JP2000327693A - 2’−デオキシ−β−シチジン誘導体の製造方法 - Google Patents

2’−デオキシ−β−シチジン誘導体の製造方法

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JP2000327693A
JP2000327693A JP14245399A JP14245399A JP2000327693A JP 2000327693 A JP2000327693 A JP 2000327693A JP 14245399 A JP14245399 A JP 14245399A JP 14245399 A JP14245399 A JP 14245399A JP 2000327693 A JP2000327693 A JP 2000327693A
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carbon atoms
trialkylsilyl
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Hiroharu Tanigawa
谷川  広晴
Hironori Komatsu
小松  弘典
Toshiyuki Kono
河野  敏之
Tamotsu Asano
保 浅野
Nobuyuki Fukazawa
信幸 深澤
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Mitsui Chemicals Inc
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Mitsui Chemicals Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】β体選択率の高い2’−デオキシ−β−シチジ
ン誘導体の製造方法の提供。 【解決手段】シトシン誘導体を反応系中でビス(トリア
ルキルシリル)シトシン誘導体とし、単離することな
く、アミン類存在下、非プロトン性溶媒中で、1−α―
ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体と特定の
時間をかけて縮合反応させる。 【効果】2’−デオキシ−β−シチジン誘導体及びその
塩をβ選択的かつ高収率で得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、各種抗ウイルス剤、抗
ガン剤、抗クローン病剤および抗リュウマチ剤として開
発されつつあるアンチセンスDNAおよび後天性免疫不
全症候群の治療薬として知られている2’,3’−ジデ
オキシ−β−シチジンの原料として有用な化合物である
2’−デオキシ−β−シチジン誘導体の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、2’−デオキシ−β−シチジン誘
導体の製造方法として、以下の方法が知られている。 (1)天然に存在するデオキシリボ核酸(DNA)を酵
素分解して2’−デオキシ−β−シチジン誘導体を得る
方法。 (2)3,5−ビス(置換ベンゾイルオキシ)−2−デ
オキシ−D−リボシルクロリドとN−アシルシトシン水
銀塩を縮合してα体/β体=約1/1の混合物を合成
し、次いでβ体を分離後、保護基を外して2’−デオキ
シ−β−シチジン誘導体を得る方法〔Journal of the
American Chemical Society, Vol.83, 4066 (1
961)〕。 (3)シチジンの2’−位の水酸基を脱オキシ反応して
2’−デオキシ−β−シチジン誘導体を得る方法〔Jour
nal of the American Chemical Society, Vol.105,
4059 (1983)〕。 (4)3,5−ビス(置換ベンゾイルオキシ)−2−デ
オキシ−D−リボシルクロリドとビス(トリメチルシリ
ル)シトシンを有機アミン存在下に縮合してα体/β体
=約9/91の混合物を合成し、次いでβ体を再結晶に
より分離後、保護基を外して2’−デオキシ−β−シチ
ジン誘導体を得る方法〔特開平2−17198、および
Chemistry Letters,1989, 235 (1989)〕。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記の2’−デオキシ
−β−シチジン誘導体の製造方法のうち、(1)の天然
