KR20020088620A - 진공 단열재를 갖는 열처리 장치 - Google Patents
진공 단열재를 갖는 열처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020088620A KR20020088620A KR1020010027382A KR20010027382A KR20020088620A KR 20020088620 A KR20020088620 A KR 20020088620A KR 1020010027382 A KR1020010027382 A KR 1020010027382A KR 20010027382 A KR20010027382 A KR 20010027382A KR 20020088620 A KR20020088620 A KR 20020088620A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cooling gas
- heat insulating
- heat
- vacuum
- heat treatment
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Abstract
Description
Claims (4)
- 내부에 피처리기판이 배치되는 반응튜브와, 상기 반응튜브의 외부에 배치되어 반응챔버에 열을 제공하는 가열요소와, 상기 가열요소로부터의 발생열이 챔버 외부로 방출되는 것을 차단하는 단열부를 포함하는 열처리 장치에 있어서,상기 단열부는 내측 단열재와 외측 단열재가 소정의 거리로 이격되어 그 내부에 진공부가 형성되고;상기 진공부의 일단은 냉각가스 유입구와 소통되고 타단은 냉각가스 배출구와 소통되어, 상기 냉각가스 유입구 및 배출구가 개폐됨에 따라 진공에 의한 단열을 하거나 냉각가스가 유동되는 것을 특징으로 하는 진공 단열재를 갖는 열처리 장치.
- 제 1항에 있어서, 금속재의 방열핀이 상기 내측 단열재를 포위 접촉되어 축설되고, 그 핀날개는 냉각가스의 유동과 동일한 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 진공 단열재를 갖는 열처리 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 방열핀의 재료는 구리, 스텐레스, 알루미늄, 마그네슘, 강 중 어느것 하나를 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 하는 진공 단열재를 갖는 열처리 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 냉각가스 유입구는 단열부에 대한 냉각가스 유입구와 반응챔버에 대한 냉각가스 유입구가 별도로 축설되고, 각각의 냉각가스 유입구와 상기 냉각가스 배출구에 밸브가 축설되어 열처리 공정에 따라 단열부와 반응챔버를 선택적으로 냉각시키는 것을 특징으로 하는 진공 단열재를 갖는 열처리 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0027382A KR100423203B1 (ko) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 진공 단열재를 갖는 열처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0027382A KR100423203B1 (ko) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 진공 단열재를 갖는 열처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020088620A true KR20020088620A (ko) | 2002-11-29 |
KR100423203B1 KR100423203B1 (ko) | 2004-03-18 |
Family
ID=27705508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0027382A KR100423203B1 (ko) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 진공 단열재를 갖는 열처리 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100423203B1 (ko) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100626386B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 제조에 사용되는 기판 처리 장치 및 기판처리 방법 |
KR101442222B1 (ko) * | 2013-04-05 | 2014-09-24 | 주식회사 아바코 | 열처리 시스템과 열처리 방법 및 그를 이용한 cigs 태양전지의 제조방법 |
KR101442225B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2014-11-03 | 주식회사 아바코 | 열처리 시스템과 열처리 방법 및 그를 이용한 cigs 태양전지의 제조방법 |
KR101442227B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2014-11-04 | 주식회사 아바코 | 열처리 시스템과 열처리 방법 및 그를 이용한 cigs 태양전지의 제조방법 |
KR101442219B1 (ko) * | 2013-04-02 | 2014-11-04 | 주식회사 아바코 | 열처리 시스템과 열처리 방법 및 그를 이용한 cigs 태양전지의 제조방법 |
RU2764877C1 (ru) * | 2021-05-17 | 2022-01-21 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Вакуумный комплекс термического отжига полупроводниковых пластин |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101238375B1 (ko) | 2011-04-20 | 2013-02-28 | 주식회사 썸백 | 가스 반응장치 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2670513B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1997-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置 |
JP2947604B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1999-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理炉 |
JP3073627B2 (ja) * | 1993-06-14 | 2000-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP2000223483A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2001
- 2001-05-18 KR KR10-2001-0027382A patent/KR100423203B1/ko active IP Right Grant
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100626386B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 제조에 사용되는 기판 처리 장치 및 기판처리 방법 |
KR101442219B1 (ko) * | 2013-04-02 | 2014-11-04 | 주식회사 아바코 | 열처리 시스템과 열처리 방법 및 그를 이용한 cigs 태양전지의 제조방법 |
KR101442225B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2014-11-03 | 주식회사 아바코 | 열처리 시스템과 열처리 방법 및 그를 이용한 cigs 태양전지의 제조방법 |
KR101442222B1 (ko) * | 2013-04-05 | 2014-09-24 | 주식회사 아바코 | 열처리 시스템과 열처리 방법 및 그를 이용한 cigs 태양전지의 제조방법 |
WO2014163366A1 (en) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | Avaco Co., Ltd. | Thermal treatment system and method of performing thermal treatment and method of manufacturing cigs solar cell using the same |
US9478448B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-10-25 | Avaco Co., Ltd. | Thermal treatment system and method of performing thermal treatment and method of manufacturing CIGS solar cell using the same |
KR101442227B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2014-11-04 | 주식회사 아바코 | 열처리 시스템과 열처리 방법 및 그를 이용한 cigs 태양전지의 제조방법 |
RU2764877C1 (ru) * | 2021-05-17 | 2022-01-21 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Вакуумный комплекс термического отжига полупроводниковых пластин |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100423203B1 (ko) | 2004-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100440422C (zh) | 具有动态温度控制的基片支架 | |
TWI428713B (zh) | 高腔室溫度製程及用於光阻剝除及後金屬蝕刻鈍化之腔室設計 | |
KR101629366B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법 | |
US6727194B2 (en) | Wafer batch processing system and method | |
US6300600B1 (en) | Hot wall rapid thermal processor | |
US20160042983A1 (en) | Heater elements with enhanced cooling | |
US7358200B2 (en) | Gas-assisted rapid thermal processing | |
JP2000003918A (ja) | 半導体熱処理装置及びその方法 | |
KR101290943B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 가열 장치 | |
KR100423203B1 (ko) | 진공 단열재를 갖는 열처리 장치 | |
US6120610A (en) | Plasma etch system | |
JP2006505947A (ja) | 強制対流利用型の急速加熱炉 | |
KR100639712B1 (ko) | 퍼니스 장치 및 그 장치를 사용한 열처리 방법 | |
WO2001097271A1 (en) | Method and apparatus for uniform direct radiant heating in a rapid thermal processing reactor | |
US6427470B1 (en) | Cooling system for reducing particles pollution | |
JP4791303B2 (ja) | 基板処理装置およびこの装置に用いられる冷却手段、icの製造方法 | |
JP4068175B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW201910697A (zh) | 排氣結構 | |
US11127607B2 (en) | Heat processing system | |
JP2004327528A (ja) | 半導体処理装置 | |
KR100539386B1 (ko) | 퍼니스 장치 | |
KR200360036Y1 (ko) | 퍼니스 장치 | |
JP3118760B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH11102872A (ja) | 反応炉 | |
KR200361897Y1 (ko) | 퍼니스 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130304 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140403 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150304 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160905 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170306 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180306 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190430 Year of fee payment: 16 |