JP2000331315A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下部シールド層と上部シールド層の間に、少なくとも磁気抵抗効果或いは巨大磁気抵抗効果を有する薄膜を含むMRセンサと、前記MRセンサに縦バイアス磁界を与えるバイアス層と、前記MRセンサに検知電流を供給する電極層と、磁気媒体との対向部分において前記MRセンサと下部シールド層との間にある下部絶縁層と、前記MRセンサと上部シールド層との間にある上部絶縁層を有し、前記MRセンサまたは前記電極層と、前記下部シールド層および/または前記上部シールド層が対向していない部分が対向している部分よりも低抵抗率で、かつ少なくともMRセンサ下にある下部絶縁層あるいはMRセンサ上にある大なる絶縁層で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項2】
下部シールド層と上部シールド層の間に、少なくとも磁気抵抗効果或いは巨大磁気抵抗効果を有する薄膜を含むMRセンサと、前記MRセンサに縦バイアス磁界を与えるバイアス層と、前記MRセンサに検知電流を供給する電極層と、磁気媒体との対向部分において前記MRセンサと下部シールド層と前記電極層との間にある下部絶縁層と、前記MRセンサと上部シールド層と前記電極層との間にある上部絶縁層を有し、前記MRセンサまたは前記電極層と、前記下部シールド層および/または前記上部シールド層が対向していない部分が対向している部分よりも低抵抗率で、かつ少なくともMRセンサ下にある下部絶縁層あるいはMRセンサ上にある大なる絶縁層で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項3】
下部シールド層と上部シールド層の間に、少なくとも磁気抵抗効果或いは巨大磁気抵抗効果を有する薄膜を含むMRセンサと、前記MRセンサに縦バイアス磁界を与えるバイアス層と、前記MRセンサに接する第1の電極層と、前記第1の電極層に検知電流を供給する第2の電極層と、前記MRセンサと前記第1の電極層と前記バイアス層と前記下部シールド層との間にある第1の下部絶縁層と、前記第2の電極層と前記下部シールド層との間にある第2の下部絶縁層と、前記MRセンサと前記第1の電極層と前記バイアス層と前記上部シールド層との間にある第1の上部絶縁層と、前記第2の電極層と前記上部シールド層との間にある第2の上部絶縁層とを有し、前記MRセンサまたは前記電極層と、前記下部シールド層および/または前記上部シールド層が対向していない部分が対向している部分よりも低抵抗率で、かつ少なくともMRセンサ下にある下部絶縁層あるいはMRセンサ上にある大なる絶縁層で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項4】
前記低抵抗率絶縁膜がアルミニウム、珪素またはこれらの混合物の窒化物、酸化窒化物で形成されていることを特徴とする請求項1乃至3いずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項5】
前記低抵抗率絶縁膜において、印加電界3MV/cm時の抵抗率が印加電界1MV/cm時の抵抗率の1000分の1以下になる特性を有することを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項6】
前記下部絶縁層または前記上部絶縁層の全体が低抵抗率絶縁膜で作製されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項7】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法において、基板上に下部シールド層を形成する工程と、前記下部シールド層の上に前記高抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより形成する工程と、前記高抵抗率絶縁膜を所定の形状にエッチングする工程と、前記MRセンサを所定の形状に形成する工程と、前記低抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより形成する工程と、前記低抵抗率絶縁膜を所定の形状にエッチングする工程と、前記上部シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項8】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法において、基板上に下部シールド層を形成する工程と、前記下部シールド層の上に前記高抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより形成する工程と、前記高抵抗率絶縁膜を所定の形状にエッチングする工程と、前記MRセンサを所定の形状に形成する工程と、レジストパターンを用いて前記低抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより所定の形状に形成する工程と、前記上部シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項9】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法において、基板上に下部シールド層を形成する工程と、前記下部シールド層の上にレジストパターンを用いて前記高抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより所定の形状に形成する工程と、前記MRセンサを所定の形状に形成する工程と、前記低抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより形成する工程と、前記低抵抗率絶縁膜を所定の形状にエッチングする工程と、前記上部シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項10】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法において、基板上に下部シールド層を形成する工程と、前記下部シールド層の上にレジストパターンを用いて前記高抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより所定の形状に形成する工程と、前記MRセンサを所定の形状に形成する工程と、レジストパターンを用いて前記低抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより所定の形状に形成する工程と、前記上部シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項11】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドと、前記磁気抵抗効果型ヘッドに対向して配置される磁気記録媒体と、前記磁気抵抗効果型ヘッドを駆動させるための手段と、前記磁気記録媒体を駆動させるための手段と、記録再生信号処理手段を有することを特徴とする磁気記録装置。