DNAを酵素分解する方法は、原料を魚類の精巣などに
頼っておりその入手に制約があると共に、分解時に生成
する化学的な性質の類似した他の核酸アミンからの分離
精製が困難であるため工数が掛かり大量製造には不向き
である。また(2)の水銀を用いる方法は、α体/β体
=約1/1の混合物しか得られず目的生成物の収率が悪
いうえ、有害な水銀を用いるため工業的製造方法として
適切ではない。さらに(3)のシチジンを脱オキシ反応
して製造する方法は、高価な触媒存在下に取り扱いの危
険な水素ガスを用いるため工業的製造方法として適さな
い。また(4)のビス(トリメチルシリル)シトシンを
用いる方法は、空気中の水分で容易に分解し活性を失う
ビス(トリメチルシリル)シトシンを単離し精製する必
要がある上、比較例1に示したように、その後実施した
追試験ではα体/β体=約1/4.5とβ体選択率が低
く、実用に供しうるβ体まで精製するためにはロスの大
きな再結晶などによる精製を繰り返し行う必要があるた
め、結果として単離収率が低くなり効率が悪く工業的製
法として適さない。
【0004】このように従来法では、原料が天然物に頼
っているため大量製造に不向きであったり、中間体とし
て有害な水銀化合物を使用したり、空気中の水分と容易
に反応して分解する化合物を使用して取り扱いが困難で
あったり、反応のβ体選択率が悪く精製に更なる工数が
必要で効率が悪かったりと、効率的な工業的な製法に適
した方法は存在していなかった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決して、2’−デオキシ−β−シチジン誘導体を、β
体選択率良くかつ高収率で工業的に容易に製造できる方
法について検討を重ねた。
【0006】この結果、ビス(トリアルキルシリル)シ
トシン誘導体をアミン類存在下、非プロトン性溶媒中に
おいて、1−α−ハロゲノ−2−デオキシリボフラノー
ス誘導体と縮合反応させる際に、ビス(トリアルキルシ
リル)シトシン誘導体への1−α−ハロゲノ−2−デオ
キシリボフラノース誘導体の添加を特定の時間で行うこ
とにより反応させると、驚くべきことに、β体選択率の
高い生成物が得られることを見出した。(α体/β体=
約1/13(β体選択率93%以上))。また、反応原
料であるビス(トリアルキルシリル)シトシン誘導体
は、相当するシトシン誘導体とアルキルシリルアミン類
とを反応後、単離精製することなくそのまま1−α−ハ
ロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体との反応に
利用できることを見出した。これにより、β体選択率の
高い3’,5’−ジ置換−2’−デオキシ−β−シチジ
ン誘導体をさらに簡略化して製造することが可能とな
り、本発明を完成したものである。すなわち本発明は、
[1]下記一般式(1)[化7]
【0007】
【化7】
【0008】(式中、R1およびR2は独立してトリア
ルキルシリル基を表し、Xは水素原子、ハロゲン原子、
ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1から4の
アルキル基、炭素数2から4のアルケニル基を表す。)
で示されるビス(トリアルキルシリル)シトシン誘導体
を、非プロトン性溶媒中、下記一般式(2)[化8]
【0009】
【化8】
【0010】(式中、R3は炭素数1から4のアルキル
基、アルキルシリル基を表し、nは0から3の整数を表
す。)で示されるアミン類の存在下に下記一般式(3)
[化9]
【0011】
【化9】
【0012】(式中、R4及びR5は独立して、炭素数1
から4のアルキル基、炭素数5から8のシクロアルキル
基、ハロゲン原子または炭素数1から4アルキル基で置
換されていてもよいフェニル基、ハロゲン原子または炭
素数1から4のアルキル基で置換されていてもよいベン
ジル基、炭素数1から4の脂肪族アシル基、ハロゲン原
子または炭素数1から4のアルキル基または炭素数1か
ら4のアルコキシ基で置換されていてもよい芳香族アシ
ル基、トリアルキルシリル基、フラニル基、ピラニル基
を表し、Yはハロゲン原子を表す。)で示される1−α
―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体と縮合
させて下記一般式(4)[化10]
【0013】
【化10】
【0014】(式中、R4、R5、及びXは前記と同一の意
味を表す。)で示される3’,5’−ジ置換−2’−デ
