JP2000327500A - アニール炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワークを速い速度で冷却でき，またワークの
均一な冷却が可能なアニール炉を提供する。 【解決手段】 略柱状のワークＷをケーシング１０に収
納して熱処理するアニール炉１である。ケーシング１０
の周面に沿ってワークＷの長手方向と略平行に冷媒を流
す冷媒流路２１と，ワークＷの長手方向の両端近傍に配
置された温度センサ３３，３４を備え，冷媒流路２１に
おける冷媒の流れる方向は可変である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，ワークを熱処理す
るアニール炉に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に，金属やガラスなどのワーク内に
残る熱ヒステリシスや加工ヒステリシスを除去するため
に，ワークに加熱と徐冷といった熱処理を施すことによ
り，いわゆる焼き鈍しが行われている。例えば半導体材
料であるＧａＡｓインゴットや半導体ウェハについて具
体的に説明すると，それらワークをアニール炉内に収納
して約１０００℃程度以上の高温に全体的に均一に昇温
させ，保温や冷却を行うことにより焼き鈍しが行われ
る。ＧａＡｓインゴットについていえば，約１０００℃
程度においてプラスマイナス５゜Ｃの範囲の均一温度で
保持した後，先ず約１０００゜Ｃから５００゜Ｃにまで
−５゜Ｃ／ｍｉｎの冷却速度で冷却し，更にその後，高
温部と低温部の温度差を２０゜Ｃ以下に収めながら冷却
することによって，半導体材料としての性状の優れた
（インプラ活性層のシート抵抗面内ばらつきが少ない）
熱処理が実現できる。

【０００３】このように半導体材料の焼き鈍しを行うア
ニール炉としては，例えばワークを収納するケーシング
を二重構造としたものが知られている。そして，ワーク
を加熱する場合は，ケーシングの外側からヒータで加熱
し，ケーシング内のワークを昇温させる。そして，必要
であれば所定時間保温した後，二重構造に構成されたケ
ーシングの隙間に空気を流し，ワークを冷却する。この
場合，空気の流通量を加減することによって，冷却速度
を制御している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のアニール炉は，
冷却時に二重構造に構成されたケーシングの隙間に流さ
れる空気の流通方向が一方向に限られていたため，ケー
シングの隙間に空気が導入される入口近傍では比較的早
くワークが冷却されるが，ケーシングの隙間から空気が
排出される出口近傍ではワークの冷却速度が遅くなって
しまい，ワークの均一な冷却ができなかった。特に最近
は，ＧａＡｓインゴットのような半導体材料について大
型化が進められており，ワークの直径が従来の４インチ
から６インチへと増加し，長さも１０００ｍｍ程度の長
尺化が考えられている。かような大型化した半導体材料
を従来のアニール炉で冷却した場合，ワークの中央部と
端部との温度差が大きくなり，性状の優れた半導体材料
を得ることが困難になる。

【０００５】またアニール炉は，ワークの保温を均一に
するために，ケーシングの外側に設けられたヒータが保
温部材によって囲まれているが，従来はヒータや保温部
材が固定されていたため，熱が逃げにくく，ワークを速
い速度で冷却できなかった。

【０００６】従って本発明の目的は，特に大型化したワ
ークについても均一に冷却でき，しかも速い速度で冷却
できるアニール炉を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らはこの目的を
達成するために，先ず次のような検討を行った。即ち，
冷却空気の導入側と排出側でワークの温度を比較する
と，通常温度差が約１００℃近くもあるが，冷却空気の
流通量の増大や冷却用空気の流路を広くして冷却表面積
を拡大することによっては，この温度差を効果的に減少
させることは期待できない。そればかりか，冷却空気の
流通量を増やしたり冷却表面積を広げるとワークの均一
な保温や冷却が困難になってしまう。また保温部材を少
なくして放熱効果を高めることも検討をしたが，それで
はワークの均一な保温が困難になってしまう。また放熱
が増える分，ワークを加熱するエネルギーが多く必要に
なる。また，冷却空気の通路に熱交換用の媒体を介在さ
せることも検討したが，ワークを加熱する際に１０００
℃程度の高温となり，適当な媒体が見当たらない。

【０００８】しかして，請求項１の発明にあっては，略
柱状のワークをケーシング内に収納して熱処理するアニ
ール炉であって，ケーシングの周面に沿ってワークの長
手方向と略平行に冷媒を流す冷媒流路と，ワークの長手
方向の両端近傍に配置された温度センサを備え，冷媒流
路における冷媒の流れる方向を可変に構成したことを特
徴としている。