【請求項1】
下部シールド層と上部シールド層の間に、少なくとも磁気抵抗効果或いは巨大磁気抵抗効果を有する薄膜を含むMRセンサと、前記MRセンサに縦バイアス磁界を与えるバイアス層と、前記MRセンサに検知電流を供給する電極層と、磁気媒体との対向部分において前記MRセンサと下部シールド層との間にある下部絶縁層と、前記MRセンサと上部シールド層との間にある上部絶縁層を有し、前記MRセンサまたは前記電極層と、前記下部シールド層および/または前記上部シールド層が対向していない部分が対向している部分よりも低抵抗率で、かつ少なくともMRセンサ下にある下部絶縁層あるいはMRセンサ上にある大なる絶縁層で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項2】
下部シールド層と上部シールド層の間に、少なくとも磁気抵抗効果或いは巨大磁気抵抗効果を有する薄膜を含むMRセンサと、前記MRセンサに縦バイアス磁界を与えるバイアス層と、前記MRセンサに検知電流を供給する電極層と、磁気媒体との対向部分において前記MRセンサと下部シールド層と前記電極層との間にある下部絶縁層と、前記MRセンサと上部シールド層と前記電極層との間にある上部絶縁層を有し、前記MRセンサまたは前記電極層と、前記下部シールド層および/または前記上部シールド層が対向していない部分が対向している部分よりも低抵抗率で、かつ少なくともMRセンサ下にある下部絶縁層あるいはMRセンサ上にある大なる絶縁層で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項3】
下部シールド層と上部シールド層の間に、少なくとも磁気抵抗効果或いは巨大磁気抵抗効果を有する薄膜を含むMRセンサと、前記MRセンサに縦バイアス磁界を与えるバイアス層と、前記MRセンサに接する第1の電極層と、前記第1の電極層に検知電流を供給する第2の電極層と、前記MRセンサと前記第1の電極層と前記バイアス層と前記下部シールド層との間にある第1の下部絶縁層と、前記第2の電極層と前記下部シールド層との間にある第2の下部絶縁層と、前記MRセンサと前記第1の電極層と前記バイアス層と前記上部シールド層との間にある第1の上部絶縁層と、前記第2の電極層と前記上部シールド層との間にある第2の上部絶縁層とを有し、前記MRセンサまたは前記電極層と、前記下部シールド層および/または前記上部シールド層が対向していない部分が対向している部分よりも低抵抗率で、かつ少なくともMRセンサ下にある下部絶縁層あるいはMRセンサ上にある大なる絶縁層で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項4】
前記低抵抗率絶縁膜がアルミニウム、珪素またはこれらの混合物の窒化物、酸化窒化物で形成されていることを特徴とする請求項1乃至3いずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項5】
前記低抵抗率絶縁膜において、印加電界3MV/cm時の抵抗率が印加電界1MV/cm時の抵抗率の1000分の1以下になる特性を有することを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項6】
前記下部絶縁層または前記上部絶縁層の全体が低抵抗率絶縁膜で作製されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項7】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法において、基板上に下部シールド層を形成する工程と、前記下部シールド層の上に前記高抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより形成する工程と、前記高抵抗率絶縁膜を所定の形状にエッチングする工程と、前記MRセンサを所定の形状に形成する工程と、前記低抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより形成する工程と、前記低抵抗率絶縁膜を所定の形状にエッチングする工程と、前記上部シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項8】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法において、基板上に下部シールド層を形成する工程と、前記下部シールド層の上に前記高抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより形成する工程と、前記高抵抗率絶縁膜を所定の形状にエッチングする工程と、前記MRセンサを所定の形状に形成する工程と、レジストパターンを用いて前記低抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより所定の形状に形成する工程と、前記上部シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項9】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法において、基板上に下部シールド層を形成する工程と、前記下部シールド層の上にレジストパターンを用いて前記高抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより所定の形状に形成する工程と、前記MRセンサを所定の形状に形成する工程と、前記低抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより形成する工程と、前記低抵抗率絶縁膜を所定の形状にエッチングする工程と、前記上部シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項10】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドを製造する方法において、基板上に下部シールド層を形成する工程と、前記下部シールド層の上にレジストパターンを用いて前記高抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより所定の形状に形成する工程と、前記MRセンサを所定の形状に形成する工程と、レジストパターンを用いて前記低抵抗率絶縁膜をスパッタリング法或いはCVDにより所定の形状に形成する工程と、前記上部シールド層を形成する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項11】
請求項1乃至6のいずれかに記載された磁気抵抗効果型ヘッドと、前記磁気抵抗効果型ヘッドに対向して配置される磁気記録媒体と、前記磁気抵抗効果型ヘッドを駆動させるための手段と、前記磁気記録媒体を駆動させるための手段と、記録再生信号処理手段を有することを特徴とする磁気記録装置。
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