オキシ−β−シチジン誘導体を製造する方法であり、ま
た、[2]一般式(5)[化11]
【0015】
【化11】
【0016】(式中、Xは前記と同一の意味を表す。)で
表わされるシトシン誘導体と、一般式(6)[化12]
【0017】
【化12】
【0018】(式中、R6はトリアルキルシリル基を表
し、Xは前記と同一の意味を表す。)で示されるアルキ
ルシリルアミン類と反応させてビス(トリアルキルシリ
ル)シトシン誘導体とし、これを単離することなくその
まま1−α―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘
導体と反応させることを特徴とする[1]に記載の
3’,5’−ジ置換−2’−デオキシ−β−シチジン誘
導体の製造方法である。
【0019】
【発明の実施の形態】一般式(1)において、R1およ
びR2で示されるトリアルキルシリル基としては、トリ
メチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、t−ブチル
ジメチルシリル基、トリエチルシリル基およびトリイソ
プロピルシリル基などを例示することができるが、トリ
メチルシリル基が特に好ましい。一般式(1)において
Xで示されるハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子およびヨウ素原子を例示することができる
が、塩素原子が特に好ましい。炭素数1から4のアルキ
ル基とはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、t−ブチル基を例示することができるが、メチル
基が特に好ましい。ハロゲン原子で置換された炭素数1
から4のアルキル基とはクロロメチル基、ジクロロメチ
ル基、トリフルオロメチル基を例示することができる
が、トリフルオロメチル基が特に好ましい。炭素数2か
ら4のアルケニル基とはビニル基、プロペニル基を例示
することができるが、ビニル基が特に好ましい。
【0020】一般式(2)で示されるアミン類として
は、アンモニア、トリエチルアミン、ヘキサメチルジシ
ラザン、ビス(t−ブチルジメチルシリル)アミン、ビ
ス(ジメチルエチルシリル)アミン、ビス(トリエチル
シリル)アミンおよびビス(トリイソプロピルシリル)
アミンなどを例示することができるが、ヘキサメチルジ
シラザンが特に好ましい。
【0021】本反応の反応溶媒である非プロトン性溶媒
としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、およびジオキサンなどのエー
テル類、n−ペンタン、n−ヘキサン、およびシクロヘ
キサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、およびハロゲン化ベンゼンなどの芳香族
炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、およ
びジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ま
たはアセトニトリルなどを例示することができるが、な
かでも、クロロホルム、ジクロロメタン、および1、2
−ジクロロエタンが特に好ましい。
【0022】一般式(3)中のR4およびR5で表され
る炭素数1から4のアルキル基としてはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、t−ブチル基を例
示することができるが、メチル基が特に好ましい。炭素
数5から8のシクロアルキル基としてはシクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基を例示することができるが、シクロヘキシル基が
特に好ましい。ハロゲン原子で置換されたフェニル基と
してはクロロフェニル基、ブロモフェニル基を例示する
ことができるが、クロロフェニル基が特に好ましい。炭
素数1から4アルキル基で置換されたフェニル基として
はトルイル基、キシリル基を例示することができるが、
トルイル基が特に好ましい。炭素数1から4のアルキル
基で置換されたベンジル基としてはメチルベンジル基、
エチル基ベンジル基、ハロゲンで置換されたベンジル基
としてはクロロベンジル基、ブロモベンジル基を例示す
ることができるが、メチルベンジル基が特に好ましい。
また、炭素数1から4の脂肪族アシル基としてはアセチ