【０００９】この請求項１のアニール炉において，略柱
状のワークとは，例えば円筒形状や角筒形状などといっ
た種々の柱状の他，正確な柱状ではないが，棒状のワー
クのようなものも含む。この請求項１のアニール炉にあ
っては，冷却の際に温度センサで測定することにより，
ケーシング内に収納されたワークの長手方向の両端部の
温度を検出する。そして，ワークの一方の端部の温度が
他方の端部の温度よりも相当に高くなった場合は，ワー
クの長手方向と略平行に配置された冷媒流路においてワ
ークの一方の端部側から他方の端部側に向かって冷媒を
流すようにする。また，ワークの他方の端部の温度が一
方の端部の温度よりも相当に高くなった場合は，ワーク
の長手方向と略平行に配置された冷媒流路においてワー
クの他方の端部側から一方の端部側に向かって冷媒を流
すようにする。このように，冷媒流路における冷媒の流
れる方向を，常に温度の高い側から低い側に向かうよう
に切り換えることにより，略柱状のワークを均一に冷却
させることができるようになる。

【００１０】請求項２の発明にあっては，略柱状のワー
クをケーシング内に収納して熱処理するアニール炉であ
って，ケーシングの周面に沿って冷媒を流す並列に配置
された複数の冷媒流路を備え，互いに隣り合う冷媒流路
における冷媒の流れる方向が逆向きになっていることを
特徴としている。

【００１１】この請求項２のアニール炉においても，略
柱状のワークとは，例えば円筒形状や角筒形状などとい
った種々の柱状の他，正確な柱状ではないが，棒状のワ
ークのようなものも含む。この請求項２のアニール炉に
あっては，ケーシングの周面に沿って並列に配置された
複数の冷媒流路において，互いに隣り合う冷媒流路にお
ける冷媒の流れる方向が逆向きであるので，冷媒の入口
側と出口側で生ずる冷媒の温度差を全体として相殺で
き，略柱状のワークを均一に冷却させることができるよ
うになる。

【００１２】これら請求項１，２のアニール炉におい
て，ワークとは，例えば半導体材料であるＧａＡｓイン
ゴットである。最近では，ＧａＡｓインゴットのような
半導体材料について大型化が進められており，ワークの
直径は従来の４インチから６インチへと増加し，長さも
１０００ｍｍ程度の長尺化が考えられている。特に請求
項２，３のアニール炉によれば，最近において大型化し
たＧａＡｓインゴットの如きワークであっても，ワーク
の中央部と端部との温度差を小さく押さえながら冷却で
き，性状の優れた半導体材料を得ることができるように
なる。

【００１３】またこれら請求項１，２のアニール炉にお
いて，請求項３に記載したように，前記ケーシングの外
側には，例えばヒータと保温部材が取り付けられてい
る。これにより，ケーシング内に収納したワークをヒー
タで加熱し，更に保温部材により熱を逃がさないように
することができる。

【００１４】また請求項４に記載したように，前記保温
部材とヒータは取り外し自在に構成されていることが好
ましい。そうすれば，ワークを冷却する際には，保温部
材やヒータを取り外して放熱させ，冷却速度を速めるこ
とができる。また冷却の際，適当なファンなどによって
送風し，強制的に冷却しても良い。この場合，保温部材
などは取り外しできるので，厚い構造であっても構わな
い。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を図面を用いて説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態にかかるアニール炉１の斜視図であり，図２はア
ニール炉１において，ケーシング１０の外側からヒータ
１１と保温部材１２を取り外した状態を示す斜視図であ
る。また図３，４はいずれもケーシング１０の断面図で
ある。

【００１６】このアニール炉１は，ケーシング１０の外
側にヒータ１１を配置し，更にヒータ１１の外側を保温
部材１２によって包んだ構成を備えている。保温部材１
２は，ケーシング１０の外側にヒータ１１を配置した状
態で，それらを外側から包み込むのに十分な形状を有し
ている。また，ヒータ１１及び保温部材１２は，部分１
１ａ，１１ａ及び部分１２ａ，１２ａにそれぞれ２分割
することができ，ヒータ１１及び保温部材１２は，いず
れもケーシング１０の外側から容易に取り外すことがで
きるように構成されている。そして，ケーシング１０の
周りに先ずヒータ１１の部分１１ａ，１１ａを装着し，
更に保温部材１２の部分１２ａ，１２ａを装着した状態
で，バンド１３によって外側からしっかりと保持するこ
とにより，ヒータ１１と保温部材１２が固定されてい
る。一方，バンド１３を外してヒータ１１と保温部材１
２を部分１１ａ，１１ａと部分１２ａ，１２ａにそれぞ
れ２分割することによって，ヒータ１１と保温部材１２
をケーシング１０の周りから取り外すことができ，これ
により，図２に示すように，ケーシング１０は露出した
状態となる。

