JP2000327476A5 - - Google Patents

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CN104264220A (zh) * 2014-07-02 2015-01-07 洛阳金诺机械工程有限公司 一种用产品料直接拉制硅芯的方法
JP6863240B2 (ja) * 2017-11-13 2021-04-21 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造装置および製造方法

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DE1644002A1 (de) * 1967-04-15 1970-04-09 Siemens Ag Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes,insbesondere Halbleiterstabes
DE2227750C3 (de) * 1972-06-07 1980-08-28 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines stabförmigen Körpers aus kristallinem Material, insbesondere aus Halbleitermaterial
DE2438852C3 (de) * 1974-08-13 1980-02-07 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von homogen-dotierten Halbleitereinkristallstäben
JP2845086B2 (ja) * 1993-04-07 1999-01-13 信越半導体株式会社 半導体単結晶成長装置
JPH0940492A (ja) * 1995-07-27 1997-02-10 Hitachi Cable Ltd 単結晶の製造方法及び製造装置

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