ル基、プロピオニル基を、炭素数1から4のアルキル基
で置換された芳香族アシル基とはトルオイル基、エチル
ベンゾイル基を、ハロゲン原子で置換された芳香族アシ
ル基とは4−クロロベンゾイル基、3−クロロベンゾイ
ル基、2−クロロベンゾイル基を、炭素数1から4のア
ルコキシ基で置換された芳香族アシル基とはメトキシベ
ンゾイル基を例示することができるが、反応時の安定
性、操作性、および結晶性の観点から芳香族アシル基を
使用することが好ましく、ベンゾイル基、トルオイル
基、4−クロロベンゾイル基、3−クロロベンゾイル
基、2−クロロベンゾイル基、およびメトキシベンゾイ
ル基などが好ましい。
【0023】一般式(6)で示されるアルキルシリルア
ミン類としては、ヘキサメチルジシラザン、ビス(ジメ
チルエチルシリル)アミン、ビス(t−ブチルジメチル
シリル)アミン、ビス(トリエチルシリル)アミン及び
ビス(トリイソプロピルシリル)アミンなどを例示する
ことができるが、ヘキサメチルジシラザンが特に好まし
い。本発明の3’,5’−ジ置換−2’−デオキシ−β
−シチジン誘導体の製造は、非プロトン性溶媒に溶解し
たビス(トリアルキルシリル)シトシン誘導体に、さら
にアミン類を溶解し、これに非プロトン性溶媒に溶解し
た1−α―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導
体を徐々に添加することにより行われる。この際、ビス
(トリアルキルシリル)シトシン誘導体の溶液に1−α
―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体の溶液
を時間をかけて徐々に添加することが3’,5’−ジ置
換−2’−デオキシ−β−シチジン誘導体のβ体選択率
を高めるのに重要である。ここで、添加および反応に要
する時間とは、添加に要する時間と反応に要する時間の
合計を意味するのではなく、添加してなおかつ反応させ
る時間を意味し、添加時間の終了は反応時間の終了を意
味する。本反応は、大きな発熱を伴うものではないの
で、非常に短い時間内に、添加及び反応を終了すること
ができる。しかしながら、短時間に滴下を行った場合に
は、β体選択率が低い結果に終わってしまい、後工程の
精製が非効率的になる。すなわち、ビス(トリアルキル
シリル)シトシン誘導体の溶液への1−α―ハロゲノ−
2−デオキシリボフラノース誘導体の溶液を0.5時間
から5時間の範囲で、さらに好ましくは1.5時間から
4時間の範囲で、徐々に時間をかけて添加して反応させ
ることが必要である。添加及び反応時間が0.5時間以
下では、β体選択率が低く、後に続く精製工程が非効率
的となる。一方、添加および反応時間が5時間以上で
は、β体選択率がそれ以上高くなることはなく、却って
時間的な面で非効率となる。
【0024】1−α―ハロゲノ−2−デオキシリボフラ
ノース誘導体に対するビス(トリアルキルシリル)シト
シン誘導体の使用量は、0.75倍モルから1.5倍モ
ルが好ましく、なかでも1倍モルから1.3倍モルがさ
らに好ましい。1−α―ハロゲノ−2−デオキシリボフ
ラノース誘導体に対するビス(トリアルキルシリル)シ
トシン誘導体の使用量が0.75倍モル以下ではβ体選
択率が低く、1.5倍モル以上ではβ体選択率がそれ以
上向上せず、反応器容積効率が低くかつ未反応原料の廃
棄または回収をしなければならない等の不都合が生じ
る。
【0025】縮合時に共存させるアミン類の量は、1−
α―ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体に対
して0.5倍モルから1.5倍モルの範囲が好ましく、
なかでも0.75倍モルから1.3倍モルが好ましい。
縮合時に共存させるアミン類の量が1−α―ハロゲノ−
2−デオキシリボフラノース誘導体に対して0.5倍モ
ル以下ではβ体選択率が低く、1.5倍モルβ体選択率
がそれ以上向上せず、反応器容積効率が低くかつ廃棄ま
たは回収しなければならないアミン類量が増加する。ビ
ス(トリアルキルシリル)シトシン誘導体を非プロトン
性溶媒に溶解した溶液に1−α―ハロゲノ−2−デオキ
シリボフラノース誘導体を徐々に装入するときの反応温
度としては、30℃から50℃までが好ましい。反応温
度が30℃以下ではβ体選択率が低く、50℃以上では
不安定なビス(トリアルキルシリル)シトシン誘導体の
分解が生じ、回収、精製などの後工程で不都合が生じ
る。
【0026】反応原料であるビス(トリアルキルシリ