【００１７】ケーシング１０は，略柱状をなすワークＷ
を収納可能な筒形状をなし，ケーシング１０の周面に
は，ワークＷの長手方向と略平行に配置された冷媒流路
２１が設けられており，この冷媒流路２１によってケー
シング１０の周面全体を包んでいる。なお，ケーシング
１０の内部に収納されるワークＷは半導体材料であるＧ
ａＡｓインゴットであり，直径６インチ程度，長さ１０
００ｍｍ程度の大型化した円柱形状のワークＷでもケー
シング１０内に収納可能である。

【００１８】冷媒流路２１の両端にはヘッダ２２，２３
が設けられており，これらヘッダ２２，２３の間で冷媒
流路２１を介して冷媒としての空気が流通可能である。
一方のヘッダ２２に冷媒としての空気を圧縮供給するた
めのコンプレッサ２４からひかれた回路２５とドレイン
回路２６が接続され，他方のヘッダ２３にコンプレッサ
２４からひかれた回路２７とドレイン回路２８が接続さ
れている。各回路２５，２６，２７，２８には開閉弁２
９，３０，３１，３２が設けてある。

【００１９】ケーシング１０の両端部からは例えば熱電
対などからなる温度センサ３３，３４が進入して設けら
れている。これら温度センサ３３，３４はワークＷの長
手方向の両端近傍に配置されている。図示の例ではケー
シング１０内において，ワークＷの一方の端部（図３，
４ではワークＷの左端部）近傍に温度センサ３３が配置
され，ワークＷの他方の端部（図３，４ではワークＷの
右端部）近傍に温度センサ３４が配置されている。

【００２０】さて，以上のように構成された本発明の第
１の実施の形態にかかるアニール炉１において，先ずケ
ーシング１０内にワークＷを収納し，ヒータ１１で加熱
することによりワークＷを所望の温度まで昇温させる。
そして，必要であれば更に所定時間保温を行う。このよ
うにケーシング１０内に収納したワークＷを加熱や保温
する際には，図１に示すように，ヒータ１１及び保温部
材１２をケーシング１０の周りに装着しておき，ヒータ
１１の熱を逃がさないようにする。

【００２１】次にワークＷを冷却する際には，バンド１
３を外し，ヒータ１１と保温部材１２を部分１１ａ，１
１ａと部分１２ａ，１２ａにそれぞれ２分割することに
より，ヒータ１１及び保温部材１２をケーシング１０の
周りから取り外し，図２に示すように，ケーシング１０
を露出させる。これにより，ケーシング１０及びワーク
Ｗは速やかに放熱され，冷却速度を速めることができ
る。この場合，適当なファンなどによって送風し，ケー
シング１０やワークＷを強制的に冷却しても良い。

【００２２】またこのように冷却する際には，先ず例え
ば開閉弁２９，３２を開き，開閉弁３０，３１を閉じる
ことにより，図３に示すように，ヘッダ２２からヘッダ
２３に向けて冷媒流路２１内において図中の右向きに空
気を流して，ワークＷを冷却する。そして，この冷却の
際に温度センサ３３，３４によってワークＷの両端部の
温度を検出する。

【００２３】すると，このように図中の右向きに空気を
流して冷却したことにより，次第にワークＷの一方の端
部（左端部）の温度が低く，他方の端部（右端部）の温
度が高くなっていき，それが温度センサ３３，３４によ
って検出される。

【００２４】そして，温度センサ３３，３４によって検
出されるワークＷの両端部の温度差が相当に大きくなっ
た場合（例えば１０゜Ｃ程度の温度差が生じた場合）
は，開閉弁３０，３１を開き，開閉弁２９，３２を閉じ
ることにより，図４に示すように，ヘッダ２３からヘッ
ダ２２に向けて冷媒流路２１内において図中の左向きに
空気を流すように切り換えて，ワークＷを冷却する。そ
して，この冷却の際にも温度センサ３３，３４によって
ワークＷの両端部の温度を検出する。

