されたＶ
beマルチプライヤをなすことを特徴とする請求項６に記
載の高周波電力増幅器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14012999A JP4227248B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 高周波電力増幅器 |
| US09/448,519 US6297694B1 (en) | 1999-05-20 | 1999-11-24 | High frequency power amplifier |
| FR9915103A FR2793968B1 (fr) | 1999-05-20 | 1999-11-30 | Amplificateur de puissance haute frequence pour un systeme double bande |
| DE10000319A DE10000319B4 (de) | 1999-05-20 | 2000-01-08 | Hochfrequenz-Leistungsverstärker |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14012999A JP4227248B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 高周波電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332551A true JP2000332551A (ja) | 2000-11-30 |
| JP4227248B2 JP4227248B2 (ja) | 2009-02-18 |
Family
ID=15261580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14012999A Expired - Lifetime JP4227248B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 高周波電力増幅器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6297694B1 (ja) |
| JP (1) | JP4227248B2 (ja) |
| DE (1) | DE10000319B4 (ja) |
| FR (1) | FR2793968B1 (ja) |
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| JP2011176755A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Tdk Corp | 電力増幅器 |
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| JP2002280911A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nec Corp | 送信回路及びそれを搭載した通信端末 |
| JP2003258653A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 移動無線端末 |
| JP2003338711A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Alps Electric Co Ltd | 動作点の調整が可能な電力増幅器 |
| JP2003347870A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
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