ル)シトシン誘導体としては、単離精製したものを使用
しなくても、相当するシトシン誘導体とアルキルシリル
アミン類と反応させてビス(トリアルキルシリル)シト
シン誘導体とし、これを単離することなくそのまま、ま
たは非プロトン性溶媒に溶解後1−α―ハロゲノ−2−
デオキシリボフラノース誘導体と反応させることもでき
る。空気中の水分に不安定なビス(トリアルキルシリ
ル)シトシン誘導体を直接取り扱うこともなく分解を抑
制でき、原料の有効利用が可能で、かつ、回収、精製な
どの後工程の効率を高めることができる。
【0027】この場合には、アルキルシリルアミン類以
外のアミン類を共存アミン類として使用してもよいが、
ビス(トリアルキルシリル)シトシン誘導体の合成に用
いるアルキルシリルアミン類を用いるのが好ましい。ま
た、縮合時に共存させるアミン類の必要量は、シトシン
誘導体とアルキルシリルアミン類とを反応してビス(ト
リアルキルシリル)シトシン誘導体を合成する際に予め
加えておくことができる。すなわち、アルキルシリルア
ミン類を溶媒としてビス(トリアルキルシリル)シトシ
ン誘導体の合成を行うのが好ましい。ビス(トリアルキ
ルシリル)シトシン誘導体は、相当するシトシン誘導体
とアルキルシリルアミン類とを硫酸アンモニウムを触媒
として、合成することができる。原料の種類にも依る
が、80℃から150℃の範囲で、0.5時間から10
時間で反応が完結する。
【0028】縮合反応によって得られる若干のα体を含
む3’,5’−ジ置換−2’−デオキシ−β−シチジン
誘導体を再結晶などの精製手段によってβ体含量を99
%以上に高めることができる。再結晶による精製に使用
する溶媒は、メタノール、エタノール、プロパノール、
イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、およ
びt−ブタノールなどのアルコール類、酢酸メチル、酢
酸エチルおよび酢酸ブチルなどのエステル類、n−ペン
タン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよび
オクタンなどの炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホ
ルムおよび1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭
化水素類、アセトン、メチルエチルケトンおよびメチル
イソブチルケトンなどのケトン類などがあげられるが、
これらに限定されるものではない。さらには、上記溶媒
の内の2種あるいは3種類を任意の比率で混合した溶媒
の使用できる。好ましくはメタノール、エタノール、お
よびイソプロパノールであり、さらに好ましくメタノー
ルまたはエタノールであるが、これらに限定されるもの
ではない。
【0029】精製した3’,5’−ジ置換−2’−デオ
キシ−β−シチジン誘導体は、保護基の脱離反応を行
い、1−α−ハロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘
導体から78%の高い反応収率で3’,5’−ジヒドロ
キシ−β−シチジン誘導体を得ることができる。
【0030】得られた3’,5’−ジヒドロキシ−β−
シチジン誘導体は、さらに必要に応じて生理的に許容さ
れる塩にすることができる。ここで、3’,5’−ジヒ
ドロキシ−β−シチジン誘導体の塩としては、フッ化水
素酸、塩酸、臭化水素酸、リン酸、および硫酸などの無
機酸、シュウ酸、マレイン酸、フマル酸、乳酸、酒石
酸、リンゴ酸、クエン酸、および安息香酸などの有機酸
などが例示される。
【0031】
【実施例】以下において、実施例と比較例及び参考例を
挙げて本発明を説明する。 [参考例1] ビス(トリメチルシリル)シトシンの製造 窒素置換した反応器に、シトシン5.8g(52ミリモ
ル)、硫酸アンモニウム0.017g(0.17ミリモ
ル)およびヘキサメチルジシラザン26.3g(156
ミリモル)を仕込み攪拌下120℃にて加熱還流した。
120℃に到達後約1時間で全溶するので、還流温度で
さらに2時間加熱攪拌した。その後、減圧下60℃で未
反応のヘキサメチルジシラザンを留去し、ビス(トリメ
チルシリル)シトシン11.3g(44.2ミリモル)
を得た。シトシン基準の収率は85%であった。 [実施例1] 3’,5’−ビス(4−クロロベンゾイル)−2’−デ
オキシシチジンの製造 窒素置換した反応器に、蒸留精製したてのビス(トリメ