【００２５】すると，このように図中の左向きに空気を
流して冷却したことにより，先とは反対に次第にワーク
Ｗの他方の端部（右端部）の温度が低く，一方の端部
（左端部）の温度が高くなっていき，それが温度センサ
３３，３４によって検出される。

【００２６】そして，温度センサ３３，３４によって検
出されるワークＷの両端部の温度差が相当に大きくなっ
た場合（例えば１０゜Ｃ程度の温度差が生じた場合）
は，再び開閉弁２９，３２を開き，開閉弁３０，３１を
閉じることにより，図３に示すように，ヘッダ２２から
ヘッダ２３に向けて冷媒流路２１内において図中の右向
きに空気を流すように切り換えて，ワークＷを冷却す
る。

【００２７】そして，以上の工程を繰り返しながら，冷
媒流路２１における空気の流れる方向を，常に温度の高
い側から低い側に向かうように切り換えることにより，
ワークＷを均一に冷却させることができるようになる。

【００２８】次に，図５は本発明の第２の実施の形態に
かかるアニール炉２の斜視図であり，図６はアニール炉
２において，ケーシング４０の外側からヒータ１１’と
保温部材１２’を取り外した状態を示す斜視図である。
また図７はケーシング４０の断面図である。

【００２９】このアニール炉２も，先に説明した本発明
の第１の実施の形態にかかるアニール炉１と同様に，ケ
ーシング４０の外側にヒータ１１’を配置し，更にヒー
タ１１’の外側を保温部材１２’によって包んだ構成を
備えている。ヒータ１１’及び保温部材１２’は，部分
１１ａ’，１１ａ’及び部分１２ａ’，１２ａ’にそれ
ぞれ２分割して，ケーシング４０の外側から容易に取り
外すことができ，ケーシング４０の周りにヒータ１１’
の部分１１ａ’，１１ａ’を装着し，更に保温部材１
２’の部分１２ａ’，１２ａ’を装着して，バンド１
３’によって外側からしっかりと保持することにより，
ヒータ１１’と保温部材１２’が固定されている。

【００３０】ケーシング４０は，略柱状をなすワークＷ
を収納可能な筒形状をなし，ケーシング４０の周面に
は，ワークＷの長手方向と略平行に配置された複数の冷
媒流路４１が設けられている。この実施の形態において
も，ワークＷは半導体材料であるＧａＡｓインゴットで
あり，直径６インチ程度，長さ１０００ｍｍ程度の大型
化した円柱形状のワークＷがケーシング４０内に収納さ
れている。複数の冷媒流路４１は互いに並列に配置され
ており，また，これら複数の冷媒流路４１によってケー
シング４０の周面全体をほぼ包んでいる。各冷媒流路４
１には，冷媒としての例えば空気が流通するようになっ
ており，各冷媒流路４１において，互いに隣り合う冷媒
流路４１同士における冷媒の流れる方向は逆向きに設定
されている。

【００３１】以上のように構成された本発明の第２の実
施の形態にかかるアニール炉２にあっても，先に説明し
た本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉１と同
様に，ケーシング４０内にワークＷを収納して加熱や保
温する際には，図５に示すように，ヒータ１１’及び保
温部材１２’をケーシング４０の周りに装着することに
より，熱を逃がさずに効率良く加熱及び保温を行うこと
ができる。またワークＷを冷却する際には，ヒータ１
１’及び保温部材１２’をケーシング４０の周りから取
り外すことにより，ケーシング４０及びワークＷは速や
かに放熱され，冷却速度を速めることができる。この場
合，適当なファンなどによってケーシング４０やワーク
Ｗを強制的に冷却しても良い。またケーシング４０の周
面に沿って並列に配置された複数の冷媒流路４１におい
て，互いに隣り合う冷媒流路４１における冷媒の流れる
方向が逆向きであるので，冷媒の入口側と出口側で生ず
る冷媒の温度差を全体として相殺でき，ワークＷを均一
に冷却させることが可能である。

【００３２】以上，本発明の実施の形態の一例を説明し
たが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例
えば図１や図５で説明した本発明の第１，２の実施の形
態のアニール炉１，２において，ヒータ１１，１１’や
保温部材１２，１２’は２分割に限らず３以上に分割で
きるものであっても良い。また例えば図１〜４で説明し
た本発明の第１の実施の形態のアニール炉１において，
冷媒流路２１はケーシング１０の周面全体を一体的に包
む構成に限らず，複数本の冷媒流路を平行に配置してケ
ーシング１０の周面を包むような構成でも良く，また螺
旋状にケーシング１０の周面を包むような構成でも良
い。また冷媒は空気に限らず，その他の気体や水などの
液体でも良い。また，ワークＷは，例えばＧａＡｓイン
ゴットなどに限られず，シリコンインゴットなどの如き
他の種類の半導体材料や，その他の材料であっても良
い。またその形状も円柱形状に限らず，角柱やその他種
々の柱状の他，正確な柱状ではないが，棒状のワークの
ようであっても良い。

【００３３】

【実施例】（実施例１）図１〜７で説明した本発明の第
１，２の実施の形態のアニール炉を実際に作成し，最大
径１５０ｍｍ（約６インチ），長さ５００ｍｍの円筒形
状のＧａＡｓインゴットを２本直列に並べてカーボン製
の筒に入れたワークをケーシングの中央に置いて熱処理
した。保温部材の厚さは２０ｍｍ程度とし，２分割でき
る構成とした。ヒータはカンタル線を用い，ベルトは鉄
の筒を用いた。また冷却の際には，本発明の第１の実施
の形態のアニール炉については保温部材を取り外し，本
発明の第２の実施の形態のアニール炉については保温部
材を取り外してファンによって大量の空気でブローして
冷やした。ブロー量は１２００リットル／ｍｉｎとし
た。

【００３４】図８に示すように，本発明の第１，２の実
施の形態のアニール炉によって冷却した場合は，保温部
材を取り外すことができない従来例のアニール炉によっ
て冷却した場合に比べて，冷却速度が早くなることがわ
かった。また図９に示すように，ブローによって冷却し
た場合は，ブロー無しで自然放熱のみでワークを冷却し
た場合に比べて冷却速度が速く，特にワーク温度が８０
０゜Ｃ以下の領域において両者の冷却速度の差が大く現
れた。

【００３５】（実施例２）図１〜５で説明した本発明の
第１の実施の形態のアニール炉を実際に作成し，実施例
１と同じワーク（最大径１５０ｍｍ（約６インチ），長
さ５００ｍｍの円筒形状のＧａＡｓインゴットを２本直
列に並べてカーボン製の筒に入れたワーク）を熱処理し
た。ケーシングを石英製の二重構造（内の保護管の径２
００ｍｍ，外の管の径２５０ｍｍ）で構成し，炉は均熱
長１０００ｍｍ，全長２０００ｍｍの３ゾーンタイプで
ある。炉内温度を約９００゜Ｃに保って均熱処理した
後，冷却を開始した。冷却を開始してから暫くの間は自
然放熱のみでワークを冷却し，その後，二重保護管の間
に冷却用の空気をコンプレッサーから供給して流し，強
制冷却を行った。冷却用の空気は，最大５００リットル
／ｍｉｎの供給が可能であり，流量計により流量を調整
した。ワークの両端に熱電対を置き温度差をモニターし
た。この温度差が１０℃を超えた場合に空気の流れ方向
を反転させ，ワークを均一に冷却させた。冷却過程にお
けるワークの端部と中央部の温度を検出し，温度差を調
べた。

【００３６】図１０に示す実施例では，炉内温度約９０
０゜Ｃで均熱処理した後，冷却を開始して，冷却開始後
から炉内温度が約７００゜Ｃになるまで自然冷却し，そ
の後，二重保護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷
却を行った。冷却速度は，自然冷却の間は約−２゜Ｃ／
ｍｉｎ，強制冷却の間は約−５゜Ｃ／ｍｉｎであった。
図１１に示す実施例では，炉内温度約９００゜Ｃで均熱
処理した後，冷却を開始して，冷却開始後から炉内温度
が約５００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保
護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。
冷却速度は，自然冷却の間は約−２〜−１゜Ｃ／ｍｉ
ｎ，強制冷却の間は約−５゜Ｃ／ｍｉｎであった。図１
２に示す実施例では，炉内温度約１０５０゜Ｃで均熱処
理した後，自然冷却を開始して，炉内温度が約９００゜
Ｃになった時点で一旦均熱処理し，その後再び炉内温度
が約７００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保
護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。
冷却速度は，自然冷却の間は約−２゜Ｃ／ｍｉｎ，強制
冷却の間は約−５゜Ｃ／ｍｉｎであった。図１３に示す
実施例では，炉内温度約１０５０゜Ｃで均熱処理した
後，自然冷却を開始して，炉内温度が約９００゜Ｃにな
った時点で一旦均熱処理し，その後再び炉内温度が約６
００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保護管の
間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。冷却速
度は，自然冷却の間は約−１．５〜−２．５゜Ｃ／ｍｉ
ｎ，強制冷却の間は約−５゜Ｃ／ｍｉｎであった。図１
４に示す実施例では，炉内温度約１０５０゜Ｃで均熱処
理した後，自然冷却を開始して，炉内温度が約９００゜
Ｃになった時点で一旦均熱処理し，その後再び炉内温度
が約５００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保
護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。
冷却速度は，自然冷却の間は約−０．７５〜−２゜Ｃ／
ｍｉｎ，強制冷却の間は約−２．５゜Ｃ／ｍｉｎであっ
た。これら図１０〜１４に示されるように，本発明の第
２の実施の形態のアニール炉によって冷却した場合は，
炉内中心と端部の温度差及びワーク中心と端部の温度差
がいずれも小さく，ワーク全体を均一に冷却させること
ができた。