チルシリル)シトシン3.3g(5.0ミリモル)、ヘ
キサメチルジシラザン1.6g(13ミリモル)、およ
びクロロホルム150mLを装入した。この溶液を室温
(40℃)にて攪拌しながら、3,5−ビス(4−クロ
ロベンゾイル)−2−デオキシ−α−D−リボフラノシ
ルクロリド5.0g(純度85.5%、10ミリモル)
のクロロホルム溶液150mLを2時間で装入し反応を
行った。反応終了後、0℃から5℃に冷却し、水120
mLを30分で滴下装入したのち、反応液から有機層を
分離し、水、1.3%重曹水、および水で洗浄後、無水
硫酸マグネシウム上で乾燥した。乾燥剤を濾別後、減圧
下溶媒を40℃以下で溜去し、減圧乾燥して、粗3’,
5’−ビス(4−クロロベンゾイル)−2’−β−デオ
キシシチジン5gを得た。3,5−ビス(4−クロロベ
ンゾイル)−2−デオキシ−α−D−リボフラノシルク
ロリドを基準とする収率は100%であった。またα
体:β体比を高速液体クロマトグラフ法(逆相カラム、
溶離液:水/アセトニトリル、検出波長:254nm)
で分析した結果β体選択率は93%であった。この生成
物のβ体含有量を99%以上にするためには、再結晶に
よる精製が1回必要であり、再結晶収率は90%、反応
から通した単離収率は90%であった。 [実施例2] 3’,5’−ビス(トリメチルシリル)−2’−デオキ
シシチジンの製造 窒素置換した反応器に、シトシン5.8g(52ミリモ
ル)、硫酸アンモニウム0.017g(0.17ミリモ
ル)およびヘキサメチルジシラザン26.3g(156
ミリモル)を仕込み攪拌下120℃にて加熱還流した。
120℃に到達後約1時間で全溶するので、還流温度で
さらに2時間加熱攪拌した。窒素雰囲気下、この反応器
に、クロロホルム680mLとヘキサメチルジシラザン
6.66g(39.6ミリモル)を加え40℃にて攪拌
しながら、3,5−ビス(4−クロロベンゾイル)−2
−デオキシ−α−D−リボフラノシルクロリド20.0
g(純度85.5%、39.9ミリモル)のクロロホル
ム溶液680mLを1.5時間かけて滴下装入後、0℃
から5℃まで冷却し、この温度で水480mLを30分
かけて滴下装入した。反応液から有機層を分離し、水、
1.3%重曹水、および水で洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウム上で乾燥した。乾燥剤を濾別後、減圧下溶媒を40
℃以下で溜去した後、減圧乾燥して、粗3’,5’−ビ
ス(4−クロロベンゾイル)−2’−β−デオキシシチ
ジンを20g得た。3,5−ビス(4−クロロベンゾイ
ル)−2−デオキシ−α−D−リボフラノシルクロリド
を基準とする収率は100%であった。また、β体選択
率は93%であった。本生成物は1回の再結晶でβ体含
有率99%以上になり、再結晶収率90%、反応からの
通した単離収率は90%であった。 [比較例1] 3’,5’−ビス(4−クロロベンゾイル)−2’−デ
オキシシチジンの製造[特開平2−17198に記載の
方法の追試] 窒素置換した反応器に、蒸留精製したてのビス(トリメ
チルシリル)シトシン3.3g(5.0ミリモル)、ヘ
キサメチルジシラザン1.6g(13ミリモル)、およ
びクロロホルム150mLを装入した。この溶液を40
℃にて攪拌しながら、3,5−ビス(4−クロロベンゾ
イル)−2−デオキシ−α−D−リボフラノシルクロリ
ド5.0g(純度85.5%、10ミリモル)の脱水ク
ロロホルム溶液150mLを0.1時間で装入し、さら
に同温にて2時間攪拌し後反応を行った。その後、0℃
から5℃に冷却し、水120mLを30分で滴下装入し
たのち、反応液から有機層を分離し、水、1.3%重曹
水、および水で洗浄後、無水硫酸マグネシウム上で乾燥
した。乾燥剤を濾別後、減圧下溶媒を40℃以下で溜去
し、減圧乾燥して、粗3’,5’−ビス(4−クロロベ
ンゾイル)−2’−β−デオキシシチジン5gをえた。
3,5−ビス(4−クロロベンゾイル)−2−デオキシ
−α−D−リボフラノシルクロリドを基準とする収率は
88%であった。また、β体選択率は82%[α体/β
体=約1/4.5]であり実施例1に比較して低かっ
た。この生成物のβ体含有量を99%以上にするために
は、再結晶による精製が3回必要であり、再結晶収率は
45%、反応から通した単離収率は36%であった。 [実施例3] 添加時間を0.5時間とする以外はすべて実施例1と同
様に行った。3,5−ビス(4−クロロベンゾイル)−