【００３７】

【発明の効果】請求項１〜４の発明によれば，ワーク全
体を均一に冷却させることができ，場所による温度差が
小さくなる。特に請求項１〜４の発明によれば，例えば
最近大型化が進んでいるＧａＡｓインゴットのような半
導体材料を均一に冷却でき，熱処理の結果物として性状
の優れた（インプラ活性層のシート抵抗面内ばらつきが
少ない）半導体材料を得ることができる。また請求項３
によれば，熱を逃がさずにワークを効率よく加熱及び保
温することができる。また請求項４によれば，ワークを
速い速度で冷却でき，ワークの熱処理時間を短くして，
処理能力を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉
の斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉
において，ケーシングの外側からヒータと保温部材を取
り外した状態を示す斜視図である。

【図３】ケーシングの断面図である。

【図４】ケーシングの断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態にかかるアニール炉
の斜視図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態にかかるアニール炉
において，ケーシングの外側からヒータと保温部材を取
り外した状態を示す斜視図である。

【図７】ケーシングの断面図である。

【図８】実施例１，２のアニール炉によって冷却したワ
ークの温度の経時的変化を従来例と比較して示したグラ
フである。

【図９】実施例１，２のアニール炉によって冷却した場
合のワークの冷却速度を，ブローによって冷却した場合
と，ブロー無しで自然放熱のみでワークを冷却した場合
及びブローと自然放熱と保温材開放を行って冷却した場
合とで比較して示したグラフである。

【図１０】実施例２のアニール炉によって冷却した場合
の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の
経時的変化を示したグラフである。

【図１１】実施例２のアニール炉によって冷却した場合
の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の
経時的変化を示したグラフである。

【図１２】実施例２のアニール炉によって冷却した場合
の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の
経時的変化を示したグラフである。

【図１３】実施例２のアニール炉によって冷却した場合
の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の
経時的変化を示したグラフである。

【図１４】実施例２のアニール炉によって冷却した場合
の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の
経時的変化を示したグラフである。

【符号の説明】

Ｗ ワーク １，２ アニール炉 １０ ケーシング １１，１１’ ヒータ １１ａ，１１ａ’ 部分 １２，１２’ 保温部材 １２ａ，１２ａ’ 部分 １３ バンド ２１ 冷媒流路 ２２，２３ ヘッダ ２４ コンプレッサ ２５ 回路 ２６ ドレイン回路 ２７ 回路 ２８ ドレイン回路 ２９，３０，３１，３２ 開閉弁 ３３，３４ 温度センサ ４０ ケーシング ４１ 冷媒流路

フロントページの続き (72)発明者 堀江 靖 東京都千代田区丸の内一丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BE46 FE17

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略柱状のワークをケーシング内に収納し
   て熱処理するアニール炉であって，ケーシングの周面に
   沿ってワークの長手方向と略平行に冷媒を流す冷媒流路
   と，ワークの長手方向の両端近傍に配置された温度セン
   サを備え，冷媒流路における冷媒の流れる方向を可変に
   構成したことを特徴とする，アニール炉。
2. 【請求項２】 略柱状のワークをケーシング内に収納し
   て熱処理するアニール炉であって，ケーシングの周面に
   沿って冷媒を流す並列に配置された複数の冷媒流路を備
   え，互いに隣り合う冷媒流路における冷媒の流れる方向
   が逆向きになっていることを特徴とする，アニール炉。
3. 【請求項３】 前記ケーシングの外側に，ヒータと保温
   部材が取り付けられていることを特徴とする，請求項１
   又は２のアニール炉。
4. 【請求項４】 前記保温部材とヒータが取り外し自在に
   構成されていることを特徴とする，請求項３のアニール
   炉。