2−デオキシ−α−D−リボフラノシルクロリドを基準
とする収率は88%でり、β体選択率は91%であっ
た。 [実施例4]添加時間を5時間とする以外はすべて実施
例1と同様に行った。3,5−ビス(4−クロロベンゾ
イル)−2−デオキシ−α−D−リボフラノシルクロリ
ドを基準とする収率は88%でり、β体選択率は92%
であった。 [実施例5]添加時間を10時間とする以外はすべて実
施例1と同様に行った。3,5−ビス(4−クロロベン
ゾイル)−2−デオキシ−α−D−リボフラノシルクロ
リドを基準とする収率は88%でり、β体選択率は90
%であった。 [参考例2]3’,5’−ビス(4−クロロベンゾイ
ル)−2’−β−デオキシシチジンの精製(エタノール
からの再結晶法) 実施例1で製造した粗3’,5’−ビス(4−クロロベ
ンゾイル)−2’−β−デオキシシチジンをエタノール
から再結晶法により精製し、β体選択率99.7%まで
精製した。 [参考例3] 2’−デオキシ−β−シチジンの製造 メタノール1500mLを反応器にとり0℃から5℃で
アンモニアガスを装入し0℃から5℃の飽和アンモニア
/メタノールを調製した。同温にて攪拌しながら、実施
例1で製造した3’,5’−ビス(4−クロロベンゾイ
ル)−2’−デオキシ−β−シチジンを装入し、同温で
2時間さらに室温にて15時間攪拌した。得られた反応
液を、減圧下30℃以下でメタノールを溜去しながらア
ンモニアガスを回収した。得られた固体に酢酸エチルと
水の混液に溶解し、この水層を分離、さらに酢酸エチル
で洗浄後、40℃以下で水を溜去し、さらに50℃以下
で減圧乾燥し2’−デオキシ−β−シチジン12gを収
率92%で得た。 融点:199℃〜202℃(分解) IR(KBr、cm-1):3380、3200、2935、1655、1615、1480、1405、13
00、1280、1095、1050、955、940、790、 7151 H-NMR(270MHz、CD3OD、σ):2.07〜2.17(1H、m),2.32〜2.4
0(1H、m),3.69〜3.95(2H、m),3.93(1H、dd),4.33〜4.38(1
H、m),4.86(4H,bs),89(1H、d),6.25(1H、t),7.98(1H、d) 比旋光度:+57.2°(C=2、水、25℃) [参考例4] 2’−β−デオキシシチジン塩酸塩の製造 実施例1で製造した3’,5’−ビス(4−クロロベン
ゾイル)−2’−デオキシ−β−シチジンを、参考例3
と同様の操作によってアンモニア性メタノールで処理し
て、保護基である4−クロロベンゾイル基を脱離した
後、濃塩酸を加えて粗2’−デオキシ−β−シチジン塩
酸塩とする。これを水−メタノールから再結晶して2’
−デオキシ−β−デオキシシチジン塩酸塩を収率82%
で得た。 融点:161℃〜165℃ IR(KBr、cm-1):3380、2935、1720、1660、1275、1080、1050、84
5、7151 H-NMR(270MHz、D2O、σ):2.35〜2.45(2H、m),3.64〜3.90
(2H、m),02〜4.07(1H、m),4.15〜4.65(1H、m),21〜6.25(2
H、m),8.08(1H、d) 比旋光度:+57.0°(c=2、水、20℃)
【0032】
【発明の効果】本発明によれば、ビス(トリアルキルシ
リル)シトシン誘導体を単離することなくアミン類存在
下、非プロトン性溶媒中で、1−α―ハロゲノ−2−デ
オキシリボフラノース誘導体と特定の反応条件で縮合反
応させることにより、β体選択率の高い2’−デオキシ
−β−シチジン誘導体を、容易な取り扱いで製造でき
る。これにより、精製の単離収率の向上と工数の削減が
可能となった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅野 保 千葉県茂原市東郷1144番地 三井化学株式 会社内 (72)発明者 深澤 信幸 千葉県茂原市東郷1144番地 三井化学株式 会社内 Fターム(参考) 4C057 AA03 BB02 BB05 DD01 LL17 LL19 4H039 CA42 CF40 4H049 VN01 VP01 VP02 VQ02 VQ20 VQ77 VR23 VR41 VS02 VS20 VS57 VS59 VT48 VU06 VU36 VW01

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式(1)[化1] 【化1】 (式中、R1およびR2は独立してトリアルキルシリル
    基を表し、Xは水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子
    で置換されていてもよい炭素数1から4のアルキル基、
    炭素数2から4のアルケニル基を表す。)で示されるビ
    ス(トリアルキルシリル)シトシン誘導体を、非プロト
    ン性溶媒中、下記一般式(2)[化2] 【化2】 (式中、R3は炭素数1から4のアルキル基、アルキル
    シリル基を表し、nは0から3の整数を表す。)で示さ
    れるアミン類の存在下に下記一般式(3)[化3] 【化3】 (式中、R4及びR5は独立して、炭素数1から4のアル
    キル基、炭素数5から8のシクロアルキル基、ハロゲン
    原子または炭素数1から4アルキル基で置換されていて
    もよいフェニル基、ハロゲン原子または炭素数1から4
    のアルキル基で置換されていてもよいベンジル基、炭素
    数1から4の脂肪族アシル基、ハロゲン原子または炭素
    数1から4のアルキル基または炭素数1から4のアルコ
    キシ基で置換されていてもよい芳香族アシル基、トリア
    ルキルシリル基、フラニル基、ピラニル基を表し、Yは
    ハロゲン原子を表す。)で示される1−α―ハロゲノ−
    2−デオキシリボフラノース誘導体と縮合させて下記一
    般式(4)[化4] 【化4】 (式中、R4、R5、及びXは前記と同一の意味を表す。)
    で示される3’,5’−ジ置換−2’−デオキシ−β−
    シチジン誘導体を製造する際に、ビス(トリアルキルシ
    リル)シトシン誘導体へ1−α―ハロゲノ−2−デオキ
    シリボフラノース誘導体を0.5時間から5時間かけて
    添加して反応させることを特徴とする3’,5’−ジ置
    換−2’−デオキシ−β−シチジン誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】一般式(5)[化5] 【化5】 (式中、Xは前記と同一の意味を表す。)で表わされるシ
    トシン誘導体と一般式(6)[化6] 【化6】 (式中、R6はトリアルキルシリル基を表し、Xは前記と
    同一の意味を表す。)で示されるアルキルシリルアミン
    類と反応させてビス(トリアルキルシリル)シトシン誘
    導体とし、これを単離することなくそのまま1−α―ハ
    ロゲノ−2−デオキシリボフラノース誘導体と反応させ
    ることを特徴とする請求項1に記載の3’,5’−ジ置
    換−2’−デオキシ−β−シチジン誘導体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001079248A1 (fr) * 2000-04-13 2001-10-25 Mitsui Chemicals, Inc. Procede de preparation de derives de cytidine
JP2013166782A (ja) * 2006-10-17 2013-08-29 Anadys Pharmaceuticals Inc 5−アミノ−3−(2’−O−アセチル−3’−デオキシ−β−D−リボフラノシル)−3H−チアゾール[4,5−d]ピリミジン−2−オンのp−トルエンスルホン酸塩、及び、調製方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001079248A1 (fr) * 2000-04-13 2001-10-25 Mitsui Chemicals, Inc. Procede de preparation de derives de cytidine
US6822090B2 (en) 2000-04-13 2004-11-23 Mitsui Chemicals, Inc. Process for the preparation of cytidine derivatives
JP2013166782A (ja) * 2006-10-17 2013-08-29 Anadys Pharmaceuticals Inc 5−アミノ−3−(2’−O−アセチル−3’−デオキシ−β−D−リボフラノシル)−3H−チアゾール[4,5−d]ピリミジン−2−オンのp−トルエンスルホン酸塩、及び、調製方法

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